CN108701548B - 电极箔的制造方法和电解电容器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的电解电容器的制造方法具备：将包含第一金属的金属箔进行粗糙化的工序；利用原子层堆积法，在上述经粗糙化的上述金属箔的表面形成包含第二金属的氧化物的第二电介质层的工序；以及，将形成有上述第二电介质层的上述金属箔进行化学转化，在上述金属箔与上述第二电介质层之间形成包含上述第一金属的氧化物的第一电介质层的工序。

Description

电极箔的制造方法和电解电容器的制造方法
技术领域
本发明涉及电极箔的制造方法和电解电容器的制造方法，尤其涉及耐电压性和静电容量的提高。
背景技术
作为电解电容器的阳极体，可以使用包含阀作用金属的金属箔。为了增加电解电容器的容量，对金属箔的主面的全部或一部分实施蚀刻。通常，其后将金属箔进行化学转化处理，在通过蚀刻而形成的凹凸表面形成金属氧化物(电介质)的层。
专利文献1教导了：利用原子层堆积法，在经蚀刻的金属箔的表面形成电介质层，用以代替化学转化处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-43960号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，专利文献1的方法中，电解电容器的容量增加不充分，耐电压性也低。
用于解决问题的方案
即，本发明的第一方面涉及的电极箔的制造方法中，所述电极箔具备：金属箔，包含第一金属；第一电介质层，配置在所述金属箔上；以及第二电介质层，配置在所述第一电介质层上，所述电极箔的制造方法具备：将金属箔进行粗糙化的工序；利用原子层堆积法，在上述经粗糙化的上述金属箔的表面形成包含第二金属的氧化物的第二电介质层的工序；以及，将上述金属箔进行化学转化，在上述金属箔与上述第二电介质层之间形成包含上述第一金属的氧化物的第一电介质层的工序。
本发明的第二方面涉及的电解电容器的制造方法中，所述电解电容器包含电极箔，所述电极箔具备：金属箔，包含第一金属；第一电介质层，配置在所述金属箔上；以及第二电介质层，配置在所述第一电介质层上，所述电解电容器的制造方法具备：将金属箔进行粗糙化的工序；利用原子层堆积法，在上述经粗糙化的上述金属箔的表面形成包含第二金属的氧化物的第二电介质层的工序；将上述金属箔进行化学转化，在上述金属箔与上述第二电介质层之间形成包含上述第一金属的氧化物的第一电介质层，得到电极箔的工序；以及，使电解液浸渗至上述电极箔的工序和在第二电介质层的表面形成固体电解质层的工序中的至少一个工序。
发明效果
根据本发明，能够得到容量大、耐电压性优异的电解电容器。
附图说明
图1是将通过本发明的实施方式所述的方法而制造的电极箔的表面部分放大示出的截面图。
图2是用于说明通过本发明的实施方式所述的方法而制造的电解电容器的主要部分的构成的展开图。
图3是通过本发明的实施方式所述的方法而制造的电解电容器的截面示意图。
图4是示出实施例和比较例中的漏电流的曲线图。
具体实施方式
通过本实施方式所述的制造方法而得到的电极箔具备2个电介质层，所述电介质层覆盖至在经粗糙化的金属箔所形成的凹坑的深部(进而最深部)的表面为止。这种电极箔通过具备如下工序的方法来制造：准备包含第一金属的金属箔的工序(第一工序)；将金属箔进行粗糙化的工序(第二工序)；利用原子层堆积法，在经粗糙化的金属箔的表面形成包含第二金属的氧化物的第二电介质层的工序(第三工序)；和将形成有第二电介质层的金属箔进行化学转化，在金属箔与第二电介质层之间形成包含第一金属的氧化物的第一电介质层的工序(第四工序)。通过该方法而制造的电极箔在使电解电容器的容量增加的同时，金属箔的自然电位上升，耐电压性提高。以下，针对本实施方式所述的电极箔的制造方法，分工序地进行说明。
[电极箔的制造方法]
(1)准备金属箔的工序(第一工序)
