CN108588831A - 一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置 - Google Patents
一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108588831A CN108588831A CN201810017489.1A CN201810017489A CN108588831A CN 108588831 A CN108588831 A CN 108588831A CN 201810017489 A CN201810017489 A CN 201810017489A CN 108588831 A CN108588831 A CN 108588831A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- target substrate
- perovskite
- nano material
- perovskite nano
- objective table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置。本发明采用在柔性生长衬底上生长钙钛矿纳米材料,并将柔性生长衬底粘贴在载玻片上,将载玻片固定在三维移动台上,将目标衬底放置在显微镜的载物台上,通过分别调节三维移动平台和载物台,使得目标衬底接触钙钛矿纳米材料,从而钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置上;本发明采用PDMS作为CVD钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底,使得钙钛矿纳米材料的定向转移成为可能;解决了之后采用钙钛矿纳米材料制备激光器、太阳能电池、柔性器件等相关器件中关键的技术难点。
Description
技术领域
本发明涉及光电器件制备领域,具体涉及一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置。
背景技术
钙钛矿广义上是指具有钙钛矿晶型(ABX3)(X=Cl,Br,I)的晶态材料。因为钙钛矿纳米材料,如CH3NH3PbI3,具有较低的载流子复合几率和较高的载流子迁移率,因此,其载流子寿命和扩散长度较长。在制备太阳能电池方面,钙钛矿已经崭露头角。除了可以制备太阳能电池外,由于其具有很高的内量子效率,所以钙钛矿也是制备低阈值激光器的良好材料。利用钙钛矿纳米材料天然的光学共振腔结构可以很容易获得光泵浦激光器;并且,调节钙钛矿纳米材料尺寸可以获得不同波长的发光。
目前合成钙钛矿纳米材料主要有CVD和常温液相合成等方法。通过液相方法合成的纳米材料结晶质量较差、容易形成团簇等;高温CVD法制备的钙钛矿具有更好的晶体质量。通常器件制备需要将生长的钙钛矿纳米材料转移到目标衬底上的指定位置,但是由于CVD法制备钙钛矿纳米材料通常使用云母,蓝宝石等作为衬底进行外延生长,所制备出的钙钛矿纳米材料不易被转移到其他衬底上。
发明内容
针对以上现有技术中存在的问题,本发明提出了一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置,不仅实现了一种在柔性基底上制备高质量钙钛矿纳米单晶的方法,而且实现了对钙钛矿纳米单晶无损的定向转移方法。
本发明的一个目的在于提出一种钙钛矿纳米单晶的定向转移装置。
本发明的钙钛矿纳米单晶的定向转移装置包括:柔性生长衬底、载玻片、三维移动台和显微镜;其中,在柔性生长衬底的正面成核生长钙钛矿纳米材料,在显微镜下记录满足要求的钙钛矿纳米材料的位置;生长了钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底的背面粘贴在透明的载玻片上;载玻片固定在三维移动台上,生长了钙钛矿纳米材料的一面朝下;目标衬底放置在显微镜的载物台上,载物台能够三维移动,通过载物台垂直移动,使得目标衬底位于显微镜的物镜的焦平面上,并通过载物台的水平移动,找到目标衬底上的指定位置;通过载物台下移,使得目标衬底偏离焦平面;通过调节三维移动台,使得满足要求的钙钛矿纳米材料在垂直方向上位于物镜的焦平面并且水平位置正对目标衬底的指定位置;通过载物台上移或者三维移动台下移,使得目标衬底接触钙钛矿纳米材料,之后目标衬底与柔性生长衬底分开,钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上成核生长,二者之间没有成键,从而钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置。
本发明的另一个目的在于提供一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法。
本发明的钙钛矿纳米单晶的定向转移方法,包括以下步骤:
1)提供柔性生长衬底;
2)控制压力、温度和时间,利用化学气相淀积CVD法在柔性生长衬底的正面生长钙钛矿纳米材料;
3)在显微镜下,按照实际需要挑选出满足要求的钙钛矿纳米材料,并记录其在柔性生长衬底上的位置;
4)将生长了钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底的背面粘贴在透明的载玻片上,并将载玻片固定在三维移动台上,生长了钙钛矿纳米材料的一面朝下;
5)将目标衬底放置在显微镜的能够三维移动的载物台上,通过调节载物台垂直移动,使目标衬底位于显微镜的物镜的焦平面上,并通过调节载物台的水平移动,找到目标衬底上的指定位置;
6)下移载物台,将目标衬底偏离焦平面,此时能看到目标衬底的指定位置模糊的图像;
7)调节三维移动台,将满足要求的钙钛矿纳米材料在垂直方向上位于物镜的焦平面并且水平位置正对目标衬底的指定位置;
8)上移载物台或者下移三维移动台,使得目标衬底的指定位置与满足要求的钙钛矿纳米材料接触;
