CN108573886B - 晶边偏移检测方法及系统、机台 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种晶边偏移检测方法及系统、机台，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，包括：沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

Description

晶边偏移检测方法及系统、机台

技术领域

本发明涉及半导体制程的检测技术领域，特别是涉及一种晶边偏移检测方法及系统、机台。

背景技术

半导体行业制造日新月异，产品的线宽在不断的减小。伴随着线宽的变小缺陷对产品的良率会产生更大的杀伤，而改善所以造成缺陷的各种因素也越来越成为可以提升半导体良率的重要手段。生产中发现很多缺陷和晶圆的晶边的质量有相关性，好的晶边质量可以有效减少缺陷的源头，从而为提高芯片质量提高好的保证。

例如，在电化学镀膜(ECP)工艺后，新镀的膜层会将晶边覆盖，因此需要对晶圆的边缘进行清洗以去除晶上的膜层，一般会在晶边上喷洒清洗液。如果清洗液喷洒偏移，就会造成晶边偏移，在后续的制程中造成缺陷。然而，现有技术中并不能够有效地检测出晶边偏移的状况。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶边偏移检测方法及系统、机台，能够及时、有效地检测出晶边偏移的状况。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶边偏移检测方法，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，所述晶圆包括图形区以及位于所述图形区外侧的晶边，包括：

沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；

对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；

判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，所述直线跨过所述晶圆的圆心。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，分别沿多个所述直线向所述晶圆发出光，多个所述直线非平行设置。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，至少两个所述直线相互垂直。

进一步的，在所述晶边偏移检测方法中，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。

根据本发明的另一面，还提供一种用于如上任意一项所述的晶边偏移检测方法的晶边偏移检测系统，包括：

光发射器，沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；

光接收器，在所述直线处接受所述晶圆的反射光；以及

统计单元，对所述反射光的强弱进行统计。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述光发射器和所述光接收器同时沿所述直线运动跨过所述晶圆，所述光发射器实时向所述晶圆发出所述光，所述光接收器实时接受所述晶圆的反射光。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括分析单元，所述分析单元判断所述反射光在所述直线处的强度，如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则所述分析单元计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；所述分析单元判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括警报单元，所述警报单元连接所述分析单元，如果所述晶圆的晶边偏移，则所述警报单元发出警报。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括光电转化单元，所述光电转化单元连接所述统计单元和光接收器，所述光电转化单元将所述光接收器接收到的光信号转化为电信号后，将所述电信号发送给所述统计单元。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括显示单元，对所述反射光的统计结果进行显示。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述统计结果为所述反射光在不同位置的图和/或所述反射光在不同位置的表。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括支架，所述支架上设置有至少一轨道，所述轨道在所述直线上延伸，所述光发射器和所述光接收器在所述轨道上运动。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括电源线，所述电源线将一电源的电压提供给所述光发射器和所述光接收器。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述电源线在所述支架上延伸。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述电源线为可收缩电源线。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统还包括光电信号传输线，所述电信号传输线向所述光发射器提供用于发出所述光的光电信号。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述晶边偏移检测系统包括多个所述光发射器和多个所述光接收器，多个所述光发射器和多个所述光接收器，多个所述直线非平行设置。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，至少两个所述直线垂直设置。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述直线跨过所述晶圆的圆心。

进一步的，在所述晶边偏移检测系统中，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。

根据本发明的又一面，还提供一种机台，包括如上任意一项所述的晶边偏移检测系统。

与现有技术相比，本发明提供的晶边偏移检测方法及系统、机台具有以下优点：

在本发明提供的晶边偏移检测方法及系统、机台中，所述晶边偏移检测方法包括沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；判断所述反射光在所述直线处的强度，如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移，所述晶边偏移检测方法，能够及时、有效地检测出晶边偏移的状况，减小因晶边偏移造成的不良。

