CN108517500A - 一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法 - Google Patents

一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108517500A
CN108517500A CN201810264987.6A CN201810264987A CN108517500A CN 108517500 A CN108517500 A CN 108517500A CN 201810264987 A CN201810264987 A CN 201810264987A CN 108517500 A CN108517500 A CN 108517500A
Authority
CN
China
Prior art keywords
srtio
layer
transparent electroconductive
preparation
sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810264987.6A
Other languages
English (en)
Inventor
于仕辉
赵乐
刘荣闯
李玲霞
孙永涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201810264987.6A priority Critical patent/CN108517500A/zh
Publication of CN108517500A publication Critical patent/CN108517500A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/088—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or Pb and B representing a refractory or rare earth metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，先将ST即SrTiO3靶材和Ag靶材及衬底装入磁控溅射腔体内；系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，靶材与衬底的距离为40～120mm，溅射功率为30～180W，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm；再溅射Ag薄膜层，其厚度为3～20nm；再沉积得到SrTiO3薄膜层，厚度为10～200nm，制得ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。本发明利用磁控溅射技术制备的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜，性能优良，成本低廉，适合工业化生产。

Description

一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法
技术领域
本发明属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，尤其涉及一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜及其制备方法。
背景技术
透明导电薄膜在光电池和液晶显示等多方面的应用日益受到人们的重视。在氧化锡和氧化铟锡(ITO)薄膜的研究取得成功并获得工业化应用之后，提高薄膜透光率和降低电阻率仍然是继续不断向“极限”挑战的目标。特别是随着高速光电子器件的发展，传统的透明导电薄膜材料的性能已经不能满足应用要求，继续开发一种新型高性能的透明导电薄膜替换氧化锡和氧化铟锡(ITO)薄膜。
SrTiO3(ST)是一种具有钙钛矿结构的宽带隙(～3.7eV)半导体材料，化学稳定性和热稳定性好，在电化学、电阻开关、半导体晶体管方面有着重要的应用.并且ST中不含有稀有元素，价格便宜，易于制备.此外，在常被用来作为中间金属层的材料中，金属Ag 相对于Au具有低的电阻率和成本，相对于Cu具有更好的化学稳定性，是作为金属层的最佳选择.因此本发明中选用Ag作为导电金属层设计并制备ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。
发明内容
本发明的目的，在于克服现有技术中的不足，利用磁控溅射沉积技术，提供一种成本低廉而性能优良的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜及其制备方法。
本发明通过如下技术反感方案予以实现。
一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，具有如下步骤：
(1)将ST即SrTiO3靶材和Ag靶材装入磁控溅射腔体内；
(2)先后用无水乙醇和去离子水超声清洗衬底30分钟，并用氮气吹干，放入磁控溅射腔体中；所述衬底为石英、玻璃、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸或者聚萘二甲酸乙二醇酯的透明衬底；
(3)再将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，靶材与衬底的距离为40～120mm，溅射功率为30～180W，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm；
(4)步骤(3)完成后，开始溅射Ag薄膜层，将真空度抽至3.0×10-4Pa，然后通入0.3～15Pa的氩气，靶材与衬底的距离为4-12cm，溅射功率20～200W，沉积得到Ag薄膜层，Ag薄膜层的厚度为3～20nm；
(5)步骤(4)完成后，重复步骤(3)，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，溅射功率为30～180W，靶材与衬底的距离为4-12cm，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm，制得ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(1)的SrTiO3和Ag靶材可以为任意市售或者按常规方法自制靶材，SrTiO3靶材中SrTiO3的纯度为98-99.999％，Ag靶材中Ag的纯度为99-99.9999％。
所述步骤(2)的氮气纯度为99.99％。
所述步骤(3)、(4)或(5)的O2气和Ar气的纯度在99.99％以上。
所述步骤(3)、(4)或(5)的薄膜层的厚度通过调节制备工艺参数或沉积时间来控制。
所述步骤(3)、步骤(5)的SrTiO3薄膜层的厚度为20～60nm。
所述步骤(4)的Ag薄膜层厚度为7～13nm。
本发明利用磁控溅射技术制备的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜，性能优良，成本低廉，适合工业化生产。
