CN108700819A

CN108700819A - 光刻设备和用于执行测量的方法

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Publication number: CN108700819A
Application number: CN201680082524.7A
Authority: CN
Inventors: A·J·登鲍埃夫; S·G·J·马西森; 林楠; S·B·罗博尔
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2015-12-23
Filing date: 2016-12-07
Publication date: 2018-10-23
Anticipated expiration: 2036-12-07
Also published as: NL2017945A; CN108700819B; IL259740B; US20170184511A1; KR20180096741A; TW201730546A; US10067068B2; WO2017108410A1; KR20200117046A; TWI633296B; IL259740A; KR102392704B1

Abstract

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备具有检查设备，该检查设备具有利用波长为2‑40nm的照射辐射的照射系统。该照射系统包括光学元件，该光学元件将照射辐射分成第一和第二照射辐射，并将时间延迟引入至第一或第二照射辐射。检测器检测已经由目标结构散射的辐射。检查设备具有处理单元，所述处理单元可操作以控制所述第一散射辐射和所述第二散射辐射之间的时间延迟，以便优化所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的属性。

Description

光刻设备和用于执行测量的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月23日提交的欧洲申请15202301.6的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和一种用于执行测量的方法。特别地，本发明涉及包括在光刻设备中的检查设备，以及在其中用于执行测量的方法

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。多个层(每个层具有特定的图案和材料组成)被施加，以限定功能器件和成品的互连。

在光刻过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量重叠的专用工具，所述重叠是器件中的两个层的对准的准确度。近来，各种形式的散射计已经被开发，应用在光刻领域中。

已知的散射计的示例通常依赖于提供专用的量测目标。例如，一种方法可能需要具有足够大的简单光栅形式的目标，使得测量束产生小于光栅的斑点(即，光栅未充满)。在所谓的重建方法中，可以通过模拟散射辐射与目标结构的数学模型的相互作用来计算光栅的属性。调整模型的参数，直到模拟的相互作用产生类似于从真实目标观察到的衍射图案的衍射图案。

除了通过重建对特征形状进行测量之外，可以使用这种设备测量基于衍射的重叠，如公开的专利申请US2006066855A1中所述的。使用衍射级的暗场成像的基于衍射的重叠量测使得能够在较小的目标上实现重叠量测。这些目标可以小于照射斑点并且可以被晶片上的产品结构包围。暗场成像量测的示例可以在许多公开的专利申请中找到，例如US2011102753A1和US20120044470A。使用复合光栅目标可以在一幅图像中测量多个光栅。已知的散射计倾向于使用可见光或近红外波范围内的光，这要求光栅的节距比其实际上感兴趣的实际产品结构更粗糙。可以使用具有更加短的波长的深紫外(DUV)或极紫外(EUV)辐射来定义这样的产品特征。不幸的是，这种波长通常对于量测是不可用的或不可用于量测。

另一方面，现代产品结构的尺寸非常小，以至于它们不能通过光学量测技术成像。小的特征包括例如由多个图案化过程和/或节距倍增形成的特征。因此，用于大体量的量测的目标通常使用比其重叠误差或临界尺寸为感兴趣的属性的产品大得多的特征。测量结果仅间接地与实际产品结构的尺寸相关，并且可能是不准确的，因为量测目标在光刻设备中的光学投影下不会经受相同的变形，和/或制造过程的其他步骤中的不同处理。虽然扫描电子显微镜(SEM)能够直接解决这些现代的产品结构，但SEM比光学测量更耗时。而且，电子不能穿透厚的加工层，这使得它们不太适合于量测应用。其他技术，例如使用接触垫测量电属性，也是已知的，但它仅提供了真实产品结构的间接证据。

通过减小在量测期间使用的辐射的波长(即，朝向“软X射线”波长光谱移动)，测量性能得到改善，因为辐射可以进一步渗透到产品结构中。然而，这需要相应地改进量测系统的光谱分辨率。另外，产品结构的复杂性正在增加，产品结构包括增加的层数和相应地增加的厚度。这反过来又增大了执行量测测量所需要的光谱分辨率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可替代的检查设备和用于执行上述类型的测量的方法。

发明人已经确定，通过提供在检查设备中使用的照射辐射的时间延迟副本，可以减少量测系统的执行在产品结构上的量测所必须的光谱分辨率。

根据本发明的第一方面，提供了一种在检查设备中执行测量的方法，包括：

提供照射辐射；

用所述照射辐射照射目标结构，从而产生至少第一散射辐射和第二散射辐射；和

检测组合后的第一散射辐射和第二散射辐射；以及

控制所述第一散射辐射和所述第二散射辐射之间的时间延迟，以优化所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的属性。

根据本发明的第二方面，提供了一种检查设备，包括：

辐射源，所述辐射源可操作以提供照射辐射；

照射系统，所述照射系统可操作以用所述照射辐射照射目标结构，从而产生至少第一散射辐射和第二散射辐射；

检测器，所述检测器可操作以检测组合后的第一散射辐射和第二散射辐射；和

处理单元，所述处理单元可操作以控制所述第一散射辐射和所述第二散射辐射之间的时间延迟，以便优化所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的属性。

本发明另外还提供一种光刻设备，包括如上所阐述的根据本发明的检查设备。

本发明另外还提供了一种在检查设备中执行测量中所使用的衬底，该衬底包括用于如上所阐述的根据本发明的方法的目标结构。

本发明另外还提供了一种用于光刻设备的方法，用于制造如上所阐述的根据本发明的衬底。

本发明另外还提供了一种计算机程序产品，包含一个或多个机器可读指令序列，用于实施如上所阐述的根据本发明的方法中的控制步骤。

本发明的另外的方面、特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作被参考附图在下文更详细地描述。注意到，本发明不限于此处描述的具体实施例。这样的实施例被在此处显示，仅用于说明性的目的。基于此处包含的教导，相关领域的技术人员将明白额外的实施例。

