CN1086860C - 用于电缆调制解调器的调谐器的变频器电路 - Google Patents

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Abstract

变频器电路(1141，1142)中的本机振荡电路(622，623)，包括一个谐振电路(411)和连接到该谐振电路的差分放大器电路(421)，差分放大器电路包括构成差分级的两个晶体管(511，512)，谐振电路的一端经过电容元件(14)接到一个晶体管(511)的基极，并且经过一个电容元件(15)接到另一个晶体管(512)的集电极，谐振电路的另一端经过一个电容元件(17)只接到另一个晶体管的基极。因此，在本机振荡电路中进行不平衡振荡操作，通过减少由于陷波现象引起的振荡输出而使相位噪声减少从而改善接收质量。

Description

用于电缆调制解调器的调谐器 的变频器电路
本发明涉及提供给调谐器(该调谐器包含在电缆调制解调器中，在下面称为“电缆调制解调器的调谐器”(“cable modem tuner”))的变频器电路，电缆调制解调器的调谐器是利用电缆电视(在下面称为“CATV”)的任何空信道进行高速数据通信所必需的。更具体地讲，本发明涉及应用于可恰当地保持高频信号特性的电缆调制解调器的调谐器的变频器电路。
CATV现在引入了HFC(简称为混合的光纤/同轴)它是通过采用同轴电缆作为室内引入线和通过采用光纤作为干线网络构成的。HFC用于以每秒几Mbits的宽带提供数据通信业务给每个家用站点。具有带宽6MHz的30Mbits/sec的传输速率的高速数据线路甚至可以由64QAM(正交调幅的简称)实现，QAM现在已不再认为是高技术。利用CATV的任何空信道，4Mbits/sec至27Mbits/sec的高速数据通信是可能的。为了实现这样的高速数据通信，要求电缆调制解调器需具有将传输信号变换为由家用数据处理设备采用的那些信号的功能，反之亦然。
图6是常规的电缆调制解调器的调谐器100的方框图。参见图6，电缆调制解调器的调谐器100包括一个输入端IN，经过用于通信的的电缆400连接CATV站300与电缆调制解调器的调谐器100，一个数据端D，用于输入由外部QPSK(正交相移键控)调制器500正交相移键控调制的数据信号，一个输出端OUT，用于输出已处理的IF(中频的简称)信号，一个IF滤波器101，一个转换电路102，第一调谐电路103-105，高频放大器电路106-108，第二调谐电路109-111，VHF高/低转换电路112，变频器电路113和114，PLL(锁相环的简称)信道选择电路115，IF第一放大器电路116，SAW滤波器117，IF第二放大器电路118，和上行电路119。
至于与该电缆调制解调器的调谐器有关的CATV信号，一般的上行信号(从电缆调制解调器的调谐器发送给CATV站的信号)均工作在5-42MHz，而下行信号(从CATV站发送给电缆调制解调器的调谐器的信号)工作在54-860MHz。
在工作中，通过数据输入端D所加的数据信号经过上行电路119发送，从输入端IN向CATV站300输出。上行电路119是具有通带5-42MHz的低通滤波器。
从CATV站300发送的信号经过输入端IN输入给电缆调制解调器的调谐器100。在电缆调制解调器的调谐器100中下行信号的处理将在下面叙述。
从输入端IN所加的下行信号通过IF滤波器101，并且利用转换电路102发送给接收UHF频段(470-860MHz)的电路201(在下面称为“UHF频段电路”)，接收VHF高频段(170-470MHz)的电路202(在下面称为“VHF高频段电路”)，和用于接收VHF低频段(54-170MHz)的电路203(在下面称为“VHF低频段电路”)中任一个(即相应于所需要的接收信道的任何频段的电路)。IF滤波器101是一个高通滤波器，具有5-46MHz的衰减频段和54MHz和其以上的通频带。
根据所需要的接收信道选择UHF频段电路201，VHF高频段电路202和VHF低频段电路203之一。仅仅所选择频段的电路处于工作状态，而未选择的其它频段的电路处于非工作状态。例如，当接收UHF频段的信道时，UHF频段电路201即第一调谐电路103，高频放大器电路106，第二调谐电路109和变频器电路113处于工作状态，而VHF高频段电路202和VHF低频段电路203即第一调谐电路104及105，高频放大器电路107及108，第二调谐电路110及111，VHF高/低转换电路112和变频器电路114是处于不工作状态。