9)平稳上移三维移动台或者下移载物台,将柔性生长衬底与目标衬底分离,钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上成核生长,二者之间没有成键,从而将满足要求的钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置。
其中,在步骤1)中,柔性生长衬底采用聚二甲基硅氧烷PDMS、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、氧化铟锡ITO和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的一种。
制备聚二甲基硅氧烷的柔性生长衬底包括以下步骤:
a)将PDMS的基本组分与固化剂按照1:1~20:1的比例配比,充分混合;
b)加热固化形成PDMS;
c)将固化的PDMS裁剪成需要的尺寸。
在步骤2)中,利用化学气相淀积CVD法在柔性生长衬底的正面生长钙钛矿纳米材料的条件为:在常压或者低压1pa~100kpa条件下;生长温度为200~700℃;生长时间为1~60分钟,生长时间的长短影响生长得到的钙钛矿纳米材料的大小和多少。
在步骤3)中,采用显微镜拍照的方式记录满足要求的钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上的位置。
在步骤4)中,载玻片采用玻璃、石英和云母中的一种。
在步骤5)中,目标衬底采用二氧化硅SiO2或硅Si。
本发明的优点:
本发明采用在柔性生长衬底上生长钙钛矿纳米材料,并将柔性生长衬底粘贴在载玻片上,将载玻片固定在三维移动台上,将目标衬底放置在显微镜的载物台上,通过分别调节三维移动平台和载物台,使得目标衬底接触钙钛矿纳米材料,从而钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置上;本发明采用PDMS作为CVD钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底,使得钙钛矿纳米材料的定向转移成为可能;解决了之后采用钙钛矿纳米材料制备激光器、太阳能电池、柔性器件等相关器件中关键的技术难点。
附图说明
图1为本发明的钙钛矿纳米单晶的定向转移装置的一个实施例的示意图;
图2为本发明的钙钛矿纳米单晶的定向转移方法在柔性生长衬底上生长的钙钛矿纳米材料的光学显微镜图;
图3为本发明的钙钛矿纳米单晶的定向转移方法得到的转以后的钙钛矿纳米材料的光学显微镜图;
图4为本发明的钙钛矿纳米单晶的定向转移方法得到的钙钛矿纳米材料的光泵激射光谱图。
具体实施方式
下面结合附图,通过具体实施例,进一步阐述本发明。
如图1所示,本实施例的钙钛矿纳米单晶的定向转移装置包括:柔性生长衬底1、载玻片2、三维移动台3和显微镜4;显微镜4的载物台41上放置目标衬底5,通过显微镜4的物镜42观察。
本实施例的钙钛矿纳米单晶的定向转移方法,包括以下步骤:
1)提供柔性生长衬底:
a)将PDMS的基本组分与固化剂按照10:1的比例配比,充分混合;
b)加热固化形成PDMS;
c)将固化的PDMS裁剪成5cm×1cm的长方形,或者1cm×1cm的正方形。
2)在常压条件下,利用化学气相淀积CVD法,生长温度520℃,生长时间15分钟,在柔性生长衬底的正面生长钙钛矿纳米材料,如图2所示;
3)按照脉冲激光泵浦的需要,挑选出激光阈值较低的钙钛矿纳米材料,并用显微镜记录其在柔性生长衬底上的位置;
4)将生长了钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底的背面粘贴在透明的载玻片上,并将载玻片固定在三维移动台上,生长了钙钛矿纳米材料的一面朝下;
5)将目标衬底放置在显微镜的载物台上,通过调节载物台垂直移动,使目标衬底位于显微镜的物镜的焦平面上,并通过调节载物台水平移动,找到目标衬底上指定位置;
6)下移载物台,将目标衬底偏离焦平面,此时在物镜下能看到目标衬底的指定位置模糊的图像;
7)调节三维移动台,将满足要求的钙钛矿纳米材料在垂直方向上位于物镜的焦平面并且水平位置正对目标衬底的指定位置;
8)上移载物台,使得目标衬底的指定位置与满足要求的钙钛矿纳米材料接触;
9)平稳上移三维移动台,将柔性生长衬底抬离目标衬底,从而将满足要求的钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置,如图3所示。
本实施例中,将定向转移后的钙钛矿纳米材料用于纳秒激光泵浦,钙钛矿纳米材料的激光谱如图4所示,实线为转移前的激光谱,虚线为转以后的激光谱,PDMS上生长和转移后的钙钛矿,均具有较好的光学性质。
最后需要注意的是,公布实施例的目的在于帮助进一步理解本发明,但是本领域的技术人员可以理解:在不脱离本发明及所附的权利要求的精神和范围内,各种替换和修改都是可能的。因此,本发明不应局限于实施例所公开的内容,本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法,其特征在于,所述定向转移方法包括以下步骤:
1)提供柔性生长衬底;
2)控制压力、温度和时间,利用化学气相淀积CVD法在柔性生长衬底的正面生长钙钛矿纳米材料;
3)在显微镜下,按照实际需要挑选出满足要求的钙钛矿纳米材料,并记录其在柔性生长衬底上的位置;
4)将生长了钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底的背面粘贴在透明的载玻片上,并将载玻片固定在三维移动台上,生长了钙钛矿纳米材料的一面朝下;
5)将目标衬底放置在显微镜的能够三维移动的载物台上,通过调节载物台垂直移动,使目标衬底位于显微镜的物镜的焦平面上,并通过调节载物台的水平移动,找到目标衬底上的指定位置;
6)下移载物台,将目标衬底偏离焦平面,此时能看到目标衬底的指定位置模糊的图像;
7)调节三维移动台,将满足要求的钙钛矿纳米材料在垂直方向上位于物镜的焦平面并且水平位置正对目标衬底的指定位置;
8)上移载物台或者下移三维移动台,使得目标衬底的指定位置与满足要求的钙钛矿纳米材料接触;
