CN108698835A - 制备硅-碳-复合物的方法 - Google Patents

制备硅-碳-复合物的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108698835A
CN108698835A CN201780014604.3A CN201780014604A CN108698835A CN 108698835 A CN108698835 A CN 108698835A CN 201780014604 A CN201780014604 A CN 201780014604A CN 108698835 A CN108698835 A CN 108698835A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbo
air
flow
silico
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780014604.3A
Other languages
English (en)
Inventor
J.利优比那
M.克罗尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Evonik Degussa GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Evonik Degussa GmbH filed Critical Evonik Degussa GmbH
Publication of CN108698835A publication Critical patent/CN108698835A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/133—Electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/139—Processes of manufacture
    • H01M4/1395—Processes of manufacture of electrodes based on metals, Si or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/362—Composites
    • H01M4/366—Composites as layered products
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
    • H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
    • H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
    • H01M4/624—Electric conductive fillers
    • H01M4/625—Carbon or graphite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/02—Amorphous compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明涉及制备硅‑碳‑复合粉末的方法，其中使a）含有至少一种选自SiH4、Si2H6和Si3H8的硅起始化合物的气流A，和b）含有至少一种选自甲烷、乙烷、丙烷、乙烯和乙炔的碳起始化合物的气流B，在热壁反应器中，在低于900℃的温度下反应，冷却反应混合物或让其冷却下来，并将粉状反应产物与气态物质分离。