对于相应频段电路公用的那些电路诸如IF滤波器101，转换电路102，PLL信道选择电路115，IF第一放大电路116，SAW滤波器117，IF第二放大电路118和上行电路119总是处于工作状态。VHF高/低转换电路112和变频器电路114对于VHF高频段电路202和VHF低频段电路203是公用的，而且只在收到UHF频段的信道时这些电路才处于不工作状态。
现在叙述UHF频段电路201、VHF高频段电路202和VHF低频段电路203的工作。经过输入端IN，IF滤波器101和转换电路102接收的信号提供给第一调谐电路103-105之一。接收的信号从第一调谐电路103-105之一输出作为希望频率的信号，由在下一级中的高频放大电路106-108中相应的放大器放大，之后加到第二调谐电路109-111中相应的调谐电路。所加的信号输入给第二调谐电路109-111中相应的调谐电路并且再次输出作为希望频率的信号加到变频器电路113和114的相应变频器电路。
变频器电路113和114分别由相应的混频器电路51与61和相应的本机振荡电路52和62构成。从变频器电路113和114的相应的变频器电路输出IF信号，该信号是使用混频器电路51与61的相应的混频电路将第二调谐电路109-111的相应的调谐电路所提供的高频信号与来自本机振荡电路52和62的相应的本机振荡电路的振荡信号混频得到的。换句话说，从第二调谐电路109-111输出的高频信号由变频器电路113和114变换为IF信号。本机振荡电路52和62的振荡频率各由PLL信道选择电路115控制。变频器电路113和114以及PLL信道选择电路115构成为单片的IC。
因此IF信号从UHF频段电路201、VHF高频段电路202和VHF低频段电路203的相应电路输出，然后由IF第一放大电路116放大后经过SAW滤波器117再由IF第二放大电路118放大，并且从输出端OUT输出。
图7表示图6所示的变频器电路114的常规电路结构。在电缆调制解调器的调谐器100中，对于VHF高频段电路202和VHF低频段电路203公用的变频器电路114具有图7所示的结构。参见图7，在下面叙述的IC 13经过反馈电容器14-17连接到具有连接端子T5-T7的谐振电路41。
IC 13包括差分放大器电路42、构成混频电路61的混频器电路1及2、缓冲放大器3及4、用于向混频器电路1及2输入的端子T1和T2和用于从混频器电路1及2输出的端子T3和T4，以及提供电源电压VCC的端子T8。
差分放大器电路42包括构成差分级的晶体管51及52，偏置电阻7、8、10及11，集电极电阻6及12，和一个发射极电阻9。
加到端子T8的电源电压VCC由偏置电阻7和8以及偏置电阻10及11分压后分别加到构成差分级的晶体管51及52的基极。加到端子T8的电源电压VCC也分别经过集电极电阻6和12加到晶体管51及52的集电极。晶体管51及52的发射极经过发射极电阻9一起接地。晶体管51及52的基极经过缓冲放大器3和4分别接到相应的混频器电路1和2的输入级。
IC 13内的谐振电路41和差分放大器电路42连接如下。谐振电路41的一端经过反馈电容器14接到晶体管51的基极，并且经过反馈电容器15接到晶体管52的集电极。谐振电路41的另一端经过反馈电容器16接到晶体管51的集电极，并且经过反馈电容器17接到晶体管52的基极。
在工作中，当在加上电源电压时偏压变化使得信号在谐振电路41的谐振频率(100-500MHz)上振荡，因为在本机振荡电路62中平衡的振荡操作造成振荡信号以彼此相反的相位加到混频器电路1及2。因此，经过端子T1和T2从VHF高/低转换电路112所加的VHF高频信号利用混频器电路1和2变换为IF信号，分别从端子T3和T4输出。从端子T3和T4输出的IF信号分别和具有相对于另一个IF信号反相的一个IF信号组合，加到图6所示IF第一放大器电路116。在接收VHF高频段时，VHF高/低转换电路112允许从第二调谐电路110输出的高频信号以彼此反相地加到端子T1和T2，而在接收VHF低频段时，允许从第二调谐电路111输出的高频信号以彼此反相地加到端子T1和T2。