首先，准备包含第一金属的金属箔。第一金属的种类没有特别限定，从容易形成第一电介质层的观点出发，优选使用铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)等阀作用金属或包含阀作用金属的合金。金属箔的厚度没有特别限定，例如为15μm以上且300μm以下。
(2)将金属箔进行粗糙化的工序(第二工序)
接着，将金属箔的表面进行粗糙化。通过粗糙化，在金属箔的表面形成多个凹坑。粗糙化优选通过对金属箔进行蚀刻处理来进行。蚀刻处理通过例如基于直流电流的直流蚀刻或基于交流电流的交流蚀刻来进行。
在金属箔的表面形成的凹坑的孔径没有特别限定，从能够增大表面积的观点和第二电介质层容易形成至凹坑深部为止的观点出发，优选为50～2000nm。凹坑的孔径是指例如利用水银孔隙率计测定的细孔分布的最可几孔径。凹坑的深度也没有特别限定，根据金属箔的厚度来适当设定即可。其中，从能够增大表面积的观点和保持电极箔的强度的观点出发，凹坑的深度(形成有凹坑的蚀刻区域的厚度D)优选为蚀刻前的金属箔的厚度的1/10以上且4/10以下。蚀刻区域的厚度D是金属箔的截面的SEM或TEM图像中的任意10点的平均值。以下，第一电介质层和第二电介质层的厚度也同样算出。
(3)形成第二电介质层的工序(第三工序)
在经粗糙化的金属箔的表面形成包含第二金属的氧化物的第二电介质层。此时，第二金属的氧化物利用原子层堆积法而堆积于金属箔的表面。第二电介质层的厚度没有特别限定，例如为0.5nm以上且200nm以下。
原子层堆积法(Atomic Layer Deposition：ALD法)是向配置有对象物的反应室中交替地供给氧化剂和包含第二金属的原料气体，从而在对象物的表面形成包含第二金属的氧化物的层(第二电介质层)的制膜方法。ALD法中，由于自停止(Self-limiting)作用发挥功能，因此，第二金属以原子层单位堆积至对象物的表面。因此，根据将原料气体的供给→原料气体的排气(吹扫)→氧化剂的供给→氧化剂的排气(吹扫)作为1个循环的循环数，控制第二电介质层的厚度。换言之，ALD法从容易控制要形成的层的厚度的观点出发是优选的方法。进而，与在400～900℃的温度条件下进行的化学气相生长法(CVD)相比，ALD法可以在100～400℃的温度条件下进行。换言之，ALD法从能够抑制对金属箔造成的热损伤的观点出发也是优选的。
ALD法中，如果凹坑的孔径例如为10nm左右，则能够在凹坑深部的表面形成薄膜。如上所述，在金属箔的表面形成的凹坑通常具有50nm以上的孔径。因此，根据ALD法，在孔径小且深的凹坑、即纵横比大的凹坑深部的表面也能够形成第二电介质层。
例如，根据ALD法，可以以蚀刻区域之中的从蚀刻区域的表面起至0.5D为止的表面区域中的第二金属的浓度C1、与蚀刻区域的剩余部分即深部区域中的第二金属的浓度C2之比C2/C1达到0.5～1.2的方式来形成第二电介质层。第二金属的浓度可通过具备第二电介质层的金属箔的截面分析、例如使用了能量分散型X射线分光法(EDX)的元素映射来算出。
作为第二金属，可列举出Al、Ta、Nb、硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)等。它们可以单独使用，或者组合两种以上。即，第二电介质层中，可以单独包含或者组合两种以上地包含Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2。在第二电介质层包含两种以上第二金属的氧化物的情况下，各氧化物可以混合存在，也可以分别配置成层状。其中，第二金属优选为与金属箔中包含的第一金属不同的金属种类。尤其是，从所得电解电容器的容量增加的观点出发，第二金属的氧化物优选具有比第一金属的氧化物更高的相对介电常数。此外，从电解电容器的耐电压提高的观点出发，第二金属的氧化物优选为Ta2O5、TiO2、SiO2。
作为氧化剂，可以使用以往在ALD法中使用的氧化剂。作为氧化剂，可列举出例如水、氧、臭氧等。氧化剂可以以将氧化剂作为原料的等离子体的形式而供给至反应室中。