附图说明

现在将参考所附的示意性附图、仅以示例的方式来描述本发明的实施例，在附图中对应的附图标记指示对应的部件，且在所述附图中：

图1描绘了一种光刻设备；

图2描绘了一种光刻单元或簇，其中可以使用根据本发明的检查设备；

图3示意性示出适于执行已知的暗场成像检查方法的检查设备；

图4是目标上的照射辐射和散射辐射的示意图；

图5是根据本发明第一实施例的目标上的照射辐射和散射辐射的示意图；

图6是根据本发明第二实施例的目标上的照射辐射和散射辐射的示意图；

图7是根据本发明第三实施例的目标上的照射辐射和散射辐射的示意图；

图8示意性地示出了根据本发明实施例的方法；

图9示出了根据本发明第一和第三实施例的照射系统；

图10示出了根据本发明第一实施例的照射系统；

图11是根据本发明第四实施例的目标上的照射辐射和散射辐射的示意图；和

图12示出了根据本发明第四实施例的方法。

具体实施方式

在详细地描述本发明的实施例之前，有益的是提供一个可以实施本发明的实施例的示例性环境。

图1示意性地描绘了一种光刻设备LA。该设备包括：照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如UV辐射，或DUV或EUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，构造成用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置成用于根据某些参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连(例如，掩模)MA；两个衬底台(例如，晶片台)WTa、WTb，每一个构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，且每一个连接至配置成根据某些参数准确定位衬底的第二定位装置PW；以及投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。参考框架RF连接各种部件，并且用作设定和测量图案形成装置和衬底的位置以及它们上的特征的参考。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用以引导、成形、或控制辐射。

所述图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置位于所期望的位置上(例如相对于投影系统)。

此处使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不完全对应于衬底的目标部分中的期望图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上产生的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

如此处所示，所述设备是透射型的(例如采用透射式图案形成装置)。替代地，该设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。可认为本发明中使用的任何术语“掩模版”或“掩模”皆与更上位的术语“图案形成装置”同义。术语“图案形成装置”也可以被解释为指代以数字形式存储图案信息以在控制这种可编程图案形成装置中使用的装置。

此处使用的术语“投影系统”应该被广义地理解为包括适合于所使用的曝光辐射或者其他因素(诸如使用浸没液体或使用真空)的任何类型的投影系统，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、电磁的和静电的光学系统，或其任何组合。这里使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”同义。

光刻设备也可为如下类型：其中衬底的至少一部分可由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可将浸没液体施加至光刻设备中的其他空间，例如，掩模与投影系统之间的空间。在本领域中公知将浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。

在操作中，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源为准分子激光器时，源及光刻设备可以是分离的实体。在这种情况下，不将源看成是形成了光刻设备的一部分，且借助于包括(例如)合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助将辐射束从源SO传至照射器IL。在其他情况下，例如，当源为汞灯时，源可以是光刻设备的组成部分。源SO和照射器IL以及束传递系统BD(如果需要的话)可被称作辐射系统。

照射器IL可例如包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD、积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射于被保持在图案形成装置支撑件MT上的图案形成装置MA上，且通过图案形成装置进行图案化。辐射束B横穿图案形成装置(例如，掩模)MA后，穿过投影光学系统PS，该投影光学系统PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW及位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器、2D编码器或电容传感器)，可准确地移动衬底台WTa或WTb，例如，以将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。类似地，第一定位装置PM及另一位置传感器(其未在图1中明确地示出)可被用于(例如在掩模库的机械获取后或在扫描期间)相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。

可以使用掩模对准标记M1、M2及衬底对准标记PI、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA及衬底W。尽管所图示的衬底对准标记占据专用目标部分，但所述衬底对准标记可位于目标部分之间的空间中(这些衬底对准标记被称为划线对准标记)。相似地，在多于一个管芯设置于图案形成装置(例如，掩模)MA上的情形中，掩模对准标记可位于所述管芯之间。小的对准标记也可被包括于管芯内，位于器件特征之中，在这种情况下，期望使标识尽可能小且无需与相邻特征不同的任何成像或过程条件。下文中进一步描述检测对准标识的对准系统。

示出的设备可以用于多种模式中。在扫描模式中，在对图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单个动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分(在扫描方向上)的高度。如本领域所公知的，其他类型的光刻设备和操作模式也是可能的。例如，步进模式是已知的。在所谓的“无掩模”光刻术中，可编程图案形成装置保持静止但具有变化的图案，并且移动或扫描衬底台WT。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变形，或完全不同的使用模式。

光刻设备LA是所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa、WTb及两个站-曝光站EXP及测量站MEA-在所述两个站之间衬底台可被交换。在曝光站处曝光一个衬底台上的一个衬底的同时，可在测量站处将另一衬底装载至另一衬底台上且进行各种预备步骤。这使得所述设备的生产量实质地增加。预备步骤可包括使用水平传感器LS来绘制衬底的表面高度轮廓的地图，及使用对准传感器AS来测量衬底上的对准标识的位置。如果位置传感器IF在测量站和曝光站处时不能测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以能够在两个站处使衬底台的相对于参考框架RF的位置能够被追踪。其他布置是已知的并且可用于代替所示的双平台布置。例如，其中提供衬底台和测量台的其他光刻设备是已知的。它们在进行预备测量时对接在一起，然后在衬底台经历受曝光时脱离对接。

如图2所示，光刻设备LA构成光刻单元LC的一部分，并且有时被称为光刻元或簇。光刻单元LC还包括用于在衬底上进行曝光前和曝光后过程的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影曝光后的抗蚀剂的显影剂DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的过程设备之间移动衬底，然后将其运送到光刻设备的进料台LB。这些装置通常统称为轨道，并且由轨道控制单元TCU控制，该轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS也通过光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。

