CN108682665B - 可拉伸的柔性电子器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种可拉伸的柔性电子器件的制造方法。该方法包括：对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，改性后的衬底包括未改性区域和改性区域，未改性区域的弹性模量小于改性区域的弹性模量；在改性后的衬底上，生成具有预设形状的金属导线；将至少一个待安装元件连接到对应的金属导线上，形成待封装的柔性电子器件；采用柔性封装材料对待封装的柔性电子器件进行封装，形成柔性电子器件。其中，至少一个待安装元件处于改性后的衬底的改性区域。本公开实施例所提供的可拉伸的柔性电子器件的制造方法，制造的器件的效率高，所制造的器件的改性后的衬底为一体结构，提高柔性电子器件的柔性和可靠性。
Description
技术领域
本公开涉及电子技术领域，尤其涉及一种可拉伸的柔性电子器件的制造方法。
背景技术
柔性电子技术可概括为是将有机/无机材料电子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金属基板上的新兴电子技术，以其独特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工艺，在信息、能源、医疗、国防等领域具有广泛应用前景。
柔性电子器件的设计与制备离不开具有柔性的衬底材料。相关技术中，通过转印的方式，将所需的例如金属导线等功能层转印到柔性衬底上，而后安装相应的电子元件，封装形成柔性电子器件。但转印的过程中，会在功能层中引入较大应力，会导致功能层出现裂纹，甚至损坏功能层，影响柔性电子器件的可靠性。
发明内容
有鉴于此，本公开提出了一种可拉伸的柔性电子器件的制造方法。
根据本公开的一方面，提供了一种可拉伸的柔性电子器件的制造方法，所述方法包括：
对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，所述改性后的衬底包括未改性区域和改性区域，所述未改性区域的弹性模量小于所述改性区域的弹性模量；
在所述改性后的衬底上，生成具有预设形状的金属导线；
将至少一个待安装元件连接到对应的金属导线上，形成待封装的柔性电子器件；
采用柔性封装材料对所述待封装的柔性电子器件进行封装，形成所述柔性电子器件，
其中，所述至少一个待安装元件处于所述改性后的衬底的改性区域。
对于上述方法，在一种可能的实现方式中，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，包括：
在柔性衬底的一面贴装改性膜，所述改性膜中含有能够与所述柔性衬底反应的改性溶液，所述改性膜是通过干法造纸得到的、含有纤维的膜；
对带有所述改性膜的柔性衬底进行改性处理，获得改性后的衬底，
其中，所述改性膜的形状与所述改性后的衬底中的改性区域的形状相对应，所述改性处理包括将带有所述改性膜的柔性衬底放置于密闭环境中，所述密闭环境的温度为50℃～70℃，在所述密闭环境中放置的时间为1.5h～2.5h。
对于上述方法，在一种可能的实现方式中，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，还包括：
在柔性衬底的一面贴装改性膜之前，将所述柔性衬底放置于改性膜标记模板上，所述柔性衬底的另一面与所述改性膜标记模板接触，
其中，所述改性膜标记模板用于标记所述改性膜在所述柔性衬底上的贴装位置，所述柔性衬底为透明或半透明的柔性衬底。
对于上述方法，在一种可能的实现方式中，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，还包括：
使改性膜吸收所述改性溶液至预设状态，以使所述改性膜中含有所述改性溶液。
对于上述方法，在一种可能的实现方式中，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，还包括：
去除所述改性后的衬底表面的杂质。
对于上述方法，在一种可能的实现方式中，在所述改性后的衬底上，生成具有预设图形的金属导线，包括：
在所述改性后的衬底上，生成金属层；
在所述金属层上旋涂光刻胶；
以掩膜版为掩膜对所述光刻胶进行刻蚀处理，获得光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩膜对所述金属层进行刻蚀处理，形成具有预设形状的金属导线；
去除所述改性后的衬底上剩余的光刻胶，
其中，所述金属层的厚度为250nm～350nm。
对于上述方法，在一种可能的实现方式中，所述柔性衬底的厚度为250μm～350μm，所述柔性衬底为含有硫化物和/或聚硫化物的有机薄膜，所述改性溶液为含有过氧化物的溶液。
对于上述方法，在一种可能的实现方式中，所述柔性封装材料包括聚二甲基硅氧烷和/或聚酰亚胺。
