CN108474987A - Tft阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Tft阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

一种TFT阵列基板，包括若干条栅极线(G1‑Gn)，若干条栅极线(G1‑Gn)用于分别通过对应的引线(Y1‑Yn)连接至一栅极驱动芯片(2)，其中，若干条栅极线(G1‑Gn)中的每一条的宽度从对应引线(Y1‑Yn)连接的一端(P1)到远离所述对应引线(Y1‑Yn)的另一端(P2)逐渐变大。还公开一种显示面板及显示装置。能够通过将栅极线(G1‑Gn)的形状设置为特定形状来提高显示的均匀性。

Description

TFT阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及一种面板，尤其涉及一种显示面板及具有所述显示面板的显示装置。
背景技术
目前，显示器的大尺寸化，超清晰化是一种趋势。而LCD(liquid crystaldisplay，液晶显示)显示器以及OLED(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示器由于占用体积小，显示效果佳等特点已经被广泛使用。目前大多数显示面板，例如大多数LCD显示面板及OLED显示面板都采取TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)阵列驱动。但随着显示尺寸、显示分辨率、刷新率的提高，TFT阵列的RC延迟成了很大的限制因素。特别，对于1G1D(单边行列驱动芯片)的显示面板来说，距离面板驱动芯片越远的像素的RC延迟越严重，造成了显示画面上的不均匀性。
发明内容
本发明实施例公开一种TFT阵列基板、显示面板及显示装置，能够有效降低TFT阵列的RC延迟造成的影像，提高显示画面的显示均匀性。
本发明实施例公开的TFT阵列基板，包括若干条栅极线，所述若干条栅极线分别通过对应的引线连接至一栅极驱动芯片，任意一条所述栅极线均定义有与所述引线电性连接的第一端与远离所述第一端的第二端，任意一条所述栅极线的第二端的横截面积大于所述栅极线的第一端的横截面积。
本发明实施例公开的显示面板，包括TFT阵列基板以及栅极驱动芯片，所述TFT阵列基板包括若干条栅极线，所述若干条栅极线分别通过对应的引线连接至一栅极驱动芯片，任意一条所述栅极线均定义有与所述引线电性连接的第一端与远离所述第一端的第二端，任意一条所述栅极线的第二端的横截面积大于所述栅极线的第一端的横截面积。
本发明实施例公开的显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括TFT阵列基板以及栅极驱动芯片，所述TFT阵列基板包括若干条栅极线，所述若干条栅极线分别通过对应的引线连接至一栅极驱动芯片，任意一条所述栅极线均定义有与所述引线电性连接的第一端与远离所述第一端的第二端，任意一条所述栅极线的第二端的横截面积大于所述栅极线的第一端的横截面积。
本发明的TFT阵列基板、显示面板及显示装置，通过对栅极线的形状、尺寸等进行设置，可提高显示画面的显示均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中的TFT阵列基板的示意图。
图2为本发明另一实施例中的TFT阵列基板的示意图图。
图3为本发明一实施例中的TFT阵列基板的更完整的示意图。
图4为本发明一实施例中的显示面板的结构框图。
图5为本发明一实施例中的显示面板的横截面示意图。
图6为本发明一实施例中的显示装置的结构框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，为本发明一实施例中的TFT阵列基板1的示意图。如图1所示，所述TFT阵列基板1包括若干条栅极线(gate line)G1-Gn，所述若干条栅极线G1-Gn分别通过对应的引线Y1-Yn连接至一栅极驱动芯片2。其中，所述若干条栅极线G1-Gn中的每一条均定义有与对应引线电性连接的第一端P1与远离所述第一端P1的第二端P2。即，若干条栅极线G1-Gn中的每一条包括相对的第一端P1及第二端P2，第一端P1与对应的所述引线电性连接。其中，所述若干条栅极线G1-Gn中的任意一条的第二端P2的横截面积大于所述栅极线的第一端P1的横截面积。本申请中，所述第二端P2及第一端P1的横截面积指的是垂直于栅极线G1-Gn中的延伸方向(即当栅极线G1-Gn中通有电流时电流的流动方向)的横截面的面积。换句话说，所述若干条栅极线G1-Gn中的任意一条的第二端P2比第一端P1粗。
每条所述栅极线G1-Gn延迟较为严重的部分通常位于远离与所述引线电性连接的所述第二端P2。本申请中，由于每一栅极线的第二端P2的横截面积大于第一端P1的横截面积，可降低所述栅极线自身的延迟，从而均衡视觉效果，减少显示的不均匀性。
在一些实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn中的任意一条的横截面积由所述第一端P1至所述第二端P2逐渐变大。
如图1所示，在一些实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn的厚度从第一端P1到第二端P2相等，且所述若干条栅极线G1-Gn中的任一条的所述第二端P2的宽度大于所述第一端P1的宽度，从而，使得所述若干条栅极线G1-Gn中的任意一条的第二端P2的横截面积大于所述栅极线的第一端P1的横截面积。
在其他实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn的宽度从第一端P1到第二端P2相等，且所述若干条栅极线G1-Gn中的任一条的所述第二端P2的厚度大于所述第一端P1的厚度，同样可使得所述若干条栅极线G1-Gn中的任意一条的第二端P2的横截面积大于所述栅极线的第一端P1的横截面积。
如图1所示，进一步的，在本实施例中，每一条所述栅极线的第一端P1与相邻的栅极线的第二端P2位于TFT阵列基板1的同一侧。由此，在逐渐远离所述栅极驱动芯片2的方向上，所述引线Y1-Yn交替地从所述TFT阵列基板1的两侧依次与所述栅极线G1-Gn电性连接。由此，RC延迟较为严重的第二端P2在沿所述栅极线G1-Gn的排布方向上依次交替地排列在所述TFT阵列基板1的两侧，从而使所述TFT阵列基板1的RC延迟现象分布更加均衡，使得显示效果更加均衡。
可以理解，在其它实施例中，相邻两条所述栅极线的第二端P2亦可均位于所述TFT阵列基板1的同一侧。虽当相邻两条所述栅极线的第二端P2均位于同侧时的显示效果不如上述第二端P2依次交替排列在TFT阵列基板2的两侧更好，但由于每一栅极线的第二端P2的横截面积大于第一端P1的横截面积，已对显示效果有所改善。
在一些实施例中，如图1所示，所述栅极线G1靠近所述栅极驱动芯片2设置，所述若干条栅极线G1-Gn从下至上依次远离所述栅极驱动芯片2设置。
至少一条相对远离所述栅极驱动芯片2的栅极线的第二端P2的横截面积大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片2的栅极线的第二端P2的横截面积。
即，所述若干条栅极线G1-Gn随着与所述栅极驱动芯片2之间距离的增大，至少一条栅极线的第二端P2的横截面积相比至少一条更靠近所述栅极驱动芯片2的栅极线的第二端P2的横截面积更大。
例如，如图1所示，在一些实施例中，在所述若干条栅极线G1-Gn从第一端P1到第二端P2的厚度一致的情况下，所述若干条栅极线G1-Gn的第二端P2的宽度随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2距离的增大而逐渐增大。从而，所述若干条栅极线G1-Gn的第二端P2的横截面积随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2距离的增大而逐渐增大。
在其他实施例中，随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2距离的增大，所述若干条栅极线G1-Gn的第二端P2的横截面积呈阶梯型增大趋势。例如，栅极线G1-G3的第二端P2的横截面积相等，栅极线G4-G5的第二端P2的横截面积相等且大于所述栅极线G1-G3的第二端P2的横截面积，栅极线G6-G7的第二端P2的横截面积相等且大于所述栅极线G4-G5的第二端P2的横截面积，等等。
由于离栅极驱动芯片2最远的地方的RC延迟最为严重，所以距离栅极驱动芯片2越远的栅极线的第二端P2的横截面积越大，进一步减少RC延迟的影响。
在一些实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn的第一端P1的横截面积大致相同。
在一些实施例中，至少一条相对远离所述栅极驱动芯片2的栅极线对应连接的引线的横截面积大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片2的栅极线对应连接的引线的横截面积。即，所述若干条栅极线G1-Gn随着与所述栅极驱动芯片2之间距离的增大，至少一条栅极线的第一端P1所连接的引线的横截面积相比至少一条更靠近所述栅极驱动芯片2的栅极线的第一端P1所连接的引线的横截面积更大。
其中，本申请中，所述若干条引线Y1-Yn的横截面积指得是垂直于所述若干条引线Y1-Yn的延伸方向的横截面的面积。
例如，如图1所示，所述若干条引线Y1-Yn从所述栅极驱动芯片2到对应栅极线G1-Gn的厚度相同，与所述若干条栅极线G1-Gn分别连接的引线Y1-Yn的宽度随着对应连接的栅极线G1-Gn与栅极驱动芯片2之间距离的增大而逐渐增大。从而，随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2之间距离依次增大，所述若干条栅极线G1-Gn一一对应连接的引线Y1-Yn的横截面积也一一对应增大。
在其他实施例中，随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2距离的增大，所述若干条栅极线G1-Gn对应连接的引线Y1-Yn的横截面积呈阶梯型增大趋势。例如，栅极线G1-G3所连接的引线Y1-Y3的横截面积相等，栅极线G4-G5所连接的引线Y4-Y5的横截面积相等且大于所述栅极线G1-G3所连接的引线Y1-Y3的横截面积，栅极线G6-G7所连接的引线Y6-Y7的横截面积相等且大于所述栅极线G4-G5所连接的引线Y4-Y5的横截面积，等等。
如图1所示，在一实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn与所述若干条栅极线G1-Gn的延伸方向平行的第一边S1呈平面，相对的第二边S2呈弧面，且至少一条相对远离所述栅极驱动芯片2的栅极线的所述呈弧面的第二边S2的弧度大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片2的栅极线的所述呈弧面的第二边S2的弧度。即，随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2之间距离的增大，至少一条栅极线的第二边S2的弧度相比至少一条更靠近所述栅极驱动芯片2的栅极线的第二边S2的弧度更大。
在一些实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn的呈弧面的第二边S2的弧度随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2之间的距离的增大而逐渐增大。即，所述若干条栅极线G1-Gn为弧形形状，且随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2之间的距离的增大，所述若干条栅极线G1-Gn的第二边S2的弧度也逐渐增大。
在其他实施例中，随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2距离的增大，所述若干条栅极线G1-Gn呈弧面的第二边S2的弧度呈阶梯型增大趋势。例如，栅极线G1-G3呈弧面的第二边S2的弧度相等，栅极线G4-G5呈弧面的第二边S2的弧度相等且大于所述栅极线G1-G3呈弧面的第二边S2的弧度，栅极线G6-G7呈弧面的第二边S2相等且大于所述栅极线G4-G5呈弧面的第二边S2的弧度，等等。
如图1所示，所述若干条栅极线G1-Gn中相邻的栅极线的呈弧面的第二边S2相对设置，或者呈平面第一边S1相对设置。
其中，所述若干条栅极线G1-Gn的第一边S1具体指的是与所述若干条栅极线G1-Gn的延伸方向平行且垂直于TFT阵列基板1平面的面。
从而，将连接栅极线G1-Gn的引线Y1-Yn根据栅极线G1-Gn远离栅极驱动芯片2的距离的增大而逐渐变粗或呈阶梯式变粗，使得连接最远离栅极驱动芯片2的栅极线Gn的引线Yn为最粗，可以进一步减少RC延迟的影响。
如图2所示，在另一实施例，所述若干条栅极线G1-Gn与所述若干条栅极线G1-Gn的延伸方向平行的第三边S3呈平面，与第三边S3相对的第四边S4为与所述第三边S3呈一定角度的斜面，且至少一条相对远离所述栅极驱动芯片2的栅极线的所述第四边S4相对所述第三边S3的角度大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片2的栅极线的所述第四边S4相对所述第三边S3的角度。
在一些实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn的第四边S4相对所述第三边S3的角度随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2之间的距离的增大而逐渐增大。即，如图2所示，所述若干条栅极线G1-Gn为一个横置的梯形形状，且随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2之间的距离的增大，所述若干条栅极线G1-Gn的第四边S4相对于所述第三边S3的角度也逐渐增大，从而栅极线G1-Gn的宽度变化幅度也逐渐增大。
在另一些实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn的第四边S4相对所述第三边S3的角度随着所述若干条栅极线G1-Gn与所述栅极驱动芯片2之间的距离的增大而呈阶梯状增大。例如，例如，栅极线G1-G3的第四边S4相对所述第三边S3的角度相等，栅极线G4-G5的第四边S4相对所述第三边S3的角度相等且大于所述栅极线G1-G3的第四边S4相对所述第三边S3的角度，栅极线G6-G7的第四边S4相对所述第三边S3的角度相等且大于所述栅极线G4-G5的第四边S4相对所述第三边S3的角度，等等。
如图2所示，所述若干条栅极线G1-Gn中相邻的栅极线的为斜面的第四边S4相对设置，或者为直平面的第三边S3相对设置。
同样的，所述若干条栅极线G1-Gn的第三边S1具体指的是与所述若干条栅极线G1-Gn的延伸方向平行且垂直于TFT阵列基板1平面的面。
显然，在其他实施例中，所述若干条栅极线G1-Gn还可为其他形状，只要满足接入引线的一端到另一端的宽度逐渐增大的效果即可。
请参阅图3，为TFT阵列基板1在一实施例中更为完整的示意图。如图3所示，所述TFT阵列基板1还包括相互平行的若干源极线D1-Dm，所述若干栅极线G1-Gn与所述若干源极线D1-Dm相互垂直设置。如图3所示，所述TFT阵列基板1还包括多个TFT晶体管T1，每一所述TFT晶体管T1设置于其中任一所述栅极线与所述与源极线的交叉处J1，并与所述栅极线与源极线电性连接。其中，图3中仅示意出了一个TFT晶体管T1。
所述若干源极线D1-Dm还与一源极驱动芯片3连接。所述TFT阵列基板1在所述栅极驱动芯片2的驱动下打开对应的TFT晶体管T1，并在所述源极驱动芯片3的驱动下对打开的TFT晶体管T1施加驱动电压，实现显示驱动。
其中，在一些实施例中，所述若干源极线D1-Dm的宽度沿延伸方向保持一致，即宽度相同。在其他实施例中，所述若干源极线D1-Dm中的每一个的宽度也可以如前面栅极线G1-Gn一样地设置。本申请中，对源极线D1-Dm的形状不做限定。
请参阅图4，为显示面板100在一些实施例中的结构框图，在本实施例中，所述显示面板100为LCD(liquid crystal display，液晶显示)显示面板。具体而言，所述显示面板100包括所述TFT阵列基板1及彩膜基板4。所述显示面板100还包括与所述TFT阵列基板1连接的栅极驱动芯片2及所述源极驱动芯片3。
请参阅图5，为显示面板100的横截面示意图，如图5所示，所述彩膜基板4位于所述TFT阵列基板1的上方，所述彩膜基板4用于对TFT阵列基板1发出的光进行滤色处理，实现彩色显示效果。
可以理解，在其他实施例中，所述显示面板100还可以为OLED(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板，此时，所述彩膜基板4可省略。
请参阅图6，为显示装置200的结构框图，所述显示装置200包括所述显示面板100。所述显示装置200为LCD显示器或OLED显示器，或者可为包括LCD显示面板或OLED显示面板的手机、平板电脑、电视机等电子装置。
显然，所述显示装置200还可以包括其他的元件，由于与本发明改进无关，故不在此赘述。
从而，本发明中，通过对栅极线G1-Gn的形状设置以及排布方式进行设置，和/或进一步的对栅极线G1-Gn与栅极驱动芯片2之间的引线Y1-Yn的粗细进行设置，可有效减少显示面板100显示的不均匀性。
以上所述是本发明的优选实施例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT阵列基板，包括若干条栅极线，所述若干条栅极线分别通过对应的引线连接至一栅极驱动芯片，任意一条所述栅极线均定义有与所述引线电性连接的第一端与远离所述第一端的第二端，其特征在于，任意一条所述栅极线的第二端的横截面积大于所述栅极线的第一端的横截面积。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极线的横截面积由所述第一端至所述第二端逐渐变大。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述若干条栅极线在逐渐远离所述栅极驱动芯片的方向上依次设置，至少一条相对远离所述栅极驱动芯片的栅极线的第二端的横截面积大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片的栅极线的第二端部的横截面积。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，至少一条相对远离所述栅极驱动芯片的栅极线对应连接的引线的横截面积大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片的栅极线对应连接的引线的横截面积。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述若干条栅极线与所述若干条栅极线的延伸方向平行的第一边呈平面，相对的第二边呈弧面，且至少一条相对远离所述栅极驱动芯片的栅极线的所述呈弧面的第二边的弧度大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片的栅极线的所述呈弧面的第二边的弧度。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述若干条栅极线与所述若干条栅极线的延伸方向平行的第三边呈平面，相对的第四边为与所述第三边呈一定角度的斜边，且至少一条相对远离所述栅极驱动芯片的栅极线的所述第四边相对所述第三边的角度大于至少一条相对靠近所述栅极驱动芯片的栅极线的所述第四边相对所述第三边的角度。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，每一所述栅极线的第一端与相邻的栅极线的第二端位于TFT阵列基板的同一侧。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的显示面板。
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