CN105204259B - 像素结构及阵列基板 - Google Patents

像素结构及阵列基板 Download PDF

Info

Publication number
CN105204259B
CN105204259B CN201510701132.1A CN201510701132A CN105204259B CN 105204259 B CN105204259 B CN 105204259B CN 201510701132 A CN201510701132 A CN 201510701132A CN 105204259 B CN105204259 B CN 105204259B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film transistor
tft
thin film
electrode
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510701132.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105204259A (zh
Inventor
杜鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201510701132.1A priority Critical patent/CN105204259B/zh
Publication of CN105204259A publication Critical patent/CN105204259A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105204259B publication Critical patent/CN105204259B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Abstract

一种像素结构及阵列基板。本发明的像素结构即保留了DLS架构带来的降低制造成本的特点，又通过使每个像素区域的主像素区域的像素电极的电压和子像素区域的像素电极的电压不同的技术手段，解决了VA模式下液晶显示面板存在的大视角色偏的技术问题，改善了液晶显示面板的大视角特性，显著提高了显示效果和市场竞争力。

Description

像素结构及阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构，还涉及具有该像素结构的阵列基板。
背景技术
随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示面板作为显示部件已广泛应用于移动电话、数码相机、掌上电脑(Personal Digital Assistant,PDA)等电子产品中。
目前，通常采用共享数据线(Data Line Sharing,DLS)的方式来降低液晶显示面板的制作成本。图1示出了现有技术中采用DLS架构的液晶显示面板的像素结构的等效电路图。如图1所示，像素结构包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极，每相邻两条数据线和每相邻两条扫描线围成并排排列的两个亚像素区域。以数据线D1和D2及扫描线G1和G2围成的两个亚像素区域为例来具体说明像素结构的结构。这两个亚像素区域内各设置有一个薄膜晶体管。其中第一个亚像素区域101内的薄膜晶体管的栅极与扫描线G2连接，源极与数据线D1连接，漏极连接此区域内的像素电极。第二个亚像素区域102内的薄膜晶体管的栅极与扫描线G1连接，源极与数据线D2连接，漏极连接此区域内的像素电极。可以看出，DLS架构能够使得液晶显示面板的扫描线的数量加倍，并使数据线的数量减半，从而能够减少源极驱动电路的数量，达到降低成本的目的。
上述像素结构所有的亚像素区域只设置一个区(不区域主像素区域和子像素区域)，这样对于具有此种像素结构且采用垂直配向(Vertical Alignment,VA)模式的液晶显示面板来讲，往往存在大视角色偏的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：由于像素结构的所有亚像素区域均只设置一个区，因此对于采用DLS架构和垂直配向模式的液晶显示面板来说，往往存在大视角色偏的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种像素结构及阵列基板。
根据本发明的一个方面，提供了一种像素结构，其包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极；
每相邻两条数据线之间设置有多组像素区域，其中每组像素区域对应两条相邻的扫描线，并且每组像素区域包括两个亚像素区域；
所述亚像素区域包括主像素区域和子像素区域，所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差。
优选的是，所述两条相邻的扫描线贯穿所述主像素区域和所述子像素区域。
优选的是，所述主像素区域内设置有第一薄膜晶体管，所述子像素区域内设置有第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极同时连接所述相邻的扫描线中的一条，所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的一条，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述主像素区域的像素电极，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极；
所述第三薄膜晶体管的设置使得所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差。
优选的是，所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线；所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极，所述第三薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。
优选的是，所述第三薄膜晶体管通过过孔连接所述公共电极。
