CN108649103A - 一种非晶硅太阳能电池生产工艺 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 116
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 123
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 40
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 26
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 20
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007937 lozenge Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004047 hole gas Substances 0.000 claims 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明属于非晶硅电池生产技术领域，具体的说是一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺包括如下步骤：将经过前工序处理后的玻璃基板，送入清洗机中，清洗该玻璃基板；再将玻璃基板装入夹具中，预热后送入非晶硅沉积炉中沉积PIN型非晶硅薄膜；将玻璃基板送入激光刻膜机中，刻划非晶硅薄膜；印制集成碳膜层背电极，然后印制电池保护漆、字符；印制电池铜可焊电极；将玻璃基板上集成排列的该非晶硅太阳能电池切割为单体非晶硅太阳能电池，并将切割好的非晶硅太阳能电池进行外观质量检查和分类；本发明主要用于对非晶硅太阳能电池生产过程中的玻璃基板进行激光刻膜，实现了提高刻膜工艺的质量和效率。
Description
技术领域
本发明属于非晶硅电池生产技术领域，具体的说是一种非晶硅太阳能电池生产工艺。
背景技术
目前的非晶硅电池生产过程中，通过激光对材料表面薄膜进行刻划使其分离开来，是一个非常重要的工序，它是将激光束经过非常精确的整形和聚焦后，投射到材料薄膜面上进行工作，刻划的线条宽度一般要求在50～60微米之间。要想达到如此精密的线宽，控制好激光的聚焦点就要求非常严格，通常稍微偏离激光的聚焦点，则刻划的线宽就会显著增加，同时激光的能量密度也变低，出现刻划的产品达不到成品的电气性能要求。然而，用于生产非晶硅电池的原材料基板(钢化玻璃)，在进行镀膜过程中会有大幅度温度变化，使材料基板会产生一定程度的变形(严重时不平整度达到3～4mm)，这个变形就会导致激光加工的困难大大增加。同时在激光加工过程中材料镀膜面又不允许被接触，因此通过物理方法来整平材料就非常困难，通常采用增加激光的功率同时加大激光头聚焦的焦距，来减小材料变形对加工线宽的影响，提高加工的成功率，但终究不能得到很好的解决。
现有技术中也出现了一些玻璃基板刻膜的技术方案，如申请号为201120438439.4的一项中国专利公开了一种具有玻璃整平功能的薄膜太阳能电池激光刻膜机，包括，包括机架，机架下部设有基座，基座上设置有激光聚焦头和用于传送玻璃基板的传送装置，还包括设置于机架上的气浮机构，气浮机构产生定向气流，用于整平放置于所述气浮机构中的玻璃基板。