然后将由轨道处理的衬底转移到其他处理工具，以进行器件制造过程中的蚀刻和其他化学或物理处理。在一些情况下，可以在这样的蚀刻或化学/物理处理步骤之后在衬底上执行量测。

光刻设备控制单元LACU控制所描述的各种致动器和传感器的所有运动和测量。LACU还包括信号处理和数据处理能力，以实现与设备操作相关的所期望的计算。在引言和权利要求的术语中，这些处理和控制功能的组合简称为“控制器”。在实践中，控制单元LACU将被实现为许多子单元的系统，每个子单元处理设备内的子系统或部件的实时数据获取、处理和控制。例如，一个处理子系统可专用于衬底定位器PW的伺服控制。单独的单元甚至可以处理粗致动器和精致动器、或不同的轴。另一个单元可能专用于读出位置传感器IF。设备的整体控制可以由中央处理单元控制，与这些子系统处理单元通信，与操作员和光刻制造过程中涉及的其他设备通信。

图3(a)示意性地示出了实施所谓的暗场成像量测的检查设备的关键元件。该设备可以是独立的装置，也可以被包括在光刻设备LA中，例如处于测量站，或光刻单元LC中。用虚线O表示具有贯穿所述设备的几个支路的光轴。目标光栅结构T和衍射射线在图3(b)中被更详细示出。

如在引言中引用的在先申请中所描述的，图3(a)的暗场成像设备可以是多用途角分辨散射计的一部分，其可以用于代替光谱散射计或在光谱散射计的基础上被使用。在这种类型的检查设备中，由辐射源11发射的辐射由照射系统12调节。例如，照射系统12可以包括准直透镜系统、滤色器、偏振器和孔装置。经过调节的辐射遵循照射路径，其中它被部分反射表面15反射并经由显微镜物镜16聚焦成衬底W上的斑点S。量测目标T可以形成在衬底W上。透镜16具有高数值孔径(NA)，优选为至少0.9，更优选为至少0.95。如果需要，可以使用浸没流体，以获得大于1的数值孔径。多用途散射计可以具有两个或更多个测量分支。另外，更多的光学系统和分支将被包括在实际设备中，例如用于收集用于强度归一化的参考辐射，用于捕获的目标的粗略成像，用于聚焦等等。这些细节可以在上面提到的现有出版物中找到。出于本公开的目的，仅详细图示和描述了用于暗场成像量测的感兴趣的测量分支。

在用于暗场成像的收集路径中，成像光学系统21在传感器23(例如CCD或CMOS传感器)上形成衬底W的目标的图像。在收集路径中的平面P’中设置孔光阑20。平面P’与物镜16的光瞳平面(未示出)共轭。孔光阑20也可以被称为光瞳光阑。孔光阑20可以采取不同的形式，正如照射孔径可以采用不同的形式一样。孔光阑20结合透镜16的有效孔径确定散射辐射的哪一部分被用于在传感器23上产生图像。通常，孔光阑20起到阻挡第零级衍射束的作用，使得形成在传感器23上的目标的图像仅由第一级束形成。在两个第一级束组合形成图像的例子中，这将是所谓的暗场图像，相当于暗场显微术。然而，在本申请中，一次仅成像第一级中的一个，如下所述。由传感器23捕获的图像被输出到图像处理器和控制器40，其功能将依赖于正在执行的特定类型的测量。为了本发明的目的，执行目标结构的不对称性的测量。不对称性的测量可以结合目标结构的知识来获得用于形成它们的光刻过程的性能参数的测量值。可以用这种方式测量的性能参数包括例如重叠误差、聚焦和剂量。

当在衬底W上设置量测目标T时，这可以是1-D光栅，其被印制成在显影之后，栅条由实体抗蚀剂线形成。目标可以为2-D光栅，所述2-D光栅被印制成使得在显影之后，该光栅由实体抗蚀剂柱或抗蚀剂中的通孔形成。栅条、柱或通孔可以选地被刻蚀至衬底中。这些光栅中的每一个都是目标结构的示例，可以使用检查设备来研究其属性。

照射系统12的各种部件可以是可调节的，以在同一设备内实施不同的量测“选配方案”。除了选择波长(颜色)和偏振作为具体的特性之外，照射系统12可以被调节以实施不同的照射轮廓。因为平面P”与物镜16的光瞳平面P和检测器19的平面共轭，所以平面P”中的照射轮廓限定了入射到衬底W上的斑点S中的光的角度分布。为了实现不同的照射轮廓，孔装置可以提供在照射路径中。孔装置可以包括安装在可移动的滑动件或轮上的不同孔。它可以可选地包括可编程空间光调制器。作为另一种替代方案，光纤可以设置在平面P”中的不同位置处，并且可以选择性地用于在其各自的位置传递光或者不传递光。这些变形被在上面引用的文件中讨论和举例说明。

在第一示例照射模式中，提供射线30a，使得入射角如“I”所示，由目标T反射的第零级射线的路径被标记为“0”(以不与光轴“O”混淆)。在第二照射模式中，可以提供射线30b，在这种情况下，入射角和反射角将被交换。这两种照射模式都将被识别为离轴照射模式。许多不同的照射模式可以用于实现不同的目的。

如图3(b)中更详细地所示，作为目标结构的一个示例，目标光栅T被放置成衬底W垂直于物镜16的光轴O。在离轴照射轮廓的情形中，从偏离轴线O的一角度射到光栅T上的照射射线I产生第零级射线(实线0)和两个第一级射线(点划线表示+1级，并且双点划线表示-1级)。应当记得，对于过填充的小目标光栅而言，这些射线只是覆盖包括量测目标光栅T和其它特征的衬底区域的许多平行射线之一。由于照射射线30a的束具有有限的宽度(对于允许有用数量的光而言是必需的)，因而入射射线I实际上将会占据一角度范围，并且衍射射线0和+1/-1将会稍微展开。根据小目标的点扩散函数，每个+1和-1级都将进一步在一个角度范围之上展开，而不是如图示的单条理想的射线。