附图说明
图1为实施例1的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的光学透过性能(紫外-可见光谱) 图谱。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步阐述本发明，应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。
实施例1
(1)将ST即SrTiO3靶材(纯度99.99％)与Ag靶(纯度99.99％)一起装入磁控溅射真空腔体内。
(2)然后，先后用无水乙醇和去离子水超声清洗聚碳酸酯衬底30分钟，并用高纯氮气(99.99％)吹干，放入磁控溅射腔体中。
(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-4Pa，通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:15，压强调节为1.0Pa，固定靶和衬底的距离为12cm，溅射功率为100W，进行沉积得到30nm厚的SrTiO3薄膜。
(4)步骤3结束后，将真空度再次抽至3.0×10-4Pa，然后通入1Pa的纯氩气(99.99％)，在50W的功率下对Ag层进行溅射，进行沉积得到11nm厚的Ag薄膜。
(5)步骤4结束后，重复步骤3，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-4Pa，通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:15，压强调节为1.0Pa，固定靶和衬底的距离为12cm，溅射功率为100W，进行沉积得到30nm厚的SrTiO3薄膜，制得 ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。
图1为实施例1制备在聚碳酸酯衬底上ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的光学透过性能(紫外-可见光谱)图谱，可见在可见光范围内(380nm-780nm)的平均光学透过率达82％。
实施例1得到的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的方块电阻为9.2Ω/□。
实施例2
(1)将SrTiO3靶材(纯度99.99％)与定做的Ag靶(纯度99.99％)一起装入真空腔体内。
(2)然后，先后用无水乙醇和去离子水超声清洗聚碳酸酯衬底30分钟，并用高纯氮气(99.99％)吹干，放入磁控溅射腔体中。
(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至9.0×10-4Pa。通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:5，压强调节为1.0Pa，固定靶和衬底的距离为10cm，溅射功率为80W，进行沉积得到80nm后的SrTiO3薄膜。
(4)步骤3结束后，将真空度再次抽至9.0×10-4Pa，然后通入1Pa的氩气(99.99％)，在50W的功率下对Ag层进行溅射，进行沉积得到11nm后的Ag薄膜。
(5)步骤4结束后，重复步骤3，将磁控溅射系统的本底真空度抽至9.0×10-4Pa。通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:5，压强调节为1.0Pa，固定靶和衬底的距离为10cm，溅射功率为80W，进行沉积得到80nm后的SrTiO3薄膜，制得ST/Ag/ST 结构多层透明导电薄膜。
所制备的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜在可见光范围内(380nm-780nm)的平均光学透过率达80％，方块电阻为9.8Ω/□。
实施例3
(1)将SrTiO3靶材(纯度99.99％)与定做的Ag靶(纯度99.99％)一起装入真空腔体内。
(2)然后，先后用无水乙醇和去离子水超声清洗聚碳酸酯衬底30分钟，并用高纯氮气(99.99％)吹干，放入磁控溅射腔体中。
(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-4Pa。通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:15，压强调节为1.0Pa，固定靶和衬底的距离为12cm，溅射功率为100W，进行沉积得到30nm后的SrTiO3薄膜。
(4)步骤3结束后，将真空度再次抽至3.0×10-4Pa，然后通入1Pa的纯氩气(99.99％)，在50W的功率下对Ag层进行溅射，进行沉积得到11nm厚的Ag薄膜。
(5)步骤4结束后，重复步骤3，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-4Pa。通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:15，压强调节为1.0Pa，固定靶和衬底的距离为12cm，溅射功率为100W，进行沉积得到30nm后的SrTiO3薄膜，制得 ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。
所制备的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜在可见光范围内(380nm-780nm)的平均光学透过率达70％，方块电阻为4.1Ω/□。
实施例4
(1)将SrTiO3靶材(纯度99.99％)与定做的Ag靶(纯度99.99％)一起装入真空腔体内。
(2)然后，先后用无水乙醇和去离子水超声清洗聚碳酸酯衬底30分钟，并用高纯氮气(99.99％)吹干，放入磁控溅射腔体中。
(3)将磁控溅射系统的本底真空度抽至5.0×10-4Pa。通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:20，压强调节为2.0Pa，固定靶和衬底的距离为8cm，溅射功率为200W，进行沉积得到30nm后的SrTiO3薄膜。
(4)步骤3结束后，将真空度再次抽至5.0×10-4Pa，然后通入0.5Pa的纯氩气(99.99％)，在30W的功率下对Ag层进行溅射，进行沉积得到8nm厚的Ag薄膜。
(5)步骤4结束后，重复步骤3，将磁控溅射系统的本底真空度抽至5.0×10-4Pa。通入高纯(99.99％)的氩气和氧气，氧气氩气体积比为1:20，压强调节为2.0Pa，固定靶和衬底的距离为8cm，溅射功率为200W，进行沉积得到30nm后的SrTiO3薄膜，制得 ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。
所制备的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜在可见光范围内(380nm-780nm)的平均光学透过率达83％，方块电阻为18.7Ω/□。

Claims (7)