Description

制备硅-碳-复合物的方法
本发明涉及制备硅-碳-复合物的方法、特殊复合物及其作为锂离子电池的阳极材料的用途。
硅-复合物作为锂离子电池中的阳极材料具有很大的潜力。由于在重复充电/放电期间硅的大体积变化，这些硅-复合物不能用作阳极材料。
因此，已经进行了大量努力以通过使用硅-石墨、石墨烯-纳米硅、硅-碳纳米管、硅-碳纳米线、硅包封的碳和碳包封的硅的复合物来改善循环稳定性。制备这些复合物的方法是例如热解、研磨或CVD方法。（Zhang等人，Nanoscale，5（2013）5384和Kasavajjula等人，Journal Power Sources 163（2007）1003）。
Magasinki等人，Nat. Mater. 9（2010）353描述了在两阶段CVD方法中从甲硅烷和丙烯开始制备硅-碳-复合物。在第一步中，通过在700℃真空下将SiH4/He混合物引入管式反应器中，将硅施加在载体上。随后，通过在上述条件下将丙烯引入管式反应器中，将碳施加到该硅上。
在WO2011/006698中公开了一种制备纳米结构化的硅-碳-复合物的方法，其中将亚微米硅粉末加入到通过羟基芳族化合物与醛反应制备的含碳混合物中，并将该混合物在500℃至1200℃下碳化。
根据Wang等人，Electrochem. Commun. 6（2004），689的另一变体是，将纳米结晶硅粉末加入到胶凝间苯二酚/甲醛混合物中，该混合物在85℃下固化10小时。该混合物是致密块，其在650℃下转化为具有40％碳的硅-碳-复合物。
在EP-A-2782167中公开了一种制备Si/C-复合物的方法，其中使硅和木质素在惰性气体气氛中在至少400℃下反应。
在US2009029256中公开了一种制备Si/碳-复合物的方法，其中碱土金属和硅酸/碳-复合物的混合物在惰性气氛中加热。
现有技术中已知的方法通常是多阶段方法，并且通过选择原材料仅适用于制备实验室规模的量。因此，本发明的目的是提供一种方法，该方法允许使用工业规模可得到的原材料在一个反应阶段中制备基于硅和碳的阳极材料。
本发明涉及一种制备硅-碳-复合粉末的方法，其中使
a）含有至少一种选自SiH4、Si2H6和Si3H8的硅起始化合物的气流A，和
b）含有至少一种选自甲烷、乙烷、丙烷、乙烯和乙炔的碳起始化合物的气流B，
在热壁反应器中、优选在管状热壁反应器中，在低于900℃、优选400-750℃的温度下反应，冷却反应混合物或让其冷却下来，并将粉状反应产物与气态物质分离。
被称作硅-碳-复合粉末的粉末是包含至少一种主要含有硅的相和至少一种主要含有碳的相的粉末。
在此，气流A和气流B可以同时、彼此分开地或作为气流A和气流B的混合物引入热壁反应器中。
在此，在气流A之后的时刻将气流B引入热壁反应器中也可能是有利的。
优选选择硅-起始化合物/碳-起始化合物的比例，使得硅-碳-复合粉末中的Si/C体积份额为30:1-1:30，特别优选20:1-1:1。
当硅起始化合物是SiH4并且碳起始化合物是乙炔时，根据本发明的方法提供了最好的结果。
起始化合物也可以作为与选自氩气和氦气和/或氢气的惰性气体的混合物引入热壁反应器中。
热壁反应器优选被层状穿流。
本发明还涉及一种特殊的硅-碳-复合粉末，其Si/C-体积份额为20:1-1:10，其含有平均直径为300nm或更小，优选50-200nm的硅颗粒，其中硅颗粒的表面至少部分地用无定形含碳层包封，所述无定形含碳层的平均层厚度小于200nm，优选10-100nm。完全包封是优选的。
硅颗粒可以呈无定形形式或者作为无定形硅和无序取向的硅微晶的混合物存在，所述硅微晶的直径为约5-15nm。高无定形份额是优选的。
无定形含碳层可包含脂族、芳族和/或石墨体(graphitische)物质。
在本发明的范围内，其x射线衍射图具有至少一个宽的最大值，即所谓的无定形光晕的相被称作无定形的。
本发明还涉及特殊的硅-碳-复合粉末作为锂离子电池的阳极的组分的用途。
实施例
实施例1
通过喷嘴将20体积％的SiH4和3体积％的乙炔作为均匀混合物导入管状热壁反应器的芯中。另外，使用氩气作为屏蔽气体(Schleiergas)。热壁反应器被层状穿流。在反应器外壁处测量到700℃的温度。将粉状固体在过滤器中与气态物质分离，并通过闸系统(Schleusensystem)在惰性条件下填充。
借助透射电子显微镜法（TEM）研究粉状固体的粒度和颗粒形态。平均粒度为260nm。颗粒具有几乎球形的形状。
借助TEM中的能量分散x射线分析（EDX）在选定位点测量硅-和碳含量。在颗粒边缘处测量到90-95原子％的高碳含量。颗粒中心具有60:40的Si:C原子浓度比。应指出，在获取颗粒的EDX光谱期间，测量到颗粒芯和颗粒表面两者的信号。颗粒边缘处的高碳含量和在颗粒中心处EDX-测量时较低的碳含量表明形成硅-碳-复合粉末，其中颗粒的表面用含碳层包封。
由X射线衍射图的Rietveld-精修可以计算粉状固体中相的份额。根据Rietveld-精修，粉状固体主要含有无定形相（85体积％）。无定形相的特征在于三次宽反射。这些宽反射，也称为光晕，是无定形相的特征。除了无定形相之外，还发现15体积％的纳米结晶硅。
实施例2
通过喷嘴将20体积％的SiH4和3.2体积％的乙烯作为均匀混合物导入管状热壁反应器的芯中。另外，使用氩气作为屏蔽气体。热壁反应器被层状穿流。在反应器外壁处测量到650℃的温度。将粉状固体在过滤器中与气态物质分离，并通过闸系统在惰性条件下填充。
借助透射电子显微镜法（TEM）研究粉状固体的粒度和颗粒形态。平均粒度为150nm。颗粒具有几乎球形的形状。
借助TEM中的能量分散x射线分析（EDX）在选定位点测量硅-和碳含量。在颗粒边缘处测量到80-83原子％的高碳含量。颗粒中心具有35:65的Si:C原子浓度比。颗粒边缘处的高碳含量和在颗粒中心处EDX-测量时较低的碳含量表明形成硅-碳-复合粉末，其中颗粒的表面用含碳层包封。
由X射线衍射图的Rietveld-精修可以计算粉状固体中相的份额。根据Rietveld-精修，粉状固体主要含有无定形Si相（96体积％）。无定形相的特征在于三次宽反射。这些宽反射，也称为光晕，是无定形相的特征。另外发现4体积％的纳米结晶硅。
实施例3
通过喷嘴将20体积％的SiH4和3.1体积％的乙烷作为均匀混合物导入管状热壁反应器的芯中。另外，使用氩气作为屏蔽气体。热壁反应器被层状穿流。在反应器外壁处测量到650℃的温度。将粉状固体在过滤器中与气态物质分离，并通过闸系统在惰性条件下填充。
借助透射电子显微镜法（TEM）研究粉状固体的粒度和颗粒形态。平均粒度为210nm。颗粒具有几乎球形的形状。
借助TEM中的能量分散x射线分析（EDX）在选定位点测量硅-和碳含量。在颗粒边缘处测量到84-92原子％的高碳含量。颗粒中心具有40:60的Si:C原子浓度比。颗粒边缘处的高碳含量和在颗粒中心处EDX-测量时较低的碳含量表明形成硅-碳-复合粉末，其中颗粒的表面用含碳层包封。
由X射线衍射图的Rietveld-精修可以计算粉状固体中相的份额。根据Rietveld-精修，粉状固体主要含有无定形Si相（97体积％）。无定形相的特征在于三次宽反射。这些宽反射，也称为光晕，是无定形相的特征。另外发现3体积％的纳米结晶硅。
实施例4
通过喷嘴将20体积％的SiH4和3.2体积％的丙烷作为均匀混合物导入管状热壁反应器的芯中。另外，使用氩气作为屏蔽气体。热壁反应器被层状穿流。在反应器外壁处测量到650℃的温度。将粉状固体在过滤器中与气态物质分离，并通过闸系统在惰性条件下填充。
借助透射电子显微镜法（TEM）研究粉状固体的粒度和颗粒形态。平均粒度为200nm。颗粒具有几乎球形的形状。
借助TEM中的能量分散x射线分析（EDX）在选定位点测量硅-和碳含量。在颗粒边缘处测量到97原子％的高碳含量。颗粒中心具有53:47的Si:C原子浓度比。颗粒边缘处的高碳含量和在颗粒中心处EDX-测量时较低的碳含量表明形成硅-碳-复合粉末，其中颗粒的表面用含碳层包封。
由X射线衍射图的Rietveld-精修可以计算粉状固体中相的份额。根据Rietveld-精修，粉状固体主要含有无定形Si相（94体积％）。无定形相的特征在于三次宽反射。这些宽反射，也称为光晕，是无定形相的特征。另外，观察到6体积％的纳米结晶硅。
实施例5
通过喷嘴将20体积％的SiH4和6.3体积％的甲烷作为均匀混合物导入管状热壁反应器的芯中。另外，使用氩气和氢气的混合物作为屏蔽气体。热壁反应器被层状穿流。在反应器外壁处测量到650℃的温度。将粉状固体在过滤器中与气态物质分离，并通过闸系统在惰性条件下填充。
借助透射电子显微镜法（TEM）研究粉状固体的粒度和颗粒形态。平均粒度为195nm。颗粒具有几乎球形的形状。
硅颗粒部分地用含碳层包封。
由X射线衍射图的Rietveld-精修可以计算粉状固体中相的份额。根据Rietveld-精修，粉状固体主要含有无定形Si相（93体积％）。无定形相的特征在于三次宽反射。这些宽反射，也称为光晕，是无定形相的特征。另外，观察到7体积％的纳米结晶硅。
实施例6
通过喷嘴将20体积％的SiH4导入管状热壁反应器的热壁反应器芯中，并将3.5体积％的乙烯侧向导入其中。另外，使用氩气作为屏蔽气体。热壁反应器被层状穿流。在反应器外壁处测量到650℃的温度。将粉状固体在过滤器中与气态物质分离，并通过闸系统在惰性条件下填充。
借助透射电子显微镜法（TEM）测定粉状固体的粒度和颗粒形态。平均粒度为170nm。颗粒具有几乎球形的形状。借助TEM中的能量分散x射线分析（EDX）在选定位点测量硅-和碳含量。在颗粒边缘处测量到99原子％的高碳含量。颗粒中心具有80:20的Si:C原子浓度比。
由X射线衍射图的Rietveld-精修可以计算粉状固体中相的份额。据此，粉状固体主要含有无定形Si相（85体积％）。无定形相的特征在于三次宽反射。这些宽反射，也称为光晕，是无定形相的特征。另外，发现15体积％的纳米结晶硅。
表中总结了原材料和材料特性。
表：硅-碳-复合粉末的原材料和材料特性。
实施例 原材料 平均粒径a) C 颗粒边缘b) Si:C颗粒中心b) 无定形份额c)
体积% nm 原子% 原子%/原子% %
1 20 SiH4 / 3 C2H2 260 90 - 95 1.5:1 85
2 20 SiH4 / 3 C2H4 150 80 - 83 1:1.85 96
3 20 SiH4 / 3.1 C2H6 210 84-92 1:1.5 97
4 20 SiH4 / 3.2 C3H8 200 97 1:1.13 94
5 20 SiH4 / 6.3 CH4 195 - - 93
6 20 SiH4 / 3.5 C2H4 170 99 4:1 85
a) TEM; b) EDX; c) X射线衍射学。