再次参照图3(a)，在具有射线30a的第一照射模式中，来自目标光栅的+1级衍射射线将进入物镜16并且对传感器23处记录的图像做出贡献。当使用第二照射模式时，射线30b以与射线30b相反的角度入射，并且因此-1级衍射射线进入物镜并且对图像做出贡献。当使用离轴照射时，孔光阑20阻挡第零级辐射。如现有公开出版物中所述，照射模式可以用X和Y方向的离轴照射来定义。

通过比较这些不同照射模式下的目标光栅的图像，可以获得不对称性的测量。可替代地，不对称性的测量可以通过保持相同的照射模式，但旋转目标来获得。虽然示出了离轴照射，但是可以替代地使用目标的轴上照射，并且可以使用修改的离轴孔20将基本上仅一个第一级衍射光传递到传感器。在另一示例中，使用棱镜代替孔光阑20，这些棱镜具有将+1和-1级转向到传感器23上的不同位置的效果，使得它们可以被检测和比较，而不需要两个连续的图像捕获步骤。该技术在上述公开的专利申请US2011102753A1中公开，其内容通过引用合并于此。可以在测量中使用第二级、第三级和更高级的束(图3中未示出)，代替第一级束或者除了第一级束之外。作为进一步的变形，离轴照射模式可以保持恒定，而目标本身在物镜16下方旋转180度以使用相反的衍射级来捕获图像。

通常使用具有可见波长的辐射来执行上文的技术。因此，散射量测目标的节距大于衬底上的产品结构的节距。作为示例，散射量测目标可具有以微米(μm)测量的目标光栅节距，而同一衬底上的产品结构可具有以纳米(nm)测量的节距。

节距中的这种差异引起测量的重叠与产品结构上的实际重叠之间的偏移。该偏移至少部分地由于光刻设备中的光学投影变形和/或制造过程的其他步骤中的不同处理引起。目前，该偏移包括对整个测量的重叠的显着贡献。因此，减少或消除它将改善整体重叠性能。

为了对具有与产品结构的节距相对应的节距的结构进行基于衍射的测量，必须使用波长比可见光短的辐射。然而，目前在产品结构的许多层中使用的许多材料，例如多晶硅或无定形碳，会吸收紫外辐射。然而，已经发现，“软X射线”光谱(约2nm-40nm)中的辐射的吸收损失远低于紫外辐射。当然应当注意，产品结构的吸光系数依赖于层中使用的特定材料。给定特定结构中使用的材料的属性的知识，可以选择所使用的辐射波长以使吸收损失最小化。

为了最大化基于衍射的测量的准确度，例如，为了确定重叠误差，有必要优化到达检测器的辐射的属性。散射辐射的属性依赖于所使用的辐射的属性和被测量的结构的属性。可用于描述散射辐射的品质的一个参数是所谓的“堆叠灵敏度”。该参数描述了由上目标光栅相对于下目标光栅的移位所引起的测量不对称的强度。已经发现，“堆叠灵敏度”依赖于辐射的波长和目标结构的厚度周期性地变化。变化的周期可以描述为：

λ是辐射的波长，T是被测结构的光学厚度。产品结构的示例性光学厚度可以是400nm，一个示例性辐射波长可以是λ＝13nm。在该示例中，“堆叠灵敏度”变化的周期因此是Δλ＝0.23nm。

为了优化在检测器处测量的辐射，检查设备必须具有比堆叠灵敏度的周期性变化的尺寸更好的光谱分辨率。具体地，为了完全解决堆叠灵敏度的周期性变化，检查设备的光谱分辨率应该至少是变化的周期的两倍。在本示例中，检查设备所期望的光谱分辨率因此将为≈0.1nm。

检查设备的光谱分辨率，例如图3中所示的光谱分辨率，由光学系统的属性和目标结构的属性决定。由于目标尺寸限制，典型检查设备的斑点直径被限制为约2μm。假设照射辐射是高斯束，可以导出照射辐射NA的束腰直径D和的数值孔径之间的以下关系：

对于照射辐射的波长λ＝13nm，数值孔径可以被推导为NA＝4mrad。

目前，产品结构的节距约为P＝40nm。测量具有该节距的目标结构的基于衍射的检查设备(例如，散射计)的光谱分辨率可以被推导为：Δλ≈2P×NA＝80×0.004＝0.32nm。由检查设备提供的光谱分辨率大于所需要的0.1nm。换句话说，不可能充分地解决堆叠灵敏度的周期性变化。通过减小数值孔径的大小，可以改善检查设备的光谱分辨率。但是，这将反过来要求增大目标尺寸。这是因为NA的减小将导致更大的斑点直径。如上所述，目标必须“未充满”(即，斑点直径小于目标的尺寸)。如果斑点直径增加，则目标的尺寸因此也必须按比例增大。较大的目标在衬底表面上占据更多的空间，这在生产环境中是不希望的，因为它增加了单位产品的制造成本。在下文中，将描述改善检查设备的光谱分辨率的方法和设备。

图4示出了照射目标404的照射辐射402。目标包括第一目标结构(上光栅406)和第二目标结构(下光栅408)。上光栅将照射辐射402散射成不同的衍射级(如上面参照图3(b)所解释的)。为简单起见，图4中仅显示-1和+1衍射级410a和410b，分别表示-1和+1衍射级的强度。类似地，下光栅将照射辐射散射成-1衍射级412a和+1衍射级412b。由于照射辐射必须行进穿过目标，由下光栅散射的辐射相对于由上光栅散射的辐射延迟一时间延迟τ(图4中的附图标记414)。在本示例中，时间延迟可以被描述为τ＝2T//c，其中c是光速，T是目标的光学厚度(仅出于示例性目的，假设下光栅被定位在目标的底层中，使得照射辐射传播通过整个目标)。