本公开实施例所提供的可拉伸的柔性电子器件的制造方法，制造的柔性电子器件的效率高，所制造的柔性电子器件的改性后的衬底为一体结构，且改性后的衬底的未改性区域的弹性模量小于改性区域的弹性模量，提高柔性电子器件的柔性的同时，为改性区域上的元件隔离了由于器件被拉伸所引入的应变，提高了柔性电子器件的可靠性。
根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。
附图说明
包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。
图1示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法的流程图；
图2示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图；
图3示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图；
图4示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图；
图5示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图；
图6示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S12的流程图；
图7a-图7i示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法的应用场景的示意图。
具体实施方式
以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。
在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。
另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。
柔性电子器件的设计与制备离不开柔性的衬底材料。在相关技术中，柔性电子器件的制备流程通常为：首先在无机半导体衬底上生长无机薄膜，然后通过光刻技术进行图形化形成功能层，最后通过转印的方式将功能层转印至柔性衬底。
以相关技术的转印方法中的印章转印法为例，在转印过程中，柔性印章首先按压在生长在无机半导体衬底上的功能层的表面，然后以一定速度撕离柔性印章。利用不同的界面强度，将功能层从无机半导体衬底上脱离下来。最后将柔性印章按压在柔性衬底之上，再次撕离印章，将功能层转印于柔性衬底之上。整个转印过程经历两次按压过程、两次撕离过程，这四次操作均会在功能层中引入应力，尤其在撕离过程中引入的应力更大，常使功能层出现裂纹，甚至损坏功能层。
图1示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法的流程图。如图1所示，该方法包括步骤S11至步骤S14。
在步骤S11中，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，改性后的衬底包括未改性区域和改性区域，未改性区域的弹性模量小于改性区域的弹性模量。
在本实施例中，改性后的衬底中改性区域的形状和尺寸是根据待安装元件的尺寸、形状、放置位置，以及对柔性电子器件的柔性需求等确定的，本公开对此不作限制。在改性后的衬底中改性区域可以是多块相互连接的区域，还可以是多块相互间隔的区域，本公开对此不作限制。
在本实施例中，可以将获取到的由柔性衬底的材料制成的薄膜进行剪裁或切割，获取到所需的柔性衬底。且在对柔性衬底进行改性处理之前，可以对柔性衬底进行清洗，去除表面的杂质。例如，将柔性衬底放入去离子水中超声清洗5分钟之后烘干，以去除柔性衬底表面的杂质。
在步骤S12中，在改性后的衬底上，生成具有预设形状的金属导线。
在本实施例中，金属导线的预设形状可以是根据待安装元件的尺寸、形状、放置位置，以及未改性区域和改性区域的范围确定的。具有预设形状的金属导线可以形状为蛇形、S形、波浪形等具有延展性的形状的多条金属导线，本公开对此不作限制。
在步骤S13中，将至少一个待安装元件连接到对应的金属导线上，形成待封装的柔性电子器件。其中，至少一个待安装元件处于改性后的衬底的改性区域。
在本实施例中，待安装元件可以是微控制单元(Microcontroller Unit，简称MCU)、存储器、寄存器等用于实现柔性电子器件功能的芯片，还可以是用于实现柔性电子器件功能的电阻、电容等无源元件，本公开对此不作限制。将待安装元件放置于改性区域上，弹性模量大的改性区域可以为待安装元件提供较好的机械支撑，增强柔性电子器件的可靠性，提高柔性电子器件的良品率。
在本实施例中，可以使用银胶粘结剂等粘结剂将待安装元件粘结安装在改性区域的对应位置。将待安装元件安装在改性区域的对应位置、与对应的金属导线连接之后，可以制备柔性电子器件的引线，以通过引线实现该器件的信号输入和输出。
在步骤S14中，采用柔性封装材料对待封装的柔性电子器件进行封装，形成柔性电子器件。