Claims (11)

1.一种制备硅-碳-复合粉末的方法，其特征在于，使
a）含有至少一种选自SiH4、Si2H6和Si3H8的硅起始化合物的气流A，和
b）含有至少一种选自甲烷、乙烷、丙烷、乙烯和乙炔的碳起始化合物的气流B，
在热壁反应器中，在低于900℃的温度下反应，冷却反应混合物或让其冷却下来，并将粉状反应产物与气态物质分离。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，
将气流A和气流B同时、分开地或作为气流A和气流B的混合物引入热壁反应器中。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，
在气流A之后的时刻将气流B引入热壁反应器中。
4.根据权利要求1至3的方法，其特征在于，
选择硅-起始化合物/碳-起始化合物的比例，使得硅-碳-复合粉末中的Si/C体积份额为30:1-1:30。
5.根据权利要求1至4的方法，其特征在于，
硅起始化合物是SiH4，且碳起始化合物是乙炔。
6.根据权利要求1至5的方法，其特征在于，
将选自氩气和氦气的惰性气体另外地引入热壁反应器中。
7.根据权利要求1至6的方法，其特征在于，
所述热壁反应器被层状穿流。
8.硅-碳-复合粉末，其Si/C-体积份额为20:1-1:10，其含有平均直径为300nm或更小的硅颗粒，其中硅颗粒的表面至少部分地用无定形含碳层包封，所述无定形含碳层的平均层厚度小于200nm。
9.根据权利要求8的硅-碳-复合粉末，其特征在于，
所述硅颗粒是无定形的。
10.根据权利要求8或9的硅-碳-复合粉末，其特征在于，
所述无定形含碳层包含脂族、芳族和/或石墨体物质。
11.根据权利要求8至10的硅-碳-复合粉末作为锂离子电池的阳极的组分的用途。
CN201780014604.3A 2016-03-01 2017-02-28 制备硅-碳-复合物的方法 Pending CN108698835A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016203324.7A DE102016203324A1 (de) 2016-03-01 2016-03-01 Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Kohlenstoff-Komposites
DE102016203324.7 2016-03-01
PCT/EP2017/054590 WO2017148911A1 (de) 2016-03-01 2017-02-28 Verfahren zur herstellung eines silicium-kohlenstoff-komposites

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108698835A true CN108698835A (zh) 2018-10-23

Family

ID=58314160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780014604.3A Pending CN108698835A (zh) 2016-03-01 2017-02-28 制备硅-碳-复合物的方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11078083B2 (zh)
EP (1) EP3423403B1 (zh)
JP (1) JP6952704B2 (zh)
KR (1) KR102394071B1 (zh)
CN (1) CN108698835A (zh)
DE (1) DE102016203324A1 (zh)
HU (1) HUE059581T2 (zh)
PL (1) PL3423403T3 (zh)
WO (1) WO2017148911A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023273782A1 (zh) * 2021-06-30 2023-01-05 贝特瑞新材料集团股份有限公司 负极材料及其制备方法、锂离子电池
WO2023050726A1 (zh) * 2021-09-29 2023-04-06 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 一种用于二次锂电池的新型复合材料及制备方法和应用

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3415469B1 (de) 2017-06-14 2019-09-11 Evonik Degussa GmbH Synthese von silicium-kohlenstoff-komposit in einem gasphasenreaktor
KR102207529B1 (ko) * 2018-03-14 2021-01-26 주식회사 엘지화학 비정질 실리콘-탄소 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
DE102019126213A1 (de) 2019-09-27 2021-04-01 Universität Duisburg-Essen Verfahren zur Herstellung eines Stickstoff enthaltenden Silizium-Kohlenstoff-Komposits
GB2592055A (en) * 2020-02-14 2021-08-18 Cenate As Predominantly amorphous silicon particles and use thereof as active anode material in secondary lithium ion batteries
EP3965185A1 (en) * 2020-09-02 2022-03-09 Evonik Operations GmbH High performance silicon-based materials for lithium ion battery anodes
KR20240054329A (ko) * 2021-09-03 2024-04-25 엔와이어스 실리콘-탄소 복합 물질의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060008661A1 (en) * 2003-08-01 2006-01-12 Wijesundara Muthu B Manufacturable low-temperature silicon carbide deposition technology
JP2009194117A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Covalent Materials Corp Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法
CN103700819A (zh) * 2013-12-30 2014-04-02 合肥国轩高科动力能源股份公司 表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法
CN104701512A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 纳米及先进材料研发院有限公司 用于锂离子高性能阳极的Si@C核/壳纳米材料
RU2573146C1 (ru) * 2014-12-24 2016-01-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) КОМПОЗИЦИЯ УГЛЕРОДНОЙ ЗАГОТОВКИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ SiC/C/Si КЕРАМИКИ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ SiC/C/Si ИЗДЕЛИЙ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8629496D0 (en) 1986-12-10 1987-01-21 British Petroleum Co Plc Silicon carbide
KR101375328B1 (ko) 2007-07-27 2014-03-19 삼성에스디아이 주식회사 Ｓｉ／Ｃ 복합물, 이를 포함하는 음극활물질 및 리튬전지
DE102009033739A1 (de) 2009-07-17 2011-01-27 Evonik Degussa Gmbh Nanostrukturierte Silizium-Kohlenstoff-Komposite für Batterieelektroden
JP5702649B2 (ja) 2011-03-31 2015-04-15 国立大学法人 熊本大学 炭素−金属コンポジットおよびその製造方法
JP5124690B2 (ja) 2012-03-19 2013-01-23 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ
DE102013204799A1 (de) 2013-03-19 2014-09-25 Wacker Chemie Ag Si/C-Komposite als Anodenmaterialien für Lithium-Ionen-Batterien

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060008661A1 (en) * 2003-08-01 2006-01-12 Wijesundara Muthu B Manufacturable low-temperature silicon carbide deposition technology
JP2009194117A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Covalent Materials Corp Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法
CN104701512A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 纳米及先进材料研发院有限公司 用于锂离子高性能阳极的Si@C核/壳纳米材料
CN103700819A (zh) * 2013-12-30 2014-04-02 合肥国轩高科动力能源股份公司 表面具有梯度变化包覆层的硅复合负极材料的制备方法
RU2573146C1 (ru) * 2014-12-24 2016-01-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) КОМПОЗИЦИЯ УГЛЕРОДНОЙ ЗАГОТОВКИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ SiC/C/Si КЕРАМИКИ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ SiC/C/Si ИЗДЕЛИЙ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LU-SHENG HONG ET AL.，: "Gas-to-Particle Conversion Mechanism in Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide by SiH4and C2H2", 《INDUSTRIAL AND ENGINEERING CHEMISTRY RESEARCH》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023273782A1 (zh) * 2021-06-30 2023-01-05 贝特瑞新材料集团股份有限公司 负极材料及其制备方法、锂离子电池
WO2023050726A1 (zh) * 2021-09-29 2023-04-06 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 一种用于二次锂电池的新型复合材料及制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
PL3423403T3 (pl) 2022-09-26
EP3423403A1 (de) 2019-01-09
US20200317529A1 (en) 2020-10-08
KR102394071B1 (ko) 2022-05-06
JP2019507096A (ja) 2019-03-14
WO2017148911A1 (de) 2017-09-08
KR20180120170A (ko) 2018-11-05
DE102016203324A1 (de) 2017-09-07
US11078083B2 (en) 2021-08-03
HUE059581T2 (hu) 2022-12-28
EP3423403B1 (de) 2022-06-15
JP6952704B2 (ja) 2021-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108698835A (zh) 制备硅-碳-复合物的方法
Ngo et al. Carbon‐Interconnected Ge Nanocrystals as an Anode with Ultra‐Long‐Term Cyclability for Lithium Ion Batteries
Tay et al. Facile synthesis of millimeter-scale vertically aligned boron nitride nanotube forests by template-assisted chemical vapor deposition
Xu et al. The kinetics of chirality assignment in catalytic single-walled carbon nanotube growth and the routes towards selective growth
KR101772659B1 (ko) 실리콘 코어-탄소 쉘 나노볼, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 이차전지용 음극 활물질
Castan et al. New method for the growth of single-walled carbon nanotubes from bimetallic nanoalloy catalysts based on Prussian blue analog precursors
Boi et al. Cm-size free-standing self-organized buckypaper of bucky-onions filled with ferromagnetic Fe 3 C
O'Byrne et al. Nitrogen‐Doped Carbon Nanotubes: Growth, Mechanism and Structure
Bittencourt et al. Metallic nanoparticles on plasma treated carbon nanotubes: Nano2hybrids
Li et al. Diameter-specific growth of single-walled carbon nanotubes using tungsten supported nickel catalysts
CN109088056A (zh) 在气相反应器中合成硅-碳复合材料
Barreca et al. Iron oxide nanoparticle impregnated mesoporous silicas as platforms for the growth of carbon nanotubes
Brown et al. Graphene-like carbon from calcium hydroxide
Chae et al. Nanocasting of hierarchical nanostructured porous carbon in molecular dynamics simulation
KR20190019652A (ko) 그래핀 나노구체 제조방법
Zhao et al. Pseudocapacitive graphene‐wrapped porous VO2 microspheres for ultrastable and ultrahigh‐rate sodium‐ion storage
Wang et al. One-pot synthesis and characterization of metal phosphide-doped carbon xerogels
KR20160062810A (ko) 탄소나노튜브 제조방법 및 하이브리드 탄소나노튜브 복합체
KR101626936B1 (ko) 끝단이 날카로운 탄소나노섬유 및 팔라듐 촉매를 이용한 탄소나노섬유의 성장방법
Luo et al. Selective growths of single‐walled carbon nanotubes from mesoporous supports via CO disproportionation
KR101916270B1 (ko) 실리콘 카바이드 파우더의 제조방법
KR20120012345A (ko) 탄화 규소 및 이의 제조 방법
Zhang et al. Structure and effects of annealing in colloidal matrix-free Ge quantum dots
Tsoufis et al. Controlled Synthesis of Carbon‐Encapsulated Copper Nanostructures by Using Smectite Clays as Nanotemplates
Rodríguez-Fernández et al. Ge-based hybrid composites from Ge-rich zeolites as highly conductive and stable electronic materials

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Essen, Germany

Applicant after: Evonik Operations Limited

Address before: Essen, Germany

Applicant before: EVONIK DEGUSSA GmbH

CB02 Change of applicant information