关于第二金属，将包含第二金属的前体(precursor)进行气化，并供给至反应室中。前体是包含第二金属的有机金属化合物，由此，第二金属容易化学吸附至对象物。作为前体，可以使用以往在ALD法中使用的各种有机金属化合物。
作为包含Ti的前体，可列举出例如双(叔丁基环戊二烯基)钛(IV)二氯化物(C18H26C12Ti)、四(二甲基氨基)钛(IV)([(CH3)2N]4Ti、TDMAT)、四(二乙基氨基)钛(IV)([(C2H5)2N]4Ti)、四(乙基甲基氨基)钛(IV)(Ti[N(C2H5)(CH3)]4)、钛(IV)(二异丙氧基-双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸(Ti[OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3]2(OC3H7)2)、四氯化钛(TiCl4)、异丙醇钛(IV)(Ti[OCH(CH3)2]4)、乙醇钛(IV)(Ti[O(C2H5)]4)等。
作为包含Al的前体，可列举出例如三甲基铝((CH3)3Al)等。作为包含Zr的前体，可列举出例如双(甲基-η5-环戊二烯基)甲氧基甲基锆(Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3)、四(二甲基氨基)锆(IV)([(CH3)2N]4Zr)、四(乙基甲基氨基)锆(IV)(Zr(NCH3C2H5)4)、叔丁醇锆(IV)(Zr[OC(CH3)3]4)等。作为包含Nb的前体，可列举出例如乙醇铌(V)(Nb(OCH2CH3)5)、三(二乙基氨基)(叔丁基亚氨基)铌(V)(C16H39N4Nb)等。
作为包含Si的前体，可列举出例如N-仲丁基(三甲基甲硅烷基)胺(C7H19NSi)、1，3-二乙基-1，1，3，3-四甲基二硅氮烷(C8H23NSi2)、2，4，6，8，10-五甲基环五硅氧烷((CH3SiHO)5)、五甲基二硅烷((CH3)3SiSi(CH3)2H)、三(异丙氧基)硅烷醇([(H3C)2CHO]3SiOH)、氯戊烷甲基二硅烷((CH3)3SiSi(CH3)2Cl)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、三(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]4)、四乙基硅烷(Si(C2H5)4)、四甲基硅烷(Si(CH3)4)、四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)、十二甲基环六硅烷((Si(CH3)2)6)、四氯化硅(SiCl4)、四溴化硅(SiBr4)等。
作为包含Ta的前体，可列举出例如三(乙基甲基氨基)(叔丁基氨基)钽(V)(C13H33N4Ta)、五乙醇钽(V)(Ta(OC2H5)5)、三(二乙基氨基)(叔丁基亚氨基)钽(V)((CH3)3CNTa(N(C2H5)2)3)、五(二甲基氨基)钽(V)(Ta(N(CH3)2)5)等。
作为包含Hf的前体，可列举出例如四氯化铪(HfCl4)、四(二甲基氨基)铪(Hf[N(CH3)2]4)、四(乙基甲基氨基)铪(Hf[N(C2H5)(CH3)]4)、四(二乙基氨基)铪(Hf[N(C2H5)2]4)、叔丁醇铪(Hf[OC(CH3)3]4)等。
(4)形成第一电介质层的工序(第四工序)
接着，对形成有第二电介质层的金属箔进行化学转化。由此，例如如图1所示，在金属箔11与第二电介质层122之间形成包含构成金属箔11的第一金属的氧化物的第一电介质层121。第一电介质层121通过对金属箔11进行化学转化而形成，因此，可形成至凹坑11a的最深部的表面为止。