如前所述，使用散射计测量由目标散射的辐射的-1和+1衍射级。测量的散射辐射的复振幅可表示为：

E_±1(t)＝A_±1E_i(t)+B_±1E_i(t-τ) (3)

其中A_±1分别指由上光栅406散射的辐射的+1和-1衍射级(即图4中的410a和410b)，B_±1指的是分别由下光栅408散射的辐射的+1和-1的衍射级(即图4中的412a和412b)。E_i是照射辐射的复振幅，并且以E_i(t)＝Eexp(jΩt)给出。散射辐射的测量强度由|E_±1(t)|²给出。显示出，该强度可以包括上光栅和下光栅之间的耦合项，其周期性地变化为cos(Ωτ)，其中Ω是辐射的光学角频率。

现在将参考图5解释示例性设备的原理。为了便于与图4进行比较，图5的一些部分用类似于图4中使用的附图标记来标记。

在图5中，除了照射辐射502(E_i)之外，具有时间延迟516(τ_i)的照射辐射514(E_i(t-τ_i))的时间延迟副本被用于照射目标404。

照射辐射502被上光栅506散射成-1和+1衍射级510a和510b，它们分别指-1和+1衍射级的强度。类似地，下光栅508将照射辐射502散射成-1衍射级512a和+1衍射级512b。以类似的方式，时间延迟的照射辐射514被上光栅散射成-1和+1衍射级518a和518b。下光栅将时间延迟的照射辐射散射成-1和+1衍射级520a和520b。在这个例子中，公式(3)可以改写为：

E_±1＝A_±1E_i(t)+B_±1E_i(t-τ)+A_±1E_i(t-τ_i)+B_±1E_i(t-τ-τ_i) (4)

在该例子中，复振幅包含四个耦合项，其描述上光栅506和下光栅508之间的耦合。这些项中的三个作为Ω的函数快速变化，并且因此在检测期间其将被平均为零。然而，最后一项具有由cos(Ω(τ-τ_i))给出的变化。该变化的频率低于参考图4描述的频率。

在这个例子中，“堆叠灵敏度”的周期可以表示为：

L_i是引入到第一照射辐射和第二照射辐射之间的总路径差。从公式(5)可以看出，当与上面的公式(1)相比时，当引入路径差(即时间延迟)时，“堆叠灵敏度”的周期增加。通过控制时间延迟，周期可以因此被增加，以便可以通过检查设备的光谱分辨率进行分辨。

图6示出了第二示例性原理。为了便于与图5进行比较，图6的一些部分用类似于图5中使用的附图标记的附图标记来标记。在图5所示的例子中，时间延迟被引入到照射辐射，即在辐射被目标散射之前。然而，同样可行的是将时间延迟引入散射辐射，即在辐射被目标散射之后，如现在将讨论的。在该示例中，时间延迟616被引入由下光栅50散射的辐射上。在第二示例性原理中，由下光栅608散射的-1衍射级620a或+1衍射级620b中的至少一个具有引入其中的时间延迟616。在图6中，仅示出+1衍射级具有时间延迟，但是应当理解，-1和+1衍射级中的任一个或两个可以具有引入其中的时间延迟。另外，应当理解，虽然图6示出了时间延迟被引入由下光栅散射的+1衍射级620b，但是同样可以将时间延迟引入由上光栅散射的衍射级610b。此外，原则上也可以将时间延迟引入由上光栅和下光栅中的任一个或两个散射的+1或-1衍射级的任何组合。

检测到的散射辐射的复振幅的一些耦合项与上面的公式(4)中所示的那些不同。然而，如上所述，大多数耦合项作为Ω的函数快速变化，因此在检测期间其将被平均为零。剩余的耦合项与公式(4)的最终耦合项基本相同，因此“堆叠灵敏度”可以以与上面参考图5描述的类似方式被确定。

在上面的例子中，上光栅和下光栅基本上重叠。由于增加的背景信号，使用两个照射辐射束将减小所得的测量值上的对比度。这可以通过在空间上分离上光栅和下光栅来避免，如图7所示。照射辐射702照射包括上光栅406和下光栅708的目标704。上光栅将照射辐射702散射成-1和+1衍射级(分别为)410a和410b。类似地，下光栅将照射辐射702散射成-1衍射级712a和+1衍射级712b。

由于上光栅和下光栅在空间上是分开的，因此偏移被引入到不对称测量，必须对其进行校正。可以使用许多公知的方法来校正该偏移，例如，如公开的专利申请US20080239318A1，US20110292365A1或US20120242970A1中所描述的。

现在将参考图8描述执行测量的一种示例性方法。在第一步骤801中，由照射系统提供照射辐射。辐射可以具有任何合适的波长。在一个例子中，辐射波长可以在2nm-40nm的范围内。在一个具体例子中，波长为13nm。在另一个例子中，辐射波长可以基本上在可见光谱内。应当理解，可以选择辐射波长以便优化感兴趣的辐射或减少由被测目标所吸收的辐射的量。尽管对“照射辐射”进行了参考，但应理解，照射辐射可包括一个或几个照射束。在一个例子中，照射辐射可以包括第一和第二照射辐射束(在下文中，术语照射辐射和照射辐射束被可互换地使用)。在一些例子中，第一和第二照射辐射可以组合成组合后的照射辐射。在另外的其他例子中，包括多个单独的照射辐射束。

在第二步骤802中，照射辐射被用于照射目标结构，从而产生至少第一和第二散射辐射。在一些例子中，目标结构可以是专用目标结构，例如具有与产品结构的节距类似的节距的目标光栅。在其他例子中，目标结构可以是产品结构(例如，存储器装置)。在一些例子中，目标结构可包括第一目标和第二目标。在一个例子中，第一散射辐射包括由第一目标散射的照射辐射。在另一个例子中，第二散射辐射包括由第二目标散射的照射辐射。第一目标和第二目标两者可以被整个照射辐射照射或仅被照射辐射的一部分照射。例如，如果照射辐射由第一和第二照射辐射构成，则第一照射辐射可以照射第一目标，第二照射辐射可以照射第二目标。