该技术方案的激光刻膜工艺能够将玻璃基板整平后再进行激光刻划，但玻璃基板在刻膜之前没有进行除尘；气浮机构不能调整，影响激光聚焦的效率；激光刻膜所产生的热空气和灰尘没有及时的排除，导致玻璃基板刻膜后受热变形及表面再次污染。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，本发明提出的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺中使用了激光刻膜机，该激光刻膜机通过在二号下气浮板与三号下气浮板中间设有清扫装置，实现对玻璃基板上、下表面的灰尘进行清理；通过在上气浮板上方设有浮板调节装置，实现调节上气浮板的垂直高度，进而实现提高激光聚焦的效率；通过在激光聚焦头上方设有下冷却套，实现了抽除激光聚焦点周围的热空气和灰尘，进而实现保护玻璃基板刻膜后不会受热变形及表面不会再次污染。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺包括如下步骤：
步骤一：将经过前工序处理后的玻璃基板，送入清洗机中，清洗该玻璃基板；
步骤二：将步骤一中清洗好的玻璃基板，装入玻璃基板夹具中，预热后送入非晶硅沉积炉中沉积PIN型非晶硅薄膜；
步骤三：将步骤二中已经沉积非晶硅薄膜的玻璃基板送入激光刻膜机中，在透明电极与背电极连接区内，刻划非晶硅薄膜；
步骤四：在步骤三中已经刻划非晶硅薄膜的玻璃基板上，印制集成碳膜层背电极，然后印制电池保护漆、字符；
步骤五：在经过步骤四制造的玻璃基板上，印制电池铜可焊电极；
步骤六：将经过步骤五制造的玻璃基板，将玻璃基板上集成排列的该非晶硅太阳能电池切割为单体非晶硅太阳能电池，并将已切割好的成品非晶硅太阳能电池进行外观质量检查和分类；
步骤三中的激光刻膜机，包括机架、上气浮板、下气浮板、浮板调节装置、清扫装置、激光聚焦头，所述机架底板上方固定连接下气浮板；所述下气浮板安装在同一水平高度，下气浮板用于向玻璃基板吹向上的定向气流，下气浮板从左往右分别为一号下气浮板、二号下气浮板、三号下气浮板；所述一号下气浮板与二号下气浮板中间设有激光聚焦头；所述二号下气浮板与三号下气浮板中间设有清扫装置；所述清扫装置固定连接在机架的短立柱之间，清扫装置用于对玻璃基板上、下表面的灰尘进行清理；所述一号下气浮板和二号下气浮板上方设有上气浮板；所述上气浮板用于向玻璃基板吹向下的定向气流，上气浮板上方设有浮板调节装置；所述浮板调节装置用于调节上气浮板的垂直高度；所述浮板调节装置上端固定连接在机架顶板下方；玻璃基板从三号下气浮板上方滑过后穿过清扫装置，清扫装置对玻璃基板的上、下表面进行清理，紧接着进入二号下气浮板上方；随着玻璃基板的进入，浮板调节装置带动上气浮板向下移动，上气浮板的向下移动从而夹持着玻璃基板向下移动，当激光聚焦光束的聚焦点落在玻璃基板的下表面上时浮板调节装置停止；激光聚焦头移动刻膜。
其中，所述浮板调节装置包括刹车电机、驱动杆、一号驱动连杆、二号驱动连杆、上连接板、下连接板、剪刀叉式连杆组件、一号滑块、二号滑块，所述上气浮板上方固定连接下连接板；所述下连接板上表面中心位置铰接一号驱动连杆一端；所述一号驱动连杆另一端铰接驱动杆一端；所述驱动杆另一端铰接二号驱动连杆一端，驱动杆中心与刹车电机的转轴端头固定安装；所述刹车电机底座通过直线导轨滑动安装在机架的长立柱上；所述二号驱动连杆的另一端铰接上连接板；所述上连接板固定连接在机架顶板下方；所述下连接板上表面四角设有四组剪刀叉式连杆组件；所述剪刀叉式连杆组件一端的一根连杆与下连接板铰接，剪刀叉式连杆组件一端的另一根连杆与一号滑块铰接；所述一号滑块与下连接板滑动安装；所述剪刀叉式连杆组件另一端的一根连杆与上连接板铰接，剪刀叉式连杆组件另一端的另一根连杆与二号滑块铰接；所述二号滑块与上连接板滑动安装；随着玻璃基板的进入二号下气浮板上方，刹车电机转动；刹车电机带动驱动杆转动，驱动杆推动一号驱动连杆向下移动，一号驱动连杆带动上气浮板向下移动，直至激光聚焦光束的聚焦点落在玻璃基板的下表面上，刹车电机停止转动。
所述上气浮板和下气浮板的出气孔内设有出气套管，所述出气套管与上气浮板或下气浮板通过螺纹连接；所述出气套管上方设有锥形块；所述锥形块在出气孔内滑动安装，锥形块用于自动调整上气浮板或下气浮板的出气量；所述锥形块上方设有弹簧；所述弹簧上方设有堵头；所述堵头与上气浮板或下气浮板通过螺纹连接；玻璃基板进入上气浮板与下气浮板之间，玻璃基板初始状态都有一定程度的变形，玻璃基板凸面对应的出气孔与玻璃基板之间的间隙减小，锥形块的锥形面一侧的压力增大，锥形块的锥形面与出气套管之间的缝隙增大，出气套管的出气量增大，此处的玻璃基板所受的压力变大；凸面的最高处的压力最大，距离最高处越远压力越小；玻璃基板凹面对应的出气孔与玻璃基板之间的间隙增大，锥形块的锥形面一侧的压力减小，锥形块的锥形面与出气套管之间的缝隙减小，出气套管的出气量减小，此处的玻璃基板所受的压力变小；凹面的最高处的压力最小，距离最高处越远压力越大；最高处凸面的压力大于最高处的凹面的压力实现了对整块玻璃基板进行快速地校正。
所述激光聚焦头上方设有下冷却套；所述下冷却套用于抽除激光聚焦点周围的热空气，下冷却套靠近激光聚焦点一端设置抽气孔；所述下冷却套内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板；所述堵气板靠近抽气孔一侧表面设置凸起，堵气板与下冷却套铰接，铰接处设有扭簧；所述下冷却套上方设有上冷却套；所述上冷却套靠近激光聚焦点一端设置抽气孔；所述上冷却套内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板；所述堵气板靠近抽气孔一侧表面设置凸起，堵气板与上冷却套铰接，铰接处设有扭簧；激光聚焦头移动刻膜，带动下冷却套和上冷却套同时移动，刻膜产生的热空气和灰尘被下冷却套和上冷却套抽吸排除，减少了玻璃基板受热导致的变形并保持玻璃基板的洁净；抽气时，堵气板打开，停止抽气时，堵气板在扭簧力的作用下堵住抽气孔，同时，堵气板上的凸起对抽气孔内壁上粘附的灰尘进行摩擦，待下次抽气时摩擦掉的灰尘被排除。
所述清扫装置包括滑板箱、楔形滑块、弹簧、挡板，所述滑板箱内滑动安装两个楔形滑块，两个楔形滑块的楔形面相对设置；所述楔形滑块直角面一侧设有弹簧；所述滑板箱底部的出气口下方挡板；所述挡板一端与滑板箱底部铰接，铰接处设有扭簧；所述挡板开口朝向背离滑板箱中心的方向；玻璃基板从三号下气浮板上方滑过后穿过清扫装置，此时，滑板箱上的进气口通入压缩空气，压缩空气推动楔形滑块移动，依次打开滑过的出气孔，实现了对玻璃基板的表面的灰尘从中间赶到两侧边，随后出气口竖直方向的气流吹向挡板后转变成倾斜的气流再吹向玻璃基板，实现了灰尘沿同一方向依次排除，进而实现了对玻璃基板表面灰尘进行高效地清理。
所述滑板箱底部出气孔靠近滑板箱中心一侧设置导向槽；所述导向槽内滑动安装着滑动板；所述滑动板一端与摆动杆一端的矩形槽滑动安装；所述摆动杆中部铰接一号连接块；所述一号连接块与滑板箱固定连接；所述摆动杆另一端铰接一号连杆一端；所述一号连杆另一端铰接挡板的二号铰接点；所述挡板的一号铰接点铰接二号连接块；所述二号连接块与滑板箱固定连接；出气口竖直方向的气流吹向挡板后转变成倾斜的气流再吹向玻璃基板，出气口的气流量过大时，挡板推动一号连杆，一号连杆推动摆动杆摆动，摆动杆一端推动滑动板移动，滑动板挡住出气口，出气口的气流量减小，挡板的摆动角度减小，以此实现让出气口的气流摆动，提高了清理效率。
本发明的有益效果如下：
1.本发明所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺用到的激光刻膜机通过在二号下气浮板与三号下气浮板中间设有清扫装置，实现对玻璃基板上、下表面的灰尘进行清理；通过在上气浮板上方设有浮板调节装置，实现调节上气浮板的垂直高度，进而实现提高激光聚焦的效率。
2.本发明所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺用到的激光刻膜机通过在气套管上方设有锥形块，实现了自动调整上气浮板或下气浮板的出气量，进而实现玻璃基板不平整的表面很快进行矫正。
3.本发明所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺用到的激光刻膜机通过在激光聚焦头上方设有下冷却套，实现了抽除激光聚焦点周围的热空气和灰尘，进而实现保护玻璃基板刻膜后不会受热变形及表面不会再次污染。
4.本发明所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺用到的激光刻膜机通过在滑板箱底部的出气口下方挡板，出气口竖直方向的气流吹向挡板后转变成倾斜的气流再吹向玻璃基板，实现了灰尘沿同一方向依次排除，进而实现了对玻璃基板表面灰尘进行高效地清理。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的工艺流程图；
图2是本发明的整体结构示意图；
图3是本发明的主视图；
图4是图3中A处的放大视图；
图5是图3中B处的放大视图；
图6是图3中C-C处的剖视图；
图7是图6中D处的放大视图；
图中：机架1、上气浮板2、出气套管21、锥形块22、堵头23、下气浮板3、一号下气浮板31、二号下气浮板32、三号下气浮板33、浮板调节装置4、刹车电机41、驱动杆42、一号驱动连杆43、二号驱动连杆44、上连接板45、下连接板46、剪刀叉式连杆组件47、一号滑块48、二号滑块49、清扫装置5、滑板箱51、滑动板511、摆动杆512、一号连接块513、一号连杆514、二号连接块515、楔形滑块52、挡板53、激光聚焦头6、下冷却套61、堵气板611、上冷却套62。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1至图7所示，本发明所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，该工艺包括如下步骤：
步骤一：将经过前工序处理后的玻璃基板，送入清洗机中，清洗该玻璃基板；
步骤二：将步骤一中清洗好的玻璃基板，装入玻璃基板夹具中，预热后送入非晶硅沉积炉中沉积PIN型非晶硅薄膜；
步骤三：将步骤二中已经沉积非晶硅薄膜的玻璃基板送入激光刻膜机中，在透明电极与背电极连接区内，刻划非晶硅薄膜；
步骤四：在步骤三中已经刻划非晶硅薄膜的玻璃基板上，印制集成碳膜层背电极，然后印制电池保护漆、字符；
步骤五：在经过步骤四制造的玻璃基板上，印制电池铜可焊电极；
步骤六：将经过步骤五制造的玻璃基板，将玻璃基板上集成排列的该非晶硅太阳能电池切割为单体非晶硅太阳能电池，并将已切割好的成品非晶硅太阳能电池进行外观质量检查和分类；
步骤三中的激光刻膜机，包括机架1、上气浮板2、下气浮板3、浮板调节装置4、清扫装置5、激光聚焦头6，所述机架1底板上方固定连接下气浮板3；所述下气浮板3安装在同一水平高度，下气浮板3用于向玻璃基板吹向上的定向气流，下气浮板3从左往右分别为一号下气浮板31、二号下气浮板32、三号下气浮板33；所述一号下气浮板31与二号下气浮板32中间设有激光聚焦头6；所述二号下气浮板32与三号下气浮板33中间设有清扫装置5；所述清扫装置5固定连接在机架1的短立柱之间，清扫装置5用于对玻璃基板上、下表面的灰尘进行清理；所述一号下气浮板31和二号下气浮板32上方设有上气浮板2；所述上气浮板2用于向玻璃基板吹向下的定向气流，上气浮板2上方设有浮板调节装置4；所述浮板调节装置4用于调节上气浮板2的垂直高度；所述浮板调节装置4上端固定连接在机架1顶板下方；玻璃基板从三号下气浮板33上方滑过后穿过清扫装置5，清扫装置5对玻璃基板的上、下表面进行清理，紧接着进入二号下气浮板32上方；随着玻璃基板的进入，浮板调节装置4带动上气浮板2向下移动，上气浮板2的向下移动从而夹持着玻璃基板向下移动，当激光聚焦光束的聚焦点落在玻璃基板的下表面上时浮板调节装置4停止；激光聚焦头6移动刻膜。
