CN108565333A - 一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法。所述双面带电极的超薄晶片包括超薄晶片以及分别设置在超薄晶片的两个面上的第一金属电极和第二金属电极，其中，所述超薄晶片的厚度为2μm～100μm。

Description

一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法。

背景技术

超薄晶片在一些应用领域有较大的需求，比如热释电红外传感器等。器件的灵敏度和晶片的厚度成反比，一些高灵敏度的传感器需要使用5μm～60μm的超薄钽酸锂晶片；太赫兹领域针对频率的不同，需要使用10μm～60μm的超薄铌酸锂晶片；石英谐振器需要使用10μm～50μm的超薄石英晶片；零级波片根据波段的不同，需要使用9μm～100μm的石英晶片。

在一些应用中，需要在超薄晶片表面镀电极和吸收层等。在半导体晶圆电极的制备中，制备欧姆接触电极是必不可少的工艺，同时也是十分重要的工艺，其工艺的好坏，不仅仅影响半导体器件的性能，还会直接影响器件的可靠性和寿命。半导体晶圆表面的洁净程度决定了欧姆接触的性能。因此，在晶圆表面蒸镀电极之前，需要将晶圆的表面清洗地非常干净。

但是，当晶片减薄到几微米到几十微米的厚度之后，晶片的机械强度会大大降低，并且由于在后续的清洗、蒸镀电极等工艺过程中都需要对晶片进行转移或者需要对晶圆表面施加机械作用力，晶片非常容易发生碎裂，从而导致成品率低。为此，需要一些价格昂贵的设备来解决这些问题，所以通常很少直接采用厚度小于100μm的晶圆进行加工。

发明内容

本发明提供了一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法。根据本发明提供的制备方法可以制备一种双面镜面抛光并有镀金属电极(还可以镀有红外吸收层)、厚度为2μm～100μm的超薄自支持或自分离小晶片的晶圆电极结构，不仅能有效解决晶圆破碎问题，并且制备的晶片具备大尺寸、厚度均匀性好等特点。

根据本发明的双面带电极的超薄晶片不需要背膜或其它支撑结构，金属电极与超薄晶片之间的接触为欧姆接触或肖特基接触，并且可以通过工艺进行调节。

根据本发明的实施例，一种双面带电极的超薄晶片可以包括超薄晶片以及分别设置在超薄晶片的两个面上的第一金属电极和第二金属电极，其中，所述超薄晶片的厚度可以为2μm～100μm。

根据本发明的实施例，所述超薄晶片的厚度可以为10μm～20μm，所述超薄晶片的所述两个面的表面粗糙度Ra<0.5nm，晶片翘曲度小于30μm。

根据本发明的实施例，所述超薄晶片可以是钽酸锂晶片、铌酸锂晶片、石英晶片、碳化硅晶片或蓝宝石晶片等。

根据本发明的实施例，第一金属电极和第二金属电极的材料可以分别包括Au、Al、Cr、Pt及其合金中的一种，第一金属电极和第二金属电极的厚度可以分别为5nm～200nm。

根据本发明的实施例，当第一金属电极和第二金属电极中的至少一个金属电极是由Au或Pt制备时，所述至少一个金属电极可以具有粘附层/金属层/粘附层的三层结构，其中，粘附层可以是Cr层或Ti层。

根据本发明的实施例，所述双面带电极的超薄晶片还可以包括形成在第一金属电极或第二金属电极上的红外吸收层，所述红外吸收层可以是炭黑或金黑。

根据本发明的实施例，第一金属电极和第二金属电极与所述超薄晶片之间的接触可以是欧姆接触或肖特基接触，并且可以通过工艺进行调整。

根据本发明的实施例，一种制备双面带电极的超薄晶片的方法可以包括以下步骤：准备目标晶圆；在目标晶圆的一个表面上形成第一金属电极；在第一金属电极上形成二氧化硅层；准备衬底晶圆；将衬底晶圆与目标晶圆上的二氧化硅层键合，以形成键合体；将键合体中的目标晶圆的厚度减薄至目标厚度；在键合体中的目标晶圆的另一表面上形成第二金属电极；去除二氧化硅层和衬底晶圆，以形成双面带电极的超薄晶片，其中，所述目标厚度可以为2μm～100μm。