谐振电路41的谐振频率由加在端子T5的调谐电压变化地设置。当接收VHF高频段时，高电平和低电平电压分别加到端子T6和T7。当接收VHF低频段时，低电平和高电平电压分别加在端子T6和T7。因此，谐振频率的可变频段根据VHF高频段和VHF低频段变化。
在电缆调制解调器的调谐器100中，经过第一调谐电路103-105、高频放大器电路106-108和第二调谐电路109-111提供的高频信号由变频器电路113和114变频为IF信号，如上所述的。在这种情况下，希望尽可能地限制在变频操作中产生的噪声。特别是，在本机振荡电路52和62由PLL控制时，分别从本机振荡电路52和62产生的相位噪声降低了C/N比(载波噪声比)。
但是，在常规的结构中，本机振荡电路62执行平衡振荡操作，而反馈电容器接到构成变频器电路114中的差分级的相应晶体管51和52的集电极侧，变频器电路114对于VHF高频段电路202和VHF低频段电路203是公用的，如图7所示，于是晶体管51和52的集电极对于高频信号是感性的。因此，当电容元件接到晶体管51和52的集电极侧时，构成一个寄生的串联谐振电路，导致所谓的陷波现象。特别是在VHF高频段陷波现象是显著的。在陷波现象中形成的寄生的串联谐振电路吸收振荡功率，使得振荡输出减少和相位噪声增加。因此，在常规的电缆调制解调器的调谐器100中VHF高频段的接收质量不好。
另外，执行平衡振荡操作的电路要求大的振荡功率和使相对于振荡信号的本机泄漏增加。而且，由于要求构成差分级的晶体管51和52需要形成为互补对称型晶体管，不满足振荡中的稳定性。与振荡电路相关的大量部件导致了差的经济性。
本发明的一个目的是提供用于电缆调制解调器的调谐器的具有降低了相位噪声的本机振荡电路的变频器电路，以便改善接收质量，和取得改善的本机泄漏，取得振荡稳定性以及经济性。
为了实现上述目的，用于把由电缆调制解调器的调谐器接收的高频信号变换为在所需要的信道上的中频信号的电缆调制解调器的调谐器的变频器电路的结构如下所述。
变频器电路包括一个本机振荡电路，它具有一个谐振电路，并且具有由构成差分级和接到该谐振电路的第一和第二晶体管形成的差分放大电路。谐振电路和差分放大电路以下面叙述的方法连接。谐振电路的一端经过第一电容元件接到第一晶体管的基极，并且经过第二电容元件接到第二晶体管的集电极。谐振电路的另一端经过第三电容元件接到第二晶体管的基极。
根据上述连接方法，只有构成该差分级的两个晶体管的第二晶体管起着振荡晶体管的作用，使用从该谐振电路输出的信号执行振荡操作。因此，在本机振荡电路中执行不平衡的振荡操作。结果，由于常规的平衡振荡操作造成的该陷波现象不容易出现，因此实现了相位噪声的减少和接收质量的改善。不平衡振荡操作减少振荡功率从而减少本机泄漏。因为第一和第二晶体管不是互补对称型的，振荡操作稳定。与执行平衡振荡操作的常规振荡电路相比，由于取消了与在第一晶体管的集电极侧和谐振电路之间的连接相关的电路从而减少了部件的数量，因而提高了经济性。
在上述连接方法中，第一晶体管的集电极和第二晶体管的集电极可相接，而且第一和第二晶体管的发射极侧可接地。
因此，第一晶体管作为一个阻抗变换晶体管工作，消除了由于第二晶体管的集电极侧是高阻抗电路而其发射极侧是低阻抗电路引起的阻抗不匹配状态。
上述谐振电路包括第四电容元件和电感元件，而该电感元件的电感量是根据所需要的信道变化地设定的。
另外，由电缆调制解调器的调谐器接收的高频信号具有相应于所需要信道的多个不同的频段。
当结合附图对本发明进行详细叙述后，本发明前述的和其它的目的、特征、状况和优点就更清楚了。
图1是根据本发明的实施例的电缆调制解调器的调谐器的方框图；
图2表示根据本发明的电缆调制解调器的调谐器的变频器电路结构；
图3是用于叙述图2所示的变频器电路的操作的定时图；
图4是表示对于常规的电缆调制解调器的调谐器与根据本发明实施例的电缆调制解调器的调谐器的每个频率的C/N比的测量结果的曲线图；
图5表示根据本发明实施例的电缆调制解调器的调谐器的变频器电路的另一个结构；
图6是常规的电缆调制解调器的调谐器的方框图；
图7表示图6所示的变频器电路的常规电路结构。
下面参照附图叙述本发明的实施例。虽然本说明适用于本实施例的VHF信号的电路，但是本说明类似地可应用到UHF信号的电路。
图1所示的本实施例的电缆调制解调器的调谐器1000与图6所示的电缆调制解调器的调谐器100之间的差别是以变频器电路1141(1142)代替电缆调制解调器的调谐器100的变频器电路114。图1的结构除了上述的差别之外，类似于图6的结构，因此略去其叙述。
图2表示变频器电路1141的结构。参见图2，变频器电路1141包括一个混频器电路61，缓冲放大器3与4，连接端子T15-T18的本机振荡电路622，以及端子T1-T4。
混频器电路61包括连接输入端T1和输出端T3的混频器电路1以及连接输入端T2和输出端T4的混频器电路2。混频器电路1和2混频分别由本机振荡电路622产生的和从前一级的相应缓冲放大器3和4提供的振荡信号与分别经过端子T1和T2从VHF高/低转换电路112提供的高频信号，并将它们变换为IF信号，该IF信号分别从端T3和T4输出。混频器电路61的操作类似于常规的操作。
本机振荡电路622包括谐振电路411，差分放大器电路421，反馈电容器14、15及17，旁通电容器24，在下面将要叙述变容二极管25的偏置电阻26及28，和叙述SW(开关的缩写)二极管23的偏置电阻27、29及30。
差分放大器电路421包括构成差分级的晶体管511和521，偏置电阻97、98、90及91，集电极电阻96及92，以及发射极电阻99。
加到端子T18的电源电压VCC由偏置电阻90和91分压加到晶体管521的基极，晶体管521是构成该差分级的一个晶体管。晶体管521的集电极经过偏置电阻92及96连接到晶体管511的集电极。晶体管511的基极经过偏置电阻98接地。晶体管511的基极还经过偏置电阻96和97接到晶体管511的集电极侧。因此，当晶体管511接通时，晶体管511的集电极侧的输出反馈给基极侧的输入。
谐振电路411包括可变频率控制电容器18及22，谐振线圈19及20，调谐电容器21，SW二极管23和变容二极管25。变容二极管25是由经过偏置电阻26及27加在端子T15的电压(调谐电压)反向偏置的。通过改变调谐电压电平，变化谐振电路411的谐振频率。
SW二极管23经偏置电阻27-30将提供给端子T16和T17的电压施加于其上后工作。将旁通电容器24提供给SW二极管23。当接收VHF高频段时，低电平和高电平电压分别加到端子T16和T17。当接收VHF低频段时，高电平和低电平电压分别加到端子T16和T17。
因此，当接收VHF高频段时，SW二极管23接通，而该电感部件仅仅是谐振电路411中的谐振线圈19。当接收VHF低频段时，SW二极管23关断，而电感部件是由谐振线圈19和20构成的。改变谐振频率的可变频段取决于是接收VHF高频段或是接收VHF低频段，它通过改变谐振电路411的电感大小来改变。
谐振电路411和差分放大电路421以下面叙述的方式连接。谐振电路411的一端经过反馈电容器14接到晶体管511的基极并且经过反馈电容器15接到晶体管521的集电极。谐振电路411的另一端经过反馈电容器17只接到晶体管521的基极。
下面叙述图2中所示的本机振荡器电路的操作。参见图3，示出在图2的电路操作中在A点(晶体管521的集电极侧)检测的信号波形和在B点(晶体管521的基极侧)检测的信号波形，它们互相对应。在操作中，一旦经过端子T18加上电源电压偏置电压改变就使得谐振电路411根据端子T15-T17上的每个电压电平在一个谐振频率上振荡。这时，晶体管521作为一个放大器电路工作，使得在A和B点检测的信号具有彼此相反的相位，如图3所示。具体地讲，在加上电源电压时谐振电路411产生的振荡信号提供给晶体管521的基极侧，由晶体管521放大，并且从晶体管521的集电极侧输出到由变容二极管25及谐振线圈19或20构成的振荡回路。从晶体管521输出的信号具有与B点的信号相位反相或同相通过该谐振回路，并且提供给晶体管521的基极侧。因此，振荡信号由晶体管521进一步放大并且继续振荡操作。晶体管511作为阻抗变换晶体管工作，用于与晶体管521进行阻抗匹配。在振荡操作中，振荡信号幅度在谐振回路中是最大的，谐振回路是由变容二极管25、谐振线圈19、可变频率控制电容器18和反馈电容器14构成的。换句话说，谐振回路是高阻抗电路。晶体管521的发射极侧在振荡操作中是低阻抗电路。因此，在晶体管521中出现阻抗不匹配状态和不能保证正常工作。因此，不是反馈电容器而是晶体管521的集电极侧被连接到晶体管511的集电极侧，以取得晶体管521的阻抗匹配状态。因此构成差分级的晶体管521及511分别作为用于振荡的晶体管和用于阻抗变换的晶体管工作。因此，本机振荡电路622的振荡工作是不平衡型的，以避免陷波现象。
