CN108550554A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 136
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 122
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 163
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 163
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 79
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 566
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000010339 dilation Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示装置。显示面板包括：阵列基板，阵列基板包括封胶区，封胶区为闭合图形；显示器件，位于阵列基板之上；封装胶，位于封胶区，且包围显示器件；封装盖板，位于封装胶远离阵列基板一侧，封装盖板通过封装胶与阵列基板粘结固定，形成一个密闭的容腔；其中，封胶区包括平面部和多个凸出部，平面部包围凸出部。本发明提供的显示面板和显示装置，能够形成气体消散的通路，在激光照射烧结封装胶的工艺中，刻蚀残留物产生的气体能够在封装胶和平面部之间排除，能够避免封装胶与阵列基板之间局部气体膨胀导致封装胶爆开，从而保证了封装品质，提高性能可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
现有的显示装置技术中，显示面板主要分为液晶显示面板和有机自发光显示面板两种主流的技术。其中，液晶显示面板通过在液晶分子两端施加电压，形成能够控制液晶分子偏转的电场，进而控制光线的透过实现显示面板的显示功能；有机自发光显示面板采用有机电致发光材料，当有电流通过有机电致发光材料时，发光材料就会发光，进而实现了显示面板的显示功能。
有机自发光显示面板由于能够实现自发光，不需要背光源，因此有利于显示装置的轻薄化，同时还具有广视角、低功耗等优点，成为各大厂商争相研究的重点。显示面板制作时通常需要对有机发光器件进行封装。现有技术中包括薄膜封装和刚性封装两种技术，适用于不同的显示面板的设计需求。而显示面板制作时如果封装效果不好，则会导致有机发光器件受到水氧的侵害而影响显示面板使用寿命，降低显示面板使用性能。
因此，提供一种显示面板和显示装置，保证显示面板的封装效果，提高性能可靠性是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板和显示装置，解决了保证显示面板的封装效果，提高性能可靠性的技术问题。
为了解决上述技术问题，一方面，本发明提出一种显示面板，包括：
阵列基板，阵列基板包括封胶区，封胶区为闭合图形；
显示器件，位于阵列基板之上；
封装胶，位于封胶区，且包围显示器件；
封装盖板，位于封装胶远离阵列基板一侧，封装盖板通过封装胶与阵列基板粘结固定，形成一个密闭的容腔；其中，
封胶区包括平面部和多个凸出部，平面部包围凸出部。
进一步地，为了解决上述技术问题，本发明还提供一种显示装置，包括本发明提出的任意一种显示面板。
与现有技术相比，本发明的显示面板和显示装置，实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板中，在阵列基板的封胶区包括平面部和多个凸出部，在封胶区上方设置封装胶，通过激光照射烧结封装胶保证阵列基板与封装盖板之间的粘结，封胶区的凸出部能够增加封装胶与阵列基板表面的接触面积，增加了封胶区表面的粗糙度，相当于凸出部嵌入封装胶内保证了粘结性能。同时，与相关技术中封胶区具有的凹槽结构相比，不会有刻蚀残留留在凹槽内部，本发明中在制作工艺中产生的残留物会存在与凸出部或者平面部的表面，而各个凸出部之间的平面部都是相连通的，能够形成气体消散的通路，在激光照射烧结封装胶的工艺中，刻蚀残留物产生的气体能够在封装胶和平面部之间排出，能够避免封装胶与阵列基板之间局部气体膨胀导致封装胶爆开，从而保证了封装品质，提高性能可靠性。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为相关技术中显示面板的局部截面示意图；
图2为相关技术中显示面板的封装区截面示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的俯视示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板截面图；
图5为图4中区域Q的局部放大图；
图6为本发明实施例提供的显示面板中封胶区的局部俯视图；
图7为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式膜层结构示意图；
图8为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部截面示意图；