根据本发明的实施例，所述方法还可以包括：在键合体中的目标晶圆的另一表面上形成第二金属电极之后，在第二金属电极上形成红外吸收层。根据本发明的实施例，可以通过蒸镀来执行形成第一金属电极、形成第二金属电极和形成红外吸收层的步骤。

根据本发明的实施例，所述目标晶圆可以为钽酸锂晶圆、铌酸锂晶圆、石英晶圆、碳化硅晶圆或蓝宝石晶圆等，所述衬底晶圆可以为硅晶圆。根据本发明的实施例，第一金属电极和第二金属电极可以分别包括Au、Al、Pt、Cr及其合金中的一种，第一金属电极和第二金属电极的厚度均可以为5nm～200nm。

附图说明

通过下面结合附图进行详细描述，本发明的上述和其它目的和特点将会变得更加清楚，其中：

图1是示出根据本发明的实施例的制备双面带电极的超薄晶片的方法步骤图；

图2至图7是示出根据本发明的实施例的制备双面带电极的超薄晶片的方法的剖面示意图。

在图2至图7中，W1为目标晶圆，M1为第一金属电极，S1为二氧化硅层，W2为衬底晶圆，M2为第二金属电极，A1为红外吸收层。

具体实施方式

现在，将详细地参考本发明的实施例和方法，这些实施例和方法构成了发明人目前已知的实践本发明的最佳方式。附图不一定按照比例绘出。然而，需要理解的是，所公开的实施例仅是可以以各种替换形式实施的该发明的举例说明。因此，这里公开的具体细节不应被理解为限制，仅是针对该发明的任何方面的代表性基础和/或用于教导本领域技术人员以各种形式应用本发明的代表性基础。

在这里参照作为理想化示例性实施例(及中间结构)的示意图的剖视图描述示例性实施例。如此，预期到例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状变化。因此，示例性实施例不应该被理解为受限于在这里所示的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。在附图中所示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的真实形状且不意图限制示例性实施例的范围。

根据本发明的实施例，一种双面带电极的超薄晶片自上而下可以包括第一金属电极(例如，参照图7中的M1)、单晶晶片层(例如，参照图7中的W1)和第二金属电极(例如，参照图7中的M2)。根据本发明的实施例，双面带电极的超薄晶片还可以包括位于第一金属电极或第二金属电极上的红外吸收层(例如，参照图7中的A1)。虽然图7示出了红外吸收层A1形成在第二金属电极M2上，但是根据本发明的实施例的红外吸收层A1也可以形成在第一金属电极M1上。

根据本发明的实施例，在所述双面带电极的超薄晶片中，单晶晶片层可以是厚度为2μm～100μm的超薄晶片。例如，根据本发明的实施例，单晶晶片层可以是厚度为5μm～100μm、5μm～10μm、10μm～20μm、10μm～50μm或者20μm～80μm等的超薄晶片。优选地，单晶晶片层可以是厚度为10μm～20μm的超薄晶片。根据本发明的实施例，所述单晶晶片层的双面抛光表面的表面粗糙度Ra<0.5nm，所述单晶晶片层的晶片翘曲度小于30μm。根据本发明的实施例，单晶晶片层可以是钽酸锂晶片、铌酸锂晶片、石英晶片、碳化硅晶片或蓝宝石晶片等，然而本发明不限于此。

根据本发明的实施例，第一金属电极与单晶晶片以及单晶晶片与第二金属电极直接接触，从而其间没有任何有机物、非晶物或其它杂质污染。根据本发明的实施例，第一金属电极与单晶晶片以及单晶晶片与第二金属电极之间的接触可以是欧姆接触或肖特基接触，并且可以通过工艺来调节。

根据本发明的实施例，第一金属电极和/或第二金属电极可以包括Au、Pt、Al、Cr等单质金属，或者也可以采用它们的合金。根据本发明的实施例，当第一金属电极和/或第二金属电极的材料为Au或Pt时，需要添加Cr或Ti作为粘附层，从而第一金属电极和/或第二金属电极可以具有粘附层/金属层/粘附层的三层结构。例如，第一金属电极和/或第二金属电极可以具有Cr/Au/Cr、Ti/Au/Ti、Cr/Pt/Cr或Ti/Pt/Ti的三层结构。第一金属电极或第二金属电极的厚度可以为5nm～200nm。

下面将结合附图详细地描述根据本发明的实施例的制备双面带电极的超薄晶片的方法。

图1示出了根据本发明的实施例的制备双面带电极的超薄晶片的方法步骤图。图2至图7示出了根据本发明的实施例的制备双面带电极的超薄晶片的方法的剖面示意图。下面将参照图1至图7详细地描述根据本发明的实施例的制备双面带电极的超薄晶片的方法。

如图1所示，根据本发明的实施例制备双面带电极的超薄晶片的方法可以包括步骤S100至S800。首先，准备目标晶圆(步骤S100)。接着，在目标晶圆的一个表面上形成第一金属电极(步骤S200)。接着，在第一金属电极上形成二氧化硅层(步骤S300)。然后，准备衬底晶圆(步骤S400)。接着，将衬底晶圆与目标晶圆上的二氧化硅层键合，以形成键合体(步骤S500)。接下来，将键合体中的目标晶圆的厚度减薄至目标厚度(步骤S600)。接着，在键合体中的目标晶圆的另一表面上形成第二金属电极(步骤S700)。最后，去除二氧化硅层和衬底晶圆，以形成带电极结构的超薄晶片(步骤S800)。

具体地，参照图2，准备目标晶圆W1，例如，目标晶圆W1可以是钽酸锂晶圆、铌酸锂晶圆、石英晶圆、碳化硅晶圆或蓝宝石晶圆等。目标晶圆W1的尺寸(例如，直径)可以是3英寸～12英寸，目标晶圆W1的厚度可以为0.2mm～2mm，但本发明不限于此。例如，目标晶圆W1的尺寸可以是3英寸～8英寸。然后，对目标晶圆W1的一个表面进行减薄和抛光，将目标晶圆W1的厚度减薄去除10μm～20μm，并且调整目标晶圆W1的面型和总厚度偏差(Total ThicknessVariation，TTV)，使得TTV小于1μm。采用同样的方法对目标晶圆W1的另一表面也进行减薄和抛光并调整目标晶圆W1的面型和TTV，使得TTV小于1μm。然后，对两面均抛光后的目标晶圆W1进行半导体级清洗(例如，RCA清洗)。

根据本发明的实施例，可以将目标晶圆W1的一个面朝下固定在研磨减薄设备的多孔陶瓷吸盘上，对目标晶圆W1的另一面进行减薄，去除10μm～20μm，通过调节研磨设备主轴的倾角，调整目标晶圆W1的厚度均匀性，从而获得具有特定厚度分布的面型目标晶圆W1。根据本发明的实施例，可以对减薄并抛光后的目标晶圆W1进行RCA清洗，可以获得洁净表面，以避免表面污染影响欧姆接触和降低晶圆电极结构的性能。例如，可以对目标晶圆W1进行3次RCA清洗，然而本发明不限于此。

接着，如图2所示，在目标晶圆W1的一个晶圆面上蒸镀第一金属电极M1。根据本发明的实施例，可以将清洗后的目标晶圆W1放置在蒸镀设备中，在目标晶圆W1的一个晶圆面(即，一个已修整TTV的晶圆面或抛光面)上蒸镀第一金属电极M1。用于第一金属电极M1的材料可以包括Au、Al、Cr、Pt及其合金中的一种，第一金属电极M1的厚度可以是5nm～200nm，但本发明不限于此。例如，根据本发明的实施例，第一金属电极M1可以是Al，其厚度为50nm。根据本发明的另一实施例，当第一金属电极M1的材料为Au或Pt时，需要添加Cr或Ti作为粘附层。即，第一金属电极M1可以具有粘附层/金属层/粘附层的三层结构。例如，第一金属电极M1可以具有Cr/Au/Cr、Ti/Au/Ti、Cr/Pt/Cr或Ti/Pt/Ti的三层结构。

然后，如图2所示，在第一金属电极M1的表面上蒸镀二氧化硅层S1。根据本发明的实施例，可以在目标晶圆W1的第一金属电极M1上蒸镀一层二氧化硅层S1，二氧化硅层S1的厚度可以为2μm～10μm，例如，3μm。接着，根据本发明的实施例，可以将目标晶圆W1的二氧化硅层S1进行镜面抛光，并且对目标晶圆W1进行RCA清洗。

接下来，如图3所示，可以准备硅晶圆作为衬底晶圆W2。衬底晶圆W2的大小与上述目标晶圆W1的尺寸相同或相近，衬底晶圆W2的厚度可以为大约0.3mm～1mm，但本发明不限于此。对衬底晶圆W2进行双面研磨和抛光，通过调节研磨设备的主轴的倾角，调整衬底晶圆W2的厚度均匀性，从而获得特定厚度分布的面型的衬底晶圆W2。然后，对衬底晶圆W2进行半导体级清洗(例如RCA清洗)，使得衬底晶圆W2的表面洁净。