进一步的，在本发明提供的晶边偏移检测方法及系统、机台中，所述晶边偏移检测系统包括：光发射器、光接收器以及统计单元，所述光发射器沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区，所述光接收器在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述统计单元对所述反射光的强弱进行统计，所述晶边偏移检测系统的结构简单，可以方便的地检测出晶边偏移的状况；并且，所述晶边偏移检测系统可以集成到现有的机台中，在现有制程的制备过程中即可检测晶边偏移的状况，不会增加成本，不影响产能。

附图说明

图1为晶圆一面的俯视图；

图2为晶圆的主视图；

图3和图4为晶圆的晶边偏移时的俯视图；

图5本发明一实施例中晶边偏移检测方法的流程图；

图6为本发明一实施例中晶边偏移检测系统的俯视图；

图7为本发明一实施例中晶边偏移检测系统的主视图；

图8为本发明一实施例中晶边偏移检测系统的左视图；

图9为本发明一实施例中一直线处反射光的强度示意图；

图10为本发明一实施例中另一直线处反射光的强度示意图。

具体实施方式

如图1和图2所示，晶圆100的一面(一般为晶圆的正面，即具有图形的一面)具有图形区110以及位于所述图形区110外侧的晶边120，其中，图形区110的厚度大于晶边120的厚度，图形区110内具有器件图形，晶边120上标识有晶圆序号(wafer ID)等识别信息。

在电化学镀膜(ECP)工艺后，新镀的膜层会将晶边覆盖，因此需要对晶圆的边缘进行清洗以去除晶上的膜层，一般会在晶边上喷洒清洗液。如果清洗液喷洒偏移，就会造成晶边偏移，在后续的制程中造成缺陷。如图1所示，图形区110的中心和晶圆100的中心O重合，则晶边120未发生偏移；如图2所示，图形区110’的中心和晶圆100的中心O重合，则晶边120’发生偏移；如图3所示，图形区110”的中心和晶圆100的中心O重合，则晶边120”发生偏移。

发明人研究发现，图形区110在所述一面101侧的表面为平的，晶边120在所述一面101侧的表面为不平整的或具有一定的倾斜角度。如果用光照射图形区110在所述一面101侧的表面，则图形区110的反射光集中，如果用光照射晶边120在所述一面101侧的表面，则晶边120的反射光分散，则可以收集反射光以判断图形区110和晶边120的位置，从而可以判断晶边120是否发生偏移，

根据上述研究，发明人提出一种数模转换器的建立时间测试方法，如图5所示，包括：

沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；

对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；

判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

所述晶边偏移检测方法能够及时、有效地检测出晶边偏移的状况，减小因晶边偏移造成的不良。

进一步的，还提供一种晶边偏移检测系统包括：光发射器、光接收器以及统计单元，所述光发射器沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区，所述光接收器在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述统计单元对所述反射光的强弱进行统计，所述晶边偏移检测系统的结构简单，可以方便的地检测出晶边偏移的状况；并且，所述晶边偏移检测系统可以集成到现有的机台中，在现有制程的制备过程中即可检测晶边偏移的状况，不会增加成本，不影响产能。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

以下具体说明本发明的详细工作过程，请参考图6-图8，其中，X方向、Y方向和Z方向相互垂直。所述晶边偏移检测系统300用于检测位于晶圆200一面201的晶边220是否偏移，所述晶圆200包括图形区210以及位于所述图形区210外侧的晶边220，所述晶圆200的一面201(一般为晶圆的正面，即具有图形的一面)具有图形区210以及位于所述图形区210外侧的晶边220，其中，图形区210的厚度大于晶边220的厚度，图形区210内具有器件图形，晶边220上标识有晶圆序号(wafer ID)等识别信息。

所述晶边偏移检测系统300包括光发射器311、312、光接收器321、322以及统计单元330，所述光发射器311、312用于沿直线向所述晶圆200的一面201(一般为晶圆的正面，即具有图形的一面)发出光，所述光可以为激光、红外线等，具有较好的直线传播性能。所述光接收器321、322在所述直线处接受所述晶圆200的反射光，所述统计单元330对所述反射光的强弱进行统计。其中，所述直线平行于所述晶圆200(即所述直线平行于所述晶圆200的一面)，且所述直线跨过部分所述图形区210。

在本实施例中，所述晶边偏移检测系统300包括两个所述光发射器311、312和两个所述光接收器321、322，所述光发射器311和光接收器321沿一直线AA’向所述晶圆200的一面201发出光，所述光发射器312和光接收器322沿另一直线BB’向所述晶圆200的一面201发出光，所述一直线AA’和另一直线BB’非平行设置，可以保证检测出任意方向的偏移。在本实施例中，所述一直线AA’为X方向的直线，所述另一直线BB’为Y方向的直线，所述一直线AA’和所述另一直线BB’垂直设置。较佳的，所述一直线AA’和所述另一直线BB’均跨过所述晶圆200的圆心O，以进一步地提高检测的准确性。

在本实施例中，所述光发射器311和光接收器321同时沿所述一直线AA’运动跨过所述晶圆200，在跨过所述晶圆200时，所述光发射器311实时向所述晶圆200发出所述光，所述光接收器321实时接受所述晶圆200的反射光。所述光发射器312和光接收器322同时沿另一直线BB’运动跨过所述晶圆200，在跨过所述晶圆200时，所述光发射器312实时向所述晶圆200发出所述光，所述光接收器322实时接受所述晶圆200的反射光，以检测所述一直线AA’和另一直线BB’处所述晶圆的形貌。

如图6所示，所述晶边偏移检测系统300还包括分析单元340，所述分析单元340用于根据所述晶圆200的反射光判断所述晶圆200的晶边220是否发生偏移，以对所述晶圆的晶边进行自动化监控。

所述晶边偏移检测系统300还包括光电转化单元331、332，用于将光信号转化为电信号。在本实施例中，所述光电转化单元331连接所述统计单元330和光接收器321，所述光电转化单元331将所述光接收器321接收到的光信号转化为电信号后，将所述电信号发送给所述统计单元330。所述光电转化单元332连接所述统计单元330和光接收器322，所述光电转化单元332将所述光接收器322接收到的光信号转化为电信号后，将所述电信号发送给所述统计单元330。

此外，所述晶边偏移检测系统300还包括警报单元360，所述警报单元360连接所述分析单元340，如果所述晶圆200的晶边220偏移，则所述警报单元360发出警报，以及时对问题晶圆进行相应地处理。

所述晶边偏移检测系统300还可以包括显示单元，对所述反射光的统计结果进行显示，并可以对所述分析单元340的判断结果进行显示，以方便工程师观察结果。

参考图7和图8所示，为了实现所述光发射器311、312、光接收器321、322的移动，所述晶边偏移检测系统300还包括支架381、382，所述支架381上设置有一轨道371，所述轨道371在所述一直线AA’上延伸，所述光发射器311和所述光接收器321在所述轨道371上运动。所述支架382上设置有一轨道372，所述轨道372在所述一直线BB’上延伸，所述光发射器312和所述光接收器322在所述轨道372上运动。在本实施例中，所述晶圆200和支架381、382均由一承载面支撑。

所述晶边偏移检测系统300还包括将一电源的电压提供给所述光发射器和所述光接收器的电源线，以及向所述光发射器提供用于发出所述光的光电信号的电信号传输线，例如，所述晶边偏移检测系统300包括电源线391和电信号传输线392，所述电源线391将一电源的电压提供给所述光发射器311和所述光接收器321，所述电信号传输线392向所述光发射器311提供用于发出所述光的光电信号，所述电源线391和电信号传输线392在所述支架381上延伸，以避免遮挡所述光和所述反射光。较佳的，所述电源线391为可收缩电源线，所述电信号传输线392为可收缩传输线，以实现在所述光发射器311和所述光接收器321运动时为所述光发射器311和所述光接收器321提供信号。

所述晶边偏移检测系统300可以直接集成在半导体机台中，例如，所述晶边偏移检测系统300可以集成到清洗机台中，在对晶边进行清洗后，直接检测晶圆的晶边是否偏移，在现有制程的制备过程中即可检测晶边偏移的状况，不会增加成本，不影响产能。

以下结合所述晶边偏移检测方法，具体说明所述晶边偏移检测系统300的工作过程。

所述光发射器311和光接收器321沿一直线AA’运动，同时所述光发射器311向所述晶圆200的一面201发出光，所述光接收器321接受所述晶圆200的反射光。所述光发射器312和光接收器322沿一直线BB’运动，同时所述光发射器312向所述晶圆200的一面201发出光，所述光接收器322接受所述晶圆200的反射光。其中，所述光发射器311和光发射器312可以同时运动；或所述光发射器311先运动，所述光发射器312后运动；或所述光发射器312先运动，所述光发射器311后运动。

所述光电转化单元331、332分别将所述光接收器321、322收集到的反射光的信号进行转化后，发送给所述统计单元330。所述统计单元330对所述反射光的强弱进行统计，所述统计单元330对所述光接收器321收集到的反射光的信号进行统计，统计出在X方向的反射光，所述统计单元330对所述光接收器322收集到的反射光的信号进行统计，统计出在Y方向的反射光。其中，所述统计单元330的统计结果为所述反射光在不同位置的图(即所述反射光强度在不同位置的图)和/或所述反射光在不同位置的表(即所述反射光强度在不同位置的表)。

例如，在本实施例中，所述统计结果为所述反射光在不同位置的图，参考图9，为所述反射光在X方向(一直线AA’处)的强度图，其中，横坐标x表示在X方向的坐标值，纵坐标i表示放射光的多少。在图9中，具有三个强度区间，第一强度区间X1、第二强度区间X2和第三强度区间X3，其中，所述第一强度区间X1和第三强度区间X3内的强度均小于第二强度区间X2的强度，具体的，所述第一强度区间X1和第三强度区间X3内所述反射光的强度均小于一预设标准i1，所述第二强度区间X2内所述反射光的强度均大于一预设标准i1。

参考图10，为所述反射光在Y方向(一直线BB’处)的强度图，其中，横坐标y表示在Y方向的坐标值，纵坐标i表示放射光的多少。在图10中，具有三个强度区间，第一强度区间Y1、第二强度区间Y2和第三强度区间Y3，其中，所述第一强度区间Y1和第三强度区间Y3内的强度均小于第二强度区间Y2的强度，具体的，所述第一强度区间Y1和第三强度区间Y3内所述反射光的强度均小于一预设标准i1，所述第二强度区间Y2内所述反射光的强度均大于一预设标准i1。

所述分析单元340对所述统计结果进行判断，所述反射光在所述直线AA’处的强度区间满足依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间的条件，则说明X方向的晶圆的两侧边缘均存在晶边，否则，说明X方向的晶圆的一侧边缘存在晶边，另一侧边缘不存在晶边，则晶边偏移。所述分析单元340对判断所述反射光在所述直线BB’处的强度区间满足依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间的条件，则说明Y方向的晶圆的两侧边缘均存在晶边，否则，说明Y方向的晶圆的一侧边缘存在晶边，另一侧边缘不存在晶边，则晶边偏移。

然后，所述分析单元340计算所述第一强度区间X1的宽度和第三强度区间X3的宽度，并计算所述第一强度区间Y1的宽度和第三强度区间Y3的宽度。所述分析单元340判断所述第一强度区间X1的宽度和第三强度区间X3的宽度是否相等，所述第一强度区间Y1的宽度和第三强度区间Y3的宽度是否相等，如果所述第一强度区间X1的宽度和第三强度区间X3的宽度相等，并且所述第一强度区间Y1的宽度和第三强度区间Y3的宽度相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