在一种可能的实现方式中，柔性封装材料可以包括聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，简称PDMS)和/或聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。
在本实施例中，柔性封装材料还可以是具有半透膜性质的柔性材料，本公开对此不作限制。
图2示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图。在一种可能的实现方式中，如图2所示，步骤S11可以包括步骤S111和步骤S112。
在步骤S111中，在柔性衬底的一面贴装改性膜。改性膜中含有能够与柔性衬底反应的改性溶液，改性膜可以是通过干法造纸得到的、含有纤维的膜。其中，改性膜的形状与改性后的衬底中的改性区域的形状相对应。
在该实现方式中，柔性衬底的材料可以是能够与改性溶液发生反应，反应后其弹性模量能够提高的有机柔性材料，本公开对此不作限制。柔性衬底与改性溶液所发生的反应可以是聚合、固化、交联等能够使柔性衬底改性，提高柔性衬底的弹性模量的反应，本公开对此不作限制。改性膜可以是无尘纸等通过干法造纸得到的、含有纤维的膜，本公开对此不作限制。干法造纸是指用空气作为纤维的载体，在成形网上形成纤维薄层，再用粘合剂粘合成纸的一种特殊的造纸方法。
在该实现方式中，可以根据改性后的衬底中的改性区域形状和尺寸，对改性膜的形状和尺寸进行设置，并根据确定的尺寸和形状制备所需的改性膜，以保证进行改性处理后所获得的改性后的衬底上具备所需的改性区域和未改性区域。
在该实现方式中，可以根据改性溶液的浓度、改性溶液与柔性衬底的反应速度、反应类型等对改性膜的厚度以及改性膜中改性溶液的量进行设置，本公开对此不作限制。
在步骤S112中，对带有改性膜的柔性衬底进行改性处理，获得改性后的衬底。改性处理包括将带有改性膜的柔性衬底放置于密闭环境中，密闭环境的温度为50℃～70℃，在密闭环境中放置的时间为1.5h～2.5h。
在该实现方式中，可以将带有改性膜的柔性衬底放入烘箱等能够为其提供所需的改性处理的条件的装置中。可以根据柔性衬底的材料和厚度、改性膜中改性溶液的浓度、改性溶液向柔性衬底中渗透的速度、柔性衬底与改性溶液反应的速度和反应条件对改性处理的条件进行设置，本公开对此不作限制。
在一种可能的实现方式中，柔性衬底的厚度可为250μm～350μm，柔性衬底可为含有硫化物和/或聚硫化物的有机薄膜，改性溶液可为含有过氧化物的溶液。
在该实现方式中，在柔性衬底为含有硫化物和/或聚硫化物的有机薄膜时，改性溶液可以是过氧化氢溶液。例如，30wt％过氧化氢溶液。柔性衬底的厚度可以根据待安装元件的尺寸、形状、柔性电子器件的柔性需要等进行设置，本公开对此不作限制。
图3示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图。在一种可能的实现方式中，如图3所示，步骤S11还可以包括步骤S113。
在步骤S113中，在柔性衬底的一面贴装改性膜之前，将柔性衬底放置于改性膜标记模板上，柔性衬底的另一面与改性膜标记模板接触。其中，改性膜标记模板用于标记改性膜在柔性衬底上的贴装位置，柔性衬底为透明或半透明的柔性衬底。
在该实现方式中，可以根据改性后衬底中改性区域的尺寸、形状对改性膜标记模板进行设置。改性膜标记模板可以是纸、硬纸板、玻璃板等能够承载柔性衬底的片状物体，本公开对此不作限制。在改性膜标记模板上，可以通过不同于改性膜标记模板本身的颜色的红色、蓝色等颜色的形状、图形、标识等对改性膜的放置位置进行标记，以便于通过透明或半透明的柔性衬底确定改性膜标记模板上的标记，根据标记将改性膜贴装在柔性衬底的一面。本领域技术人员可以根据实际需要对改性膜标记模板的材料、标记方式进行设置，本公开对此不作限制。
图4示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图。在一种可能的实现方式中，如图4所示，步骤S11还可以包括步骤S114。
在步骤S114中，使改性膜吸收改性溶液至预设状态，以使改性膜中含有改性溶液
在该实现方式中，可以将改性膜置于改性溶液中，以使改性膜吸收改性溶液至预设状态。预设状态可以是饱和状态。例如，将改性膜置于30wt％过氧化氢溶液中，使改性膜吸收过氧化氢溶液至饱和状态。
图5示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S11的流程图。在一种可能的实现方式中，如图5所示，步骤S11还可以包括步骤S115。
在步骤S115中，去除改性后的衬底表面的杂质。
在该实现方式中，在对柔性衬底进行改性处理之后，可以将获得的改性后的衬底从密闭环境中取出，对改性后的衬底进行清洗，去除改性后衬底表面的杂质，烘干后获得所需的改性后的衬底。例如，将改性后的衬底放入去离子水中超声清洗5分钟，然后烘干得到改性后的衬底。本领域技术人员可以根据实际需要对去除改性溶液的方式进行设置，本公开对此不作限制。