然后，如图3所示，将目标晶圆W1的抛光后的二氧化硅层S1与衬底晶圆W2的抛光后的表面在室温下直接键合得到键合体。将衬底晶圆W2与目标晶圆W1键合的主要目的是提高晶圆电极结构(具有蒸镀电极的目标晶圆)的强度，以利于后一步目标晶圆W1的减薄工艺，避免因目标晶圆W1的减薄降低晶圆电极结构的支撑强度而导致电极损坏。键合体是强度提高的晶圆电极结构。

接着，如图4所示，可以对键合体中的目标晶圆W1的另一晶圆面进行减薄和抛光，使得目标晶圆W1的厚度为目标厚度，并且对抛光后的键合体进行半导体级清洗，从而获得表面洁净的键合体。例如，根据本发明的实施例的减薄和抛光后的目标晶圆W1的厚度可以为15μm～25μm。例如，根据本发明的实施例，可以对目标晶圆W1进行研磨处理，将目标晶圆W1的厚度减薄至25μm，然后进行抛光处理，将目标晶圆W1的厚度再去除5μm，从而得到目标晶圆W1的厚度为20μm的晶圆电极结构。

然后，如图5所示，在键合体中的目标晶圆W1的抛光面上蒸镀第二金属电极M2。根据本发明的实施例，可以将键合体放置到蒸镀设备中，在目标晶圆W1的所述抛光面上蒸镀第二金属电极M2。第二金属电极M2的材料可以包括Au、Al、Cr、Pt及其合金中的一种，第二金属电极M2的厚度可以是5nm～200nm，但本发明不限于此。例如，根据本发明的实施例，第二金属电极M2可以是Al，其厚度为50nm。根据本发明的实施例，当第二金属电极M2的材料为Au或Pt时，需要添加Cr或Ti作为粘附层，从而第二金属电极M2可以具有粘附层/金属层/粘附层的三层结构。例如，第二金属层M2可以具有Cr/Au/Cr、Ti/Au/Ti、Cr/Pt/Cr或Ti/Pt/Ti的三层结构。

如图5所示，根据本发明的又一实施例，还可以在第二金属电极M2上丝网印刷或蒸镀一层炭黑或金黑，以形成红外吸收层A1。

最后，可以去除衬底晶圆W2并溶解二氧化硅层S1，以形成带电极结构的超薄晶片。根据本发明的实施例，如图6所示，可以先将键合体中的衬底晶圆W2的背面进行研磨减薄(参见图6)，然后再用腐蚀溶液将减薄后的衬底晶圆W2进行化学腐蚀，以使衬底晶圆W2完全溶解，然后将其放入例如HF的腐蚀溶液中常温腐蚀去掉二氧化硅层S1，最终形成带电极结构的超薄晶片。

根据本发明的又一实施例，还可以先将键合体按照所需尺寸进行切割，并且将切割后的键合体放入专用腐蚀溶液将二氧化硅层S1彻底溶解，以分离目标晶圆W1和衬底晶圆W2(即，去除衬底晶圆W2)，从而获得如图7所示的具有双层电极的目标晶圆W1，即，具有双层电极的带电极结构的超薄晶片。这里，腐蚀液的选择需要对二氧化硅S1具有明显的选择性腐蚀作用，既可以较快地腐蚀二氧化硅层S1以分离衬底晶圆W2而又不腐蚀或非常轻微地腐蚀电极结构。

下面将参照详细地实施例来描述制备双面带电极的超薄晶片的方法。

实施例1

(1)提供一片大小为3英寸且厚度为0.25mm的Z切钽酸锂晶圆作为目标晶圆。在钽酸锂晶圆的一个表面上旋涂强化剂，并旋涂光刻胶，将光刻胶加热固化，即，在钽酸锂晶圆的一个表面上形成一层保护层。将保护层朝下，放置在研磨机的多孔陶瓷吸盘上，调节研磨机的主轴倾角，研磨去除10μm，调节衬底的TTV小于1μm，从而获得中心稍高边缘稍低的面型的钽酸锂晶圆。用丙酮和无水乙醇溶液对研磨后的钽酸锂晶圆进行浸泡，去除有机物保护层。然后采用同样的方法对钽酸锂晶圆的另一表面进行抛光处理，将抛光后的钽酸锂晶圆进行3次RCA清洗，获得表面洁净的钽酸锂晶圆。