结果，由于本机振荡电路622的振荡输出的减少限制了相位噪声的增加。与常规的电路比较，在如图4所示的具体接收频段中C/N比不降低，改善了接收质量。
本机振荡电路622执行不平衡的振荡操作。因此，振荡功率减少了，导致本机泄漏减少。而且，由于构成差分级的晶体管511和521不是被构成为互补对称型的，振荡操作稳定。而且，与本机振荡电路622相关的部件数量以及由此与电缆调制解调器的调谐器1000相关的部件数量与常规电路相比减少了，因为取消了在构成差分级的晶体管之一的晶体管511的集电极侧的反馈电容器，结果改善了经济性。
图5所示的变频器电路1142可应用在图1所示的电缆调制解调器的调谐器1000。图5中的变频器电路1142的特征在于提供去除了偏置电阻28的本机振荡电路623，它对应于图2中的变频器电路1141的本机振荡电路622。变频器电路1142的结构除了上述结构之外类似于图2所示的结构，从而省略对其叙述。取消偏置电阻谐振电路411可接地，如图5所示。因此，由于去除了偏置电阻28后与本机振荡电路623相关的部件数量减少，因此取得了很好的经济性。由于本机振荡电路623执行不平衡的振荡操作，即使去除了偏置电阻28也可保证振荡工作。(在平衡振荡工作中，如果去除了偏置电阻28和谐振电路411接地，不能进行振荡操作)在平衡振荡电路工作中有关振荡信号的本机泄漏增加。因此，如果为了获得解决本机振荡电路623泄漏的措施，这个电路结构特别有效。
虽然详细地叙述和示出了本发明，但是应该清楚地懂得，它只是为了说明和举例，而不是对本发明的限定，本发明的精神和范围只由本发明的权利要求限定。

Claims (4)

1、一种用于电缆调制解调器调谐器的变频器电路(1141，1142)，它提供给电缆调制解调器的调谐器(1000)用于变换由所述电缆调制解调器的调谐器接收的高频信号为所需要信道的中频信号，包括：
一个本机振荡电路(622，623)，其包括谐振电路(411)和由构成差分级的第一及第二晶体管(511，521)形成的、并且连接到所述谐振电路的差分放大器电路(421)，其中
所述谐振电路的一端经过第一电容元件(14)连接到所述第一晶体管的基极，并且经过第二电容元件(15)连接到所述第二晶体管的集电极，所述谐振电路的另一端经过第三电容元件(17)只连接到所述第二晶体管的基极，由此所述本机振荡电路执行不平衡的振荡操作。
2、根据权利要求1的电缆调制解调器的调谐器的变频器电路，其中所述第一晶体管的集电极连接到所述第二晶体管的集电极，所述第一和第二晶体管的发射极侧接地。
3、根据权利要求1的电缆调制解调器的调谐器的变频器电路，其中，
所述谐振电路包括第四电容元件(21)和一个电感元件(19，20)，以及
所述电感元件的电感大小根据所述需要的信道可变地设定。
4、根据权利要求1的电缆调制解调器的调谐器的变频器电路，其中，由所述电缆调制解调器的调谐器接收的所述高频信号具有对应于所述需要的信道的多个不同频段。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001008179A (ja) 1999-04-23 2001-01-12 Sharp Corp Ｃａｔｖ用チューナ
US6861913B1 (en) * 1999-06-05 2005-03-01 Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics Voltage-controlled oscillator with LC resonant circuit
CA2380923C (en) * 1999-08-02 2008-04-01 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for multiple band voltage controlled oscillator with noise immunity
CN1190964C (zh) * 2000-02-14 2005-02-23 夏普公司 电缆调制解调器的调谐器
JP2002111525A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ２出力チューナ
JP4064620B2 (ja) 2000-11-30 2008-03-19 シャープ株式会社 ケーブルモデム用チューナ
JP3850225B2 (ja) * 2001-03-27 2006-11-29 シャープ株式会社 ケーブルモデム用チューナ
US7020186B2 (en) * 2001-07-13 2006-03-28 Thomson Licensing Multi-mode bi-directional communications device including a diplexer having switchable low pass filters
US20030022631A1 (en) * 2001-07-13 2003-01-30 Rhodes Robert Andrew Multi-mode bidirectional communications device including a diplexer having a switchable notch filter
US7024682B2 (en) 2001-07-13 2006-04-04 Thomson Licensing Software controlled multi-mode bi-directional communication device
JP5333445B2 (ja) * 2008-04-17 2013-11-06 パナソニック株式会社 受信装置とこれを用いた電子機器
CN105419365B (zh) * 2016-01-25 2017-10-24 清远市乐田农业有限公司 一种黑色液态地膜及其制备方法
US11171601B1 (en) * 2020-07-29 2021-11-09 Texas Instruments Incorporated Voltage-controlled oscillator (VCO) with LC circuit and series resistors

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0351153A2 (en) * 1988-07-11 1990-01-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Frequency modulator

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57133705A (en) * 1981-02-12 1982-08-18 Toshiba Corp Variable frequency oscillating circuit
JPH05176327A (ja) * 1991-10-07 1993-07-13 Alps Electric Co Ltd チューナ
JPH05275924A (ja) * 1992-03-26 1993-10-22 Alps Electric Co Ltd 高周波発振回路
JPH07162231A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Nec Corp 発振回路
DE4418432A1 (de) * 1994-05-26 1995-11-30 Siemens Ag Frequenzveränderbare Oszillatoranordnung
JP2925977B2 (ja) * 1994-09-30 1999-07-28 松下電器産業株式会社 通信装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0351153A2 (en) * 1988-07-11 1990-01-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Frequency modulator

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