CN108456871A - 压力控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够使生产率提高的压力控制方法。一个实施方式的压力控制方法是在一个真空容器内具有被不完全地分隔的多个处理区域的成膜装置中的压力控制方法,所述压力控制方法包括:第一调整步骤:基于按所述多个处理区域的各处理区域而定的目标压力和目标流量、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息来对被设置于所述多个处理区域的各处理区域的排气阀的开度进行调整;以及第二调整步骤,在所述第一调整步骤之后,基于所述多个处理区域中的一个处理区域的压力来对被设置于所述一个处理区域的排气阀的开度进行调整。

Description

压力控制方法
技术领域
本发明涉及一种压力控制方法。
背景技术
已知一种在一个真空容器内具有通过被供给分离气体的分离区域来被不完全地分隔而成的两个处理区域的成膜装置。在该成膜装置中,对两个处理区域的各处理区域供给不同的反应气体。
然而,在两个处理区域被不完全地分隔的情况下,当真空容器内的压力、反应气体的流量急剧地变化时,有时反应气体从一个处理区域流出到另一个处理区域而使得反应气体混合。
因此,在以往,在各个处理区域单独设置排气路且在这些处理区域之间设置分离区域,对从这些排气路进行排气的气体流量比和真空容器内的压力进行调整以使流向基板的气体流恒定化(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2010-80924号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在上述的技术中,在伴随压力的变更而条件变更时,交替地重复进行气体流量比的调整和真空容器内的压力的调整,因此调整花费时间,从生产率的观点来看具有改善的余地。
因此,鉴于上述课题,目的在于提供一种能够使生产率提高的压力控制方法。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的,本发明的一个方式所涉及的压力控制方法为在一个真空容器内具有被不完全地分隔的多个处理区域的成膜装置中的压力控制方法,所述压力控制方法包括:第一调整步骤,基于按所述多个处理区域的各处理区域而定的目标压力和目标流量、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息来对设置于所述多个处理区域的各处理区域的排气阀的开度进行调整;以及第二调整步骤,在所述第一调整步骤之后,基于所述多个处理区域中的一个处理区域的压力来对设置于所述一个处理区域的排气阀的开度进行调整。
发明的效果
根据公开的压力控制方法,能够使生产率提高。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的成膜装置的纵剖面图。
图2是表示图1的成膜装置的内部的概要结构的立体图。
图3是图1的成膜装置的横剖俯视图。
图4是表示图1的成膜装置中的处理区域和分离区域的纵剖面图。
图5是表示图1的成膜装置的一部分的纵剖面图。
图6是用于说明图1的成膜装置的控制系统的图。
图7是表示第一实施方式所涉及的压力控制方法的一例的流程图。
图8是表示气体的供给流量和处理容器内的压力的时间变化的图。
图9是用于说明第二实施方式所涉及的成膜装置的控制系统的图。
图10是用于说明第三实施方式所涉及的成膜装置的控制系统的图。
图11是用于说明第四实施方式所涉及的成膜装置的控制系统的图。
附图标记说明
1:真空容器;31b、32b、33b:气体供给管;37a、37b、37c:流量调整部;64a、64b、64c:真空泵;63a、63b、63c:排气路;65a、65b、65c:排气阀;66a、66b、66c:压力检测单元;68a、68b、68c:阀门调整部;D:分离区域;S1:第一处理区域;S2:第二处理区域。
具体实施方式
下面参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外,在本说明书和附图中,对实质上相同的结构标注相同的标记,由此省略重复的说明。
本发明的实施方式所涉及的压力控制方法为在一个真空容器内具有被不完全地分隔的多个处理区域的成膜装置中的压力控制方法。在本发明的实施方式所涉及的压力控制方法中,能够抑制在伴随压力的变更而条件变更时反应气体从一个处理区域流出到另一个处理区域,并且能够在短时间内进行条件的变更,其结果是,能够使生产率提高。