采用所述晶边偏移检测方法和系统，能够及时、有效地检测出晶边偏移的状况，减小因晶边偏移造成的不良。

本发明的较佳实施例如上所述，但是，本发明并不限于上述公开的范围，例如，所述晶边偏移检测系统还可以只包括一个光发射器和一个所述光接收器，一个光发射器和一个所述光接收器可以在两条直线上运动，亦可以检测出晶边偏移的状况；又如，所述光发射器和光接收器还可以固定不动，而在所述直线上设置一排光发射器和一排所述光接收器，亦可以检测出晶边偏移的状况；另外，所述晶边偏移检测系统还可以不包括分析单元，所述晶边偏移检测系统的显示单元阱所述统计结果进行显示，然后工程师自己对所述统计结果进行判断，亦可以检测出晶边偏移的状况。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (22)

1.一种晶边偏移检测方法，用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移，所述晶圆包括图形区以及位于所述图形区外侧的晶边，其特征在于，包括：

分别沿至少两条直线向所述晶圆的一面发出光，至少两条所述直线非平行设置，并在所述直线处接受所述晶圆的反射光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；

对所述反射光的强弱进行统计后，判断所述反射光在所述直线处的强度；如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；

判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

2.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，所述直线跨过所述晶圆的圆心。

3.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，分别沿多个所述直线向所述晶圆发出光，多个所述直线非平行设置。

4.如权利要求3所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，至少两个所述直线相互垂直。

5.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法，其特征在于，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。

6.一种用于如权利要求1至5中任意一项所述的晶边偏移检测方法的晶边偏移检测系统，其特征在于，包括：

光发射器，沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光，所述直线平行于所述晶圆，且所述直线跨过部分所述图形区；

光接收器，在所述直线处接受所述晶圆的反射光；以及

统计单元，对所述反射光的强弱进行统计。

7.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述光发射器和所述光接收器同时沿所述直线运动跨过所述晶圆，所述光发射器实时向所述晶圆发出所述光，所述光接收器实时接受所述晶圆的反射光。

8.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括分析单元，所述分析单元判断所述反射光在所述直线处的强度，如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间，其中，所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度，则所述分析单元计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度；所述分析单元判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等，如果相等，则所述晶圆的晶边未偏移；否则，所述晶圆的晶边偏移。

9.如权利要求8所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括警报单元，所述警报单元连接所述分析单元，如果所述晶圆的晶边偏移，则所述警报单元发出警报。

10.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括光电转化单元，所述光电转化单元连接所述统计单元和光接收器，所述光电转化单元将所述光接收器接收到的光信号转化为电信号后，将所述电信号发送给所述统计单元。

11.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括显示单元，对所述反射光的统计结果进行显示。

12.如权利要求11所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述统计结果为所述反射光在不同位置的图和/或所述反射光在不同位置的表。

13.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括支架，所述支架上设置有至少一轨道，所述轨道在所述直线上延伸，所述光发射器和所述光接收器在所述轨道上运动。

14.如权利要求13所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括电源线，所述电源线将一电源的电压提供给所述光发射器和所述光接收器。

15.如权利要求14所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述电源线在所述支架上延伸。

16.如权利要求14所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述电源线为可收缩电源线。

17.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统还包括光电信号传输线，所述光电信号传输线向所述光发射器提供用于发出所述光的光电信号。

18.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述晶边偏移检测系统包括多个所述光发射器和多个所述光接收器，多个所述光发射器和多个所述光接收器，多个所述直线非平行设置。

19.如权利要求18所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，至少两个所述直线垂直设置。

20.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准，所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。

21.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统，其特征在于，所述直线跨过所述晶圆的圆心。

22.一种机台，其特征在于，包括如权利要求6至21中任意一项所述的晶边偏移检测系统。

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