其中，所述浮板调节装置4包括刹车电机41、驱动杆42、一号驱动连杆43、二号驱动连杆44、上连接板45、下连接板46、剪刀叉式连杆组件47、一号滑块48、二号滑块49，所述上气浮板2上方固定连接下连接板46；所述下连接板46上表面中心位置铰接一号驱动连杆43一端；所述一号驱动连杆43另一端铰接驱动杆42一端；所述驱动杆42另一端铰接二号驱动连杆44一端，驱动杆42中心与刹车电机41的转轴端头固定安装；所述刹车电机41底座通过直线导轨滑动安装在机架1的长立柱上；所述二号驱动连杆44的另一端铰接上连接板45；所述上连接板45固定连接在机架1顶板下方；所述下连接板46上表面四角设有四组剪刀叉式连杆组件47；所述剪刀叉式连杆组件47一端的一根连杆与下连接板46铰接，剪刀叉式连杆组件47一端的另一根连杆与一号滑块48铰接；所述一号滑块48与下连接板46滑动安装；所述剪刀叉式连杆组件47另一端的一根连杆与上连接板45铰接，剪刀叉式连杆组件47另一端的另一根连杆与二号滑块49铰接；所述二号滑块49与上连接板45滑动安装；随着玻璃基板的进入二号下气浮板32上方，刹车电机41转动；刹车电机41带动驱动杆42转动，驱动杆42推动一号驱动连杆43向下移动，一号驱动连杆43带动上气浮板2向下移动，直至激光聚焦光束的聚焦点落在玻璃基板的下表面上，刹车电机41停止转动。
作为本发明的一种实施方案，所述上气浮板2和下气浮板3的出气孔内设有出气套管21，所述出气套管21与上气浮板2或下气浮板3通过螺纹连接；所述出气套管21上方设有锥形块22；所述锥形块22在出气孔内滑动安装，锥形块22用于自动调整上气浮板2或下气浮板3的出气量；所述锥形块22上方设有弹簧；所述弹簧上方设有堵头23；所述堵头23与上气浮板2或下气浮板3通过螺纹连接；玻璃基板进入上气浮板2与下气浮板3之间，玻璃基板初始状态都有一定程度的变形，玻璃基板凸面对应的出气孔与玻璃基板之间的间隙减小，锥形块22的锥形面一侧的压力增大，锥形块22的锥形面与出气套管21之间的缝隙增大，出气套管21的出气量增大，此处的玻璃基板所受的压力变大；凸面的最高处的压力最大，距离最高处越远压力越小；玻璃基板凹面对应的出气孔与玻璃基板之间的间隙增大，锥形块22的锥形面一侧的压力减小，锥形块22的锥形面与出气套管21之间的缝隙减小，出气套管21的出气量减小，此处的玻璃基板所受的压力变小；凹面的最高处的压力最小，距离最高处越远压力越大；最高处凸面的压力大于最高处的凹面的压力实现了对整块玻璃基板进行快速地校正。
作为本发明的一种实施方案，所述激光聚焦头6上方设有下冷却套61；所述下冷却套61用于抽除激光聚焦点周围的热空气，下冷却套61靠近激光聚焦点一端设置抽气孔；所述下冷却套61内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板611；所述堵气板611靠近抽气孔一侧表面设置凸起，堵气板611与下冷却套61铰接，铰接处设有扭簧；所述下冷却套61上方设有上冷却套62；所述上冷却套62靠近激光聚焦点一端设置抽气孔；所述上冷却套62内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板611；所述堵气板611靠近抽气孔一侧表面设置凸起，堵气板611与上冷却套62铰接，铰接处设有扭簧；激光聚焦头6移动刻膜，带动下冷却套61和上冷却套62同时移动，刻膜产生的热空气和灰尘被下冷却套61和上冷却套62抽吸排除，减少了玻璃基板受热导致的变形并保持玻璃基板的洁净；抽气时，堵气板611打开，停止抽气时，堵气板611在扭簧力的作用下堵住抽气孔，同时，堵气板611上的凸起对抽气孔内壁上粘附的灰尘进行摩擦，待下次抽气时摩擦掉的灰尘被排除。
作为本发明的一种实施方案，所述清扫装置5包括滑板箱51、楔形滑块52、弹簧、挡板53，所述滑板箱51内滑动安装两个楔形滑块52，两个楔形滑块52的楔形面相对设置；所述楔形滑块52直角面一侧设有弹簧；所述滑板箱51底部的出气口下方挡板53；所述挡板53一端与滑板箱51底部铰接，铰接处设有扭簧；所述挡板53开口朝向背离滑板箱51中心的方向；玻璃基板从三号下气浮板33上方滑过后穿过清扫装置5，此时，滑板箱51上的进气口通入压缩空气，压缩空气推动楔形滑块52移动，依次打开滑过的出气孔，实现了对玻璃基板的表面的灰尘从中间赶到两侧边，随后出气口竖直方向的气流吹向挡板53后转变成倾斜的气流再吹向玻璃基板，实现了灰尘沿同一方向依次排除，进而实现了对玻璃基板表面灰尘进行高效地清理。
作为本发明的一种实施方案，所述滑板箱51底部出气孔靠近滑板箱51中心一侧设置导向槽；所述导向槽内滑动安装着滑动板511；所述滑动板511一端与摆动杆512一端的矩形槽滑动安装；所述摆动杆512中部铰接一号连接块513；所述一号连接块513与滑板箱51固定连接；所述摆动杆512另一端铰接一号连杆514一端；所述一号连杆514另一端铰接挡板53的二号铰接点；所述挡板53的一号铰接点铰接二号连接块515；所述二号连接块515与滑板箱51固定连接；出气口竖直方向的气流吹向挡板53后转变成倾斜的气流再吹向玻璃基板，出气口的气流量过大时，挡板53推动一号连杆514，一号连杆514推动摆动杆512摆动，摆动杆512一端推动滑动板511移动，滑动板511挡住出气口，出气口的气流量减小，挡板53的摆动角度减小，以此实现让出气口的气流摆动，提高了清理效率。
工作时，玻璃基板从三号下气浮板33上方滑过后穿过清扫装置5，此时，滑板箱51上的进气口通入压缩空气，压缩空气推动楔形滑块52移动，依次打开滑过的出气孔，实现了对玻璃基板的表面的灰尘从中间赶到两侧边，随后出气口竖直方向的气流吹向挡板53后转变成倾斜的气流再吹向玻璃基板，实现了灰尘沿同一方向依次排除，进而实现了对玻璃基板表面灰尘进行高效地清理；出气口竖直方向的气流吹向挡板53后转变成倾斜的气流再吹向玻璃基板，出气口的气流量过大时，挡板53推动一号连杆514，一号连杆514推动摆动杆512摆动，摆动杆512一端推动滑动板511移动，滑动板511挡住出气口，出气口的气流量减小，挡板53的摆动角度减小，以此实现让出气口的气流摆动，提高了清理效率；随着玻璃基板的进入二号下气浮板32上方，刹车电机41转动，刹车电机41带动驱动杆42转动，驱动杆42推动一号驱动连杆43向下移动，一号驱动连杆43带动上气浮板2向下移动，上浮板的向下移动从而夹持着玻璃基板向下移动，当激光聚焦光束的聚焦点落在玻璃基板的下表面上时，刹车电机41停止转动；玻璃基板进入上气浮板2与下气浮板3之间，玻璃基板初始状态都有一定程度的变形，玻璃基板凸面对应的出气孔与玻璃基板之间的间隙减小，锥形块22的锥形面一侧的压力增大，锥形块22的锥形面与出气套管21之间的缝隙增大，出气套管21的出气量增大，此处的玻璃基板所受的压力变大；凸面的最高处的压力最大，距离最高处越远压力越小；玻璃基板凹面对应的出气孔与玻璃基板之间的间隙增大，锥形块22的锥形面一侧的压力减小，锥形块22的锥形面与出气套管21之间的缝隙减小，出气套管21的出气量减小，此处的玻璃基板所受的压力变小；凹面的最高处的压力最小，距离最高处越远压力越大；最高处凸面的压力大于最高处的凹面的压力实现了对整块玻璃基板进行快速地校正；激光聚焦头6移动刻膜，带动下冷却套61和上冷却套62同时移动，刻膜产生的热空气和灰尘被下冷却套61和上冷却套62抽吸排除，减少了玻璃基板受热导致的变形并保持玻璃基板的洁净。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种非晶硅太阳能电池生产工艺，其特征在于：该工艺包括如下步骤：