9)平稳上移三维移动台或者下移载物台,将柔性生长衬底与目标衬底分离,钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上成核生长,二者之间没有成键,从而将满足要求的钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置。
2.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤1)中,柔性生长衬底采用聚二甲基硅氧烷PDMS、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、氧化铟锡ITO和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的一种。
3.如权利要求2所述的定向转移方法,其特征在于,制备聚二甲基硅氧烷的柔性生长衬底包括以下步骤:
a)将PDMS的基本组分与固化剂按照1:1~20:1的比例配比,充分混合;
b)加热固化形成PDMS;
c)将固化的PDMS裁剪成需要的尺寸。
4.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤2)中,利用化学气相淀积CVD法在柔性生长衬底的正面生长钙钛矿纳米材料的条件为:在常压或者低压1pa~100kpa条件下;生长温度为200~700℃;生长时间为1~60分钟。
5.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤3)中,采用显微镜拍照的方式记录满足要求的钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上的位置。
6.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤4)中,载玻片采用玻璃、石英和云母中的一种。
7.如权利要求1所述的定向转移方法,其特征在于,在步骤5)中,目标衬底采用二氧化硅SiO2或硅Si。
8.一种钙钛矿纳米单晶的定向转移装置,其特征在于,所述定向转移装置包括:柔性生长衬底、载玻片、三维移动台和显微镜;其中,在柔性生长衬底的正面成核生长钙钛矿纳米材料,在显微镜下记录满足要求的钙钛矿纳米材料的位置;生长了钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底的背面粘贴在透明的载玻片上;所述载玻片固定在三维移动台上,生长了钙钛矿纳米材料的一面朝下;目标衬底放置在显微镜的载物台上,所述载物台能够三维移动,通过载物台垂直移动,使得目标衬底位于显微镜的物镜的焦平面上,并通过载物台的水平移动,找到目标衬底上的指定位置;通过载物台下移,使得目标衬底偏离焦平面;通过调节三维移动台,使得满足要求的钙钛矿纳米材料在垂直方向上位于物镜的焦平面并且水平位置正对目标衬底的指定位置;通过载物台上移或者三维移动台下移,使得目标衬底接触钙钛矿纳米材料,之后目标衬底与柔性生长衬底分开,钙钛矿纳米材料在柔性生长衬底上成核生长,二者之间没有成键,从而钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置。
9.如权利要求8所述的向转移装置,其特征在于,所述柔性生长衬底采用聚二甲基硅氧烷PDMS、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、氧化铟锡ITO和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的一种。
10.如权利要求8所述的向转移装置,其特征在于,所述载玻片采用玻璃、石英和云母中的一种;所述目标衬底采用二氧化硅SiO2或硅Si。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810017489.1A CN108588831A (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810017489.1A CN108588831A (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108588831A true CN108588831A (zh) | 2018-09-28 |
Family
ID=63599884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810017489.1A Pending CN108588831A (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108588831A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109541790A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-29 | 湖南大学 | 转移钙钛矿纳米线和黑磷薄膜复合材料的显微镜及方法 |
CN109682985A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-26 | 南京迈塔光电科技有限公司 | 一种微纳米材料转移装置及方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105929527A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-09-07 | 南京安京太赫光电技术有限公司 | 一种用于显微镜下精确定位的平移台 |
-
2018
- 2018-01-09 CN CN201810017489.1A patent/CN108588831A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105929527A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-09-07 | 南京安京太赫光电技术有限公司 | 一种用于显微镜下精确定位的平移台 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
MOHAMMAD MAHDI TAVAKOLI ET AL.: "Fabrication of efficient planar perovskite solar cells using a one-step chemical vapor deposition method", 《SCIENTIFIC REPORTS》 * |
YUAN LIU ET AL.: "Van der Waals heterostructures and devices", 《 NATURE REVIEWS MATERIALS》 * |
房子敬等: "高分子基柔性光电器件的研究进展", 《科技与创新》 * |
赵小力等: "PDMS表面形貌调控Au/PDMS褶皱图案的实验", 《华中科技大学学报(自然科学版)》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109541790A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-29 | 湖南大学 | 转移钙钛矿纳米线和黑磷薄膜复合材料的显微镜及方法 |
CN109682985A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-26 | 南京迈塔光电科技有限公司 | 一种微纳米材料转移装置及方法 |
CN109682985B (zh) * | 2019-01-30 | 2024-05-10 | 南京迈塔光电科技有限公司 | 一种微纳米材料转移装置及方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Liu et al. | 20‐mm‐Large single‐crystalline formamidinium‐perovskite wafer for mass production of integrated photodetectors | |
CN107068875B (zh) | 一种优化钙钛矿晶体薄膜形貌的方法 | |
CN105914139B (zh) | 一种石墨烯上自组织成核外延GaN材料的方法 | |
CN102618930B (zh) | 一种AlN晶体的制备方法 | |
CN109355708A (zh) | 一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法 | |
CN101861661B (zh) | Soi上的氮化镓半导体器件及其制造工艺 | |
CN108023017B (zh) | 一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用 | |
Zhang et al. | A Two‐Stage Annealing Strategy for Crystallization Control of CH3NH3PbI3 Films toward Highly Reproducible Perovskite Solar Cells | |
Richardson et al. | Thermally induced pore formation in epitaxial ZnO films grown from low temperature aqueous solution | |
CN108588831A (zh) | 一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置 | |
CN100505166C (zh) | 在异质基底上制备高质量GaN单晶厚膜的方法 | |
CN102828251B (zh) | 氮化铝单晶材料制备方法 | |
CN110484963B (zh) | 一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法 | |
CN111599890A (zh) | 一种基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器 | |
CN111455462B (zh) | 一种CsPbCl3单晶的制备方法 | |
CN113451515A (zh) | 一种GaN半导体材料作为双功能层的钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
CN102312293B (zh) | 浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法 | |
CN112750919B (zh) | 一种钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法 | |
CN101546799A (zh) | 一种垂直结构氮化物led的制备方法 | |
CN101624725A (zh) | 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 | |
CN108520918B (zh) | 一种有机-无机钙钛矿半导体材料的制备方法 | |
CN109371462A (zh) | 外延生长有机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法 | |
TWI451474B (zh) | 一種製作可轉移性晶體薄膜的方法 | |
CN1219334C (zh) | γ-LiAlO2/α-Al2O3柔性衬底材料及其制备方法 | |
CN106012001A (zh) | 带隙改性Ge材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180928 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |