CN108483498A - 一种用于三甲胺气体传感器的厚度可控的wo3纳米片的制备方法 - Google Patents

一种用于三甲胺气体传感器的厚度可控的wo3纳米片的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于三甲胺气体传感器的厚度可控的WO3纳米片的制备方法,属于气体传感器领域。该WO3纳米片厚度可从10nm左右调控到5nm左右。本发明通过采用双表面活性剂的方法,通过调整初始反应温度、油酸钠和辛酸钠的用量,以及硝酸和钨酸钠的浓度和用量,保温时间,搅拌时间等制备条件可以控制WO3纳米片的厚度。本发明所制备的厚度可控的WO3纳米片作为气体传感器的涂覆材料,用于检测三甲胺取得了很好的效果。当该纳米片的厚度为5nm时,在25℃下,对TEA有很好的响应,当TEA含量为250ppm时,响应值为8.2,并且选择性良好。

Description

一种用于三甲胺气体传感器的厚度可控的WO3纳米片的制备 方法
技术领域
本发明属于气体传感器领域,具体涉及一种用于三甲胺(TEA)气体传感器的涂覆材料‐‐‐‐WO3纳米片的制备技术,特别涉及一种厚度可控的WO3纳米片的制备技术。
背景技术
气体传感器是一种能检测气体成分、浓度并将其转化为电信号的器件或装置。随着工农业生产技术的发展,及时、准确地对易燃、易爆、有毒、有害气体进行检测监控已成为当前煤炭、石油、化工、电力等部门急待解决的重要课题。同时,人们生活水平的日益提高,追求高质量的生活品质成为趋势,也迫切要求研制开发各种各样高灵敏度、超小型、多功能化的气体传感器,如CH4,CO传感器以及检测鱼类水产品新鲜程度的传感器(S.H.Yu,etal.Morphology‐Driven High‐Performance Polymer Transistor‐based Ammonia GasSensor,ACS Appl.Mater.Interfaces,2016,8,6570‐6576;M.Drobek,et al.MOF‐BasedMembrane Encapsulated ZnO Nanowires for Enhanced Gas Sensor Selectivity,ACSAppl.Mater.Interfaces,2016,8,8323‐8328.)
三甲胺(TEA)是一种重要的化工原料,可以作为有机溶剂、防腐剂、催化剂等来使用,广泛应用于各个领域。但是TEA的毒性很大,人暴露在TEA气体中,会发生刺激眼睛、头疼、恶心、肺水肿甚至会导致死亡(S.Bai,,et al.Heterostructures of polyaniline@SnO2 loading on flexible PET thin films for triethylamine detection at roomtemperature.New J.Chem.,2016,40,4595‐4600;D.X.Ju,et al.Near room‐temperature,fastresponse and highly sensitive triethylamine sensor assembled withAuloaded ZnO/SnO2 core‐shell nanorods on flat alumina substrates.ACSAppl.Mater.Interfaces,2015,7,19163‐19171.)。另外,鱼类和其他海洋食物在腐烂过程中会释放出大量的TEA,TEA可以用来检测鱼类和其他海洋食物的新鲜程度(W.Hyung‐Sik,et al.Highly sensitive and selective trimethylamine sensor using one‐dimensional ZnO‐Cr2O3 heteronano‐structures,Nanotechnology,2012,23,245501.)。因此,快速、在线检测TEA非常重要。TEA的检测方法很多,例如气相/液相色谱,质谱等,但是这些检测方法所需要的设备复杂、昂贵,在实践中难以大规模应用。所以,发展新的高选择性、高灵敏性和快速响应的用于医药工业、化学工业、食品工业以及日常生活的TEA传感器,就显得十分必要了。
目前,已经开发出各种各样的TEA传感器,包括催化发光传感器、光学传感器、半导体传感器和导电高分子聚合物传感器等等。其中氧化物半导体传感器像ZnO,SnO2,MoO3和Fe2O3等,由于其价格低、制造简单和高灵敏性具有广阔的应用前景,但是这些传感器大都是在高温下才能显示出优异的传感性能(最佳工作温度往往超过300℃)(Y.H.Cho,etal.Highly Selective and Sensitive Detection of Trimethylamine Using WO3Hollow Spheres Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis.Sens.Actuators,B,177(2013)917‐977;K.M.Kim,et al.Highly Sensitive and Selective TrimethylamineSensors Using Ru‐Doped SnO2 Hollow Spheres.Sens.Actuators,B,166‐167(2012)733‐738;D.Ju,et al.Highly Sensitive and Selective Triethylamine‐SensingProperties of Nanosheets Directly Grown on Ceramic Tube by Forming NiO/ZnO PNHeterojunction.Sens.Actuators,B,200(2014)288‐296.)这么高的工作温度不仅会导致能量消耗高,而且也存在安全隐患,甚至会引发火灾和爆炸。但是制备室温下具有优异传感性能的传感器是一个挑战。
本专利发明了室温下用于检测TEA气体的WO3传感器。尽管制备WO3的方法多种多样,但如何简便地调控WO3二维纳米材料的厚度仍然是个技术难点。多年来,人们一直致力于研究该类材料的制备方法和原理。此外,WO3纳米片作为气体传感器的涂覆材料,用于室温下检测TEA气体,未见报道。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明目的是提供一种厚度可控的WO3纳米片的制备方法,以期将本发明制备的WO3纳米片作为气体传感器的涂覆材料用于室温下检测TEA气体能取得良好的效果。
为了实现上述技术目的,本发明是通过以下技术方案予以实现的。
本发明提供了一种用于室温下检测TEA气体的厚度可控的WO3二维纳米材料,其活性组分是WO3纳米片,其厚度可从10nm左右调控到5nm左右,其具体制备过程如下:
在初始反应温度10~55℃下,将100~450mg油酸钠和50~250mg辛酸钠溶解到50~150mL浓度是3~7mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5~5mL浓度是0.1~2.5mol/L钨酸钠溶液,保温10~120min,升温至60~80℃,搅拌1~5小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
通过调整初始反应温度、油酸钠和辛酸钠的用量,以及硝酸和钨酸钠的浓度和用量,保温时间,搅拌时间等制备条件可以控制WO3纳米片的厚度。当初始反应温度是25℃,油酸钠和辛酸钠的用量分别是250mg和10mg,硝酸和钨酸钠的浓度和用量分别是硝酸:75mL,4.8mol/L,钨酸钠:2mL,0.1mol/L,保温时间30min,升温至60℃,搅拌时间2小时,WO3纳米片的厚度为10nm左右(后面称该纳米片为WO3‐10nm)。
当初始反应温度是25℃,油酸钠和辛酸钠的用量分别是250mg和150mg,硝酸和钨酸钠的浓度和用量分别是硝酸:75mL,4.8mol/L,钨酸钠:0.5mL,0.1mol/L,保温时间30min,升温至60℃,搅拌时间2小时,WO3纳米片的厚度为5nm左右(后面称该纳米片为WO3‐5nm)。
本发明制备的WO3纳米片可作为气体传感器的涂覆材料,室温下检测TEA时,表现出了良好的效果。本专利所用的传感器是一个Al2O3陶瓷管(长度8mm,外径2mm,内径1.6mm),表面涂敷一层敏感材料即WO3纳米片,管外两端各涂有一个金电极,并用白金丝引出作测试端,在管芯中穿入了一根白金加热丝,用于控制气敏元件的工作温度。在某一温度下,测试涂覆后的陶瓷管在空气中的电阻为Ra,在空气与目标气体的混合气体中的电阻为Rg,定义该传感器的响应值为Ra/Rg。本发明所制备的WO3‐5nm在25℃下,对TEA有很好的响应,当TEA含量为250ppm时,响应值为8.2,并且选择性良好。
与现有技术相比,采用本发明具有以下优势:
(1)传感器的工作温度是室温
大部分气体传感器的工作温度都比较高,由本专利制备的WO3‐5nm作为传感器的涂覆材料,在25℃下对TEA气体有很好的传感性能。
(2)选择性大幅度增加
与WO3‐10nm相比较,由WO3‐5nm制备的传感器,对TEA气体的选择性有大幅度提高。
(3)催化剂的制备过程简单
WO3纳米片制备过程简单,采用一步法完成。采用双表面活性剂(油酸钠和辛酸钠),首先在一定温度下使其溶解在稀硝酸溶液中,然后缓慢加入钨酸钠溶液,60℃反应120min,便得到WO3纳米片,改变制备条件(例如固定油酸钠的用量,改变辛酸钠的用量),便可调控WO3纳米片的厚度。
附图说明
图1为本发明实施例1和实施例2所制备的WO3纳米片的投射电镜照片;
其中:图1(a)是本发明实施例1所制备的WO3纳米片投射电镜照片,图1(b)是是本发明实施例2所制备的WO3纳米片投射电镜照片;
由图1(a)可知,所制备的WO3呈四方形纳米片状,分散性很好,WO3纳米片的厚度大约在10nm左右。由图1(b)可以看出,改变制备条件,所制备的WO3纳米片的厚度发生了改变,WO3纳米片的厚度大约在5nm左右,形状同样是四方形,分散性也很好。
图2为本发明实施例2所制备的WO3纳米片的形貌表征图;
其中:图2(a)是WO3纳米片高倍投射电镜照片;晶面间距为0.365nm和0.384nm的条纹分别对应于单斜晶系WO3的(200)和(002)晶面,从WO3的衍射图形来看,所制备的WO3是单晶;图2(b)是WO3纳米片的XRD曲线;该曲线也证实所制备的WO3属于单斜晶系(JCPDS No.83‐0951);图2(c)是WO3纳米片的XPS曲线;由图可知,所制备的样品包含WO3的所有元素O和W。
图3为本发明实施例2所制备的WO3纳米片的性能表征图;
其中:图3(a)是WO3‐5nm和WO3‐10nm在TEA浓度是1000ppm条件下温度响应曲线;(b)WO3‐5nm对不同浓度TEA响应曲线;(c)WO3‐10nm对7种气体的响应选择性;(d)WO3‐5nm对7种气体的响应选择性。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明的特征给予进一步说明,但本发明不局限于下述实施例。
一、WO3纳米片的制备
实施例1
1#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和20mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入2mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例2
2#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例3
3#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度10℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例4
4#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度55℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例5
5#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将100mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例6
6#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将450mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例7
7#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和50mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例8