步骤一：将经过前工序处理后的玻璃基板，送入清洗机中，清洗该玻璃基板；
步骤二：将步骤一中清洗好的玻璃基板，装入玻璃基板夹具中，预热后送入非晶硅沉积炉中沉积PIN型非晶硅薄膜；
步骤三：将步骤二中已经沉积非晶硅薄膜的玻璃基板送入激光刻膜机中，在透明电极与背电极连接区内，刻划非晶硅薄膜；
步骤四：在步骤三中已经刻划非晶硅薄膜的玻璃基板上，印制集成碳膜层背电极，然后印制电池保护漆、字符；
步骤五：在经过步骤四制造的玻璃基板上，印制电池铜可焊电极；
步骤六：将经过步骤五制造的玻璃基板，将玻璃基板上集成排列的该非晶硅太阳能电池切割为单体非晶硅太阳能电池，并将已切割好的成品非晶硅太阳能电池进行外观质量检查和分类；
步骤三中的激光刻膜机，包括机架(1)、上气浮板(2)、下气浮板(3)、浮板调节装置(4)、清扫装置(5)、激光聚焦头(6)，所述机架(1)底板上方固定连接下气浮板(3)；所述下气浮板(3)安装在同一水平高度，下气浮板(3)用于向玻璃基板吹向上的定向气流，下气浮板(3)从左往右分别为一号下气浮板(31)、二号下气浮板(32)、三号下气浮板(33)；所述一号下气浮板(31)与二号下气浮板(32)中间设有激光聚焦头(6)；所述二号下气浮板(32)与三号下气浮板(33)中间设有清扫装置(5)；所述清扫装置(5)固定连接在机架(1)的短立柱之间，清扫装置(5)用于对玻璃基板上、下表面的灰尘进行清理；所述一号下气浮板(31)和二号下气浮板(32)上方设有上气浮板(2)；所述上气浮板(2)用于向玻璃基板吹向下的定向气流，上气浮板(2)上方设有浮板调节装置(4)；所述浮板调节装置(4)用于调节上气浮板(2)的垂直高度；所述浮板调节装置(4)上端固定连接在机架(1)顶板下方；其中，所述浮板调节装置(4)包括刹车电机(41)、驱动杆(42)、一号驱动连杆(43)、二号驱动连杆(44)、上连接板(45)、下连接板(46)、剪刀叉式连杆组件(47)、一号滑块(48)、二号滑块(49)，所述上气浮板(2)上方固定连接下连接板(46)；所述下连接板(46)上表面中心位置铰接一号驱动连杆(43)一端；所述一号驱动连杆(43)另一端铰接驱动杆(42)一端；所述驱动杆(42)另一端铰接二号驱动连杆(44)一端，驱动杆(42)中心与刹车电机(41)的转轴端头固定安装；所述刹车电机(41)底座通过直线导轨滑动安装在机架(1)的长立柱上；所述二号驱动连杆(44)的另一端铰接上连接板(45)；所述上连接板(45)固定连接在机架(1)顶板下方；所述下连接板(46)上表面四角设有四组剪刀叉式连杆组件(47)；所述剪刀叉式连杆组件(47)一端的一根连杆与下连接板(46)铰接，剪刀叉式连杆组件(47)一端的另一根连杆与一号滑块(48)铰接；所述一号滑块(48)与下连接板(46)滑动安装；所述剪刀叉式连杆组件(47)另一端的一根连杆与上连接板(45)铰接，剪刀叉式连杆组件(47)另一端的另一根连杆与二号滑块(49)铰接；所述二号滑块(49)与上连接板(45)滑动安装。
2.根据权利要求1所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，其特征在于：所述上气浮板(2)和下气浮板(3)的出气孔内设有出气套管(21)，所述出气套管(21)与上气浮板(2)或下气浮板(3)通过螺纹连接；所述出气套管(21)上方设有锥形块(22)；所述锥形块(22)在出气孔内滑动安装，锥形块(22)用于自动调整上气浮板(2)或下气浮板(3)的出气量；所述锥形块(22)上方设有弹簧；所述弹簧上方设有堵头(23)；所述堵头(23)与上气浮板(2)或下气浮板(3)通过螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，其特征在于：所述激光聚焦头(6)上方设有下冷却套(61)；所述下冷却套(61)用于抽除激光聚焦点周围的热空气，下冷却套(61)靠近激光聚焦点一端设置抽气孔；所述下冷却套(61)内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板(611)；所述堵气板(611)与下冷却套(61)铰接，堵气板(611)靠近抽气孔一侧表面设置凸起；所述下冷却套(61)上方设有上冷却套(62)；所述上冷却套(62)靠近激光聚焦点一端设置抽气孔；所述上冷却套(62)内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板(611)；所述堵气板(611)与上冷却套(62)铰接，堵气板(611)靠近抽气孔一侧表面设置凸起。
4.根据权利要求1所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，其特征在于：所述清扫装置(5)包括滑板箱(51)、楔形滑块(52)、弹簧、挡板(53)，所述滑板箱(51)内滑动安装两个楔形滑块(52)，两个楔形滑块(52)的楔形面相对设置；所述楔形滑块(52)直角面一侧设有弹簧；所述滑板箱(51)底部的出气口下方挡板(53)；所述挡板(53)一端与滑板箱(51)底部铰接，铰接处设有扭簧；所述挡板(53)开口朝向背离滑板箱(51)中心的方向。
5.根据权利要求4所述的一种非晶硅太阳能电池生产工艺，其特征在于：所述滑板箱(51)底部出气孔靠近滑板箱(51)中心一侧设置导向槽；所述导向槽内滑动安装着滑动板(511)；所述滑动板(511)一端与摆动杆(512)一端的矩形槽滑动安装；所述摆动杆(512)中部铰接一号连接块(513)；所述一号连接块(513)与滑板箱(51)固定连接；所述摆动杆(512)另一端铰接一号连杆(514)一端；所述一号连杆(514)另一端铰接挡板(53)的二号铰接点；所述挡板(53)的一号铰接点铰接二号连接块(515)；所述二号连接块(515)与滑板箱(51)固定连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810468744.4A CN108649103B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种非晶硅太阳能电池生产工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201810468744.4A CN108649103B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种非晶硅太阳能电池生产工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108649103A true CN108649103A (zh) | 2018-10-12 |
| CN108649103B CN108649103B (zh) | 2019-11-01 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810468744.4A Active CN108649103B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种非晶硅太阳能电池生产工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108649103B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108649103B (zh) | 2019-11-01 |
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