图9为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图10为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图11为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图12为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图13为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图14为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图15为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图16为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图17为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图；
图18为本发明实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
在有机发光显示面板中，为了保证发光器件的使用寿命，避免水氧的侵害，需要对发光器件进行封装。图1为相关技术中显示面板的局部截面示意图。如图1所示，在采用刚性封装的显示面板中，通过封装胶103′将阵列基板101′与盖板102′粘结固定形成一个密闭的腔室，发光器件104′位于腔室内。为了实现刚性封装，在阵列基板101′中与封装胶103′对应的位置需要包括封装金属1011′和无机层1012′，在封装工艺中通过激光照射熔化封装胶103′后，使得封装胶103′与阵列基板101′表层的无机层1012′粘合，而封装金属1011′则在激光照射时作为激光的反射层。为了缓解封装金属1011′在激光照射工艺中的热胀冷缩，通常将封装金属1011′制作出多个开口，然后在封装金属层1011′之上制作无机层1012′，然后再对位于开口内的无机层1012′刻蚀形成多个凹槽，以增大无机层1012′表面的粗糙度，增加无机层1012′与封装胶103′的接触面积，从而增大粘结力。
图2为相关技术中显示面板的封装区截面示意图，如图2所示，在封装金属1011′所在的膜层上具有多个开口K′(图中个数仅是示意性表示)，位于开口K′内的无机层1012′刻蚀后形成多个凹槽C′，其中凹槽C′的底部可以暴露封装金属1011′下方的膜层，或者凹槽C′的底部仍为无机层1012′，在封装工艺中，封装胶103′经激光照射熔化后能够填充凹槽C′从而增大了封装胶103′与无机层1012′的接触面积。发明人认为此种设计存在弊端，在显示面板制作过程中，对无机层1012′刻蚀后形成多个凹槽C′的工艺之后，在无机层1012′之上还有多个膜层的制作工艺，在后序工艺中会导致部分有机层的刻蚀残留或者刻蚀残夜留存在凹槽C′内。在凹槽C′内的刻蚀残留物中包括有机物残留，有机物残留在激光照射烧结封装胶103′工艺中会因高温反应产生气体，气体无法排出，会导致封装胶103′爆开，从而影响封装品质。
针对上述问题，发明人提出一种显示面板和显示装置，保证在激光照射封装胶工艺过程中产生的气体能够顺利的排出，进而保证封装品质，提高性能可靠性。
本发明提供一种显示面板，图3为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的俯视示意图，图4为本发明实施例提供的显示面板截面图，图5为图4中区域Q的局部放大图，6为本发明实施例提供的显示面板中封胶区的局部俯视图。
同时参考图3和图4所示，显示面板包括：阵列基板101，阵列基板101包括封胶区Z，封胶区Z为闭合图形(参考图3所示)；显示器件104，位于阵列基板101之上，图4仅是示意性表示显示器件104所在的膜层位置，显示面板中应当包括多个显示器件104；封装胶103，位于封胶区Z，且包围显示器件104；封装盖板102，位于封装胶103远离阵列基板101一侧，封装盖板102通过封装胶103与阵列基板101粘结固定，形成一个密闭的容腔；同时参考图5和图6所示，封胶区Z包括平面部P和多个凸出部T，平面部P包围凸出部T。由图5的截面图可以看出，在阵列基板的封胶区Z中,凸出部T具有高于平面部P的部分，凸出部T能够在阵列基板的表面形成多个凸出结构。由图6的俯视图可以看出平面部P包围凸出部T。
本发明提供的显示面板中，在阵列基板的封胶区包括平面部和多个凸出部，在封胶区上方设置封装胶，通过激光照射烧结封装胶保证阵列基板与封装盖板之间的粘结，封胶区的凸出部能够增加封装胶与阵列基板表面的接触面积，增加了封胶区表面的粗糙度，相当于凸出部嵌入封装胶内保证了粘结性能。同时，与相关技术中封胶区具有的凹槽结构相比，不会有刻蚀残留留在凹槽内部，本发明中在制作工艺中产生的残留物会存在与凸出部或者平面部的表面，而各个凸出部之间的平面部都是相连通的，能够形成气体消散的通路，在激光照射烧结封装胶的工艺中，刻蚀残留物产生的气体能够在封装胶和平面部之间排出，能够避免封装胶与阵列基板之间局部气体膨胀导致封装胶爆开，从而保证了封装品质，提高性能可靠性。
进一步的，图7为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式膜层结构示意图。如图7所示，显示面板包括多个显示器件104，显示器件104包括位于阵列基板101之上的阳极层1041、发光层1042和阴极层1043，显示器件104可以是光线从顶部出射的结构，或者光线从底部出射的结构，图7中仅以光线从顶部出射的显示器件结构为例。阵列基板101为多膜层堆叠结构，包括多个薄膜晶体管B，薄膜晶体管包括有源层B1、源极B2、漏极B3和栅极B4，图7中仅以顶栅结构的薄膜晶体管进行示例性表示，需要说明的是本发明中薄膜晶体管也可以是底栅结构，阳极1041与薄膜晶体管B的源极B2或者漏极B3电连接，图7中示意性表示阳极1041与薄膜晶体管B的漏极B3电连接的情况。
进一步的，图8为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式局部截面示意图。如图8所示，阵列基板101的封胶区Z包括封装金属层FM和封装绝缘层FJ，封装金属层FM作为激光烧结封装胶103的工艺中的激光反射层，封装绝缘层FJ位于封装金属层FM靠近封装胶103的一侧。图8中附图标号的意义可以参照图4和图5对应的实施例说明。封装胶的制作材料通常包括硅基材料，与无机材料的粘结性能较好。所以在封装金属层上方设置封装绝缘层，封胶胶与封装绝缘层直接接触，保证粘结性能。可选的封装绝缘层的制作材料可以包括SiNx或者SiO2等材料。在激光烧结封装胶工艺中，封装金属层可能会由于热胀冷缩效应产生膨胀收缩的形变而影响封装效果，该实施方式中在平面部设置的封装金属层用于在激光烧结封装胶的工艺中反射激光，可选的，在凸出部不设置封装金属层使得封装金属层在封胶区不是整面设置，而是留出了封装金属层膨胀的空间，能够保证激光烧结封装胶工艺中封装效果。
本发明中阵列基板的封装区包括平面部和凸出部，对于平面部和凸出部的具体膜层结构包括多种情况，本发明的主要构思是通过对阵列基板的膜层结构进行设计，实现阵列基板的封装区的表面具有凸出的结构，从而保证在激光烧结封装胶的工艺中在阵列基板的表面与封装胶之间能够形成气体消散的通路，避免封装胶局部爆开，与本发明属于同一构思的设计均在本发明保护的范围之内，下面仅以几个可选的实施方式对本发明中阵列基板的封胶区的膜层结构进行说明，但本发明不限于下述实施方式。
在一种可选的实施方式中，本发明提供的显示面板中阵列基板包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极(可以参考图7所示)；阵列基板还包括：半导体有源层、第一金属层和第二金属层，其中，薄膜晶体管的有源层位于半导体有源层，薄膜晶体管的栅极位于第一金属层，第二金属层与第一金属层之间形成存储电容；封装金属层位于第二金属层。对于封装金属层位于第二金属层时，封装区的膜层结构还包括多种情况。
可选的，图9为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图9所示，图9仅示出了显示面板中的阵列基板的封胶区，阵列基板101包括：半导体有源层Y、第一金属层M1、第二金属层M2、第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3。凸出部T的膜层结构依次包括：位于半导体有源层Y的第一层TC1、位于第一绝缘层J1的第二层TC2、位于第一金属层M1的第三层TC3、位于第二绝缘层J2的第四层TC4和位于第三绝缘层J3的第五层TC5；平面部P的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第二绝缘层J2的第二层PC2、位于第二金属层M2的第三层PC3和位于第三绝缘层J3的第四层PC4。
该实施方式中，凸出部T包括半导体有源层Y、第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2、和第三绝缘层J3，而平面部P包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第二金属层M2和第三绝缘层J3，阵列基板中的绝缘层通常都是整面设置的，也即在凸出部中第一绝缘层J1的厚度等于平面部中第一绝缘层J1的厚度，凸出部中第二绝缘层J2的厚度等于平面部中第二绝缘层J2的厚度，凸出部中第三绝缘层J3的厚度等于平面部中第三绝缘层J3的厚度，而第一金属层M1的厚度和第二金属层M2的厚度相差不大，可见凸出部T比平面部P高出的厚度H大约为半导体有源层Y的厚度。薄膜晶体管的栅极位于第一金属层M1，则第一绝缘层J1与栅极绝缘层位于同一膜层，在阵列基板的薄膜晶体管膜层结构制作过程中，有时需要对薄膜晶体管的有源层之上的部分栅极绝缘层做进一步的刻蚀，此时可以将位于平面部的第一绝缘层的厚度在此工艺中刻蚀减薄，形成平面部的第一层PC1，即图9中示出的，平面部P中第一绝缘层J1的厚度小于凸出部T中第一绝缘层J1的厚度，能够增大凸出部T和平面部之间的厚度差距。可见凸出部T在封胶区的阵列基板的表面形成了凸出的结构，能够增加封装胶与阵列基板表面的接触面积，增加了封胶区表面的粗糙度，保证粘结性能。同时，而各个凸出部之间的平面部都是相连通的，能够形成气体消散的通路，在激光照射烧结封装胶的工艺中，刻蚀残留物产生的气体能够在封装胶和平面部之间排除，能够避免封装胶与阵列基板之间局部气体膨胀导致封装胶爆开，从而保证了封装品质，提高性能可靠性。
需要说明的是，阵列基板的封胶区还可以包括其他膜层，本发明中关于凸出部和平面部中第一层、第二层等定义仅是为了表明凸出部和平面部中的膜层排列关系以及便于对比凸出部和平面部的厚度差距。
可选的，图9所示的实施方式中，第三绝缘层J3为封装绝缘层。平面部P中的第二金属层M2为封装金属层。该实施方式中，平面部P中封装绝缘层的厚度等于凸出部T中封装绝缘层的厚度。在凸出部和平面部中采用相同的膜层作为封装绝缘层，在阵列基板的封胶区的最外层设置一整层第三绝缘层作为封装绝缘层，工艺简单，同时能够保证凸出部在阵列基板的表面形成高出平面部的凸出的结构，能够形成气体消散的通路。
可选的，图10为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图10所示，阵列基板101包括：半导体有源层Y、第一金属层M1、第二金属层M2、第三金属层M3，薄膜晶体管的源极和漏极位于第三金属层M3，阵列基板还包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3和第四绝缘层J4；凸出部T的膜层结构依次包括：位于半导体有源层Y的第一层TC1、位于第一绝缘层J1的第二层TC2、位于第一金属层M1的第三层TC3、位于第二绝缘层J2的第四层TC4、位于第三绝缘层J3的第五层TC5、位于第三金属层M3的第六层TC6和位于第四绝缘层J4的第七层TC7；平面部P的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第二绝缘层J2的第二层PC2、位于第二金属层M2的第三层PC3和位于第三绝缘层J3的第四层PC4。在凸出部T，第四绝缘层J4为封装绝缘层，在平面部P，第三绝缘层J3为封装绝缘层。
该实施方式中，凸出部包括半导体有源层Y、第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3、第三金属层M3和第四绝缘层J4，平面部包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第二金属层M2和第三绝缘层J3。阵列基板中的绝缘层通常都是整面设置的，凸出部和平面部中位于同一绝缘层的膜层厚度相同，而第一金属层M1的厚度和第二金属层M2的厚度相差不大，此时凸出部比平面部高出的厚度H大约为半导体有源层Y的厚度加上第三金属层M3的厚度再加上第四绝缘层J4的厚度。可选的，平面部P中第一绝缘层J1的厚度可以与图9对应的实施例说明相同在制作时做进一步的刻蚀来减薄第一绝缘层J1的厚度，以增大平面部P与凸出部T之间的厚度差距。。可见凸出部在阵列基板的封胶区的表面形成了凸出的结构，能够增加封装胶与阵列基板表面的接触面积，增加了封胶区表面的粗糙度，保证了粘结性能。同时，而各个凸出部之间的平面部都是相连通的，能够形成气体消散的通路避免封装胶与阵列基板之间局部气体膨胀导致封装胶爆开。
可选的，图11为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图11所示，阵列基板101包括：半导体有源层Y、第一金属层M1、第二金属层M2、第三金属层，薄膜晶体管的源极和漏极位于第三金属层，阵列基板还包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3和第四绝缘层J4；凸出部的膜层结构依次包括：位于半导体有源层Y的第一层TC1、位于第一绝缘层J1的第二层TC2、位于第一金属层M1的第三层TC3、位于第二绝缘层J2的第四层TC4、位于第三绝缘层J3的第五层TC5、位于第三金属层M3的第六层TC6和位于第四绝缘层J4的第七层TC7；平面部P的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第二绝缘层J2的第二层PC2、位于第二金属层M2的第三层PC3、位于第三绝缘层J3的第四层PC4和位于第四绝缘层J4的第五层PC5；其中，第四绝缘层J4为封装绝缘层。
该实施方式中，凸出部包括半导体有源层Y、第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3、第三金属层M3和第四绝缘层J4，平面部包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第二金属层M2、第三绝缘层J3和第四绝缘层J4。阵列基板中的绝缘层通常都是整面设置的，凸出部和平面部中位于同一绝缘层的膜层厚度相同，而第一金属层M1的厚度和第二金属层M2的厚度相差不大，此时凸出部比平面部高出的厚度H大约为半导体有源层Y的厚度加上第三金属层M3的厚度。可选的，平面部P中第一绝缘层J1的厚度可以与图9对应的实施例说明相同在制作时做进一步的刻蚀来减薄第一绝缘层J1的厚度，以增大平面部P与凸出部T之间的厚度差距。。凸出部在阵列基板的封胶区的表面形成了凸出的结构，能够增加封装胶与阵列基板表面的接触面积，增加了封胶区表面的粗糙度，增强了粘结性能。同时，而各个凸出部之间的平面部都是相连通的，能够形成气体消散的通路避免封装胶与阵列基板之间局部气体膨胀导致封装胶爆开。另外该实施方式中，凸出部中封装绝缘层的厚度等于平面部中封装绝缘层的厚度，无须对凸出部和平面部的封装绝缘层进行差异设置，在封胶区设置第四绝缘层为封装绝缘层，减少了对第四绝缘层的刻蚀工艺，制程简单。
可选的，图12为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图12所示，阵列基板101还包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3和第四绝缘层J4，阵列基板101还包括第三金属层M3，薄膜晶体管的源极和漏极位于第三金属层M3；凸出部T的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层TC1、位于第二绝缘层J2的第二层TC2、位于第三绝缘层J3的第三层TC3、位于第三金属层M3的第四层TC4和位于第四绝缘层J4的第五层TC5；平面部P的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第二绝缘层J2的第二层PC2、位于第二金属层M2的第三层PC3、位于第三绝缘层J3的第四层PC4；在凸出部T，第四绝缘层J4为封装绝缘层，在平面部P，第三绝缘层J3为封装绝缘层。
该实施方式中，凸出部T包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3、第三金属层M3和第四绝缘层J4，平面部P包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第二金属层M2和第三绝缘层J3，阵列基板中的绝缘层通常都是整面设置的，凸出部和平面部中位于同一绝缘层的膜层厚度相同，则凸出部T高出平面部P的部分的高度H大约为第三金属层M3的厚度加上第四绝缘层J4的厚度减去第二金属层M2厚度。可见凸出部T在阵列基板的封胶区的表面形成了凸出的结构。另外，该实施方式中在凸出部，第四绝缘层为封装绝缘层，在平面部，第三绝缘层为封装绝缘层。阵列基板在制作时，在平面部中第三绝缘层以后制作的膜层均被刻蚀掉，以保证平面部中第三绝缘层作为封装绝缘层，第二金属层作为封装金属层。
可选的，在平面部中也可以还包括位于第四绝缘层的第五层，此时在平面部中和凸出部中外表面的膜层均是第四绝缘层，第四绝缘层作为封装绝缘层与封装胶直接接触粘结，也即凸出部中封装绝缘层的厚度等于平面部中封装绝缘层的厚度。阵列基板制作时，不需要对封胶区凸出部和平面部的表面进行差异性处理，简化了工艺。
在另一种可选的实施方式中，本发明提供的显示面板中阵列基板包括多个薄膜晶体管；阵列基板包括半导体有源层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，薄膜晶体管的有源层位于半导体有源层，薄膜晶体管的栅极位于第一金属层，第二金属层与第一金属层之间形成存储电容，薄膜晶体管的源极和漏极位于第三金属层；其中，封装金属层位于第一金属层。对于封装金属层位于第一金属层时，封装区的膜层结构还包括多种情况。
可选的，图13为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图13所示，仅示出了封胶区的部分结构，阵列基板101还包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2和第三绝缘层J3；凸出部T的膜层结构依次包括:位于半导体有源层Y的第一层TC1、位于第一绝缘层J1的第二层TC2、位于第一金属层M1的第三层TC3、位于第二绝缘层J2的第四层TC4、位于第三金属层M3的第五层TC5和位于第三绝缘层J3的第六层TC6；平面部P的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第一金属层M1的第二层PC2、位于第二绝缘层J2的第三层PC3；在凸出部T，第三绝缘层J3为封装绝缘层，在平面部P，第二绝缘层J2为封装绝缘层。
该实施方式中，凸出部T包括半导体有源层Y、第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2、第三金属层M3和第三绝缘层J3，平面部P包括第一绝缘层J1、第一金属层M1和第二绝缘层J2，则凸出部T高出平面部P的部分的高度H约为半导体有源层Y的厚度加上第三金属层M3的厚度再加上第三绝缘层J3的厚度。可选的，平面部P中第一绝缘层J1的厚度可以与图9对应的实施例说明相同，在制作时做进一步的刻蚀来减薄第一绝缘层J1的厚度，以增大平面部P与凸出部T之间的厚度差距。可见凸出部T在阵列基板的封胶区的表面形成了凸出的结构。另外，该实施方式中在凸出部，第三绝缘层为封装绝缘层，在平面部，第二绝缘层为封装绝缘层。阵列基板在制作时，在平面部中第二绝缘层以后制作的膜层均被刻蚀掉，以保证平面部中第二绝缘层作为封装绝缘层，第一金属层作为封装金属层。
可选的，图13所示的实施方式中，平面部P中第一金属层M1为封装金属层，在封胶区中第一金属层为一整层，可以在平面部P的第一金属层中设置图13中所示的多个开口K，开口K可以位于平面部P或者也可以位于凸出部T，或者在平面部P和凸出部T中都设置开口K，图13中开口K仅是示意性表示，本发明实施例不限定开口K的数量和大小。该实施方式开口K的设置预留出封装金属层在激光烧结工艺中热胀冷缩的空间，避免封装金属层产生膨胀收缩的形变而影响封装效果。
可选的，上述实施方式中，也可以在凸出部中不设置第一金属层，保证平面部P中作为封装金属层的第一金属层M1在封胶区内不是整层设置，从而预留出封装金属层在激光烧结工艺中热胀冷缩的空间。
可选的，图14为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图14所示，阵列基板还包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2和第三绝缘层J3；凸出部T的膜层结构依次包括:位于半导体有源层Y的第一层TC1、位于第一绝缘层J1的第二层TC2、位于第一金属层M1的第三层TC3、位于第二绝缘层J2的第四层TC4、位于第三金属层M3的第五层TC5和位于第三绝缘层J3的第六层TC6；平面部P的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第一金属层M1的第二层PC2、位于第二绝缘层J2的第三层PC3和位于第三绝缘层J3的第四层PC4；第三绝缘层J3为封装绝缘层。
该实施方式中，凸出部T包括半导体有源层Y、第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2、第三金属层M3和第三绝缘层J3，平面部P包括第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2和第三绝缘层J3，则凸出部T高出平面部P的部分的高度H约为半导体有源层Y的厚度加上第三金属层M3的厚度。可选的，平面部P中第一绝缘层J1的厚度可以与图9对应的实施例说明相同，在制作时做进一步的刻蚀来减薄第一绝缘层J1的厚度，以增大平面部P与凸出部T之间的厚度差距。可见凸出部T在阵列基板的封胶区的表面形成了凸出的结构。另外，该实施方式中，在平面部中和凸出部中外表面的膜层均是第三绝缘层，第三绝缘层作为封装绝缘层与封装胶直接接触粘结，也即凸出部中封装绝缘层的厚度等于平面部中封装绝缘层的厚度。阵列基板制作时，不需要对封胶区凸出部和平面部的表面进行差异性处理，简化了工艺。可选的，图14所示的实施方式中，平面部P中第一金属层M1为封装金属层，在封胶区中第一金属层M1为一整层，可以在平面部P的第一金属层M1中设置如图14所示的多个开口K，开口K可以位于平面部P或者也可以位于凸出部T，或者在平面部P和凸出部T中都设置开口K，图14中开口K仅是示意性表示，本发明实施例不限定开口K的数量和大小。该实施方式能够预留出封装金属层在激光烧结工艺中热胀冷缩的空间，避免封装金属层产生膨胀收缩的形变而影响封装效果。
可选的，上述实施方式中，也可以在凸出部中不设置第一金属层，保证平面部P中作为封装金属层的第一金属层M1在封胶区内不是整层设置，从而预留出封装金属层在激光烧结工艺中热胀冷缩的空间。
可选的，图15为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图15所示，阵列基板还包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3和第四绝缘层J4；凸出部T的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层TC1、位于第二绝缘层J2的第二层TC2、位于第三绝缘层J3的第三层TC3、位于第三金属层M3的第四层TC4和位于第四绝缘层J4的第五层TC5；平面部P的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第一金属层M1的第二层PC2、位于第二绝缘层J2的第三层PC3、位于第三绝缘层J3的第四层PC4；在凸出部T，第四绝缘层J4为封装绝缘层，在平面部P，第三绝缘层J3为封装绝缘层。
该实施方式中，凸出部T包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3、第三金属层M3和第四绝缘层J4，平面部包括第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2和第三绝缘层J3，则凸出部T高出平面部P的部分的高度H约为第三金属层M3的厚度加上第四绝缘层J4的厚度减去第一金属层M1的厚度。可见凸出部T在阵列基板的封胶区的表面形成了凸出的结构。另外，该实施方式中在凸出部，第四绝缘层为封装绝缘层，在平面部，第三绝缘层为封装绝缘层。阵列基板在制作时，在平面部中第三绝缘层以后制作的膜层均被刻蚀掉，以保证平面部中第三绝缘层作为封装绝缘层，第一金属层作为封装金属层。
可选的，图16为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图16所示，阵列基板还包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3和第四绝缘层J4；凸出部T的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层TC1、位于第二绝缘层J2的第二层TC2、位于第三绝缘层J3的第三层TC3、位于第三金属层M3的第四层TC4和位于第四绝缘层J4的第五层TC5；平面部的膜层结构依次包括：位于第一绝缘层J1的第一层PC1、位于第一金属层M1的第二层PC2、位于第二绝缘层J2的第三层PC3、位于第三绝缘层J3的第四层PC4和位于第四绝缘层J4的第五层PC5；第四绝缘层J4为封装绝缘层。
该实施方式中，凸出部T包括第一绝缘层J1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3、第三金属层M3和第四绝缘层J4，平面部P包括第一绝缘层J1、第一金属层M1、第二绝缘层J2、第三绝缘层J3和第四绝缘层J4，则凸出部T高出平面部P的部分的高度H约为第三金属层M3的厚度减去第一金属层M1的厚度。可见凸出部T在阵列基板的封胶区的表面形成了凸出的结构。另外，该实施方式中，在平面部中和凸出部中外表面的膜层均是第四绝缘层，第四绝缘层作为封装绝缘层与封装胶直接接触粘结，也即凸出部中封装绝缘层的厚度等于平面部中封装绝缘层的厚度。阵列基板制作时，不需要对封胶区凸出部和平面部的表面进行差异性处理，简化了工艺。
图17为本发明实施例提供的显示面板中阵列基板的另一种可选实施方式膜层结构图。如图17所示，在凸出部T中封装绝缘层FJ的厚度d1大于平面部P中封装绝缘层FJ的厚度d2，图中仅示出了阵列基板中的封装绝缘层FJ，在阵列基板制作时，可以首先在封胶区的表面铺设一层比较厚的绝缘膜层，然后对绝缘膜层的不同区域进行不同程度的刻蚀，以实现在封胶区的表面形成多个凸出的结构，凸出结构对应的位置即为凸出部，其余平面位置为平面部。可选的，该实施提供的显示面板中阵列基板的封装绝缘层与衬底基板之间的膜层结构也可以参照本发明上述实施例中任意一种进行设计。
本发明还提供一种显示装置，图18为本发明实施例提供的显示装置示意图，包括本发明任意实施例提供的显示面板。本发明实施例提供的显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、手机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等。
通过上述实施例可知，本发明的显示面板和显示装置，达到了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板中，在阵列基板的封胶区包括平面部和多个凸出部，在封胶区上方设置封装胶，通过激光照射烧结封装胶保证阵列基板与封装盖板之间的粘结，封胶区的凸出部能够增加封装胶与阵列基板表面的接触面积，增加了封胶区表面的粗糙度，相当于凸出部嵌入封装胶内保证了粘结性能。同时，与相关技术中封胶区具有的凹槽结构相比，不会有刻蚀残留留在凹槽内部，本发明中刻蚀残留物会存在与凸出部或者平面部的表面，而各个凸出部之间的平面部都是相连通的，能够形成气体消散的通路，在激光照射烧结封装胶的工艺中，刻蚀残留物产生的气体能够在封装胶和平面部之间排出，能够避免封装胶与阵列基板之间局部气体膨胀导致封装胶爆开，从而保证了封装品质，提高性能可靠性。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (14)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括封胶区，所述封胶区为闭合图形；
显示器件，位于所述阵列基板之上；
封装胶，位于所述封胶区，且包围所述显示器件；
封装盖板，位于所述封装胶远离所述阵列基板一侧，所述封装盖板通过所述封装胶与所述阵列基板粘结固定，形成一个密闭的容腔；其中，
所述封胶区包括平面部和多个凸出部，所述平面部包围所述凸出部。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述封胶区包括封装金属层和封装绝缘层，所述封装金属层作为激光烧结所述封装胶的工艺中的激光反射层，所述封装绝缘层位于所述封装金属层靠近所述封装胶的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板包括多个薄膜晶体管；
所述阵列基板还包括：半导体有源层、第一金属层和第二金属层，所述薄膜晶体管的有源层位于所述半导体有源层，所述薄膜晶体管的栅极位于所述第一金属层，所述第二金属层与所述第一金属层之间形成存储电容；
所述封装金属层位于所述第二金属层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层，
所述凸出部的膜层结构依次包括：位于所述半导体有源层的第一层、位于所述第一绝缘层的第二层、位于所述第一金属层的第三层、位于所述第二绝缘层的第四层和位于所述第三绝缘层的第五层；
所述平面部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第二绝缘层的第二层、位于所述第二金属层的第三层和位于所述第三绝缘层的第四层。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第三绝缘层为所述封装绝缘层。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括第三金属层，所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第三金属层，所述阵列基板还包括第四绝缘层；
所述凸出部的膜层结构还包括：位于所述第三金属层的第六层和位于所述第四绝缘层的第七层，在所述凸出部，所述第四绝缘层为所述封装绝缘层，在所述平面部，所述第三绝缘层为所述封装绝缘层；或者，
所述凸出部的膜层结构还包括：位于所述第三金属层的第六层和位于所述第四绝缘层的第七层，所述平面部的膜层结构还包括位于所述第四绝缘层的第五层，所述第四绝缘层为所述封装绝缘层。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述阵列基板还包括第三金属层，所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第三金属层；
所述凸出部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第二绝缘层的第二层、位于所述第三绝缘层的第三层、位于所述第三金属层的第四层和位于所述第四绝缘层的第五层；
所述平面部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第二绝缘层的第二层、位于所述第二金属层的第三层、位于所述第三绝缘层的第四层；
在所述凸出部，所述第四绝缘层为所述封装绝缘层，在所述平面部，所述第三绝缘层为所述封装绝缘层。
8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板包括多个薄膜晶体管；
所述阵列基板包括半导体有源层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述薄膜晶体管的有源层位于所述半导体有源层，所述薄膜晶体管的栅极位于所述第一金属层，所述第二金属层与所述第一金属层之间形成存储电容，所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述第三金属层；其中，
所述封装金属层位于所述第一金属层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；
所述凸出部的膜层结构依次包括:位于所述半导体有源层的第一层、位于所述第一绝缘层的第二层、位于所述第一金属层的第三层、位于所述第二绝缘层的第四层、位于所述第三金属层的第五层和位于所述第三绝缘层的第六层；
所述平面部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第一金属层的第二层、位于所述第二绝缘层的第三层；在所述凸出部，所述第三绝缘层为所述封装绝缘层，在所述平面部，所述第二绝缘层为所述封装绝缘层；或者，
所述平面部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第一金属层的第二层、位于所述第二绝缘层的第三层和位于所述第三绝缘层的第四层；所述第三绝缘层为所述封装绝缘层。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层；
所述凸出部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第二绝缘层的第二层、位于所述第三绝缘层的第三层、位于所述第三金属层的第四层和位于所述第四绝缘层的第五层；
所述平面部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第一金属层的第二层、位于所述第二绝缘层的第三层、位于所述第三绝缘层的第四层；在所述凸出部，所述第四绝缘层为所述封装绝缘层，在所述平面部，所述第三绝缘层为所述封装绝缘层；或者，
所述平面部的膜层结构依次包括：位于所述第一绝缘层的第一层、位于所述第一金属层的第二层、位于所述第二绝缘层的第三层、位于所述第三绝缘层的第四层和位于所述第四绝缘层的第五层；所述第四绝缘层为所述封装绝缘层。
11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
在所述凸出部中所述封装绝缘层的厚度大于所述平面部中所述封装绝缘层的厚度。
12.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述凸出部中所述封装绝缘层的厚度等于所述平面部中所述封装绝缘层的厚度。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示器件包括位于所述阵列基板之上的阳极层、位于所述阳极层之上的发光层和位于所述发光层之上的阴极层。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至13任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810379640.6A CN108550554B (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201810379640.6A CN108550554B (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 显示面板和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108550554A true CN108550554A (zh) | 2018-09-18 |
| CN108550554B CN108550554B (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=63512557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810379640.6A Active CN108550554B (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108550554B (zh) |
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|---|---|
| CN108550554B (zh) | 2020-10-16 |
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