(2)将步骤(1)中得到的表面洁净的钽酸锂晶圆置入蒸镀设备中，在钽酸锂晶圆的一个表面上蒸镀50nm厚的金属电极，在该金属电极的表面上再蒸镀一层3μm厚的二氧化硅层，将该二氧化硅层进行抛光处理，然后对钽酸锂晶圆进行半导体RCA清洗，以获得洁净的二氧化硅表面，有利于后续的直接键合工艺。

(3)提供一片大小为3英寸且厚度为0.5mm的单晶硅晶圆作为衬底晶圆，采用与步骤(1)中的方法相同的方法对硅晶圆进行双面镜面抛光，然后进行3次RCA半导体级清洗，获得表面洁净的硅晶圆。将该硅晶圆直接与步骤(2)中的二氧化硅层直接键合，得到强度提高的晶圆电极结构。

(4)对步骤(3)中的晶圆电极结构进行晶圆研磨处理，即，对钽酸锂晶圆的另一个表面进行研磨，使得钽酸锂晶圆的厚度被研磨至25μm，然后进行抛光去除5μm的厚度，得到钽酸锂晶圆的厚度为20μm的电极结构。对该结构3次RCA半导体级清洗后，获得表面洁净的晶圆电极结构。

(5)将步骤(4)获得的晶圆电极结构放置在蒸镀设备中，在该晶圆电极结构中的钽酸锂晶圆的抛光面上蒸镀一层50nm厚度的所需电极，然后再蒸镀一层碳黑，从而完成半导体晶圆电极的制备。

(6)将制备完成后的半导体晶圆电极按照所需尺寸切割后，浸入专用腐蚀溶液进行腐蚀，完全腐蚀溶解二氧化硅层，即获得具有厚度为20μm的钽酸锂晶圆的电极结构。

实施例2

(1)提供一片大小为3英寸且厚度为0.3mm的Z切铌酸锂晶圆作为目标晶圆。将铌酸锂晶圆的表面旋涂强化剂，并旋涂光刻胶，将光刻胶加热固化。在铌酸锂晶圆的一个表面上形成一层保护层，将保护层朝下，放置在研磨机的多孔陶瓷吸盘上，调节研磨机的主轴倾角，研磨去除10μm，调节衬底的TTV小于1μm，从而获得中心稍高边缘稍低的面型的铌酸锂晶圆。用丙酮和无水乙醇溶液对研磨后的铌酸锂晶圆片进行浸泡，去除有机物保护层。然后采用同样的方法对铌酸锂晶圆的另一面进行抛光处理，将抛光后的铌酸锂晶圆进行3次RCA清洗，获得表面洁净的铌酸锂晶圆。

(2)将步骤(1)中得到的表面洁净的铌酸锂晶圆置入蒸镀设备中，在铌酸锂晶圆的一个表面上蒸镀50nm厚的金属电极，在该金属电极的表面上再蒸镀一层3μm厚的二氧化硅层，将该二氧化硅层进行抛光处理，然后对铌酸锂晶圆进行半导体RCA清洗，获得洁净的二氧化硅表面，有利于后续的直接键合工艺。

(3)提供一片大小为3英寸且厚度为0.6mm的单晶硅晶圆作为衬底晶圆，采用步骤(1)中的方法对硅晶圆进行双面镜面抛光，然后进行3次RCA半导体级清洗，获得表面洁净的硅晶圆。将该硅晶圆与步骤(2)中的二氧化硅层直接键合，得到强度提高的晶圆电极结构。

(4)对步骤(3)中的晶圆电极结构进行晶圆研磨处理，即，将晶圆电极结构中的铌酸锂晶圆的另一个表面进行研磨，使得铌酸锂晶圆的厚度被研磨至25μm，然后进行抛光，再去除5μm的厚度，得到铌酸锂晶圆的厚度为20μm的电极结构。对该电极结构3次RCA半导体级清洗后，获得表面洁净的晶圆电极结构。

(5)将步骤(4)获得的晶圆电极结构放置在蒸镀设备中，在该晶圆电极结构中的铌酸锂晶圆的抛光面上蒸镀一层50nm厚度的所需电极，然后再蒸镀一层碳黑，半导体晶圆电极制备完成。

(6)将制备完成后的半导体晶圆电极按照所需尺寸切割后，浸入专用腐蚀溶液进行腐蚀，完全腐蚀溶解二氧化硅层，即获得具有厚度为20μm的铌酸锂晶圆的电极结构。

根据本发明的实施例，可以采用电子束蒸镀、磁控溅射蒸镀或者化学气相沉积等方法来实现金属电极、二氧化硅层或吸收层的蒸镀。

根据本发明，通过利用衬底晶圆，采用直接键合的方式增强晶圆的电极强度，从而能够制得厚度为2μm～100μm的超薄自支持或自分离小片，不仅能有效解决晶圆破碎问题，并且制备的晶圆具备大尺寸、厚度均匀性好等特点。具体地，通过对原始晶圆蒸镀第一金属电极、使其与衬底晶圆直接键合、将原始晶圆减薄抛光并对其蒸镀第二金属电极以及使用化学方法去除衬底晶圆等工艺步骤，增加了金属电极与晶圆之间的粘附力，有效提高了超薄晶圆电极的可靠性。

对于本领域的技术人员将明显的是，可以对发明构思做出各种修改和变化。尽管已经描述了本发明的示例实施例，但是实际的实施例不限于描述的实施例，而是覆盖限定在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种双面带电极的超薄晶片，其特征在于，所述双面带电极的超薄晶片包括超薄晶片以及分别设置在超薄晶片的两个面上的第一金属电极和第二金属电极，其中，所述超薄晶片的厚度为2μm～100μm。

2.根据权利要求1所述的双面带电极的超薄晶片，其特征在于，所述超薄晶片的厚度为10μm～20μm，所述超薄晶片的所述两个面的表面粗糙度Ra<0.5nm，所述超薄晶片的晶片翘曲度小于30μm。

3.根据权利要求1所述的双面带电极的超薄晶片，其特征在于，所述超薄晶片是钽酸锂晶片、铌酸锂晶片、石英晶片、碳化硅晶片或蓝宝石晶片。

4.根据权利要求1所述的双面带电极的超薄晶片，其特征在于，第一金属电极和第二金属电极的材料分别包括Au、Al、Cr、Pt及其合金中的一种，第一金属电极和第二金属电极的厚度分别为5nm～200nm。

5.根据权利要求4所述的双面带电极的超薄晶片，其特征在于，当第一金属电极和第二金属电极中的至少一个金属电极由Au或Pt制备时，所述至少一个金属电极具有粘附层/金属层/粘附层的三层结构，其中，粘附层是Cr层或Ti层。

6.根据权利要求1所述的双面带电极的超薄晶片，其特征在于，所述双面带电极的超薄晶片还包括形成在第一金属电极或第二金属电极上的红外吸收层，所述红外吸收层是炭黑或金黑。

7.根据权利要求1所述的双面带电极的超薄晶片，其特征在于，第一金属电极和第二金属电极与所述超薄晶片之间的接触是欧姆接触或肖特基接触，并且通过工艺进行调节。

8.一种制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

准备目标晶圆；

在目标晶圆的一个表面上形成第一金属电极；

在第一金属电极上形成二氧化硅层；

准备衬底晶圆；

将衬底晶圆与目标晶圆上的二氧化硅层键合，以形成键合体；

将键合体中的目标晶圆的厚度减薄至目标厚度；

在键合体中的目标晶圆的另一表面上形成第二金属电极；

去除二氧化硅层和衬底晶圆，以形成双面带电极的超薄晶片，

其中，所述目标厚度为2μm～100μm。

9.根据权利要求8所述的制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括：在键合体中的目标晶圆的另一表面上形成第二金属电极之后，在第二金属电极上形成红外吸收层，

其中，通过蒸镀来执行形成第一金属电极、形成第二金属电极和形成红外吸收层的步骤。

10.根据权利要求8所述的制备双面带电极的超薄晶片的方法，其特征在于，所述目标晶圆为钽酸锂晶圆、铌酸锂晶圆、石英晶圆、碳化硅晶圆或蓝宝石晶圆，所述衬底晶圆为硅晶圆，

其中，第一金属电极和第二金属电极分别包括Au、Al、Pt、Cr及其合金中的一种，第一金属电极和第二金属电极的厚度均为5nm～200nm。