在第三步骤803中，组合后的第一和第二散射辐射被检测到，并控制第一散射辐射和第二散射辐射之间的时间延迟，以便优化组合后的第一和第二散射辐射的属性。可以以任何合适的方式控制时间延迟。如上所述，参考图5和6，原则上，在辐射被目标散射之前还是之后引入时间延迟并不重要。在一个例子中，可以通过致动位于照射辐射的束路径中的光学部件来控制时间延迟。在另一个例子中，可以通过致动位于第一或第二散射辐射的束路径中的光学部件来控制时间延迟。在又一个例子中，可以通过控制第一或第二照射辐射分别相对于第二或第一照射辐射的相位来控制时间延迟。

现在将参考图9描述照射系统900的第一例子，其中可以实施上述方法的至少一部分。例如，可以使用照射系统代替图3(a)所示的检查设备中的照射系统12。应当注意，本例子利用参考图5论述的示例性原理，其中将时间延迟引入到照射辐射。照射系统是所谓的高谐波产生系统，但应该注意，这仅用于示例性目的。可以想到几种类型的照射系统。辐射源(未示出)发射具有特定波长的辐射束902。在本例子中，辐射源是发射具有红外波长的照射辐射的飞秒激光器。辐射传播到第一光学元件904，该第一光学元件904包括光楔，其包括第一光楔部分906、第二光楔部分908和光阑910。光阑被定位成使得其阻挡辐射束902的中心部分，从而将辐射束分成第一辐射912和第二辐射914。

第一和第二辐射传播通过气体918。第一光楔部分806和透镜816配合以将第一辐射912聚焦成气体内的第一斑点920中。类似地，第二光楔部分908和透镜916配合以将第二辐射914聚焦成气体射流内的第二斑点922。

第一辐射和第二辐射与气体相互作用以提供第一照射辐射924和第二照射辐射926。照射辐射穿过抑制不需要的辐射波长的光学元件928。在本例子中，光学元件是红外线抑制滤光器。照射辐射随后照射设置在衬底930上的目标结构。在本例子中，目标结构包括在衬底的平面中在空间上分离的第一目标和第二目标。第一照射辐射照射第一目标部分，第二照射辐射照射第二目标部分。

第一照射辐射和第二照射辐射分别被第一目标和第二目标散射。散射辐射(未示出)可以由检测器(也未示出)检测并由处理单元以合适的方式处理。然后，处理单元可用于控制第一或第二光楔906、908中的一个或两个的定位，以便控制第一和/或第二照射辐射的时间延迟。例如，通过移动第二光楔的位置但保持第一光楔的位置，第二照射辐射可被相对于第一照射辐射延迟。

由目标散射的辐射可以被传送到检查设备的检测器(例如图3(a)的检测器23)。在一个例子中，第一散射辐射和第二散射辐射可以在被传递到检测器之前由组合光学元件(图3(a)中未示出)组合成散射的辐射束。在另一例子中，第一散射辐射和第二散射辐射可以在检测器的表面上被单独地检测，并且可以由处理单元940组合。

检测到的散射辐射被发送到处理单元940(其功能类似于图3(a)的处理单元40)。处理单元处理检测到的散射辐射，并且基于处理结果，可以将校正数据932发送到校正单元934。校正单元包括连接到照射系统的一个或更多个光学部件的一个或更多个致动元件。在本例子中，校正单元包括连接到第二光楔部分908的致动器936。基于校正数据，校正单元激活或激励致动器以调节第二光学楔形部分的位置，以便控制第一照射辐射与第二照射辐射之间的时间延迟。当然可以理解，虽然在该例子中第一和第二目标结构被示出为在空间上是分离的，但是照射系统同样可以被用于重叠目标结构。在这种情况下，第一和第二光楔部分会被定位成使得第一和第二照射辐射入射在单个目标上。

还应当理解，图9中所示的照射系统的部件仅是示例性的，并且照射系统可以包括额外的或替代的部件。

在上面的例子中，通过使用光楔来控制时间延迟仅用于示例性目的。本领域技术人员可以设想到用于诱导和控制时间延迟的替代方法或部件。这包括但不限于分束棱镜或干涉仪。另外，本领域技术人员可以设想到用于延迟部件的替代位置，例如将延迟部件定位在散射辐射的光路中(如上面关于图6所讨论的)而不是照射辐射的光路中。

现在将参考图10论述第二示例性照射系统1000。该系统包括第一照射辐射源1002和第二照射辐射源1004。第一源发射第一照射辐射1006，第二源发射第二照射辐射1008。应注意，图10仅在一般意义上示出了第一和第二辐射源。可以以任何合适的方式产生第一和第二照射辐射。在一个例子中，第一和第二照射辐射可以由图9中描述的照射系统900产生。在另一个例子中，第一源1002和第二源1004可以是物理上分离的但是相互相干的且“相位耦合”的辐射源。在又一个例子中，第一和第二源可以是相互相干的并且发射具有可见光谱中的波长的辐射。

第一照射辐射1006和第二照射辐射808被布置成入射在组合光学元件(例如分束器)的表面1012的点1010上。此外，第一照射辐射和第二照射辐射在表面上具有相同的入射角1014。第一照射辐射被所述表面部分地反射，第二照射辐射部分地透射穿过所述表面。由于第一和第二照射辐射都入射在同一点上并具有相同的入射角，所以第一照射辐射的反射部分和第二照射辐射的透射部分将被组合成组合后的照射辐射1016。然后，照射束被向目标结构1018引导，并且可以被以与上述类似的方式进行检测。

应认识到，本实例中的辐射可具有任何合适的波长。在一个例子中，辐射的波长在可见或近红外辐射光谱内。

在以上例子中，组合光学元件可操作以组合第一和第二照射辐射。然而，如参考图9所述，可以设想其中第一和第二散射辐射被组合成散射辐射束的例子。

在以上例子中，-1和+1衍射级已经被用于执行用于进行测量的示例性方法。现在将参考图11和12描述另一个例子，其中可以使用由目标散射的任何衍射级。示例性方法可以在诸如图6中所示的散射计中实现。如前所述，在典型的散射计中，辐射的+1和-1衍射级用于确定目标结构的相关属性(例如，作为重叠或临界尺寸)。

在第一步骤1201中，第一照射辐射和第二照射辐射由照射系统1102提供。在本例子中，照射系统可以是任何合适的白光源，只要其足够地空间相干，例如由HHG产生的超连续谱。第一和第二照射辐射是相互相干的，但第二照射辐射相对于第一照射辐射具有时间延迟。在本例子中，照射系统包括一个或多个光学部件，用于将第一和第二照射辐射组合成组合后的照射辐射1104。例如，光学部件可以包括图9中所示的分束器。

在第二步骤1202中，目标结构1108被组合后的照射辐射照射。组合后的照射辐射被目标结构衍射成多个衍射级。由于组合后的照射辐射的光谱含量，+1和-1衍射级不形成为检测器的表面上的单个点。波长光谱中的每个波长将在唯一方向上衍射。因此，+1和-1衍射级被形成在检测器的表面上，作为包含组合后的照射辐射的所有波长的空间分布的光谱。0级辐射包括组合后的照射辐射的未被目标结构衍射、但被目标结构反射的部分。

在第三步骤1203中，在检测器1106处检测反射的辐射束。第三步骤包括使用多个特定时间延迟来检测散射的变化。第一和第二反射辐射将以类似于白光干涉法的方式在检测器的表面上干涉。随后，在第四步骤1204中，可以将检测到的辐射发送到处理单元以进行进一步处理。例如，可以对检测到的干涉图进行傅里叶变换，以通过使用利用多个特定时间延迟检测的上述散射变化来导出光谱分辨的0阶反射比。应注意，已经使用0阶衍射辐射描述了该方法，但是同样可以使用其他衍射级(例如-1和+1衍射级)来实施该方法。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应该理解，本文描述的光刻设备可以具有其他应用，例如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种可替代应用的上下文中，在此处使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以分别被认为与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里提到的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，在例如轨道(通常将抗蚀剂层涂覆到衬底并使曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在适用的情况下，本文的公开内容可以被应用于这种和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的术语衬底也可以指已经包含多个处理过的层的衬底。

尽管上文已经对本发明的实施例在光学光刻术中的情形中的使用做出了具体参考，但应该理解的是，本发明可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在上下文允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被印制到提供给衬底的抗蚀剂层中，通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合而使在其上的抗蚀剂固化。将图案形成装置从抗蚀剂中移出，从而在抗蚀剂固化后在其中留下图案。

在下面编号的方面中提供了根据本发明的其他实施例：

1.一种在检查设备中执行测量的方法，包括：

提供照射辐射；

检测组合后的第一散射辐射和第二散射辐射；以及

控制所述第一散射辐射和所述第二散射辐射之间的时间延迟，以便优化所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的属性。

2.根据方面1所述的方法，其中所述目标结构包括设置在衬底上的第一目标和第二目标，并且其中所述第一目标和所述第二目标在所述衬底的平面中大致重叠。

3.根据方面1所述的方法，其中所述目标结构包括设置在衬底上的第一目标和第二目标，并且其中所述第一目标和所述第二目标在所述衬底的平面中在空间上分离。

4.根据方面2或3所述的方法，其中所述第一散射辐射包括被所述第一目标散射的照射辐射。

5.根据方面2至4中任一方面所述的方法，其中所述第二散射辐射包括被所述第二目标散射的照射辐射。

6.根据前述任一方面所述的方法，其中所述照射辐射包括至少第一照射辐射和第二照射辐射。

7.根据方面6所述的方法，其中所述提供步骤还包括将所述第一照射辐射和所述第二照射辐射组合成组合后的照射辐射。

8.根据方面7所述的方法，其中所述照射步骤包括用所述组合后的照射辐射照射所述目标结构。

9.根据方面6至8中任一方面的方法，其中所述提供步骤还包括在所述第一照射辐射和所述第二照射辐射之间引入所述时间延迟。

10.根据方面9所述的方法，其中控制所述时间延迟包括致动光学部件以改变所述第二照射辐射的光学路径。

11.根据方面10所述的方法，其中所述光学部件包括下述中的一个：光楔；分束棱镜；或干涉仪。

12.根据前述任一方面所述的方法，还包括将所述第一散射辐射和第二散射辐射组合成组合后的散射辐射的步骤。

13.根据方面7至12中任一方面所述的方法，其中组合所述第一照射辐射和所述第二照射辐射或组合所述第一散射辐射和第二散射辐射包括使用分束器来执行所述组合。

14.根据前述任一方面所述的方法，其中所述照射辐射具有在1nm至40nm之间的波长。

15.根据方面1至13中任一方面所述的方法，其中所述照射辐射包括具有在可见光谱中的波长的辐射。

16.根据方面15所述的方法，其中所述第一照射辐射和所述第二照射辐射包括白光。

17.根据前述任一方面所述的方法，其中所述第一散射辐射和所述第二散射辐射包括第一级衍射辐射。

18.根据方面1-16中任一方面所述的方法，其中所述第一散射辐射和所述第二散射辐射包括第0级衍射辐射。

19.根据前述任一方面所述的方法，其中控制所述特征包括使所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的强度最大化。

20.一种检查设备，可操作以执行方面1至19中任一方面所述的方法。

21.根据方面20所述的检查设备，包括：

辐射源，所述辐射源可操作以提供照射辐射；

22.根据方面21所述的检查设备，其中所述目标结构包括设置在衬底上的第一目标和第二目标，并且其中所述第一目标和所述第二目标在所述衬底的平面中大致重叠。

23.根据方面21所述的检查设备，其中所述目标结构包括设置在衬底上的第一目标和第二目标，所述第一目标和所述第二目标在所述衬底的平面中在空间上分离。

24.根据方面22或23所述的检查设备，其中所述第一散射辐射包括被所述第一目标散射的照射辐射。

25.根据方面22至24中任一方面所述的检查设备，其中所述第二散射辐射包括被所述第一目标散射的照射辐射。

26.根据方面21至25中任一方面所述的检查设备，其中所述照射辐射包括至少第一照射辐射和第二照射辐射。

27-根据方面26所述的检查设备，还包括第一组合光学元件，所述第一组合光学元件可操作以将所述第一照射辐射和第二照射辐射组合成组合后的照射辐射。

28.根据方面27所述的检查设备，其中所述照射系统可操作以利用所述组合后的照射辐射照射所述目标结构。

29.根据方面26至28中任一方面所述的检查设备，其中所述照射系统还可操作以在所述第一照射辐射和所述第二照射辐射之间引入所述时间延迟。

30.根据方面29所述的检查设备，还包括校正单元，所述校正单元可操作以通过致动所述照射系统的光学部件控制所述时间延迟，用于改变所述第二照射辐射的光学路径。

31.根据方面30所述的检查设备，其中所述光学部件包括下述中的一个：光楔；分束棱镜；或干涉仪。

32.根据方面21至32中任一方面所述的检查设备，还包括第二组合光学元件，所述第二组合光学元件可操作以将所述第一散射辐射和第二散射辐射组合成组合后的散射辐射。

33.根据方面27至32中任一方面所述的检查设备，其中所述第一组合光学元件或所述第二组合光学元件包括分束器。

34.根据方面21至33中任一方面所述的检查设备，其中所述照射辐射具有在1nm至40nm之间的波长。

35.根据方面21至33中任一方面所述的检查设备，其中所述照射辐射包括具有在可见光谱中的波长的辐射。

36.根据方面35所述的检查设备，其中所述照射辐射包括白光。

37.根据方面21至36中任一方面所述的检查设备，其中所述检测器可操作以检测第一级散射辐射。

38-根据方面21至36中任一方面所述的检查设备，其中所述检测器可操作以检测第0级散射辐射。

39.根据方面21至36中任一方面所述的检查设备，其中控制所述特性包括使所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的强度最大化。

40.一种光刻设备，包括根据方面21至39中任一方面所述的检查设备。

41.一种在检查设备中执行测量时使用的衬底，所述衬底包括可用于方面1至19中任一方面所述方法中的目标结构。

42.根据方面41所述的衬底，其中所述目标结构包括设置在衬底上的第一目标和第二目标，并且其中所述第一目标和所述第二目标在所述衬底的平面中大致重叠。

43.根据方面41所述的衬底，其中所述目标结构包括设置在衬底上的第一目标和第二目标，并且其中所述第一目标和所述第二目标在所述衬底的平面中在空间上分离。

44.一种用于光刻设备的方法，用于制造根据方面41至43中任一方面所述的衬底。

45.一种计算机程序产品，包括机器可读指令，当在合适的处理器上运行时，所述机器可读指令使所述处理器执行方面1至19中任一方面所述的控制步骤。

关于光刻设备使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，所述电磁辐射包括紫外(UV)辐射(例如具有等于或约为365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有处于5nm至20nm的范围内的波长)以及诸如离子束或电子束等粒子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电的光学部件。

具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，使得通过应用本领域技术内的知识，在不背离本发明的整体构思的情况下，其他人可以针对于各种应用轻易地修改和/或调适这样的具体实施例，而无需过多的实验。因此，基于本文给出的教导和指导，这些调适和修改旨在落入所公开的实施例的等同物的含义和范围内。应理解，本文中的措辞或术语是出于通过举例进行说明的目的而非限制性的目的，使得本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员根据教导和指导来解释。

本发明的宽度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅由下述的权利要求书及其等同方案来限定。

Claims

1.一种在检查设备中执行测量的方法，包括：

提供照射辐射；

检测组合后的第一散射辐射和第二散射辐射；以及

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述照射辐射包括至少第一照射辐射和第二照射辐射。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述提供步骤还包括将所述第一照射辐射和所述第二照射辐射组合成组合后的照射辐射。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述照射步骤包括用所述组合后的照射辐射照射所述目标结构。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中所述提供步骤还包括在所述第一照射辐射和所述第二照射辐射之间引入所述时间延迟。

6.根据前述任一权利要求所述的方法，还包括将所述第一散射辐射和第二散射辐射组合成组合后的散射辐射的步骤。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的方法，其中组合所述第一照射辐射和所述第二照射辐射或组合所述第一散射辐射和第二散射辐射包括使用分束器来执行所述组合。

8.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所述照射辐射具有在1nm至40nm之间的波长，或包括具有可见光谱中的波长的辐射。

9.根据前述任一权利要求所述的方法，其中，所述第一散射辐射和所述第二散射辐射包括第一级衍射辐射，或者所述第一散射辐射和所述第二散射辐射包括第0级衍射辐射。

10.根据前述任一权利要求所述的方法，其中控制特性包括使所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的强度最大化。

11.一种检查设备，能够操作以执行根据权利要求1至10中任一项所述的方法。

12.一种光刻设备，包括根据权利要求11所述的检查设备。

13.一种在检查设备中执行测量时使用的衬底，所述衬底包括能够用于根据权利要求1至10中任一项所述方法中的目标结构。

14.一种用于光刻设备的方法，用于制造根据权利要求13所述的衬底。

15.一种计算机程序产品，包括机器可读指令，当在合适的处理器上运行时，所述机器可读指令使所述处理器执行根据权利要求1至10中任一项所述的控制步骤。