图6示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法中步骤S12的流程图。在一种可能的实现方式中，如图6所示，步骤S12还可以包括步骤S121至步骤S125。
在步骤S121中，在改性后的衬底上，生成金属层。其中，金属层的厚度为250nm～350nm。
在该实现方式中，金属层的材料可以是铜等金属。可以采用电子束蒸发法等金属薄膜生长方法在改性后的衬底上生成金属层。可以根据导电需求、器件的柔性需求等对金属层的厚度进行设置，本公开对此不作限制。
举例来说，当采用电子束蒸发法生成金属层时，可以将改性后的衬底固定在真空腔室的托盘上，控制托盘以转速为15r/min的速度旋转。当腔室压强低于3×10-6托时，开始蒸镀。并控制铜层的生长速度在同时控制腔室的温度在50℃以下。当金属层生长至300nm厚时，停止生长金属层，待腔室温度下降至30℃～40℃时，取出改性后的衬底。
在步骤S122中，在金属层上旋涂光刻胶。
在该实现方式中，可以利用匀胶机在金属层上旋涂光刻胶，并在在金属层上旋涂光刻胶之后进行烘干。例如，可以控制匀胶机以600r/min的速度旋转6s之后，以3000r/min的速度旋转30s，以在金属层上旋涂光刻胶，之后在将金属层放置110℃的环境下90s，烘干金属层上的光刻胶。
在步骤S123中，以掩膜版为掩膜对光刻胶进行刻蚀处理，获得光刻胶图形。
在该实现方式中，掩膜版的图形可以根据所需的金属导线的形状和尺寸进行设置。以掩膜版为掩膜对光刻胶进行曝光处理，然后，对曝光后的光刻胶进行显影处理，形成光刻胶图形。
在步骤S124中，以光刻胶图形为掩膜对金属层进行刻蚀处理，形成具有预设形状的金属导线。
在该实现方式中，可以以光刻胶图形为掩膜采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺对金属层进行刻蚀处理，形成具有预设形状的金属导线。
在步骤S125中，去除改性后的衬底上剩余的光刻胶，
在该实现方式中，可以使用紫外光再次曝光等方式去除改性后的衬底上剩余的光刻胶，本公开对此不作限制。
需要说明的是，尽管以上述实施例作为示例介绍了可拉伸的柔性电子器件的制造方法如上，但本领域技术人员能够理解，本公开应不限于此。事实上，用户完全可根据个人喜好和/或实际应用场景灵活设定各步骤，只要符合本公开的技术方案即可。
本公开实施例所提供的可拉伸的柔性电子器件的制造方法，制造的柔性电子器件的效率高，所制造的柔性电子器件的改性后的衬底为一体结构，且改性后的衬底的未改性区域的弹性模量小于改性区域的弹性模量，提高柔性电子器件的柔性的同时，为改性区域上的元件隔离了由于器件被拉伸所引入的应变，提高了柔性电子器件的可靠性。
应用示例
以下结合“制造某柔性电子器件”作为一个示例性应用场景，给出根据本公开实施例的应用示例，以便于理解可拉伸的柔性电子器件的制造方法的流程。本领域技术人员应理解，以下应用示例仅仅是出于便于理解本公开实施例的目的，不应视为对本公开实施例的限制。
图7a-图7i示出根据本公开一实施例的可拉伸的柔性电子器件的制造方法的应用场景的示意图。以柔性衬底为包含聚硫化物的材料为例，制造某柔性电子器件的过程包括以下步骤。
第一步，如图7a所示，对获取到的聚硫化物薄膜进行剪裁或切割，获取所需的柔性衬底21。聚硫化物薄膜的厚度可以为300μm，柔性衬底21的尺寸可以为3.5mm×45mm。
第二步，将柔性衬底21放入去离子水中超声清洗5分钟之后，烘干。
第三步，根据所需的改性区域的形状和尺寸获取到所需的改性膜，并使改性膜吸收30wt％过氧化氢溶液至饱和状态。改性膜可以是无尘纸。
第四步，如图7b所示，根据改性区域的形状和尺寸，在白纸上打印出与改性膜的放置位置所对应的标记，获得改性膜标记模板22，并将柔性衬底21放置在改性膜标记模板22上方。
第五步，如图7c所示，根据柔性衬底21下方的改性膜标记模板22，将改性膜23贴装在柔性衬底21的上方。
第六步，如图7d所示，对带有改性膜23的柔性衬底21进行改性处理，获得带有未改性区域211和改性区域212的改性后的衬底21’。可以将带有改性膜的柔性衬底21放置于附有无尘纸的玻璃基板上，而后将其一并放入60℃的密闭烘箱中2小时之后取出。
第七步，将取出的改性后的衬底21’上的改性膜去除，将改性后的衬底21’放入去离子水中超声清洗5分钟去除其表面杂质之后，烘干得到清洁的改性后的衬底21’。
第八步，如图7e所示，使用电子束蒸发法在改性后的衬底21’上生成金属层24，金属层24的材料为铜。生成金属层可以包括以下步骤a)～c)。
a)将改性后的衬底21’固定在真空腔室的托盘上，控制托盘以转速为15r/min的速度旋转。当腔室压强低于3×10-6托时，启动电源，开始金属层蒸镀。
b)调节电源功率，控制金属层的生长速度在同时控制腔室的温度在50℃以下。其中，在生长过程中若腔室的温度大于或等于50℃时，关闭电源，待腔室的温度下降至30℃左右时，打开电源继续金属层的生长。
c)当金属层的厚度生长至300nm厚时，关闭电源，停止生长金属层，待腔室温度下降至30℃～40℃时，取出改性后的衬底。
第九步，如图7f所示，利用匀胶机在金属层24上旋涂光刻胶25。其中，可以控制匀胶机以低速600r/min旋转6s之后，以高速3000r/min旋转30s。而后可以将其在110℃环境下放置90s，烘干生成的光刻胶25。
第十步，以掩膜版为掩膜对光刻胶25进行曝光处理，然后，对曝光后的光刻胶25进行显影处理，形成光刻胶图形。其中，曝光处理的曝光时间可以为9s，使用显影液对曝光后的光刻胶25进行显影处理的时间可以为40s。
第十一步，如图7g所示，以光刻胶图形为掩膜对金属层24进行刻蚀处理，形成具有预设形状的金属导线24’。其中，可以用刻蚀液对金属层进行刻蚀，刻蚀时间为3s。
第十二步，如图7h所示，通过银胶粘结剂将至少一个待安装元件安装在改性区域上、与其相对应的金属导线24’处，引出用于信号传输的引线，形成待封装的柔性电子器件2。
第十三步，如图7i所示，使用柔性封装材料27(如PDMS)对待封装的柔性电子器件2进行封装，得到可拉伸的柔性电子器件2’。
这样，可以简单、高效地制造出所需的可拉伸的柔性电子器件，所制造的柔性电子器件的改性后的衬底为一体结构，且改性后的衬底的未改性区域的弹性模量小于改性区域的弹性模量，提高柔性电子器件的柔性的同时，为改性区域上的元件隔离了由于器件被拉伸所引入的应变，提高了柔性电子器件的可靠性。
以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的技术改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。
Claims (7)
1.一种可拉伸的柔性电子器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，所述改性后的衬底包括未改性区域和改性区域，所述未改性区域的弹性模量小于所述改性区域的弹性模量；
在所述改性后的衬底上，生成具有预设形状的金属导线；
将至少一个待安装元件连接到对应的金属导线上，形成待封装的柔性电子器件；
采用柔性封装材料对所述待封装的柔性电子器件进行封装，形成所述柔性电子器件，
其中，所述至少一个待安装元件处于所述改性后的衬底的改性区域；
其中，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，包括：
在柔性衬底的一面贴装改性膜，所述改性膜中含有能够与所述柔性衬底反应的改性溶液，所述改性膜是通过干法造纸得到的、含有纤维的膜；
对带有所述改性膜的柔性衬底进行改性处理，获得改性后的衬底，
其中，所述改性膜的形状与所述改性后的衬底中的改性区域的形状相对应，所述改性处理包括将带有所述改性膜的柔性衬底放置于密闭环境中，所述密闭环境的温度为50℃～70℃，在所述密闭环境中放置的时间为1.5h～2.5h。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，还包括：
在柔性衬底的一面贴装改性膜之前，将所述柔性衬底放置于改性膜标记模板上，所述柔性衬底的另一面与所述改性膜标记模板接触，
其中，所述改性膜标记模板用于标记所述改性膜在所述柔性衬底上的贴装位置，所述柔性衬底为透明或半透明的柔性衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，还包括：
使改性膜吸收所述改性溶液至预设状态，以使所述改性膜中含有所述改性溶液。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对柔性衬底进行改性处理，获取改性后的衬底，还包括：
去除所述改性后的衬底表面的杂质。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述改性后的衬底上，生成具有预设形状的金属导线，包括：
在所述改性后的衬底上，生成金属层；
在所述金属层上旋涂光刻胶；
以掩膜版为掩膜对所述光刻胶进行刻蚀处理，获得光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩膜对所述金属层进行刻蚀处理，形成具有预设形状的金属导线；
去除所述改性后的衬底上剩余的光刻胶，
其中，所述金属层的厚度为250nm～350nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性衬底的厚度为250μm～350μm，所述柔性衬底为含有硫化物和/或聚硫化物的有机薄膜，所述改性溶液为含有过氧化物的溶液。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性封装材料包括聚二甲基硅氧烷和/或聚酰亚胺。
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