根据ALD法，能够形成薄且均匀的第二电介质层122。但是，实际上，在凹坑11a的内部(尤其是最深部)的表面，会有具有针孔等缺陷的情况。因而，对形成有第二电介质层122的金属箔11进行化学转化处理。由此，经离子化的第一金属扩散至第二电介质层122为止。利用扩散至第二电介质层122的第一金属来修复第二电介质层122的缺陷。其结果，作为电介质层12整体，形成无针孔且具备均匀厚度的层。因而，随着电解电容器的容量的增加，金属箔11的自然电位上升，耐电压性提高。第一电介质层121的厚度没有特别限定。
根据化学转化处理后的第二电介质层122在包含第二金属的基础上还包含第一金属，且形成的第一电介质层121的厚度变薄可知：第二电介质层122的缺陷因化学转化处理而得以修复。例如，第一电介质层121的厚度与在相同条件下对不具有第二电介质层122的金属箔11进行化学转化的情况相比变薄。进而，第二电介质层122越厚，则第一电介质层121的厚度越薄。可以认为这是因为：由于较厚的第二电介质层122，导致进行化学转化处理时的第一金属的溶出受到抑制，并且，应该被第一金属修复的第二电介质层122的缺陷变多。因此，形成包含第二金属的氧化物的第二电介质层122且所述第二金属的氧化物具有比第一金属的氧化物更高的相对介电常数，其后，将金属箔11进行化学转化而形成第一电介质层121时，能够进一步增大所得的电解电容器的容量。这是因为：包含相对介电常数低的第一金属的第一电介质层121变薄。
将金属箔11进行化学转化的方法没有特别限定，例如，可通过将金属箔11浸渍于己二酸铵溶液等化学转化液中，并施加电压(阳极氧化)来进行。第一电介质层121的厚度根据阳极氧化时施加的电压而变化。
这样得到的第二电介质层122的厚度T2与第一电介质层121的厚度T1之比没有特别限定，根据用途和期望效果等来适当设定即可。例如，厚度之比T1/T2可以为0.01左右，也可以为30以上。第二电介质层122与第一电介质层121的总厚度有时与利用相同条件将不具有第二电介质层122的金属箔11进行化学转化而形成的包含第一金属的电介质层的厚度达到相同程度。需要说明的是，第一金属和第二金属可以作为它们的复合氧化物而包含在第二电介质层122中。换言之，在第二电介质层122中包含第一金属与第二金属的复合氧化物的情况下，可以说对金属箔11依次进行上述的第三工序和第四工序。
[电解电容器]
具备电极箔10作为阳极体的电解电容器可通过例如进行使电解液浸渗至通过上述的第一工序～第四工序而制造的电极箔10的工序和/或在第二电介质层122的表面形成固体电解质层的第五工序来制造。
(5)使电解液浸渗至电极箔的工序和/或在第二电介质层的表面形成固体电解质层的工序(第五工序)
第五工序中，使电解液浸渗至电极箔10或者在电极箔10的第二电介质层122的表面形成固体电解质层。进行电解液的浸渗工序和固体电解质层的形成工序这两者时，在固体电解质层的形成工序之后，进行电解液的浸渗工序。
作为要浸渗至电极箔10的电解液，可以是非水溶剂，也可以是非水溶剂与溶解于其中的离子性物质(溶质、例如有机盐)的混合物。非水溶剂可以是有机溶剂，也可以是离子性液体。作为非水溶剂，优选为高沸点溶剂。可以使用例如乙二醇、丙二醇等多元醇类；环丁砜等环状砜类；γ-丁内酯等内酯类；N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等酰胺类；乙酸甲酯等酯类；碳酸丙烯酯等碳酸酯化合物；1，4-二噁烷等醚类；甲乙酮等酮类；甲醛等。有机盐是指阴离子和阳离子中的至少一者包含有机物的盐。作为有机盐，可以使用例如马来酸三甲胺、硼二水杨酸三乙胺、邻苯二甲酸乙基二甲胺、邻苯二甲酸单-1，2，3，4-四甲基咪唑啉鎓、邻苯二甲酸单-1，3-二甲基-2-乙基咪唑啉鎓等。
固体电解质层包含例如锰化合物、导电性高分子。即，与电极箔10接触的电解质包含锰化合物、导电性高分子。作为导电性高分子，可以使用聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺和它们的衍生物等。包含导电性高分子的固体电解质层例如可通过将原料单体在第二电介质层122上进行化学聚合和/或电解聚合来形成。或者，可通过将溶解有导电性高分子的溶液或者分散有导电性高分子的分散液涂布于第二电介质层122来形成。
可以在制作图2所示那样的卷绕体100后再进行第五工序。图2是用于说明卷绕体100的构成的展开图。
在制作卷绕体100时，首先准备阴极体20。
阴极体20也可以与电极箔10(阳极体)同样地使用金属箔。金属的种类没有特别限定，优选使用Al、Ta、Nb等阀作用金属或包含阀作用金属的合金。根据需要，可以将阴极体20的表面进行粗糙化。此外，阴极体20的表面可以设置有化学转化覆膜，也可以设置有与构成阴极体20的金属不同的金属(异种金属)、非金属的覆膜。作为异种金属、非金属，可列举出例如Ti之类的金属、碳之类的非金属等。
接着，将电极箔10与阴极体20隔着间隔件30进行卷绕。此时，各电极分别与引线接头50A或50B的一个端部相连，一边卷入引线接头50A和50B，一边卷绕各电极。引线接头50A和50B的另一个端部分别与引线60A和60B相连。关于引线60A和60B的材料，没有特别限定，可以为导电性材料。
间隔件30没有特别限定，可以使用例如以纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯、维尼纶、芳纶纤维等作为主成分的无纺布。引线接头50A和50B的材料也没有特别限定，只要为导电性材料即可。引线接头50A和50B的表面可以进行化学转化处理。此外，引线接头50A和50B的与密封部件212(参照图3)接触的部分、与引线60A或60B相连的部分可以被树脂材料覆盖。
接着，在经卷绕的电极箔10、阴极体20和间隔件30之中，在位于最外层的阴极体20的外侧表面配置封卷胶带40，将阴极体20的端部用封卷胶带40固定。需要说明的是，通过将大张的金属箔11裁切来准备电极箔10时，为了在电极箔10的裁切面设置电介质层，可以对所得的卷绕体100进一步进行化学转化处理。
使电解质接触卷绕体100的方法没有特别限定。例如，可以使用使卷绕体100浸渍于容纳在容器内的电解质中的方法；将电解质滴加至卷绕体100的方法等。浸渗可以在减压下、例如10kPa～100kPa、优选40kPa～100kPa的气氛中进行。
接着，通过将卷绕体100密封而得到图3所示那样的电解电容器200。图3是通过本实施方式所述的制造方法而得到的电解电容器200的截面示意图。电解电容器200例如如下制造。首先，以引线60A、60B位于有底壳体211的开口上表面的方式，将卷绕体100容纳在有底壳体211中。作为有底壳体211的材料，可以使用铝、不锈钢、铜、铁、黄铜等金属或者它们的合金。
接着，将以引线60A、60B贯穿其中的方式形成的密封部件212配置在卷绕体100的上方，将卷绕体100密封在有底壳体211内。密封部件212可以为绝缘性物质。作为绝缘性物质，优选为弹性体，其中，优选为耐热性高的硅酮橡胶、氟橡胶、乙烯丙烯橡胶、HYPALON橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶等。
接着，对有底壳体211的开口端附近实施横拉加工，将开口端铆接于密封部件212而进行卷曲加工。最后，通过在卷曲部分配置座板213而完成密封。其后，一边施加额定电压，一边进行老化处理。
在上述的实施方式中，针对卷绕型的电解电容器进行了说明，但本发明的应用范围不限定于上述，也可应用于其它的电解电容器、例如层叠型的电解电容器。
以下，基于实施例，更详细地说明本发明，但本发明不限定于实施例。
《实施例1》
本实施例中，制作额定电压为2.0V的卷绕型电解电容器(Φ(直径)6.3mm×L(长度)9.9mm)。以下，针对电解电容器的具体制造方法进行说明。
(电极箔的制作)
准备厚度为120μm的Al箔。对该Al箔进行直流蚀刻处理，将表面进行粗糙化。Al箔的表面形成有厚度40μm的蚀刻区域，其凹坑的孔径为100～200nm。
接着，利用ALD法(温度：200℃、前体：TDMAT、氧化剂：H2O、压力：10Pa、60个循环)，在Al箔的表面形成第二电介质层。接着，对Al箔实施化学转化处理而形成第一电介质层，得到电极箔。化学转化处理通过将Al箔浸渍在己二酸铵溶液中，并对其施加4V电压来进行。其后，裁切电极箔，准备阳极体。
基于EDX的元素分析的结果是：第二电介质层(厚度：2.5nm)中包含TiO2以及Ti与Al的复合氧化物，第一电介质层(厚度：约11nm)中包含Al2O3。此外，Ti的浓度C1与浓度C2之比C2/C1为1.0。
(阴极体的准备)
对厚度为50μm的Al箔进行蚀刻处理，将Al箔的表面进行粗糙化。其后，将Al箔裁切，准备阴极体。
(卷绕体的制作)
对阳极体和阴极体连接阳极引线接头和阴极引线接头，一边卷绕引线接头，一边将阳极体与阴极体隔着间隔件进行卷绕。在从卷绕体中突出的各引线接头的端部分别连接阳极引线和阴极引线。并且，对于所制作的卷绕体再次进行化学转化处理，在阳极体的被切割的端部形成电介质层。接着，将卷绕体的外侧表面的端部用封卷胶带固定。
(导电性高分子分散液的制备)
将3，4-乙烯二氧噻吩与作为掺杂剂的聚苯乙烯磺酸溶解于离子交换水而制备混合溶液。一边搅拌所得的混合溶液，一边添加溶解于离子交换水的硫酸铁(III)(氧化剂)，进行聚合反应。在反应后，将所得反应液进行透析，去除未反应单体和过量的氧化剂，得到包含掺杂有约5质量％的聚苯乙烯磺酸的聚乙烯二氧噻吩的导电性高分子分散液。
(固体电解质层的形成)
在减压气氛(40kPa)中，将卷绕体在容纳于规定容器的导电性高分子分散液中浸渍5分钟，其后，从导电性高分子分散液中提拉卷绕体。接着，使浸渗有导电性高分子分散液的卷绕体在150℃的干燥炉内干燥20分钟，在阳极体与阴极体之间形成有包含导电性高分子的固体电解质层。
(卷绕体的密封)
将具备固体电解质层的卷绕体进行密封，完成图3所示的电解电容器。其后，一边施加额定电压，一边以130℃进行2小时的老化处理。
针对所得电解电容器，测定静电容量和漏电流。此外，一边以1.0V/秒的倍率进行升压一边施加电压，测定流通0.5A的过电流时的击穿耐电压。将静电容量和击穿耐电压的评价结果示于表1，将漏电流的测定结果示于图4。表1合并示出将比较例1的结果设为100时的各相对值。
《实施例2》
除了将ALD法的循环数设为100次之外，与实施例1同样地制作电解电容器，并进行评价。将结果示于表1和图4。化学转化处理后的第二电介质层(厚度：约4.4nm)中包含TiO2以及Ti与Al的复合氧化物，第一电介质层(厚度：约8.7nm)中包含Al2O3。此外，Ti的浓度C1与浓度C2之比C2/C1为1.0。
《实施例3》
除了将ALD法的循环数设为180次之外，与实施例1同样制作电解电容器，并进行评价。将结果示于表1和图4。化学转化处理后的第二电介质层(厚度：约7.0nm)中包含TiO2以及Ti与Al的复合氧化物，第一电介质层(厚度：约7.1nm)中包含Al2O3。此外，Ti浓度C1与浓度C2之比C2/C1为1.0。
《比较例1》
除了未形成第二电介质层(仅进行化学转化处理)之外，与实施例1同样制作电解电容器，并进行评价。在阳极体的Al箔的表面形成有厚度约14nm的包含Al2O3的层。将结果示于表1和图4。
《比较例2》
除了未形成第一电介质层(未进行化学转化处理)之外，与实施例1同样制作电解电容器。在阳极体的Al箔的表面形成有厚度约2.5nm的包含TiO2的层。但是，漏电流大，无法测定静电容量。此外，击穿耐电压也无法稳定地测定。
《比较例3》
除了使用CVD法来代替ALD法之外，与实施例1同样制作电解电容器，并评价静电容量和击穿耐电压。将结果示于表1。第二电介质层中包含TiO2以及Ti与Al的复合氧化物，但第二电介质层并未形成于凹坑深部的表面。因此，Ti的浓度C1与浓度C2之比C2/C1为0.2。所形成的化学转化处理后的第二电介质层的厚度为约2.5nm。第一电介质层(厚度：约12nm)中包含Al2O3。
[表1]
容量(μF/cm<sup>2</sup>) 容量相对值 耐电压(V) 耐电压相对值
实施例1 38 108 6.13 103
实施例2 43 123 6.21 104
实施例3 51 145 6.34 106
比较例1 35 100 5.98 100
比较例2 - - - -
比较例3 33.6 96 5.82 97
实施例1～3与比较例1相比，耐电压和容量均提高。此外，实施例1～3与比较例1之间的漏电流值没有明显变化，可以认为第二电介质层的厚度差异几乎不对漏电流造成影响。
产业上的可利用性
通过本发明所述的方法而制造的电极箔使容量和耐电压性提高，因此可利用于各种用途的电容器。
附图标记说明
10：电极箔、11：金属箔、11a：凹坑、12：电介质层、121：第一电介质层、122：第二电介质层、20：阴极体、30：间隔件、40：封卷胶带、50A、50B：引线接头、60A、60B：引线、100：卷绕体、200：电解电容器、211：有底壳体、212：密封部件、213：座板。

Claims (6)

1.一种电极箔的制造方法，其中，所述电极箔具备：
金属箔，包含第一金属；
第一电介质层，配置在所述金属箔上；以及
第二电介质层，配置在所述第一电介质层上，
所述电极箔的制造方法依次具备：
通过对所述金属箔进行蚀刻处理来将所述金属箔进行粗糙化的工序；
利用原子层堆积法，在所述经粗糙化的所述金属箔的表面形成包含第二金属的氧化物的所述第二电介质层的工序；以及
将所述金属箔进行化学转化，在所述金属箔与所述第二电介质层之间形成包含所述第一金属的氧化物的所述第一电介质层的工序，
在对所述金属箔进行粗糙化的工序以及形成所述第二电介质层的工序中，调整所述蚀刻处理的条件以及所述原子层堆积法的条件，以蚀刻区域之中的从蚀刻区域的表面起至0.5倍的蚀刻区域的厚度D为止的表面区域中的所述第二金属的浓度C1、与蚀刻区域的剩余部分即深部区域中的所述第二金属的浓度C2之比C2/C1达到0.5～1.2的方式，来形成所述蚀刻区域和所述第二电介质层。
2.根据权利要求1所述的电极箔的制造方法，其中，所述第二电介质层包含所述第一金属与所述第二金属的复合氧化物。
3.根据权利要求2所述的电极箔的制造方法，其中，在形成所述第一电介质层的工序中，形成所述复合氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的电极箔的制造方法，其中，所述第一金属为铝，所述第二金属为钛。
5.根据权利要求1或2所述的电极箔的制造方法，其中，在将所述金属箔进行粗糙化的工序中，利用直流蚀刻或交流蚀刻对所述金属箔进行粗糙化。
6.一种电解电容器的制造方法，其中，所述电解电容器包含电极箔，所述电极箔具备：
金属箔，包含第一金属；
第一电介质层，配置在所述金属箔上；以及
第二电介质层，配置在所述第一电介质层上，
所述电解电容器的制造方法依次具备：
通过对所述金属箔进行蚀刻处理来将所述金属箔进行粗糙化的工序；
利用原子层堆积法，在所述经粗糙化的所述金属箔的表面形成包含第二金属的氧化物的所述第二电介质层的工序；
将所述金属箔进行化学转化，在所述金属箔与所述第二电介质层之间形成包含所述第一金属的氧化物的所述第一电介质层，得到所述电极箔的工序；以及
使电解液浸渗至所述电极箔的工序和在所述第二电介质层的表面形成固体电解质层的工序中的至少一个工序，
在对所述金属箔进行粗糙化的工序以及形成所述第二电介质层的工序中，调整所述蚀刻处理的条件以及所述原子层堆积法的条件，以蚀刻区域之中的从蚀刻区域的表面起至0.5倍的蚀刻区域的厚度D为止的表面区域中的所述第二金属的浓度C1、与蚀刻区域的剩余部分即深部区域中的所述第二金属的浓度C2之比C2/C1达到0.5～1.2的方式，来形成所述蚀刻区域和所述第二电介质层。
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