下面,举出以第一实施方式到第四实施方式所涉及的成膜装置为例来说明本发明的实施方式所涉及的压力控制方法。
〔第一实施方式〕
图1是第一实施方式所涉及的成膜装置的纵剖面图,是沿图3的I-I'线剖切的截面图。图2是表示图1的成膜装置的内部的概要结构的立体图。图3是图1的成膜装置的横剖俯视图。
如图1到图3所示,成膜装置具备平面形状为大致圆形的扁平的真空容器1、以及设置于真空容器1内并在真空容器1的中心具有旋转中心的旋转台2。
真空容器1构成为顶板11能够从容器主体12拆卸。由于真空容器1内减压,顶板11借助呈环状设置于容器主体12的上表面的周缘部的密封构件、例如O形环13而被向容器主体12侧推压来维持气密状态。顶板11在从容器主体12分离时由未图示的驱动机构被向上方抬起。
旋转台2在中心部固定于圆筒形状的芯部21。芯部21固定于沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯通真空容器1的底面部14,该旋转轴22的下端安装于使旋转轴22绕铅垂轴线例如顺时针地旋转的驱动部23。旋转轴22和驱动部23被收纳于上表面开口的筒状的壳体20内。壳体20的、设置于其上表面的凸缘部分气密地安装于真空容器1的底面部14的下表面,维持壳体20的内部气氛与外部气氛之间的气密状态。
如图2和图3所示,在旋转台2的表面部沿旋转方向(周向)设置有用于载置例如5张作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆W”)的圆形状的凹部24。凹部24用于定位晶圆W使得晶圆W不会由于伴随旋转台2的旋转的离心力而飞出。此外,在图3中,为了方便,只在一个凹部24中示出晶圆W。
图4是沿同心圆切断旋转台2、并且横向展开来示出的展开图。如图4的(a)所示,凹部24的直径比晶圆W的直径稍大,例如大4mm,另外,其深度设定为与晶圆W的厚度同等的大小。因而,当将晶圆W载置于凹部24时,晶圆W的表面与旋转台2的表面(未载置晶圆W的区域)对齐。当晶圆W的表面与旋转台2的表面之间的高度之差大时,在该台阶部分产生压力变动,因此从使膜厚度的面内均匀性一致的观点出发,优选的是使晶圆W的表面与旋转台2的表面的高度对齐。所谓使晶圆W的表面与旋转台2的表面的高度对齐是指为相同的高度、或两表面之差在5mm以内,但优选的是根据加工精度等尽可能使两表面的高度之差接近零。在凹部24的底面形成有供用于支承晶圆W的背面来使晶圆W升降的例如三个升降销(未图示)贯通的贯通孔(未图示)。
如图2和图3所示,在真空容器1中,在与旋转台2中的凹部24的通过区域分别相对的上位置处,第一反应气体喷嘴31和第二反应气体喷嘴32和两个分离气体喷嘴41、42以在真空容器1的周向(旋转台2的旋转方向)上彼此隔开间隔地从中心部呈放射状地延伸。在该例子中,第二反应气体喷嘴32、分离气体喷嘴41、第一反应气体喷嘴31和分离气体喷嘴42按这个顺序顺时针地排列。第一反应气体喷嘴31、第二反应气体喷嘴32和分离气体喷嘴41、42例如安装于真空容器1的侧周壁,其基端部即气体导入端口31a、32a、41a、42a贯通侧周壁。
第一反应气体喷嘴31经由设置有阀门36a和流量调整部37a的气体供给管31b来与贮存第一反应气体即BTBAS(双(叔丁基氨基)硅烷)气体的第一气体供给源38a连接。
第二反应气体喷嘴32经由设置有阀门36b和流量调整部37b的气体供给管32b来与贮存有第二反应气体即O3(臭氧)气体的第二气体供给源38b连接。
分离气体喷嘴41经由设置有阀门36c和流量调整部37c的气体供给管41b来与贮存有分离气体和非活性气体即N2(氮)气体的N2气体供给源38c连接。
分离气体喷嘴42经由设置有阀门36d和流量调整部37d的气体供给管42b来与N2气体供给源38c连接。
第一反应气体喷嘴31与阀门36a之间的气体供给管31b经由阀门36e和流量调整部37e来与N2气体供给源38c连接,从而能够从第一反应气体喷嘴31向真空容器1内供给N2气体。
第二反应气体喷嘴32与阀门36b之间的气体供给管32b经由阀门36f和流量调整部37f来与N2气体供给源38c连接,从而能够从第二反应气体喷嘴32向真空容器1内供给N2气体。
利用这些阀门36a~36f和流量调整部37a~37f构成气体供给系统39。
用于向下方侧喷出反应气体的、例如口径为0.5mm的喷出孔33以朝向正下方且在喷嘴的长度方向上隔开例如10mm的间隔的方式排列于第一反应气体喷嘴31和第二反应气体喷嘴32。用于向下方侧喷出分离气体的、例如口径为0.5mm的喷出孔40以朝向正下方且在长度方向上隔开例如10mm左右的间隔的方式排列于分离气体喷嘴41、42。第一反应气体喷嘴31和第二反应气体喷嘴32的下方区域分别为用于使BTBAS气体吸附于晶圆W的第一处理区域S1和用于使O3气体吸附于晶圆W的第二处理区域S2。
分离气体喷嘴41、42用于形成用于分离第一处理区域S1和第二处理区域S2的分离区域D。如图2至图4所示,在分离区域D处的真空容器1的顶板11设置有将以旋转台2的旋转中心为中心且沿着真空容器1的内周壁的附近描画出的圆沿周向分割而成的、平面形状为扇型且向下方突出的凸状部4。分离气体喷嘴41、42被收纳于槽部43内,该槽部43是在凸状部4的圆的周向中央以沿圆的径向延伸的方式形成的。即,设定为,从分离气体喷嘴41、42的中心轴线到作为凸状部4的扇型的两边缘(旋转台2的旋转方向上游侧的边缘和下游侧的边缘)的距离为相同的长度。
因而,在分离气体喷嘴41、42的旋转方向两侧存在有凸状部4的下表面即例如平坦的低的顶面(第一顶面44),在第一顶面44的旋转方向两侧存在有比第一顶面44高的顶面(第二顶面45)。凸状部4的作用在于形成狭窄的分离空间,该空间用于阻止第一反应气体和第二反应气体侵入凸状部4与旋转台2之间,从而阻止这些反应气体的混合。
即,当以分离气体喷嘴41为例时,阻止O3气体从旋转台2的旋转方向上游侧侵入,另外阻止BTBAS气体从旋转方向下游侧侵入。所谓“阻止气体的侵入”是指从分离气体喷嘴41喷出的分离气体即N2气体在第一顶面44与旋转台2的表面之间扩散,在本例中吹出到与第一顶面44邻接的第二顶面45的下方空间,由此不能够从邻接空间侵入气体。所谓“不能够侵入气体”并不仅是指完全不能够从邻接空间进入凸状部4的下方空间的情况,也指虽然多少侵入一些,但能够确保分别从两侧侵入的O3气体和BTBAS气体在凸状部4内不相混的状态的情况,只要能够得到这样的作用,就能够发挥作为分离区域D的效果即第一处理区域S1的气氛与第二处理区域S2的气氛的分离作用。因而,可以说狭窄的空间的狭窄的程度被设定为狭窄的空间(凸状部4的下方空间)与同狭窄的空间邻接的区域(在本例中为第二顶面45的下方空间)之间的压力差能够确保“气体不能够侵入的”作用的程度的大小,其具体的尺寸根据凸状部4的面积等而不同。另外,关于吸附于晶圆W的气体当然能够通过分离区域D内,阻止气体的侵入是指气相中的气体。
另外,如图4的(a)所示,凸状部4的下表面即第一顶面44处的、到旋转台2的表面的高度h例如可以为0.5mm至10mm,优选的是约为4mm。在该情况下,旋转台2的转速例如设定为1rpm~500rpm。因此,例如基于实验等,根据旋转台2的转速的使用范围等来设定凸状部4的大小、凸状部4的下表面(第一顶面44)与旋转台2的表面之间的高度h,以使确保分离区域D的分离功能。此外,分离气体只要为对成膜处理不产生影响的气体即可,不限定于N2气体。分离气体例如既可以为氩(Ar)气体等非活性气体,也可以为氢(H2)气体等。
另一方面,在顶板11的下表面,以与旋转台2的比芯部21靠外周侧的部位相对的方式且沿着芯部21的外周设置有突出部5。突出部5与凸状部4中的靠旋转台2的旋转中心侧的部位连续地形成,该突出部5的下表面形成为与凸状部4的下表面(第一顶面44)相同的高度。图2和图3示出在比第二顶面45低且比分离气体喷嘴41、42高的位置处水平地剖切顶板11得到的图。此外,突出部5和凸状部4不限于一定为一体,也可以为分体。
关于真空容器1的顶板11的下表面、即从旋转台2的晶圆载置区域(凹部24)观察到的顶面,沿周向存在有第一顶面44和比第一顶面44高的第二顶面45。在图1中,示出设置有第二顶面45的区域的纵剖面,在图5中,示出关于设置有第一顶面44的区域的纵剖面。如图2和图5所示,扇型的凸状部4的周缘部(真空容器1的外缘侧的部位)以与旋转台2的外端面相对的方式弯曲为L字型而形成弯曲部46。扇型的凸状部4设置于顶板11侧,能够从容器主体12拆卸,因此在弯曲部46的外周面与容器主体12之间略有间隙。弯曲部46也与凸状部4同样地是为了防止反应气体从两侧侵入从而防止两反应气体的混合的目的而设置的。关于弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面之间的间隙以及弯曲部46的外周面与容器主体12之间的间隙,设定为与第一顶面44相对于旋转台2的表面的高度h相同的尺寸。
如图5所示,容器主体12的内周壁在分离区域D中以与弯曲部46的外周面靠近的方式形成为垂直面。相对于此,在分离区域D以外的部位,如图1所示,容器主体12的内周壁例如呈如下结构:从与旋转台2的外端面相对的部位起遍及底面部14地以纵剖面形状被切成矩形的方式向外方侧凹陷。如图1和图3所示,在凹陷的部位中的、与第一处理区域S1和第二处理区域S2连通的区域即第一排气区域E1和第二排气区域E2的底部分别形成有第一排气口61和第二排气口62。
如图1所示,第一排气口61经由设置有排气阀65a的排气路63a来与真空泵64a连接。排气阀65a为构成为开度可变的例如APC(Auto Pressure Controller:自动压力控制器)等,构成为能够根据排气阀65a的开度来调整在排气路63a中流通的气体的流量。在排气阀65a的上游侧(真空容器1侧)的排气路63a设置有由压力计等构成的压力检测单元66a。压力检测单元66a用于测定排气阀65a的上游侧即真空容器1内的第一处理区域S1的压力。
另外,第二排气口62也同样地经由设置有排气阀65b的排气路63b来与真空泵64b连接。排气阀65b与排气阀65a同样地由APC等构成,构成为能够根据排气阀65b的开度来调整在排气路63b中流通的气体的流量。在排气阀65b的上游侧的排气路63b设置有由压力计等构成的压力检测单元66b。压力检测单元66b用于检测真空容器1内的第二处理区域S2的压力。
如上述的那样,第一排气口61和第二排气口62设置于俯视观察时的分离区域D的旋转方向两侧,以使分离区域D的分离作用可靠地发挥功用。详细地说,从旋转台2的旋转中心观察,在第一处理区域S1与分离区域D之间形成有第一排气口61,该分离区域D在相对于第一处理区域S1的例如旋转方向下游侧与该第一处理区域S1邻接。另外,从旋转台2的旋转中心观察,在第二处理区域S2与分离区域D之间形成有第二排气口62,该分离区域D在相对于第二处理区域S2的例如旋转方向下游侧与该第二处理区域S2邻接。由此,第一排气口61和第二排气口62分别专门地进行各反应气体(BTBAS气体和O3气体)的排气。在该例子中,第一排气口61设置于第一反应气体喷嘴31与分离区域D的第一反应气体喷嘴31侧的边缘的延长线之间,该分离区域D在相对于第一反应气体喷嘴31的旋转方向下游侧来与该第一反应气体喷嘴31邻接。另外,第二排气口62设置于第二反应气体喷嘴32与分离区域D的第二反应气体喷嘴32侧的边缘的延长线之间,该分离区域D在相对于第二反应气体喷嘴32的旋转方向下游侧来与该第二反应气体喷嘴32邻接。即,第一排气口61设置于图3中以一点划线所示的直线L1与直线L2之间,该直线L1穿过旋转台2的中心和第一处理区域S1,该直线L2穿过旋转台2的中心、以及与所述第一处理区域S1的下游侧邻接的分离区域D的上游侧的边缘。第二排气口62位于图3中以两点划线所示的直线L3与直线L4之间,该直线L3穿过旋转台2的中心和第二处理区域S2,该直线L4穿过旋转台2的中心、以及与所述第二处理区域S2的下游侧邻接的分离区域D的上游侧的边缘。
如图1所示,在旋转台2与真空容器1的底面部14之间设置有作为加热手段的加热器单元7,构成为隔着旋转台2将旋转台2上的晶圆W加热到因工艺制程而定的温度。在旋转台2的周缘附近的下方侧,以遍及整周地包围加热器单元7的方式设置有外罩构件71,以将从旋转台2的上方空间到排气区域E的气氛与放置有加热器单元7的气氛划分开。外罩构件71的上缘向外侧弯曲而形成为凸缘形状,减小弯曲面与旋转台2的下表面之间的间隙,来抑制气体从外侧侵入到外罩构件71内。
与配置有加热器单元7的空间相比靠旋转中心的部位处的底面部14,在旋转台2的下表面的中心部附近处接近芯部21并且在底面部14与芯部21之间形成为狭小的空间。另外,关于贯通底面部14的旋转轴22的贯通孔,其内周面与旋转轴22之间的间隙也窄。这些狭小的空间与壳体20内连通。而且,在壳体20设置有用于对狭小的空间内供给作为吹扫气体的N2气体来进行吹扫的吹扫气体供给管72。另外,在真空容器1的底面部14的位于加热器单元7的下方侧位置处,在周向的多个部位设置有用于对加热器单元7的配置空间进行吹扫的吹扫气体供给管73。
通过像这样设置吹扫气体供给管72、73,从壳体20内到加热器单元7的配置空间的空间被N2气体吹扫。吹扫气体从旋转台2与外罩构件71之间的间隙经由排气区域E向第一排气口61、第二排气口62排气。由此,防止BTBAS气体或O3气体从第一处理区域S1与第二处理区域S2中的一方经由旋转台2的下方绕到另一方中,从而吹扫气体也起到分离气体的作用。
另外,分离气体供给管51连接到真空容器1的顶板11的中心部,构成为对顶板11与芯部21之间的空间52供给作为分离气体的N2气体。被供给到空间52的分离气体经由突出部5与旋转台2之间的狭小的间隙50而沿着旋转台2的晶圆载置区域侧的表面朝向周缘喷出。在由突出部5包围的空间中充满了分离气体,因此防止了反应气体(BTBAS气体或O3气体)经由旋转台2的中心部在第一处理区域S1与第二处理区域S2之间混合。
并且,如图2和图3所示,在真空容器1的侧壁形成有用于在外部的搬送臂10与旋转台2之间交接晶圆W的搬送口15。搬送口15由未图示的闸阀进行开闭。另外,关于旋转台2中的作为晶圆载置区域的凹部24,在旋转台2的下方侧的与交接位置对应的部位,被设置有用于贯通凹部24来从背面抬起晶圆W的交接用的升降销的升降机构(未图示)。由此,在与搬送口15相向的位置处来与搬送臂10之间进行晶圆W的交接。
另外,如图1所示,成膜装置具备用于进行装置整体的动作的控制的计算机等控制部80。控制部80具备程序、存储器、CPU等数据处理部等,在程序中组入有命令(各步骤),以使从控制部80向成膜装置的各部发送控制信号来使执行各种处理(例如后述的压力控制方法)。程序存储在计算机存储介质、例如软盘、光盘、硬盘、MO(磁光盘)和存储卡等存储介质中来安装到控制部80中。
接着,对本发明的实施方式所涉及的控制系统进行说明。图6是用于说明图1的成膜装置的控制系统的图。在图6中,用实线表示气体线,用虚线表示电控系统。另外,在图6中,用“Gas1”、“Gas2”表示流量调整部37a、37b,用“PUMP1”、“PUMP2”表示真空泵64a、64b,用“APC1”、“APC2”表示排气阀65a、65b。另外,用“CM1”、“CM2”表示压力检测单元66a、66b,用“APC Con1”、“APC Con2”表示阀门调整部68a、68b,用“controller”表示控制部80。
控制部80获取压力检测单元66a、66b检测的第一压力、第二压力。
控制部80控制流量调整部37a、37b的动作。具体地说,控制部80向流量调整部37a、37b输入目标流量。目标流量可以为例如每隔规定时间(例如1秒)变化的值。
控制部80控制阀门调整部68a、68b的动作。具体地说,控制部80向阀门调整部68a、68b输入目标流量和目标压力。目标流量和目标压力可以为例如每隔规定时间(例如1秒)变化的值。另外,控制部80将压力检测单元66a、66b检测出的第一压力、第二压力分别输入到阀门调整部68a、68b。另外,控制部80设定阀门调整部68a、68b的动作模式。具体地说,将阀门调整部68a、68b的动作模式设定为“开度优先模式”或“压力优先模式”。“开度优先模式”是以使开度成为基于目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度的方式来控制排气阀(排气阀65a、65b)的模式。例如通过预备实验等来针对各排气阀、各处理区域生成表示流量与压力与开度的关系的学习信息,并将其预先存储在存储部中。学习信息例如可以为表示流量与压力与开度的关系的对应表。“压力优先模式”是基于压力检测单元(压力检测单元66a、66b)检测出的压力(第一压力、第二压力)来控制排气阀(排气阀65a、65b)的开度的模式。
流量调整部37a调整在气体供给管31b中流通的气体的流量。具体地说,流量调整部37a以使流量成为从控制部80输入来的目标流量的方式来调整在气体供给管31b中流通的气体的流量。
流量调整部37b调整在气体供给管32b中流通的气体的流量。具体地说,流量调整部37b以使流量成为从控制部80输入来的目标流量的方式来调整在气体供给管32b中流通的气体的流量。
阀门调整部68a调整排气阀65a的开度。具体地说,在为“开度优先模式”的情况下,阀门调整部68a以使开度成为基于从控制部80输入来的目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度的方式来调整排气阀65a的开度。另外,在为“压力优先模式”的情况下,阀门调整部68a基于从控制部80输入来的第一压力(实测压力)来调整排气阀65a的开度。
阀门调整部68b调整排气阀65b的开度。具体地说,在为“开度优先模式”的情况下,阀门调整部68b以使开度成为基于从控制部80输入来的目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度的方式来调整排气阀65b的开度。另外,在为“压力优先模式”的情况下,阀门调整部68b基于从控制部80输入来的第二压力(实测压力)来调整排气阀65b的开度。
接着,对本发明的实施方式所涉及的压力控制方法进行说明。下面,举出使从第一工序转移到气体的供给流量和处理容器内的压力(处理压力)与第一工序不同的第二工序的情况为例来进行说明。图7是表示第一实施方式所涉及的压力控制方法的一例的流程图。图8是表示气体的供给流量和处理容器内的压力的时间变化的图。
首先,控制部80向流量调整部37a、37b输入目标流量,向阀门调整部68a、68b输入目标流量和目标压力(步骤ST1)。目标流量和目标压力为从第一工序中的设定值(设定流量、设定压力)向着第二工序中的设定值(设定流量、设定压力)每隔规定时间(例如1秒)变化的值。另外,控制部80设定阀门调整部68a、68b的动作模式。在实施方式中,可以将阀门调整部68a的动作模式设定为“开度优先模式”,将阀门调整部68b的动作模式设定为“压力优先模式”。此外,可以将阀门调整部68a的动作模式设定为“压力优先模式”,将阀门调整部68b的动作模式设定为“开度优先模式”。
接着,流量调整部37a、37b以使流量成为在步骤ST1中所输入的目标流量(步骤ST2)的方式来调整流通于气体供给管31b、32b中的气体的流量。
接着,阀门调整部68a、68b基于在步骤ST1中所输入的目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息来调整排气阀65a、65b的开度(步骤ST3)。
接着,控制部80获取处理区域S1、S2的压力(实测压力)(步骤ST4)。具体地说,控制部80获取压力检测单元66a检测出的第一压力和压力检测单元66b检测出的第二压力。
接着,控制部80判定排气阀65a、65b的开度是否与第二工序的设定开度一致(步骤ST5)。设定开度是基于第二工序的设定流量和设定压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度。
在步骤ST5中,在排气阀65a、65b的开度与第二工序的设定开度不一致的情况下,返回步骤ST1。在步骤ST5中,在排气阀65a、65b的开度与第二工序的设定开度一致的情况下,控制部80判定在步骤ST4中获取到的第一压力和第二压力是否与第二工序的设定压力一致(步骤ST6)。
在步骤ST6中,在第一压力和第二压力与第二工序的设定压力不一致的情况下,阀门调整部68a、68b调整排气阀65a、65b的开度(步骤ST7)。具体地说,阀门调整部68a在步骤ST1中被设定为“开度优先模式”。因此,阀门调整部68a将排气阀65a的开度调整为基于目标压力和目标流量以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度。相对于此,阀门调整部68b在步骤ST1中被设定为“压力优先模式”。因此,阀门调整部68b以使由压力检测单元66b检测的第二压力与第二工序的设定压力一致的方式来调整排气阀65b的开度。
在步骤ST6中,在第一压力和第二压力与第二工序的设定压力一致的情况下,控制部80将流量调整部37a、37b变更为“压力优先模式”(步骤ST8),结束处理。
如以上所说明的那样,第一实施方式所涉及的压力控制方法包括:包括步骤ST1到步骤ST5的第一调整步骤;以及包括步骤ST6到步骤ST8的第二调整步骤。第一调整步骤是基于按处理区域S1、S2的各处理区域而定的目标压力和目标流量、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息来对设置于处理区域S1、S2的排气阀65a、65b的开度进行调整的步骤。第二调整步骤是在第一调整步骤之后进行的步骤,是基于处理区域S1、S2中的一个处理区域S2的实测压力来对设置于处理区域S2的排气阀65b的开度进行调整的步骤。
像这样,在第一实施方式所涉及的压力控制方法中,首先,在第一调整步骤中,不使用实测压力地进行排气阀65a、65b的开度的调整,接下来,在第二调整步骤中,使用实测压力来进行排气阀65a、65b的开度的调整。由此,在伴随压力的变更而条件变更时,第一处理区域S1与第二处理区域S2的压力平衡不会被大幅度破坏。因此,在变更条件时,能够不需要事先使用N2气体等非活性气体进行压力的调整的步骤,而利用工艺中使用的反应气体来进行压力的调整。其结果是,能够缩短条件变更所需的时间,从而使生产率提高。
另外,在第一调整步骤中,如前述的那样,能够在进行压力的调整的同时,以使流量成为按处理区域S1、S2的各处理区域而定的设定流量的方式来调整要供给到处理区域S1、S2的气体的流量。通过同时进行压力的调整和流量的调整,如图8的下部所示,能够缩短从第一工序向第二工序来变更条件的调整步骤所需的时间,从而能够使生产率提高。此外,在图8的上部示出以下情况:在从第一工序向第二工序来变更条件时进行流量的调整,在流量达到第二工序的设定流量后,进行压力的调整。
〔第二实施方式〕
图9是用于说明第二实施方式所涉及的成膜装置的控制系统的图。在图9中,用实线表示气体线,用虚线表示电控系统。
如图9所示,第二实施方式所涉及的成膜装置在由一台真空泵64对第一处理区域S1和第二处理区域S2进行排气这一点上与第一实施方式不同。此外,关于其它结构能够设为与第一实施方式相同的结构。因而,在第二实施方式中也能够实现与第一实施方式相同的压力控制方法。
根据第二实施方式所涉及的压力控制方法,能够得到与第一实施方式相同的效果。
〔第三实施方式〕
图10是用于说明第三实施方式所涉及的成膜装置的控制系统的图。在图10中,用实线表示气体线,用虚线表示电控系统。
如图10所示,第三实施方式所涉及的成膜装置在利用一个阀门调整部68调整两个排气阀65a、65b的开度这一点上与第一实施方式不同。此外,关于其它结构能够设为与第一实施方式相同的结构。在第三实施方式所涉及的压力控制方法中,一个阀门调整部68调整两个排气阀65a、65b的开度。
根据第三实施方式所涉及的压力控制方法,能够得到与第一实施方式相同的效果。
〔第四实施方式〕
图11是用于说明第四实施方式所涉及的成膜装置的控制系统的图。在图11中,用实线表示气体线,用虚线表示电控系统。
如图11所示的那样,第四实施方式所涉及的成膜装置在通过被供给分离气体的分离区域D来被不完全地分隔的处理区域为三个这一点上与第一实施方式不同。此外,关于其它结构能够设为与第一实施方式相同的结构。
控制部80获取压力检测单元66a、66b、66c检测的第一压力、第二压力、第三压力。
控制部80控制流量调整部37a、37b、37c的动作。具体地说,控制部80向流量调整部37a、37b、37c输入目标流量。目标流量可以为例如每隔规定时间(例如1秒)变化的值。
控制部80控制阀门调整部68a、68b、68c的动作。具体地说,控制部80向阀门调整部68a、68b、68c输入目标流量和目标压力。目标流量和目标压力可以为例如每隔规定时间(例如1秒)变化的值。另外,控制部80分别将压力检测单元66a、66b、66c检测的第一压力、第二压力、第三压力输入到阀门调整部68a、68b、68c。另外,控制部80设定阀门调整部68a、68b、68c的动作模式。具体地说,将阀门调整部68a、68b、68c的动作模式设定为“开度优先模式”或“压力优先模式”。“开度优先模式”是以使开度成为基于目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度的方式来控制排气阀(排气阀65a、65b、65c)的模式。例如通过预备实验等来针对各排气阀生成表示流量与压力与开度的关系的学习信息,并将该学习信息预先存储在存储部中。学习信息例如可以是表示流量与压力与开度的关系的对应表。“压力优先模式”是基于压力检测单元(压力检测单元66a、66b、66c)检测出的压力(第一压力、第二压力、第三压力)来控制排气阀(排气阀65a、65b、65c)的开度的模式。
流量调整部37a调整在气体供给管31b中流通的气体的流量。具体地说,流量调整部37a以使流量成为从控制部80输入来的目标流量的方式来调整在气体供给管31b中流通的气体的流量。
流量调整部37b调整在气体供给管32b中流通的气体的流量。具体地说,流量调整部37b以使流量成为从控制部80输入来的目标流量的方式来调整在气体供给管32b中流通的气体的流量。
流量调整部37c调整在气体供给管33b中流通的气体的流量。具体地说,流量调整部37c以使流量成为从控制部80输入来的目标流量的方式来调整在气体供给管33b中流通的气体的流量。
阀门调整部68a调整排气阀65a的开度。具体地说,在为“开度优先模式”的情况下,阀门调整部68a以使开度成为基于从控制部80输入来的目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度的方式来调整排气阀65a的开度。另外,在为“压力优先模式”的情况下,阀门调整部68a基于从控制部80输入来的第一压力来调整排气阀65a的开度。
阀门调整部68b调整排气阀65b的开度。具体地说,在为“开度优先模式”的情况下,阀门调整部68b以使开度成为基于从控制部80输入来的目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度的方式来调整排气阀65b的开度。另外,在为“压力优先模式”的情况下,阀门调整部68b基于从控制部80输入来的第二压力来调整排气阀65b的开度。
阀门调整部68c调整排气阀65c的开度。具体地说,在为“开度优先模式”的情况下,阀门调整部68c以使开度成为基于从控制部80输入来的目标流量和目标压力、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息所计算出的开度的方式来调整排气阀65c的开度。另外,在为“压力优先模式”的情况下,阀门调整部68c基于从控制部80输入来的第三压力来调整排气阀65c的开度。
在第四实施方式所涉及的压力控制方法中,在第一实施方式中的步骤ST1中,将阀门调整部68a、68b、68c中的任一个的动作模式设定为“压力优先模式”。另外,将剩余的两个动作模式设定为“开度优先模式”。此外,关于其它步骤也能够设为与第一实施方式相同。
根据第四实施方式所涉及的压力控制方法,能够得到与第一实施方式相同的效果。
以上对用于实施本发明的方式进行了说明,但上述内容并不限定发明的内容,在本发明的范围内能够进行各种变形和改良。
在上述的各实施方式中,举出通过被供给分离气体的分离区域来被不完全地分隔的处理区域为两个或三个的情况为例进行了说明,但不限定于此,处理区域的个数例如可以为四个以上。
在上述的各实施方式中,举出多个处理区域由被供给分离气体的分离区域所分隔的情况为例进行了说明,但不限定于此,也可以通过其它方法来被不完全地分隔。

Claims (7)

1.一种压力控制方法,是在一个真空容器内具有被不完全地分隔的多个处理区域的成膜装置中的压力控制方法,所述压力控制方法包括:
第一调整步骤,基于按所述多个处理区域的各处理区域而定的目标压力和目标流量、以及表示流量与压力与开度的关系的学习信息来对被设置于所述多个处理区域的各个处理区域的排气阀的开度进行调整;以及
第二调整步骤,在所述第一调整步骤之后,基于所述多个处理区域中的一个处理区域的压力来对被设置于所述一个处理区域的排气阀的开度进行调整。
2.根据权利要求1所述的压力控制方法,其特征在于,
所述目标压力和所述目标流量为每隔规定时间变化的值,
所述第一调整步骤为每隔所述规定时间来调整所述排气阀的开度的工序。
3.根据权利要求2所述的压力控制方法,其特征在于,
所述第一调整步骤和所述第二调整步骤是在使工序从第一工序向第二工序转移时进行的步骤,所述第二工序的流量和压力的条件与所述第一工序的流量和压力的条件不同,
所述目标压力和所述目标流量是从所述第一工序的设定压力和设定流量向所述第二工序的设定压力和设定流量变化的值。
4.根据权利要求3所述的压力控制方法,其特征在于,
当在所述第一调整步骤中所述排气阀的开度到达所述第二工序的设定开度后,执行所述第二调整步骤。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的压力控制方法,其特征在于,
在所述第一调整步骤中,进一步以使流量成为按所述多个处理区域的各处理区域而定的所述目标流量的方式来调整对所述多个处理区域供给的气体的流量。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的压力控制方法,其特征在于,
所述多个处理区域通过被供给分离气体的分离区域来被不完全地分隔。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的压力控制方法,其特征在于,
所述多个处理区域为两个处理区域。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223622A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および装置
JP2008118120A (ja) * 2006-10-13 2008-05-22 Omron Corp プラズマ反応炉処理システムを用いた電子装置の製造方法
US9416448B2 (en) * 2008-08-29 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method
JP5195676B2 (ja) 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR20130074417A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 방법

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