CN108570572A - 一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种纳米氧化物弥散强化Cu‑Ti合金的制备方法,按质量百分比由以下组分组成:Cu 94‑97.5%、Ti 2‑4%,Y2O3 0.5‑2%,以上各组分质量百分比之和为100%。本发明还公开了纳米氧化物弥散强化Cu‑Ti合金的制备方法,具体操作步骤如下,经过对原材料Cu粉、Ti粉和Y2O3粉进行高能球磨;然后在压强为200MPa,保压时间为30s的条件下进行冷压成型,再对压坯进行热压烧结,即可得到纳米氧化物弥散强化Cu‑Ti合金。与传统电弧熔炼所制备的Cu‑Ti合金相比,本发明制备的Cu‑Ti合金组织更加均匀,导电性能得到明显提高,综合性能优良。

Description

一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金及其制备方法
技术领域
本发明金属材料技术领域,具体涉及一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金,还涉及纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法。
背景技术
Cu-Ti合金因其较高的强度、硬度和优良的耐磨、耐疲劳和耐蚀性能,可用来制造高强高弹耐磨的弹性元件,是最有潜力替代铍青铜的材料之一。但由于Ti原子固溶到铜基体后,对电子的散射作用显著降低了Cu-Ti合金导电性,从而限制了Cu-Ti合金的广泛应用。目前常用的方法是在Cu-Ti合金中添加第三元素,形成金属间化合物,减少Ti在Cu基体中的固溶。但是,该方法对导电性的改善并不十分显著。纳米氧化物团簇具有优异的热稳定性以及化学稳定性,且高密度的纳米团簇可强烈钉扎位错,大幅提高合金的力学性能,改善材料的应力松弛、疲劳特性和高温使用性能等。将Y2O3添加到Cu-Ti合金中,Y2O3可在高能球磨中分解为Y原子和O原子,O-空位吸引对O有亲和力的Ti原子和Y原子,形成在基体中均匀分布的Y-Ti-O纳米团簇。此纳米团簇可以有效减少Ti元素在Cu基体中的固溶量,提高Cu-Ti合金的导电性。因此,利用这种制备方法有望提高Cu-Ti合金的导电性并改善Cu-Ti合金的力学性能,为获得综合性能优良的Cu-Ti合金提供新思路,具有重要的工程意义与实用价值。
发明内容
本发明的目的是提供一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金,解决了现有
Cu-Ti合金导电率低的问题。
本发明的目的还在于提供一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法,
本发明所采用的第一种技术方案是,一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金,按质量百分比由以下组分组成:Cu 94-97.5%、Ti 2-4%,Y2O3 0.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%。
本发明所采用的第二种技术方案是,一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法,具体操作步骤如下:
步骤1,粉末的配比
按照质量百分比分别称取如下材料:Cu粉94-97.5%,Ti粉2-4%,Y2O3粉0.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%;
步骤2,高能球磨
将Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放入球磨机中进行球磨,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将球磨混粉进行冷压,形成压坯;
步骤4,热压烧结
将压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至900-1000℃,保温时间2-3h,压强为30-35MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金。
本发明的特点还在于,
步骤2球磨球料比为10:1,转速为300-500rpm,球磨时间为70-75h。
步骤3的冷压压强为200-250MPa,保压30s,压坯尺寸为Φ21mm×7mm。
步骤1的Ti粉平均粒径为45-55μm、纯度不小于99.9%。
步骤1的Cu粉平均粒径为40-50μm、纯度不小于99.9%。
步骤1的Y2O3粉平均粒径为45-55μm、纯度大于99.5%。
本发明的有益效果是,本发明的一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金,通过在Cu-Ti合金中添加携氧剂Y2O3,形成在基体中均匀分布的Y-Ti-O纳米团簇,提高了Cu-Ti合金的组织均匀性,使合金弥散强化作用更为显著,而且极大地提高了Cu-Ti合金的导电率,得到了综合性能优良的纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金。
附图说明
图1是本发明一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法流程图;
图2是本发明一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金热压烧结后的透射电镜照片。
图3是本发明一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金热压烧结后的选区电子衍射图谱;
图4是本发明一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金热压烧结结晶型Y2Ti2O7粒子的透射电镜照片。
具体实施方式
本发明提供的一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法具体流程如图1所示,操作步骤如下:
步骤1,称取原材料
按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为40-50μm、纯度不小于99.9%的Cu粉94-97.5%,平均粒径为45-55μm、纯度不小于99.9%的Ti粉2-4%,平均粒径为45-55μm,纯度不小于99.5%的Y2O3粉0.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%;
步骤2,高能球磨
将所述Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为300-500rpm,球磨时间为70-75h,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为200-250MPa,保压30s,所述压坯尺寸为Φ21mm×7mm形成压坯;
步骤4,热压烧结
将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至900-1000℃,保温时间2-3h,压强为30-35MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导Cu-Ti合金。
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
步骤1,称取原材料
按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为40μm、纯度不小于99.9%的Cu粉97.5%,平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的Ti粉2%,平均粒径为45μm,纯度不小于99.5%的Y2O3粉0.5%;
步骤2,高能球磨
将所述Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为300rpm,球磨时间为70h,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为200MPa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为Φ21mm×7mm;
步骤4,热压烧结
将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至900℃,保温时间2h,压强为30MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导Cu-Ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为38%IACS、225HV和137GPa。
实施例2
步骤1,称取原材料
按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的Cu粉94%,平均粒径为55μm、纯度不小于99.9%的Ti粉4%,平均粒径为55μm,纯度不小于99.5%的Y2O3粉2%,以上各组分质量百分比之和为100%;
步骤2,高能球磨
将所述Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为500rpm,球磨时间为75h,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为250MPa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为Φ21mm×7mm;
步骤4,热压烧结
将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至1000℃,保温时间3h,压强为30-35MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导Cu-Ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为48%IACS、250HV和142GPa。
实施例3
步骤1,称取原材料
按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的Cu粉96.5%,平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的Ti粉2%,平均粒径为50μm,纯度不小于99.5%的Y2O3粉1.5%,以上各组分质量百分比之和为100%;
步骤2,高能球磨
将所述Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为400rpm,球磨时间为72h,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为225MPa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为Φ21mm×7mm;
步骤4,热压烧结
将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至950℃,保温时间2.5h,压强为33MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导Cu-Ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为45%IACS、235HV和140GPa。
实施例4
步骤1,称取原材料
按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的Cu粉95%,平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的Ti粉3%,平均粒径为50μm,纯度不小于99.5%的Y2O3粉2%;
步骤2,高能球磨
将所述Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为300rpm,球磨时间为70h,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为250MPa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为Φ21mm×7mm;
步骤4,热压烧结
将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至1000℃,保温时间2h,压强为30MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导Cu-Ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为50%IACS、245HV和143GPa。
实施例5
步骤1,称取原材料
按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的Cu粉96%,平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的Ti粉3%,平均粒径为50μm,纯度不小于99.5%的Y2O3粉1%,以上各组分质量百分比之和为100%;
步骤2,高能球磨
将所述Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为350rpm,球磨时间为70-75h,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为240MPa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为Φ21mm×7mm;
步骤4,热压烧结
将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至950℃,保温时间3h,压强为35MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导Cu-Ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为40%IACS、230HV和139GPa。
图2是本发明纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的透射电镜照片。
图3是本发明纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的选区电子衍射图谱,标定结果与PDF卡片中Y2Ti2O7的数据相一致,其中(222)晶面、(400)晶面、(440)晶面和(622)晶面在图中已标出。
图4是本发明纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金Y2Ti2O7颗粒的高分辨照片,完全结晶型的Y2Ti2O7颗粒呈近球形,颗粒内部为原子规则排列的晶体。
本发明所制备的纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金,与传统电弧熔炼所制备的Cu-Ti合金相比,本发明制备的Cu-Ti合金组织更加均匀,合金导电性能得到明显改善,综合性能优良。
实施例与传统的电弧熔炼方法所制备的Cu-Ti合金性能参数如表1所示表1实施例与传统制备的Cu-Ti合金性能参数比较
样品名称 导电率/%IACS 硬度/HV
实施例2 48 250
实施例5 50 245
传统电弧熔炼制备的Cu-Ti合金 28 210
由实施例2和实施例5可以明显看出,本发明制备纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金具有优异的导电率和硬度。与传统电弧熔炼制备的Cu-Ti合金相比,实施例2制备的纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金导电率和硬度分别提高了41.67%和16%。实施例5的制备的纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金导电率和硬度分别提高了44%和14.28%。本发明制备的纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金可广泛应用于仪器仪表、航空航天、计算机技术和通讯技术等领域。