优选的是，所述第三薄膜晶体管的源极连接设置在所述两个亚像素区域之间的公共电极。
优选的是，所述像素区域包括第一亚像素区域和第二亚像素区域；所述第一亚像素区域包括第一主像素区域和第一子像素区域；
所述第一主像素区域内设置有第一薄膜晶体管，所述第一子像素区域内设置有第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极同时连接所述相邻的扫描线中的第一级扫描线，所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的第一级数据线，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第一主像素区域的像素电极，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一子像素区域的像素电极；
所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述相邻的扫描线中的第二级扫描线，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第一子像素区域的像素电极，所述第三薄膜晶体管的源极通过第一耦合电容连接所述公共电极。
优选的是，所述第二亚像素区域包括第二主像素区域和第二子像素区域；
所述第二主像素区域内设置有第五薄膜晶体管，所述第二子像素区域内设置有第四薄膜晶体管，所述像素区域的下一组像素区域的主像素区域内设置有第六薄膜晶体管；
所述第五薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的栅极同时连接所述第二级扫描线，所述第五薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的第二级数据线，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第二主像素区域的像素电极，所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二子像素区域的像素电极；
所述第六薄膜晶体管的栅极所述第二级扫描线的下一级扫描线，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第二子像素区域的像素电极，所述第六薄膜晶体管的源极通过第二耦合电容连接所述公共电极。
优选的是，用于连接所述第六薄膜晶体管的漏极和所述第二子像素区域的像素电极的连接线贯穿所述第一亚像素区域和所述第二亚像素区域之间的空间。
根据本发明的另一个方面，提供了一种阵列基板，其包括衬底基板以及上述像素结构，所述像素结构设置在所述衬底基板上。
与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：
本发明对DLS架构下的像素结构进行了优化。一方面，本发明保留了DLS架构，从而保留了DLS架构带来的降低制造成本的特点。另一方面，本发明的每个像素区域的主像素区域的像素电极的电压和子像素区域的像素电极的电压不同，从而有效解决了VA模式下液晶显示面板存在的大视角色偏的技术问题，改善了具有该像素结构的液晶显示面板的大视角特性，显著提高了显示效果和市场竞争力。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例共同用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1示出了现有技术中采用DLS架构的液晶显示面板的像素结构的等效电路图；
图2示出了本发明第三个实施例像素结构的等效电路图；
图3示出了本发明第三个实施例像素结构的结构示意图；
图4示出了本发明第四个实施例像素结构的等效电路图；
图5示出了本发明第四个实施例像素结构的结构示意图；
图6示出了本发明第五个实施例像素结构的等效电路图；以及
图7示出了本发明第五个实施例像素结构的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本发明所要解决的技术问题是：由于像素结构的所有亚像素区域均只设置一个区，因此对于采用DLS架构和垂直配向模式的液晶显示面板来说，往往存在大视角色偏的问题。为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种像素结构。
第一实施例
本发明第一实施例的像素结构包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极。每相邻两条数据线之间设置有多组像素区域，每组像素区域包括两个亚像素区域。每组像素区域对应两条相邻的扫描线。
每个亚像素区域包括一个主像素区域和一个子像素区域。位于主像素区域的像素电极与公共电极的电压差不同于位于子像素区域内的像素电极与该公共电极的电压差。
本实施例对DLS架构下的像素结构进行了优化。一方面，本实施例保留了DLS架构，从而保留了DLS架构带来的降低制造成本的特点。另一方面，本实施例的每个像素区域的主像素区域的像素电极的电压和子像素区域的像素电极的电压不同，从而有效解决了VA模式下液晶显示面板存在的大视角色偏的技术问题，改善了具有该像素结构的液晶显示面板的大视角特性，显著提高了显示效果和市场竞争力。
第二实施例
在本发明第二实施例中，两条相邻的扫描线贯穿主像素区域和子像素区域。如此布线，可有效缩短像素区域内电子元件的引出端到扫描线的连接线的长度，从而使得像素的设计更加紧凑，达到增大开口率、提高穿透率的目的。
第三实施例
图2示出了本发明第三实施例像素结构的等效电路图，图3示出了本发明第三实施例像素结构的结构示意图。参照图2和图3，每相邻两条数据线之间(例如数据线D1和D2之间，数据线D2和D3之间，数据线D3和D4之间，数据线D4和D5之间)各设置有三组像素区域。每组像素区域包括左右并排的两个亚像素区域，分别为第一亚像素区域和第二亚像素区域。第一组像素区域对应彼此相邻的扫描线G1和G2。第二组像素区域对应彼此相邻的扫描线G3和G4。第三组像素区域对应彼此相邻的扫描线G5和G6。
各组像素区域内的元件配置相同。下面以第一组像素区域为例，具体说明像素区域内的元件配置。
在第一组像素区域中，第一亚像素区域包括第一主像素区域202和第一子像素区域201。第一主像素区域202内设置有第一薄膜晶体管1’。第一子像素区域201内设置有第二薄膜晶体管2’和第三薄膜晶体管3’。
第一薄膜晶体管1’的栅极、第二薄膜晶体管2’的栅极和第三薄膜晶体管3’的栅极均连接扫描线G1。第一薄膜晶体管1’的源极和第二薄膜晶体管2’的源极均连接数据线D1。第一薄膜晶体管1’的漏极连接第一主像素区域202的像素电极1，第二薄膜晶体管2’的漏极连接第一子像素区域201的像素电极。第三薄膜晶体管3’的漏极连接第一子像素区域201的像素电极。第三薄膜晶体管3’的源极通过一过孔连接公共电极2。
类似地，第二亚像素区域包括第二主像素区域301和第二子像素区域302。第二主像素区域301内设置有第四薄膜晶体管4’。第二子像素区域302内设置有第五薄膜晶体管5’和第六薄膜晶体管6’。
第四薄膜晶体管4’的栅极、第五薄膜晶体管5’的栅极和第六薄膜晶体管6’的栅极均连接扫描线G2。第四薄膜晶体管4’的源极和第五薄膜晶体管5’的源极均连接数据线D2。第四薄膜晶体管4’的漏极连接第二主像素区域301的像素电极。第五薄膜晶体管5’的漏极和第六薄膜晶体管6’的漏极均连接第二子像素区域302的像素电极。第六薄膜晶体管6’的源极通过一过孔连接公共电极2。
在本实施例中，由于位于子像素区域内的第三薄膜晶体管3’和第六薄膜晶体管6’起到了分压的作用，因此使得子像素区域内的像素电极的电压更加接近公共电极2的电压，从而使主像素区域内像素电极与公共电极2的电压差不同于子像素区域内像素电极与公共电极2的电压差。
第四实施例
图4示出了本发明第四实施例像素结构的等效电路图。图5示出了本发明第四实施例像素结构的结构示意图。参照图4和图5，第四实施例与第三实施例的不同之处在于：在第四实施例中，第一亚像素区域和第二亚像素区域之间设置纵向贯穿整个面板的公共电极2，第三薄膜晶体管3’的源极和第六薄膜晶体管6’的源极均直接该公共电极2。
在本实施例中，新增的公共电极2可采用第二金属层(即阵列基板的源漏极金属层)来制作。采用此种结构，第三薄膜晶体管3’的源极和第六薄膜晶体管6’的源极与公共电极2之间就可以用第二金属层直接相连。相比于第三实施例，本实施例的每个主像素区域或者子像素区域均可节省一个会增加不透光区域面积的过孔。因此本实施例像素结构的设计更加紧凑，达到了增大开口率、提高穿透率的目的。
第五实施例
图6示出了本发明第五实施例像素结构的等效电路图。图7示出了本发明第五实施例像素结构的结构示意图。参照图6和图7，每相邻两条数据线之间(例如数据线D1和D2之间，数据线D2和D3之间，数据线D3和D4之间，数据线D4和D5之间)各设置有三组像素区域。每组像素区域包括左右并排的两个亚像素区域，分别为第一亚像素区域和第二亚像素区域。第一组像素区域对应彼此相邻的扫描线G1和G2。第二组像素区域对应彼此相邻的扫描线G3和G4。第三组像素区域对应彼此相邻的扫描线G5和G6。
各组像素区域内的元件配置相同。下面以第一组像素区域为例，具体说明像素区域内的元件配置。
在第一组像素区域中，第一亚像素区域包括第一主像素区域和第一子像素区域。第一主像素区域内设置有第一薄膜晶体管1’，第一子像素区域内设置有第二薄膜晶体管2’和第三薄膜晶体管3’。
第一薄膜晶体管1’的栅极和第二薄膜晶体管2’的栅极均连接扫描线G1，第三薄膜晶体管3’的栅极连接扫描线G2。第一薄膜晶体管1’的源极和第二薄膜晶体管2’的源极均连接数据线D1。第一薄膜晶体管1’的漏极连接第一主像素区域的像素电极1，第二薄膜晶体管2’的漏极和第三薄膜晶体管3’的漏极均连接第一子像素区域的像素电极。第三薄膜晶体管3’的源极通过第一耦合电容4连接公共电极2。
仍参照图6和图7，在第一组像素区域中，第二亚像素区域包括第二主像素区域和第二子像素区域。第二子像素区域内设置有第四薄膜晶体管4’，第二主像素区域内设置有第五薄膜晶体管5’。第二子像素区域的像素电极1的电压除了受第四薄膜晶体管4’的影响之外，还受第六薄膜晶体管6’的影响。为了便于走线，第六薄膜晶体管6’设置在第二组像素区域所包括的第二主像素区域中。
第四薄膜晶体管4’的栅极和第五薄膜晶体管5’的栅极均连接扫描线G2。第六薄膜晶体管6’的栅极连接贯穿第二组像素区域的扫描线G3。第四薄膜晶体管4’的源极和第五薄膜晶体管5’的源极均连接数据线D2。第五薄膜晶体管5’的漏极连接第一组像素区域所包括的第二主像素区域的像素电极，第四薄膜晶体管4’的漏极和第六薄膜晶体管6’的漏极均连接第一组像素区域所包括的第二子像素区域的像素电极。第六薄膜晶体管6’的源极通过第二耦合电容5连接公共电极2。
对比第三实施例和第四实施例，本实施例的区别在于：第三和第四实施例中的第三薄膜晶体管3’或者第六薄膜晶体管6’均与公共电极2直接相连，而本实施例的第三薄膜晶体管3’或者第六薄膜晶体管6’均通过一个耦合电容(例如第一耦合电容4和第二耦合电容5)与公共电极2连接。以第一亚像素区域为例：在像素结构工作时，首先扫描线G1的电压使第一薄膜晶体管1’和第二薄膜晶体管2’开启，以向第一主像素区域的像素电极1和第一子像素区域的像素电极充电。然后，控制扫描线G1不带电，同时控制扫描线G2带电，从而使第一薄膜晶体管1’和第二薄膜晶体管2’关闭，第三薄膜晶体管3’打开。此时，第三薄膜晶体管3’将第一子像素区域的像素电极1通过第一耦合电容4连接公共电极2，从而通过第一耦合电容4的耦合作用使该第一子像素区域的像素电极的电压更加接近公共电极2的电压。如此设置，也可使第一主像素区域的像素电极与公共电极2的电压差不同于第一子像素区域的像素电极与公共电极2之间的电压差，从而改善了具有该像素结构的液晶显示面板的大视角特性，显著提高了显示效果。
第六实施例
仍参照图6，由于第六薄膜晶体管6’设置有第二组像素结构的第二主像素区域内，因此使得用于连接第六薄膜晶体管6’的漏极与第一组像素结构的第二子像素区域的像素电极的连接线3较长。
为解决这一技术问题，在本发明第六实施例中，用于连接第六薄膜晶体管6’的漏极和第一组像素结构的第二子像素区域的像素电极的连接线3贯穿第一亚像素区域和第二亚像素区域之间的空间。如此设置可充分利用两个亚像素区域中间位置的空间，不会对液晶显示面板的开口率和穿透率造成不利影响。
第七实施例
本实施例提供了一种阵列基板，其包括衬底基板以及设置在衬底基板上的像素结构。这里，像素结构为第一实施例至第六实施例中任一个实施例所述的像素结构。本实施例的阵列基板可应用于液晶显示装置的液晶显示面板中。这里，液晶显示装置可以是液晶电视、手机、电话、台式电脑、笔记本电脑、平板电脑等。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (6)

