CN108573736B - 一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置，涉及存储器技术领域。本发明提供的存储器芯片初始操作电压配置方法及装置，通过预设的多个电压值对多个存储器芯片的每个存储器芯片都进行多次测试操作，即就是，进行同一测试流程，根据测试流程结束后的测试结果，确定出与之对应的初始操作电压，实现了根据每个存储器芯片自身的情况，为每个存储器芯片确定初始操作电压，保证了存储器芯片在以该初始操作电压进行操作的时候，能够以最优的操作速度和操作时长完成操作，提高了存储器芯片的性能。

Description

一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置。

背景技术

随着电子技术的不断发展，存储器芯片也越来越多的应用到电子产品中。芯片在使用过程中，都会用到初始操作电压，例如，芯片的编程(英文：program)或擦除(英文：erase)都会用到初始操作电压，该初始操作电压对芯片的性能有很大的影响。

现有技术中，通常是在对存储器芯片进行量产测试的过程中，对存储器芯片的初始操作电压进行统一配置，具体的，对多个芯片通过反复测试，确定一个能满足大部分存储器芯片正常工作的初始操作电压，并将该初始操作电压的配置信息固化到该多个芯片中。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中存在至少如下问题：

由于生产工艺条件的差别，不同存储器芯片在性能上可能会有差别，这样，现有技术中，为多个芯片配置相同的初始操作电压，相同的初始操作电压对个每颗芯片来说，不一定是合适的，这样会导致某些芯片在利用初始操作电压进行操作时出现异常，例如，在利用该初始操作电压进行编程或擦除或读取操作的时候，可能会出现操作速度过慢，操作时间过长的问题，进而导致芯片使用性能较差。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置。

依据本发明的第一方面，提供了一种存储器芯片初始操作电压配置方法，所述方法提供预设的多个电压值作为测试电压，对每个存储器芯片进行测试操作，所述方法包括：

从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压；

利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作；

判断所述测试操作是否成功；

如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn；

根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压；

如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

可选的，在所述从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压的步骤之前，所述方法还包括：

确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值ΔV；

将所述开始电压Vin、Vin+ΔV、Vin+2ΔV、Vin+3ΔV...Vin+nΔV确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+nΔV等于所述最高电压Vmax。

可选的，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

可选的，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值；

确定所述差值和所述电压变化值ΔV之间的倍数关系；

根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。

可选的，所述根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压的步骤，包括：

当所述电压变化次数Tn大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin+ΔV*(Tn-Tref)；

当所述电压变化次数Tn不大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin。

可选的，所述方法还包括：

在利用预设的多个电压值作为当前测试电压，对所述存储器芯片进行测试操作且都未成功时，将所述存储器芯片标记为坏。

可选的，所述从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压的步骤，包括：

按照从低到高的顺序从预设的多个电压值中依次选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

依据本发明的第二方面，提供了一种存储器芯片初始操作电压配置装置，所述装置包括：

第一选择模块，用于从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压；

测试模块，用于利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作；

判断模块，用于判断所述测试操作是否成功；

第一确定模块，用于如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn；

第二确定模块，用于根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压。

第二选择模块，用于如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

可选的，所述装置还包括：

第三确定模块，用于确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值ΔV；

第四确定模块，用于将所述开始电压Vin、Vin+ΔV、Vin+2ΔV、Vin+3ΔV...Vin+nΔV确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+nΔV等于所述最高电压Vmax。

可选的，所述第一确定模块，用于：

从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

可选的，所述第一确定模块，用于：

计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值；

确定所述差值和所述电压变化值ΔV之间的倍数关系；

根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。

可选的，所述第二确定模块，包括：

第一确定子模块，用于当所述电压变化次数Tn大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin+ΔV*(Tn-Tref)；

第二确定子模块，用于当所述电压变化次数Tn不大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin。

可选的，所述装置还包括：

标记模块，用于在利用预设的多个电压值作为当前测试电压，对所述存储器芯片进行测试操作且都未成功时，将所述存储器芯片标记为坏。

可选的，所述第一选择模块，包括：

第一选择子模块，用于按照从低到高的顺序从预设的多个电压值中依次选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

针对在先技术，本发明具备如下优点：

本发明实施例提供的一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置，通过预设的多个电压值对每个存储器芯片都进行多次测试操作，根据该多次测试操作的结果，确定出与之对应的初始操作电压，实现了根据每个存储器芯片自身的情况，为每个存储器芯片确定初始操作电压，保证了存储器芯片在以该初始操作电压进行操作的时候，能够以最优的操作速度和操作时长完成操作，提高了存储器芯片的性能。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1是本发明实施例提供的一种存储器芯片初始操作电压配置方法步骤流程图；

图2是本发明实施例提供的另一种存储器芯片初始操作电压配置方法步骤流程图；

图3是本发明实施例提供的一种存储器芯片初始操作电压配置装置框图；

图4-1是本发明实施例提供的另一种存储器芯片初始操作电压配置装置框图；

图4-2是本发明实施例提供的一种第二确定模块的框图；

图4-3是本发明实施例提供的又一种存储器芯片初始操作电压配置装置框图；

图4-4是本发明实施例提供的另一种存储器芯片初始操作电压配置装置框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

本发明实施例提供的存储器芯片初始操作电压配置方法，可以在存储器芯片的并行测试中实现。存储器芯片的并行测试是对多个存储器芯片同时进行测试的过程。

实施例一

参照图1，其示出了本发明实施例的一种存储器芯片初始操作电压配置方法步骤流程图，该方法提供预设的多个电压值作为测试电压，对每个存储器芯片进行测试操作，该方法具体可以包括如下步骤：

步骤101、从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

其中，该多个电压值可以是预先设置好的电压值，该预设的多个电压值可以是在存储器芯片的设计阶段，设置在该存储器芯片内部的。

步骤102、利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作。

实际应用中，测试操作是对存储器芯片中的存储单元进行编程或擦除操作。本发明实施例中的测试操作可以是以测试时间为依据，对存储器芯片中的存储单元进行编程或擦除操作。

具体的，可以设置一个固定的时间，在该固定时间内，对存储器芯片中的存储单元进行编程或擦除操作，完成该编程或擦除操作后对该存储单元进行阈值电压检测。

在本发明的另一可选实施例中，上述测试操作还可以通过其他方式来实现，本发明实施例在此不做赘述。

步骤103、判断所述测试操作是否成功。

如果测试操作的结果表明该存储器芯片中存储单元的阈值电压达到要求，则认为该测试操作成功，反之，如果测试操作的结果表明该存储器芯片中存储单元的阈值电压没有达到要求，则认为该测试操作失败。

步骤104、如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn。

其中，该电压变化次数Tn是和测试操作成功时所使用的当前测试电压有关的值。

步骤105、根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压。

步骤106、如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中依次重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

综上所述，本发明实施例提供的存储器芯片初始操作电压配置方法，通过预设的多个电压值对每个存储器芯片都进行多次测试操作，根据该多次测试操作的结果，确定出与之对应的初始操作电压，实现了根据每个存储器芯片自身的情况，为每个存储器芯片确定初始操作电压，保证了存储器芯片在以该初始操作电压进行操作的时候，能够以最优的操作速度和操作时长完成操作，提高了存储器芯片的性能。

实施例二

参照图2，其示出了本发明实施例的另一种存储器芯片初始操作电压配置方法步骤流程图，该方法提供预设的多个电压值作为测试电压，对每个存储器芯片进行测试操作，该方法具体可以包括如下步骤：

步骤201、确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值ΔV。

在确定最高电压Vmax、开始电压Vin的时候，可以以存储器芯片在生产过程中，由于生产工艺波动，会产生的最大程度的参数偏移为依据进行确定。示例的，大部分存储器芯片的电压标准值为3伏特(英文：voltage；简称：V)，那么根据生产工艺波动产生的最大程度的参数偏移，可以确定电压最小值可以为2.5V，电压最大值可以为3.5V，那么预设的多个电压值的范围可以是2.5V～3.5V，可以将2.5V确定为开始电压Vin，将3.5V确定为最高电压Vmax。

电压变化值ΔV的大小决定了预设的电压值的数量，电压变化值ΔV越小，预设的电压值数量越多，那么芯片测试的次数就越多，精细程度越高，初始操作电压配置的可靠性也就越高，但这样会增大芯片测试的时间开销，因此，在实际应用中，可以根据实际需求，来确定电压变化值ΔV。

步骤202、将所述开始电压Vin、Vin+ΔV、Vin+2ΔV、Vin+3ΔV...Vin+nΔV确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+nΔV等于所述最高电压Vmax。

实际应用中，可以根据确定的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值ΔV得到预设的多个电压值。

示例的，确定预设的多个电压值的时候，可以每次递增一个电压变化值ΔV，确定出预设多个电压值。

以开始电压Vin为2.5V，最高电压Vmax为3.5V，电压变化值ΔV为0.1V为例，可以确定V1、V2、V3...V10十个预设电压值，该十个预设的电压值分别为：2.5V、2.6V、2.7V...3.5V。

步骤203、从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

本发明实施例提供以下从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值的实现方式：

按照从低到高的顺序从预设的多个电压值中依次选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

以上述列举的十个预设电压值为例进行说明，可以首先选择最低的电压值V1进行测试，如果需要重新选择电压值，则重新选择次低的电压数V2进行测试，以此类推。

步骤204、利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作。

实际应用中，测试操作是对存储器芯片中的存储单元进行编程或擦除操作。本发明实施例中的测试操作可以是以测试时间为依据，对存储器芯片中的存储单元进行编程或擦除操作。具体的，可以设置一个固定的时间，在该固定时间内，对存储器芯片中的存储单元进行编程或擦除操作，完成该编程或擦除操作后对该存储单元进行阈值电压检测。

步骤205、判断所述测试操作是否成功。

示例的，如果该测试操作在该固定时间内顺利完成，即就是，在设置的固定时间内完成了编程或擦除操作且达到了预想的效果，则确定该测试操作成功，反之，则确定该测试操作失败。

例如，对存储器芯片进行擦除操作，假设设置的固定时间为200ns，那么如果在200ns后验证存储器芯片中存储单元的阈值电压没有达到预期值，那么就认为测试操作失败，反之则认为测试操作成功。其中，该预想的存储单元阈值电压可以是通过反复试验测试出来的最优状态，其可以作为判断是否测试通过的有效依据。

步骤206、如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn。

对于确定电压变化次数Tn，本发明实施例提供以下两种可实现方式：

可实现方式一：从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

具体的，可以在存储器芯片内部设置一个计数器，该计数器可以从零开始计数，示例的，在对芯片进行第一次测试操作的时候，计数器内部记0，如果该第一次测试操作失败，则继续对芯片进行的第二次测试操作，然后，该计数器内部记2，往后的每一次测试操作，计数器的数值加1，以此类推。在测试操作成功需要确定电压变化次数Tn的时候，可以通过从该设置的计数器中获取计数器内部的数值来确定电压变化次数Tn，该电压变化次数Tn即为计数器内部的值。

可实现方式二：对于确定电压变化次数Tn，还可以通过如下步骤实现：

步骤A、计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值。

示例的，以当前测试电压为3V，开始电压Vin为2.5V，电压变化值为0.1V为例，进行说明。

具体的，可以通过当前测试电压减去开始电压Vin，来计算两者时间的差值，该差值可以为3V-2.5V＝0.5V。

步骤B、确定所述差值和所述电压变化值ΔV之间的倍数关系。

具体的，该倍数关系可以是差值相对于电压变化值ΔV的倍数，也可以是电压变化值ΔV相对于差值的倍数，例如，可以利用差值除以电压变化值ΔV来计算差值相对于电压变化值的倍数，该倍数可以是0.5V/0.1V＝5倍，也可以利用电压变化值ΔV除以差值来计算电压变化值相对于差值的倍数，该倍数可以是0.1V/0.5V＝0.2倍。

步骤C、根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。

具体的，可以是根据差值相对于电压变化值ΔV的倍数来确定电压变化次数Tn，也可以是根据电压变化值ΔV相对于差值的倍数来确定电压变化次数Tn。例如，利用差值相对于电压变化值ΔV的倍数来确定电压变化次数Tn的时候，可以直接将该倍数确定为电压变化次数Tn，示例的，可以确定该电压变化次数Tn＝5。利用电压变化值ΔV相对于差值的倍数来确定电压变化次数Tn的时候，可以将该倍数的倒数确定为电压变化次数Tn，由于倍数0.2的倒数为5，所以可以确定该电压变化次数Tn＝5。

步骤207、根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压。

具体的，可以通过电压变化次数Tn和预设对比阈值Tref的关系，来确定存储器芯片的初始操作电压。该预设对比阈值Tref可以是根据芯片测试过程中，通过反复试验测试，对多个芯片的测试情况进行分析得到的。示例的，步骤207可以包括：

步骤2071、当所述电压变化次数Tn大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin+ΔV*(Tn-Tref)。

例如，当电压变化次数Tn为7时，预设对比阈值Tref为6时，由于7大于6，因此可以将存储器芯片的初始操作电压确定为：Vin+ΔV*(Tn-Tref)＝2.5V+0.1*(7-6)＝2.6V。

步骤2072、当所述电压变化次数Tn不大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin。

例如，当电压变化次数Tn为5时，预设对比阈值Tref为6时，由于5不大于6，因此可以将存储器芯片的初始操作电压确定为：Vin＝2.5V。

步骤208、如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中依次重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

示例的，以预设电压值V1＝2.5V作为当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作，如果该测试操作失败，则从预设的多个电压值中按照从低到高的顺序选择预设电压值V2＝2.6V，作为当前测试电压，重新进行测试，以此类推，对存储器芯片进行多次测试操作，直至测试成功为止，完成一个测试流程。

步骤209、在利用预设的多个电压值作为当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作且都未成功时，将所述存储器芯片标记为坏。

示例的，假设预设的多个电压值的数量为m，那么，对于m次测试后测试操作均未成功的存储器芯片，可以将该存储器芯片标记为坏，用于表示该存储器芯片为最终未通过测试的废片。

综上所述，本发明实施例提供的存储器芯片初始操作电压配置方法，通过预设的多个电压值对每个存储器芯片都进行多次测试操作，根据该多次测试操作的结果，确定出与之对应的初始操作电压，实现了根据每个存储器芯片自身的情况，为每个存储器芯片确定初始操作电压，保证了存储器芯片在以该初始操作电压进行操作的时候，能够以最优的操作速度和操作时长完成操作，提高了存储器芯片的性能。

实施例三

参见图3，其示出了本发明实施例的一种存储器芯片初始操作电压配置装置30的框图，如图3所示，该装置30可以包括：

第一选择模块301，用于从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

测试模块302，用于利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作。

判断模块303，用于判断所述测试操作是否成功。

第一确定模块304，用于如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn。

第二确定模块305，用于根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压。

第二选择模块306，用于如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

综上所述，本发明实施例提供的存储器芯片初始操作电压配置装置，通过预设的多个电压值对每个存储器芯片都进行多次测试操作，根据该多次测试操作的结果，确定出与之对应的初始操作电压，实现了根据每个存储器芯片自身的情况，为每个存储器芯片确定初始操作电压，保证了存储器芯片在以该初始操作电压进行操作的时候，能够以最优的操作速度和操作时长完成操作，提高了存储器芯片的性能。

实施例四

参见图4-1，其示出了本发明实施例的另一种存储器芯片初始操作电压配置装置40的框图，该装置40可以包括：

第一选择模块401，用于从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

测试模块402，用于利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作。

判断模块403，用于判断所述测试操作是否成功。

第一确定模块404，用于如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn。

第二确定模块405，用于根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压。

第二选择模块406，用于如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

可选的，所述第一选择模块401，可以包括：

第一选择子模块，用于按照从低到高的顺序从预设的多个电压值中依次选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

可选的，所述第一确定模块404，可以用于：

从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

可选的，所述第一确定模块404，可以用于：

计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值。

确定所述差值和所述电压变化值ΔV之间的倍数关系。

根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。

图4-2是本发明实施例提供的一种第二确定模块405的框图，参见图4-2，第二确定模块405可以包括：

第一确定子模块4051，用于当所述电压变化次数Tn大于所述预设对比阈值Tref时，确定存储器芯片的初始操作电压为：Vin+ΔV*(Tn-Tref)。

第二确定子模块4052，用于当所述电压变化次数Tn不大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin。

图4-3是本发明实施例示出的又一种存储器芯片初始操作电压配置装置40，如参见图4-3，该装置40可以包括：第一选择模块401、测试模块402、判断模块403、第一确定模块404、第二确定模块405、第二选择模块406、第三确定模块407以及第四确定模块408。

第一选择模块401，用于从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

测试模块402，用于利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作。

判断模块403，用于判断所述测试操作是否成功。

第一确定模块404，用于如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn。

第二确定模块405，用于根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压。

第二选择模块406，用于如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

第三确定模块407，用于确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值ΔV。

第四确定模块408，用于将所述开始电压Vin、Vin+ΔV、Vin+2ΔV、Vin+3ΔV...Vin+nΔV确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+nΔV等于所述最高电压Vmax。

图4-4是本发明实施例示出的再一种存储器芯片初始操作电压配置装置40，如参见图4-4，该装置40可以包括：第一选择模块401、测试模块402、判断模块403、第一确定模块404、第二确定模块405、第二选择模块406以及标记模块409。

第一选择模块401，用于从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

测试模块402，用于利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作。

判断模块403，用于判断所述测试操作是否成功。

第一确定模块404，用于如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn。

第二确定模块405，用于根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压。

第二选择模块406，用于如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

标记模块409，用于在利用预设的多个电压值作为当前测试电压，对所述存储器芯片进行测试操作且都未成功时，将所述存储器芯片标记为坏。

综上所述，本发明实施例提供的存储器芯片初始操作电压配置装置，通过预设的多个电压值对每个存储器芯片都进行多次测试操作，根据该多次测试操作的结果，确定出与之对应的初始操作电压，实现了根据每个存储器芯片自身的情况，为每个存储器芯片确定初始操作电压，保证了存储器芯片在以该初始操作电压进行操作的时候，能够以最优的操作速度和操作时长完成操作，提高了存储器芯片的性能。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。

本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

Claims (14)

1.一种存储器芯片初始操作电压配置方法，其特征在于，所述方法提供预设的多个电压值作为测试电压，对每个存储器芯片进行测试操作，所述方法包括：

从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压；

利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作；

判断所述测试操作是否成功；

如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn；

根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压；

如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压的步骤之前，所述方法还包括：

确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值△V；

将所述开始电压Vin、Vin+△V、Vin+2△V、Vin+3△V…Vin+n△V确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+n△V等于所述最高电压Vmax。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值；

确定所述差值和所述电压变化值△V之间的倍数关系；

根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压的步骤，包括：

通过对芯片的反复试验测试，并对多个芯片的测试情况进行分析，预设对比阈值Tref；

当所述电压变化次数Tn大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin+△V*(Tn-Tref)；

当所述电压变化次数Tn不大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在利用预设的多个电压值作为当前测试电压，对所述存储器芯片进行测试操作且都未成功时，将所述存储器芯片标记为坏。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压的步骤，包括：

按照从低到高的顺序从预设的多个电压值中依次选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

8.一种存储器芯片初始操作电压配置装置，其特征在于，所述装置包括：

第一选择模块，用于从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压；

测试模块，用于利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作；

判断模块，用于判断所述测试操作是否成功；

第一确定模块，用于如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn；

第二确定模块，用于根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压；

第二选择模块，用于如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第三确定模块，用于确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值△V；

第四确定模块，用于将所述开始电压Vin、Vin+△V、Vin+2△V、Vin+3△V…Vin+n△V确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+n△V等于所述最高电压Vmax。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一确定模块，用于：

从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第一确定模块，用于：

计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值；

确定所述差值和所述电压变化值△V之间的倍数关系；

根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。

12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第二确定模块，包括：

第一确定子模块，用于通过对芯片的反复试验测试，并对多个芯片的测试情况进行分析，预设对比阈值Tref；当所述电压变化次数Tn大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin+△V*(Tn-Tref)；

第二确定子模块，用于当所述电压变化次数Tn不大于所述预设对比阈值Tref时，确定所述存储器芯片的初始操作电压为：Vin。

13.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

标记模块，用于在利用预设的多个电压值作为当前测试电压，对所述存储器芯片进行测试操作且都未成功时，将所述存储器芯片标记为坏。

14.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一选择模块，包括：

第一选择子模块，用于按照从低到高的顺序从预设的多个电压值中依次选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压。

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