8#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和250mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例9
9#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到50mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例10
10#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到150mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例11
11#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是3mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例12
12#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是7mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例13
13#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例14
14#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是2.5mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例15
15#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌10min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例16
16#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌120min,升温至60℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例17
17#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至80℃,搅拌2小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例18
18#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌1小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
实施例19
19#WO3纳米片的具体制备步骤如下:
在初始反应温度25℃下,将250mg油酸钠和150mg辛酸钠溶解到75mL浓度是4.8mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5mL浓度是0.1mol/L钨酸钠溶液,搅拌30min,升温至60℃,搅拌5小时,收集沉淀物,洗涤烘干,得到WO3纳米片。
二、WO3传感器性能的评价
本专利所用的传感器是一个Al2O3陶瓷管(长度8mm,外径2mm,内径1.6mm),表面涂敷一层敏感材料即WO3纳米片,管外两端各涂有一个金电极,并用白金丝引出作测试端,在管芯中穿入了一根白金加热丝,用于控制气敏元件的工作温度。在某一温度下,测试涂覆后的陶瓷管在空气中的电阻为Ra,在空气与目标气体的混合气体中的电阻为Rg,定义该传感器的响应值为Ra/Rg。
本发明制备的WO3‐5nm可作为气体传感器的涂覆材料,室温下检测TEA时,表现出了良好的效果。具体见图3。
图3(a)是WO3‐5nm和WO3‐10nm在TEA浓度是1000ppm条件下温度响应曲线。由图3(a)可知,由本专利实施例1制备的WO3‐10nm在整个测试温度范围内对TEA气体几乎没有响应,而由本专利实施例2制备的WO3‐5nm在25℃时对TEA气体有很高的影响,响应值为14左右,而在其他温度范围内几乎没有响应,说明其最佳工作温度为25℃。图3(b)是在25℃条件下,由本专利实施例2制备的WO3‐5nm对不同浓度TEA响应曲线,由图可知,当TEA浓度为1000ppm时,响应值为14,当TEA浓度为500ppm时,响应值为9.6,当TEA浓度为250ppm时,响应值为8.2,当TEA浓度为100ppm时,响应值为3.1,由此可以看出WO3‐5nm在室温下对TEA具有很好的响应。图3(c)和(d)分别是WO3‐10nm和WO3‐5nm对氨气、乙醛、甲醛、乙醇、三甲胺、丙酮和乙酸7种气体的响应选择性。由图3(c)可以看出,WO3‐10nm对这7中气体的选择性很差,对这7种气体的响应值的差别很小,都在1.1‐2.6之间;而WO3‐5nm对这7中气体的选择性(图3d)有大幅度增加,WO3‐5nm对TEA的响应值是14,而对其他6种气体的响应值在1.2‐2.6之间,由此可以看出WO3‐5nm对TEA的响应选择性很好。

Claims (3)

1.一种用于三甲胺气体传感器的厚度可控的WO3纳米片的制备方法,其特征在于,该WO3纳米片厚度为5~10nm,其是通过以下方法予以制备的:
在初始反应温度10~55℃下,将100~450mg油酸钠和50~250mg辛酸钠溶解到50~150mL浓度为3~7mol/L的硝酸中,在搅拌的条件下,逐滴加入0.5~5mL浓度是0.1~2.5mol/L钨酸钠溶液,保温10~120min,升温至60~80℃,搅拌1~5小时,收集沉淀物,洗涤烘干即得。
2.如权利要求1所述的WO3纳米片作为气体传感器的涂覆材料在室温下检测TEA中的应用。
3.如权利要求2所述的WO3纳米片作为气体传感器的涂覆材料在室温下检测TEA中的应用,其特征在于,所述WO3纳米片的厚度为5nm。
CN201810207120.7A 2018-03-14 2018-03-14 一种用于三甲胺气体传感器的厚度可控的wo3纳米片的制备方法 Active CN108483498B (zh)

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