1.一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，具有如下步骤：
(1)将ST即SrTiO3靶材和Ag靶材装入磁控溅射腔体内；
(2)先后用无水乙醇和去离子水超声清洗衬底30分钟，并用氮气吹干，放入磁控溅射腔体中；所述衬底为石英、玻璃、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸或者聚萘二甲酸乙二醇酯的透明衬底；
(3)再将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，靶材与衬底的距离为40～120mm，溅射功率为30～180W，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm；
(4)步骤(3)完成后，开始溅射Ag薄膜层，将真空度抽至3.0×10-4Pa，然后通入0.3～15Pa的氩气，靶材与衬底的距离为4-12cm，溅射功率20～200W，沉积得到Ag薄膜层，Ag薄膜层的厚度为3～20nm；
(5)步骤(4)完成后，重复步骤(3)，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10-3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，溅射功率为30～180W，靶材与衬底的距离为4-12cm，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm，制得ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(1)的SrTiO3和Ag靶材可以为任意市售或者按常规方法自制靶材，SrTiO3靶材中SrTiO3的纯度为98-99.999％，Ag靶材中Ag的纯度为99-99.9999％。
3.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(2)的氮气纯度为99.99％。
4.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(3)、(4)或(5)的Ar和O2气的纯度在99.99％以上。
5.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(3)、(4)或(5)的薄膜层的厚度通过调节制备工艺参数或沉积时间来控制。
6.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(3)、步骤(5)的SrTiO3薄膜层的厚度为20～60nm。
7.根据权利要求1所述的一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于,所述步骤(4)的Ag薄膜层厚度为7～13nm。
CN201810264987.6A 2018-03-28 2018-03-28 一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法 Pending CN108517500A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810264987.6A CN108517500A (zh) 2018-03-28 2018-03-28 一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810264987.6A CN108517500A (zh) 2018-03-28 2018-03-28 一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108517500A true CN108517500A (zh) 2018-09-11

Family

ID=63430672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810264987.6A Pending CN108517500A (zh) 2018-03-28 2018-03-28 一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108517500A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112410743A (zh) * 2020-11-05 2021-02-26 中国航发北京航空材料研究院 一种多孔透明导电膜的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975168A (en) * 1988-04-20 1990-12-04 Casio Computer Co., Ltd. Method of forming transparent conductive film and apparatus for forming the same
CN1983030A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 E.I.内穆尔杜邦公司 可阳离子聚合的光成像厚膜组合物、电极和形成方法
CN101974754A (zh) * 2010-10-09 2011-02-16 长沙理工大学 TCO/Ag/TCO复合透明导电薄膜的镀膜方法
CN105489270A (zh) * 2016-01-20 2016-04-13 东莞理工学院 一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975168A (en) * 1988-04-20 1990-12-04 Casio Computer Co., Ltd. Method of forming transparent conductive film and apparatus for forming the same
CN1983030A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 E.I.内穆尔杜邦公司 可阳离子聚合的光成像厚膜组合物、电极和形成方法
CN101974754A (zh) * 2010-10-09 2011-02-16 长沙理工大学 TCO/Ag/TCO复合透明导电薄膜的镀膜方法
CN105489270A (zh) * 2016-01-20 2016-04-13 东莞理工学院 一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112410743A (zh) * 2020-11-05 2021-02-26 中国航发北京航空材料研究院 一种多孔透明导电膜的制备方法
CN112410743B (zh) * 2020-11-05 2022-08-23 中国航发北京航空材料研究院 一种多孔透明导电膜的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4730204B2 (ja) 酸化物焼結体ターゲット、及びそれを用いた酸化物透明導電膜の製造方法
CN100517517C (zh) 一种柔性复合透明导电膜及其制备方法
JP5884549B2 (ja) 透明酸化物膜およびその製造方法
CN105551579B (zh) 一种可电致变色的多层透明导电薄膜及其制备方法
JPWO2014115770A1 (ja) 透明導電性基材ならびにその製造方法
CN106571173B (zh) 耐高温复合透明导电膜、制备方法和应用
TW201234920A (en) Electrochromic layer, coated article having same, and method for making the article
CN103993288B (zh) 一种透明导电FTO/Ag/FTO复合薄膜的制备方法
TW201233824A (en) Coated article and method for making same
TW201342684A (zh) 用於有機發光裝置的反射陽極電極及其製造方法
CN105624625B (zh) 一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法
JP2009235541A (ja) 酸化亜鉛系焼結ターゲットの製造方法
CN106119778A (zh) 室温溅射沉积柔性azo透明导电薄膜的方法
Liang et al. Structural and optoelectronic properties of transparent conductive c-axis-oriented ZnO based multilayer thin films with Ru interlayer
CN105845752B (zh) 一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜及其制备方法
CN108517500A (zh) 一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法
CN102134699A (zh) 一种多层透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用
CN103177800B (zh) 一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法
CN114231903B (zh) 一种氧化铌/银纳米线双层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法
CN114737153B (zh) 一种钛酸锶/金/二氧化硅结构柔性透明电极及其制备方法
CN108411252A (zh) 一种SrTiO3/Cu/SrTiO3三明治结构的柔性透明导电薄膜的制备方法
JP5110723B1 (ja) 透明断熱シート
JP2001001441A (ja) 透明導電積層体及びその製造方法
CN102650034A (zh) 多层透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用
CN108517493A (zh) 一种ZnO/BS/Cu/ZnO多层结构透明导电薄膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180911

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication