CN108470851A - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

Abstract

一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法包括：检测基板表面的第一电荷的电性；根据第一电荷的电性，对被配置为与基板接触的接触部件进行电荷补偿操作，以对接触部件的与基板接触的表面补偿第二电荷，其中，第二电荷的电性与第一电荷的电性相同。该基板处理方法可以在基板与接触部件接触和分离的过程中减缓静电场感应起电的现象，从而可以提高产能、减少工艺时间以及减小由静电引起的基板不良。

Description

基板处理方法和基板处理装置

技术领域

本公开至少一个实施例涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

在有机发光二极管的蒸镀工艺中，玻璃基板会在真空腔室中进行蒸镀，基板在运输的过程中因为和承载部件之间的相互摩擦会产生一定量的静电，由于是在真空环境中进行蒸镀，且基板的材质是本身不导电的玻璃，因此随着加工工艺的进行，基板表面会累积越来越多的静电。

发明内容

本公开的至少一实施例提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法可以在基板与基台、掩模板等接触部件接触和分离的过程中减缓静电场感应起电的现象，从而可以提高产能、减少工艺时间以及减小由静电引起的掩模板或基板不良。

本公开的至少一实施例提供一种基板处理方法，包括：检测基板表面的第一电荷的电性；根据所述第一电荷的电性，对被配置为与所述基板接触的接触部件进行电荷补偿操作，以对所述接触部件的与所述基板接触的表面补偿第二电荷，其中，所述第二电荷的电性与所述第一电荷的电性相同。

在一些示例中，所述接触部件包括基台和掩模板的至少之一，所述基台被配置为承载所述基板，所述掩模板为对所述基板进行加工时与所述基板接触的掩模。

在一些示例中，对所述接触部件进行电荷补偿操作包括：对电容器充电；所述电容器充电完毕后，采用所述电容器对所述接触部件充入所述第二电荷。

在一些示例中，对所述电容器充电包括对所述电容器的第一极板和第二极板充电，并且所述第二极板被充入与所述第一电荷同性的电荷；采用所述电容器对所述接触部件充入所述第二电荷包括将所述第一极板接地；将所述第二极板连接至所述接触部件以对所述接触部件充入所述第二电荷；所述电容器对所述接触部件充入所述第二电荷完毕后，断开所述第二极板与所述接触部件的连接。

在一些示例中，对所述接触部件进行电荷补偿操作还包括：检测所述第一电荷的电荷量，根据所述第一电荷的电荷量确定对所述接触部件补偿的所述第二电荷的电荷量。

在一些示例中，所述基板处理方法还包括：将所述基板与所述接触部件接触以对所述基板进行加工。

在一些示例中，在所述基板与所述接触部件接触时，所述接触部件的表面受到所述第一电荷和所述第二电荷的共同作用而具有第三电荷，所述第三电荷的电性与所述第一电荷的电性相同或相反。

在一些示例中，所述基板与所述接触部件接触时，所述接触部件的表面受到所述第一电荷和所述第二电荷的共同作用而呈电中性。

在一些示例中，对所述基板加工完毕后，将所述基板与所述接触部件分离；释放所述接触部件上剩余的电荷以使所述接触部件上的电势为零；以及释放所述电容器中的电能。

在一些示例中，释放所述接触部件上剩余的电荷包括：将所述接触部件接地；释放所述电容器中的电能包括：将所述电容器的第一极板和第二极板接地。

在一些示例中，在真空环境中对所述接触部件进行电荷补偿操作。

本公开的至少一实施例提供一种基板处理装置，包括：静电检测装置，被配置为检测基板表面的第一电荷的电性；电荷控制装置，与所述静电检测装置电连接，并被配置为根据所述第一电荷的电性，对待与所述基板接触的接触部件进行电荷补偿操作，以对所述接触部件的与所述基板接触的表面补偿第二电荷，其中，所述第二电荷的电性与所述第一电荷的电性相同。

在一些示例中，所述接触部件包括基台和掩模板的至少之一，所述基台被配置为承载所述基板，所述掩模板为对所述基板进行加工时与所述基板接触的掩模。

在一些示例中，所述基板处理装置还包括电源，所述电荷控制装置包括电容器，所述电容器被配置为可在第一状态，第二状态和第三状态之间切换，所述第一状态为所述电容器与所述接触部件电连接的状态，所述第二状态为所述电容器与所述电源电连接的状态，所述第三状态为所述电容器与地电连接的状态，并且所述电容器被配置为对所述接触部件充入所述第二电荷。

在一些示例中，所述接触部件被配置为可在第四状态和第五状态之间切换，所述第四状态为所述接触部件与所述电容器电连接的状态，所述第五状态为所述接触部件与地电连接的状态。

在一些示例中，所述静电检测装置还被配置为检测所述第一电荷的电荷量，所述电荷控制装置对所述接触部件进行电荷补偿操作包括：根据所述第一电荷的电荷量，确定对所述接触部件补偿的所述第二电荷的电荷量。

在一些示例中，所述基板处理装置，还包括：真空腔室，被配置为容纳所述基板和所述接触部件，其中，所述电荷控制装置位于所述真空腔室的外部，所述电荷控制装置通过引线与所述接触部件电连接。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1A为本公开一实施例提供的基板处理方法的示意性流程图；

图1B为本公开实施例提供的对应于图1A所示的基板处理方法的基板处理装置的局部结构示意图；

图1C为本公开一实施例提供的接触部件被补偿第二电荷后的状态示意图；

图1D为本公开实施例提供的对应于图1A所示的基板处理方法中接触部件呈电中性的示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在研究中，本申请的发明人发现：当基板上携带一定量的静电荷时，在基板与掩模板或者基台等接触部件接触时，由于两者之间的感应起电现象，会使得掩模板或者基台的与基板相接触的一面产生一定量的的异性电荷。在基板与掩模板或者基台分离的时候，由于异性电荷之间的相互吸引，对脆弱的掩模板或者相对脆弱的基板会造成不良影响，并且会在一定程度上限制工艺时间的提升。此外，当基板与掩模板或者基台之间的静电量过大时，甚至会出现基板本身吸附到基台上、扯断掩模板上的掩模条等严重问题。

通常，基台通过接地以使自身处于零电势，但是当基板进入腔室之后，基板携带的静电无法通过接触基台而导出，相反的，基台的与基板接触的表面会由于基板的静电场而开始累积负电荷(例如基板的材质为玻璃，摩擦后带正电荷)，这个现象无法通过基台接地而被避免。

此外，一般除静电的方式包括：通过离子风机、离子棒、软X射线等去除静电，上述方式均需要将气体电离以提供正负电荷，进而中和基板上携带的电荷，但这些方式不适用于真空设备。

本公开的实施例提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：检测基板表面的第一电荷的电性；根据第一电荷的电性，对被配置为与基板接触的接触部件进行电荷补偿操作，以对接触部件的与基板接触的表面补偿第二电荷，第二电荷的电性与第一电荷的电性相同。该基板处理方法可以在基板与基台、掩模板等接触部件接触和分离的过程中减缓静电场感应起电的现象，从而可以提高产能、减少工艺时间以及减小由静电引起的掩模板或基板不良。

下面结合附图对本公开实施例提供的基板处理方法和基板处理装置进行描述。

本公开至少一实施例提供一种基板处理方法，图1A为本公开实施例提供的基板处理方法的示意性流程图，图1B为本公开实施例提供的对应于图1A所示的基板处理方法的基板处理装置的局部结构示意图，图1C为接触部件被补偿第二电荷后的状态示意图。如图1A所示，基板处理方法包括如下步骤。

S101：检测基板表面的第一电荷的电性。

例如，如图1B所示，在对基板200进行(如蒸镀)加工操作之前，可以使用静电检测装置210对基板200表面的第一电荷205的电性进行检测。

例如，当基板200的材质为玻璃时，其携带正电荷。

S102：根据第一电荷的电性，对被配置为与基板接触的接触部件进行电荷补偿操作，以对接触部件的与基板接触的表面补偿第二电荷，第二电荷的电性与第一电荷的电性相同。

例如，如图1C所示，当第一电荷为正电荷时，第二电荷233也为正电荷；当第一电荷为负电荷时，第二电荷233也为负电荷。

例如，如图1C所示，接触部件230的与基板接触的表面的初始状态为零电势状态，当对接触部件230的表面补偿第二电荷233后，接触部件230的表面上具有第二电荷233。

例如，如图1B所示，本实施例中的被配置为与基板200接触的接触部件230包括基台231和掩模板232的至少之一，基台231被配置为承载基板200，掩模板232为对基板200进行加工(例如蒸镀)时与基板200接触的掩模。

本实施例在基板与接触部件接触之前，不将接触部件接地，而是对接触部件面向基板的表面充入一定量的与第一电荷的电性相同的第二电荷，使得基板与接触部件之间产生的感应起电现象的强度远远弱于没有在接触部件上充入第二电荷时的基板与接触部件之间产生的感应起电现象的强度。本实施例提供的方法相对于采用离子风机、离子棒、软X射线等进行去除静电的方法，可以避免对腔室引入电离气体、有害射线等，并且更节约能源。

例如，如图1B所示，可以采用电荷控制装置220对接触部件230进行电荷补偿操作，以对接触部件230的待与基板200接触的表面充入第二电荷233。

例如，如图1B和图1C所示，采用电荷控制装置220对接触部件230进行电荷补偿操作包括：对电容器221充电；电容器221充电完毕后，采用电容器221对接触部件230充入第二电荷233。

例如，如图1B和图1C所示，对接触部件230的待与基板200接触的表面充入第二电荷233之前包括：检测第一电荷205的电荷量(静电电量)，根据第一电荷205的电荷量确定对接触部件230补偿的第二电荷233的电荷量。

例如，可以通过控制充入电容器221的电能以实现对接触部件230充入第二电荷233的电荷量的控制。例如，电容器221为位于电荷控制装置220中的用于为接触部件230充入第二电荷233的部件。

例如，以接触部件230为基台231为例进行描述：在没有对基台231进行补偿操作的情况下，检测基板200的第一电荷205的电荷量为Q1，重力为G1；基台231在受到第一电荷205的静电作用下的起电量为Q2(也可以通过静电检测装置进行检测，且基台的起电电荷的电性与第一电荷的电性相反)；基板200和基台231之间的硬件需求间距为L；k为库伦常数，从而，基台231与基板200之间的静电力近似为F＝m*k*Q1*Q2/L²,m为一个与基板和基台几何尺寸有关的参数。

上述的硬件需求间距指基板与基台接触以后，两者之间仍存在的间隙，该间隙的值L很小，例如可以认为是0.05mm，或者在微米量级。实际情况下，基板和基台之间也不是整体完全贴合，即，基板和基台之间一般会有一个间距，这里称为硬件需求间距。

例如，在对基台231的与基板200接触的表面补偿第二电荷233(其电荷量为Q)后，当基板200与基台231接触时，基台231的表面因受到第一电荷205和第二电荷233的共同作用而具有第三电荷234，第三电荷234的电性与第一电荷205的电性相同，即，当第二电荷233的电荷量Q大于起电量Q2时，基台231上具有的第三电荷234的电性与基板200上的第一电荷205的电性相同，两者之间产生排斥力，此时可以完全消除两者之间的静电力。

例如，在对基台231的与基板200接触的表面补偿第二电荷233后，基板200与基台231接触时，基台231的表面因受到第一电荷205和第二电荷233的共同作用而具有第三电荷234，第三电荷234的电性与第一电荷205的电性相反，即，当第二电荷233的电荷量Q小于起电量Q2时，基台231上具有的第三电荷234的电性与基板200上的第一电荷205的电性相反，两者之间仍为相互吸引的静电力，此时由于补偿的第二电荷减小了两者之间的静电力，因此可以有效减小静电感应强度。

例如，图1D为本公开实施例提供的对应于图1A所示的基板处理方法中接触部件呈电中性的示意图，如图1D所示，在对接触部件230的与基板200接触的表面补偿第二电荷后，基板200与基台231接触时，基台231的表面因受到第一电荷205和第二电荷233的共同作用而呈电中性，即，当第二电荷的电荷量Q等于起电量Q2时，基台231的表面呈电中性，此时可以完全消除两者之间的静电力。

需要说明的是，在接触部件被补偿第二电荷之后，由于接触部件与基板接触时，接触部件的表面因受到第一电荷的作用而产生感应起电现象，感应起电量与补偿的第二电荷中和后剩余的电荷即为上述的第三电荷。

例如，在一示例中，对基台进行补偿第二电荷的操作后，当第二电荷的电荷量Q大于起电量Q2时，两者之间的作用力近似为F＝m*k*Q1*(Q-Q2)/L²，其中的(Q-Q2)即为第三电荷的电荷量。调整第二电荷的电荷量Q，使得基板可以满足需求状态：F<G1，以使得在F和G1的共同作用下，基板能够放置在基台上。本示例通过调整第二电荷的电荷量的大小，可调整基板与基台之间的作用力的大小，并最终影响基板的状态。

例如，以接触部件230为掩模板232为例进行描述：在没有对掩模板232进行补偿操作的情况下，检测基板200的第一电荷205的电荷量为Q1；掩模板232的重力为G2，掩模板232在受到第一电荷205的静电作用下的起电量为Q3(也可以通过静电检测装置进行检测，且掩模板的起电电荷的电性与第一电荷的电性相反)；基板200和掩模板232之间的硬件需求间距为L；k为库伦常数，从而，掩模板232与基板200之间的静电力近似为F＝n*k*Q1*Q3/L²,n为一个与基板和掩模板几何尺寸有关的参数。

例如，在一示例中，对掩模板补偿第二电荷(其电荷量为Q)后，当第二电荷的电荷量Q大于起电量Q3时，两者之间的作用力近似为F＝n*k*Q1*(Q-Q3)/L²，调整第二电荷的电荷量Q，使得掩模板可以满足需求状态：F<G2，以使得在F和G2的共同作用下，掩模板能够放置在基板上。

例如，电荷控制装置220中包括控制器224(例如可编程逻辑控制器)，静电检测装置210与控制器224的端口206连接，以使控制器224能够接收静电检测装置210检测的信号，然后根据第一电荷205的电荷量与应补偿的第二电荷233的电荷量的对应关系，对接触部件230进行补偿操作。

例如，根据第一电荷205的电荷量对电容器221进行充电指：根据静电检测装置210检测的信号(对应第一电荷的电荷量)以及第一电荷205的电荷量与应补偿的第二电荷233的电荷量的对应关系，对应该充入电容器221的电能进行计算，然后通过充电时间来控制应充入电容器221的电能。

例如，如图1B所示，对电容器221充电包括：对电容器221的第一极板2211和第二极板2212充电，并且第二极板2212被充入与第一电荷205的电性相同的电荷。

例如，基板处理装置还包括电源222，电源222与控制器224的端口207和端口208连接以为整个电路提供直流电源。

例如，电容器221的第一极板2211与控制器224的端口201连接，电容器221的第二极板2212与控制器224的端口202连接，控制器224调用端口201和端口202给电容器221充电。

例如，在电容器221充电完毕后，控制器224断开端口201和端口202的充能，将端口201与控制器224的接地端口204连接以使电容器221的第一极板2211接地；将端口202与控制器224的与接触部件230连接的端口203连接以使接触部件230被第二极板2212充入第二电荷233。第一极板2211接地以释放与第二极板2212充入接触部件230的等量电荷到接地端，从而完成了第二极板2212对接触部件230充入第二电荷233的补偿操作。

例如，本实施例示意性的示出基台231和掩模板232通过同一个端口203与控制器224连接，实际工艺中两者既可以通过同一个端口，也可以通过不同端口与控制器224连接，本实施例对此不作限制。

例如，在第二极板2212与接触部件230电连接以后，第二极板2212上的电荷流入接触部件230以为接触部件230补偿第二电荷233，当接触部件230上的电势与第二极板2212的电势相等时，两者达到稳定状态，且此时接触部件230上的第二电荷233的电荷量为Q。由此，本实施例中对电容器充入的电能需要满足的条件为：电容器的第二极板给接触部件充能以使第二极板的电势等于接触部件的电势时，接触部件上的第二电荷的电荷量为Q。

例如，在电容器221对接触部件230充入第二电荷233完毕后，断开第二极板2212与接触部件230的连接，即，端口203与端口202的连接被断开以使第二极板2212与接触部件230的连接被断开。

本实施例中根据第一电荷的电荷量对接触部件充入的第二电荷的电荷量是适量的，以使在接触部件的表面上补偿第二电荷后，不会对基板正常的工艺品质造成影响，也不会引起生产事故。

例如，本公开实施例提供的基板处理方法还包括：将基板200与接触部件230接触以对基板200进行加工。

例如，基板200与接触部件230接触包括将基板200放置在基台231上，和/或将掩模板232与基板200接触。

例如，对基板200进行加工包括：对基板200(例如玻璃)进行蒸镀以形成有机发光二极管显示基板。但本实施例不限于机发光二极管的蒸镀工艺，在相应改造的前提下，该技术可以适用于类似的生产环境。

例如，在对基板200加工完毕后，将基板200与接触部件230分离。

例如，将基板200与接触部件230分离包括：将掩模板232与基板200分离。由于掩模板232上被充入的第二电荷233与基板200上的第一电荷205的电性相同，因此，在两者分离时不会产生过大的静电吸附或者放电现象，避免了由静电引起的吸附、放电、击穿等带来的一系列问题，并且减少了工艺时间。

例如，将基板200与接触部件230分离还包括：将基板200从基台231上取走。由于基台231上被充入的第二电荷233与基板200上的第一电荷205的电性相同，因此，在两者分离时不会产生过大的静电吸附或者放电现象，可以防止基板的损伤。

例如，在基板200与接触部件230分离后，释放接触部件230上的剩余的电荷以使接触部件230上的电势为零，从而为加工下一个基板做准备，以使在对下一个基板进行加工操作时，接触部件230的初始状态为零电势。

例如，如图1B所示，释放接触部件230上的剩余的电荷包括：将接触部件230接地。例如，将端口203与端口204连接以使接触部件230接地，从而释放接触部件230上的剩余的电荷。由此，实现一个完整的循环过程：复位-测量第一电荷-补偿第二电荷-加工基板-复位。

例如，如图1B所示，对基板200进行加工完毕后，还包括释放电容器221中的电能。例如，将端口202以及端口201与端口204连接，从而使电容器221的第一极板2211和第二极板2212接地以释放电容器221中的电能，完成电容器的复位。

例如，如图1B所示，对接触部件230进行的电荷补偿操作是在真空环境中进行的。本实施例提供的基板处理方法，通过对接触部件补偿与基板上的电荷电性相同的电荷，可以避免真空环境中由静电引起的吸附、放电、击穿等带来的一系列问题，节约能源。

如图1B所示，本公开另一实施例提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括静电检测装置210和电荷控制装置220。静电检测装置210被配置为检测基板200表面的第一电荷205的电性，电荷控制装置220与静电检测装置210电连接，并且，电荷控制装置220被配置为根据第一电荷205的电性，对待与基板200接触的接触部件230进行电荷补偿操作，以对接触部件230的与基板200接触的表面补偿第二电荷233，第二电荷233的电性与第一电荷205的电性相同。

本实施例在基板与接触部件接触(掩模板或基台)之前，不将接触部件接地，而是对接触部件面向基板的表面充入一定量的与第一电荷的电性相同的第二电荷，使得基板与接触部件之间产生的感应起电现象的强度远远弱于没有在接触部件上充入第二电荷时的基板与接触部件之间产生的感应起电现象的强度。该基板处理装置可以在基板与接触部件接触和分离的过程中减缓静电场感应起电的现象，从而可以提高产能、减少工艺时间以及减小由静电引起的掩模板或基板不良。

例如，本实施例中的接触部件通过陶瓷、橡胶、绝缘涂层、绝缘油脂等诸多方法实现与基板处理装置中的接地的独立(即不接地)。

例如，本公开实施例中的接触部件230包括基台231和掩模板232的至少之一，基台231被配置为承载基板200，掩模板232为对基板200进行加工时与基板200接触的掩模。

例如，静电检测装置210还被配置为检测基板200表面的第一电荷205的电荷量，并将该表示第一电荷205的电性和电荷量的检测信号传输给电荷控制装置220中的控制器224，然后电荷控制装置220根据检测信号以及第一电荷205的电荷量与应补偿的第二电荷233的电荷量的对应关系对接触部件230进行补偿操作。

例如，如图1B所示，基板处理装置还包括电源222，电荷控制装置220包括电容器221，电容器221被配置为可在第一状态，第二状态和第三状态之间切换，第一状态为电容器221与接触部件230电连接的状态，第二状态为电容器221与电源222电连接的状态，第三状态为电容器221与地电连接的状态。

例如，如图1B所示，对电容器221充电包括：采用控制器224的充能端口201和202对电容器221的第一极板2211和第二极板2212充电，并且第二极板2212被充入与第一电荷205的电性相同的电荷。

例如，在电容器221充电完毕后，控制器224断开端口201和端口202的充能，将端口201与控制器224的接地端口204连接以使电容器221的第一极板2211接地；将端口202与控制器224的与接触部件230连接的端口203连接以使接触部件230被第二极板2212充入第二电荷233。第一极板2211接地以释放与第二极板2212充入接触部件230的等量电荷到接地端，从而完成了第二极板2212对接触部件230充入第二电荷233的补偿操作。

例如，在第二极板2212与接触部件230电连接以后，第二极板2212上的电荷流入接触部件230以为接触部件230补偿第二电荷233，当接触部件230上的电势与第二极板2212的电势相等时，两者达到稳定状态。

例如，如图1B所示，在电容器221对接触部件230充入第二电荷233完毕后，断开第二极板2212与接触部件230的连接，即，端口203与端口202的连接被断开以断开第二极板2212与接触部件230的连接。

例如，本实施例提供的基板处理装置可以对基板200进行蒸镀以形成有机发光二极管显示基板，但不限于此。例如，在对基板200进行蒸镀时，基板200与接触部件230接触，可以包括将基板200放置在基台231上，和/或将掩模板232与基板200接触。

由于在对接触部件的与基板接触的表面补偿第二电荷后，当基板与接触部件接触时，接触部件的表面因受到第一电荷和第二电荷的共同作用而具有第三电荷，第三电荷的电性与第一电荷的电性相同或相反；或者，在对接触部件的与基板接触的表面补偿第二电荷后，当基板与接触部件接触时，接触部件的表面因受到第一电荷和第二电荷的共同作用而呈电中性，因此，两者之间的静电力可以被完全或者部分消除，在两者分离时不会产生过大的静电吸附或者放电现象，避免了由静电引起的吸附、放电、击穿等带来的一系列问题，并且减少了工艺时间。

例如，在对基板200加工完毕后，将基板200与接触部件230分离。

例如，在基板200与接触部件230分离后，释放接触部件230上剩余的电荷以使接触部件230上的电势为零。

例如，如图1B所示，释放接触部件230上剩余的电荷包括：将接触部件230接地。因此，本实施例中的接触部件被配置为可在第四状态和第五状态之间切换，第四状态为接触部件与电容器电连接的状态，第五状态为接触部件与地电连接的状态，即，当接触部件用于对基板进行加工时，接触部件通过控制器与电荷控制装置中的电容器连接以使接触部件上被充入第二电荷(接触部件与端口203连接)；当基板被加工完成并与接触部件分离后，为了使接触部件用于对下一个基板进行加工，需要将接触部件与地连接以释放接触部件上的剩余的电荷(端口203与端口204连接)，使接触部件上的电势为零。

例如，如图1B所示，对基板200进行加工完毕后，还包括释放电容器221中的电能。例如，将电容器221的第一极板2211和第二极板2212接地以释放电容器221中的电能，即，将端口202以及端口201与端口204连接，从而使电容器221的第一极板2211和第二极板2212接地以释放电容器221中的电能，完成电容器的复位。

因此，电容器被配置为可在第一状态，第二状态和第三状态之间切换包括：在电容器进行充能的过程中，电容器的两个极板通过控制器与电源连接；在电容器的第二极板与接触部件连接时，电容器的第一极板与地连接以释放其上的一部分电荷以使第二极板给接触部件充入第二电荷；在电容器进行释放电能的过程中，第一极板和第二极板均与地连接。

例如，如图1B所示，基板处理装置还包括：真空腔室240，被配置为容纳基板200和接触部件230。

例如，如图1B所示，静电检测装置210位于真空腔室240的内部，电荷控制装置220位于真空腔室240的外部，电荷控制装置220通过引线223与静电检测装置210以及接触部件230电连接，从而节约了真空腔室的空间。

例如，静电检测装置210也可以位于真空腔室240的外部，以节省真空腔室240的空间。

本实施例提供的基板处理装置，通过对接触部件补偿与基板上的电荷电性相同的电荷，可以避免真空设备中由静电引起的吸附、放电、击穿等带来的一系列问题，节约能源，给真空设备产能提升带来可行性。

有以下几点需要说明：

(1)除非另作定义，本公开实施例以及附图中，同一标号代表同一含义。

(2)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种基板处理方法，包括：

检测基板表面的第一电荷的电性；

根据所述第一电荷的电性，对被配置为与所述基板接触的接触部件进行电荷补偿操作，以对所述接触部件的与所述基板接触的表面补偿第二电荷，

其中，所述第二电荷的电性与所述第一电荷的电性相同。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述接触部件包括基台和掩模板的至少之一，所述基台被配置为承载所述基板，所述掩模板为对所述基板进行加工时与所述基板接触的掩模。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，对所述接触部件进行电荷补偿操作包括：

对电容器充电；

所述电容器充电完毕后，采用所述电容器对所述接触部件充入所述第二电荷。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，对所述电容器充电包括对所述电容器的第一极板和第二极板充电，并且所述第二极板被充入与所述第一电荷同性的电荷；

采用所述电容器对所述接触部件充入所述第二电荷包括将所述第一极板接地；将所述第二极板连接至所述接触部件以对所述接触部件充入所述第二电荷；

所述电容器对所述接触部件充入所述第二电荷完毕后，断开所述第二极板与所述接触部件的连接。

5.根据权利要求1-4任一项所述的基板处理方法，其中，对所述接触部件进行电荷补偿操作还包括：

检测所述第一电荷的电荷量，根据所述第一电荷的电荷量确定对所述接触部件补偿的所述第二电荷的电荷量。

6.根据权利要求4所述的基板处理方法，还包括：

将所述基板与所述接触部件接触以对所述基板进行加工。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，在所述基板与所述接触部件接触时，所述接触部件的表面受到所述第一电荷和所述第二电荷的共同作用而具有第三电荷，所述第三电荷的电性与所述第一电荷的电性相同或相反。

8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，在所述基板与所述接触部件接触时，所述接触部件的表面受到所述第一电荷和所述第二电荷的共同作用而呈电中性。

9.根据权利要求7所述的基板处理方法，还包括：

对所述基板加工完毕后，将所述基板与所述接触部件分离；

释放所述接触部件上剩余的电荷以使所述接触部件上的电势为零；以及释放所述电容器中的电能。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，释放所述接触部件上剩余的电荷包括：将所述接触部件接地；释放所述电容器中的电能包括：将所述电容器的第一极板和第二极板接地。

11.根据权利要求1-4任一项所述的基板处理方法，其中，在真空环境中对所述接触部件进行电荷补偿操作。

12.一种基板处理装置，包括：

静电检测装置，被配置为检测基板表面的第一电荷的电性；

电荷控制装置，与所述静电检测装置电连接，并被配置为根据所述第一电荷的电性，对待与所述基板接触的接触部件进行电荷补偿操作，以对所述接触部件的与所述基板接触的表面补偿第二电荷，

其中，所述第二电荷的电性与所述第一电荷的电性相同。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，所述接触部件包括基台和掩模板的至少之一，所述基台被配置为承载所述基板，所述掩模板为对所述基板进行加工时与所述基板接触的掩模。

14.根据权利要求12所述的基板处理装置，还包括电源，其中，所述电荷控制装置包括电容器，所述电容器被配置为可在第一状态，第二状态和第三状态之间切换，所述第一状态为所述电容器与所述接触部件电连接的状态，所述第二状态为所述电容器与所述电源电连接的状态，所述第三状态为所述电容器与地电连接的状态，并且所述电容器被配置为对所述接触部件充入所述第二电荷。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述接触部件被配置为可在第四状态和第五状态之间切换，所述第四状态为所述接触部件与所述电容器电连接的状态，所述第五状态为所述接触部件与地电连接的状态。

16.根据权利要求12-15任一项所述的基板处理装置，其中，所述静电检测装置还被配置为检测所述第一电荷的电荷量，所述电荷控制装置对所述接触部件进行电荷补偿操作包括：

根据所述第一电荷的电荷量，确定对所述接触部件补偿的所述第二电荷的电荷量。

17.根据权利要求12-15任一项所述的基板处理装置，还包括：

真空腔室，被配置为容纳所述基板和所述接触部件，其中，所述电荷控制装置位于所述真空腔室的外部，所述电荷控制装置通过引线与所述接触部件电连接。