Claims (7)

1.一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金,其特征在于,按质量百分比由以下组分组成:Cu 94-97.5%、Ti 2-4%,Y2O3 0.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%。
2.一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法,其特征在于,具体操作步骤如下:
步骤1,粉末的配比
按照质量百分比分别称取如下材料:Cu粉94-97.5%,Ti粉2-4%,Y2O3粉0.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%;
步骤2,高能球磨
将所述Cu粉、Ti粉和Y2O3粉放入球磨机中进行球磨,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,得到球磨混粉;
步骤3,压制
将球磨混粉进行冷压,形成压坯;
步骤4,热压烧结
将压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至900-1000℃,保温时间2-3h,压强为30-35MPa,保温结束后随炉自然冷却至室温,获得纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金。
3.根据权利要求2所述的一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法的制备方法,其特征在于,步骤2所述的球磨球料比为10:1,转速为300-500rpm,球磨时间为70-75h。
4.根据权利要求2所述的一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法的制备方法,其特征在于,步骤3所述的冷压压强为200-250MPa,保压30s,所述压坯尺寸为Φ21mm×7mm。
5.根据权利要求2所述的一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法的制备方法,其特征在于,步骤1所述Ti粉平均粒径为45-55μm、纯度不小于99.9%。
6.根据权利要求2所述的一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法的制备方法,其特征在于,步骤1所述Cu粉平均粒径为40-50μm、纯度不小于99.9%。
7.根据权利要求2所述的一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金的制备方法的制备方法,其特征在于,步骤1所述Y2O3粉平均粒径为45-55μm、纯度大于99.5%。
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