1.一种像素结构，其特征在于，包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极；
每相邻两条数据线之间设置有多组像素区域，其中每组像素区域对应两条相邻的扫描线，并且每组像素区域包括两个亚像素区域；
所述亚像素区域包括主像素区域和子像素区域，所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差；
所述主像素区域内设置有第一薄膜晶体管，所述子像素区域内设置有第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极同时连接所述相邻的扫描线中的一条，所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的一条，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述主像素区域的像素电极，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极；
所述第三薄膜晶体管的设置使得所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差；
其中，所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线；所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极，所述第三薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述两条相邻的扫描线贯穿所述主像素区域和所述子像素区域。
3.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的源极连接设置在所述两个亚像素区域之间的公共电极。
4.一种像素结构，其特征在于，包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极；
每相邻两条数据线之间设置有多组像素区域，其中每组像素区域对应两条相邻的扫描线，并且每组像素区域包括两个亚像素区域；
所述亚像素区域包括主像素区域和子像素区域，所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差；
所述每组像素区域包括第一亚像素区域和第二亚像素区域；所述第一亚像素区域包括第一主像素区域和第一子像素区域；
所述第一主像素区域内设置有第一薄膜晶体管，所述第一子像素区域内设置有第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极同时连接所述相邻的扫描线中的第一级扫描线，所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的第一级数据线，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第一主像素区域的像素电极，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一子像素区域的像素电极；
所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述相邻的扫描线中的第二级扫描线，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第一子像素区域的像素电极，所述第三薄膜晶体管的源极通过第一耦合电容连接所述公共电极；
所述第二亚像素区域包括第二主像素区域和第二子像素区域；
所述第二主像素区域内设置有第五薄膜晶体管，所述第二子像素区域内设置有第四薄膜晶体管，所述像素区域的下一组像素区域的第二主像素区域内设置有第六薄膜晶体管；
所述第五薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的栅极同时连接所述第二级扫描线，所述第五薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的第二级数据线，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第二主像素区域的像素电极，所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二子像素区域的像素电极；
所述第六薄膜晶体管的栅极连接所述第二级扫描线的下一级扫描线，所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第二子像素区域的像素电极，所述第六薄膜晶体管的源极通过第二耦合电容连接所述公共电极。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，用于连接所述第六薄膜晶体管的漏极和所述第二子像素区域的像素电极的连接线贯穿所述第一亚像素区域和所述第二亚像素区域之间的空间。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；以及
如权利要求1至5中任一项所述的像素结构，其设置在所述衬底基板上。
CN201510701132.1A 2015-10-26 2015-10-26 像素结构及阵列基板 Active CN105204259B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510701132.1A CN105204259B (zh) 2015-10-26 2015-10-26 像素结构及阵列基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510701132.1A CN105204259B (zh) 2015-10-26 2015-10-26 像素结构及阵列基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105204259A CN105204259A (zh) 2015-12-30
CN105204259B true CN105204259B (zh) 2019-02-15

Family

ID=54952019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510701132.1A Active CN105204259B (zh) 2015-10-26 2015-10-26 像素结构及阵列基板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105204259B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102493218B1 (ko) * 2016-04-04 2023-01-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN106501984B (zh) * 2016-12-28 2019-12-13 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控液晶显示面板及制作方法
CN106773408A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构和液晶显示面板
CN106597714A (zh) * 2017-02-03 2017-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 像素驱动电路及液晶显示面板
CN109119038A (zh) * 2018-09-03 2019-01-01 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110931512B (zh) * 2019-11-27 2022-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及电子装置
CN110930959A (zh) * 2019-11-28 2020-03-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路和液晶显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103268048A (zh) * 2013-04-27 2013-08-28 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示装置及驱动方法
CN103472647A (zh) * 2013-09-22 2013-12-25 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN204101858U (zh) * 2014-10-22 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN104536224A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101443380B1 (ko) * 2007-11-23 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103268048A (zh) * 2013-04-27 2013-08-28 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示装置及驱动方法
CN103472647A (zh) * 2013-09-22 2013-12-25 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN204101858U (zh) * 2014-10-22 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN104536224A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN105204259A (zh) 2015-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105204259B (zh) 像素结构及阵列基板
CN104834138B (zh) 高画质液晶显示器像素电路
US10083664B1 (en) Thin film transistor array substrate and display panel
CN107255894B (zh) 阵列基板及液晶显示面板
CN103529611B (zh) 一种阵列基板及液晶显示面板
KR20170105067A (ko) 용량성 전압 분할식 색 왜곡 감소 픽셀 회로
CN105045009B (zh) 一种液晶显示面板及其阵列基板
CN104460114A (zh) 液晶显示面板和显示装置
KR20090112087A (ko) 표시 장치
CN106782404A (zh) 像素驱动架构及液晶显示面板
CN106292106A (zh) 一种阵列基板的电路结构
WO2017092082A1 (zh) 阵列基板以及液晶显示装置
US20160282689A1 (en) Liquid crystal display panel and display device
CN107179636A (zh) 一种显示面板及显示装置
WO2018126510A1 (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN204515309U (zh) 显示面板
CN106647061B (zh) 像素结构及液晶显示面板
CN108474987A (zh) Tft阵列基板、显示面板及显示装置
CN110570825A (zh) 一种像素电路及液晶显示面板
CN105955532A (zh) 触控显示面板及其驱动电路、电子设备
CN106773412B (zh) 一种显示基板、显示装置及驱动方法
US8872747B2 (en) LCD panel with structure of Cs-on-gate type storage capacitor connecting with thin film transistor
TW201423708A (zh) 畫素驅動電路與畫素矩陣
CN101169531A (zh) 像素结构
CN203733452U (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant