CN108417665A - 一种光伏组件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 23
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 6
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种光伏组件及其制备方法。所述光伏组件的制造方法包括：在金属基板的上表面形成多个凸起，在金属基板的下部沿金属基板的长度方向形成多个贯穿所述金属基板的通孔，在相邻凸起之间的间隙中填充导热绝缘树脂，并进行热压合处理，接着在所述金属基板的表面依次铺设第二导热绝缘树脂层、太阳能电池片层、第一EVA胶层以及玻璃盖板，其中每个所述凸起支撑一个太阳能电池片，所述凸起与所述太阳能电池片一一对应，然后进行层压处理，以形成所述光伏组件。其中通孔的设置可以进一步提高组件的散热性能。
Description
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种光伏组件及其制造方法。
背景技术
单体太阳电池不能直接做电源使用。作电源必须将若干单体电池串、并联连接和严密封装成组件。光伏组件(也叫太阳能电池板、光伏组件)是太阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中最重要的部分。其作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。光伏组件的质量将直接决定整个系统的质量。现有的光伏组件通常包括钢化玻璃、胶层、电池片层、胶层以及太阳能电池电池背板。光伏组件的温度升高将严重影响电池片的光电转换效率，导致电池片的效率大幅度下降，所以光伏组件散热性能的优劣将影响太阳能电池片的转换效率和使用寿命。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种光伏组件及其制造方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种光伏组件的制造方法，包括以下步骤：1)在金属基板的上表面形成多个凸起，每个所述凸起包括底表面以及与所述底表面对应设置的顶表面，所述底表面与所述顶表面均为正方形，所述底表面的边长大于所述顶表面的边长，所述凸起还包括四个倾斜的侧表面，任意相邻凸起之间的相邻底表面共用一条边，并通过激光刻蚀工艺在所述侧表面形成多个凹坑，然后在金属基板的下部沿金属基板的长度方向形成多个贯穿所述金属基板的通孔，2)将步骤1得到的金属基板放置于模具中，在相邻凸起之间的间隙中填充导热绝缘树脂，并进行热压合处理，以在所述金属基板中形成第一导热绝缘树脂层，将所述金属基板从模具中取出，然后去除每个所述凸起的顶表面的导热绝缘树脂层以裸露所述顶表面；3)然后在所述金属基板的表面依次铺设第二导热绝缘树脂层、太阳能电池片层、第一EVA胶层以及玻璃盖板，其中每个所述凸起支撑一个太阳能电池片，所述凸起与所述太阳能电池片一一对应，然后进行层压处理，以形成所述光伏组件。
作为优选，所述步骤1)中，通过冲压、切割或刻蚀的方式形成所述凸起，所述顶表面的边长与所述底表面的边长之比为0.5-0.8，所述侧表面的形状为等腰梯形，所述通孔的直径为3-5毫米。
作为优选，多个所述凸起呈阵列分布，所述金属基板中每一行凸起对应设置有一个所述通孔。
作为优选，所述步骤2)中热压合处理的具体工艺为：以8-12℃/min升温至100-110℃，同时以压力增加速率为每分钟增加4-6Kg/cm2的条件将压力增至40-50Kg/cm2，保持10-20分钟，接着以5-10℃/min升温至140-160℃，同时以压力降低速率为每分钟降低3-4Kg/cm2的条件将压力降至15-25Kg/cm2，保持20-30分钟，接着以10-20℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下压合5-10分钟，然后停止压合，并将所述金属基板从模具中取出。
作为优选，每个所述凸起的所述顶表面的中心点与相应太阳能电池片的中心点对准设置。
作为优选，每个所述凸起的所述顶表面的面积与相应太阳能电池片的面积的比值为0.6-0.9。
作为优选，所述层压处理的具体工艺为：将层叠好的光伏组件放置于层压机的下腔体，保持所述下腔体的压强为0.001MPa-0.005MPa，上腔体的压强为0.02-0.05Mpa，以20-30℃/min升温至85-95℃，并保持1-3分钟，接着上腔体的压强下降到0.006-0.015Mpa，并以20-30℃/min升温至110-115℃，保持2-4分钟，接着将上腔体的压强增加至0.06-0.09MPa,并以20-30℃/min升温至140-150℃，并保持8-15分钟。
作为优选，所述第一导热绝缘树脂层和所述第二导热绝缘树脂层的材料包括如下组分：EVA 100份；氧化铝纳米颗粒5-10份；氮化硼纳米颗粒5-10份；玻璃纤维1-5份。
作为优选，所述第二导热绝缘树脂层的厚度为100-200微米。
本发明还提供了一种光伏组件，所述光伏组件为采用上述方法制造形成的。
本发明的光伏组件中，在金属板上形成多个凸起，并利用凸起承载太阳能电池片，且凸起与太阳能电池片一一对应，通过优化凸起的顶表面的边长与相应底表面的边长的比值，且优化凸起的所述顶表面的面积与相应太阳能电池片的面积的比值，且使得每个所述凸起的所述顶表面的中心点与相应太阳能电池片的中心点对准设置，有效提高了相应光伏组件的稳定性和散热性能。同时通过优化第一导热绝缘树脂层以及第二导热绝缘树脂层的具体组分，同时优化第二导热绝缘树脂层的厚度，进而使得层压处理后每个凸起的顶表面与相应太阳能电池片之间的导热绝缘树脂层的厚度较薄，可以确保太阳能电池片在发电过程中产生的热量可以快速通过超薄的EVA胶层传递至金属板上的凸起结构，可以快速散热，且有效避免太阳能电池片破碎，同时在金属基板中每一行凸起对应设置有一个通孔，进一步提高其散热性能，同时凸起的侧表面设置有多个凹坑，可以提高金属基板与第一导热绝缘树脂层之间粘结性能，同时增加了金属基板与第一导热绝缘树脂层之间接触面积，进而有利于热传导。此外，本发明的制备方法与现有技术相比还具有如下有益效果：通过优化热压合处理工艺和层压处理的具体工艺，有效提高了组件各层之间的密封性能以粘结稳固性能，且有利于确保每个凸起的顶表面与相应太阳能电池片之间具有较薄的导热绝缘树脂层，本发明的制备方法简单，易于工业生产。
附图说明
图1为本发明的光伏组件的结构示意图。
图2为本发明的金属基板的俯视结构图。
图3为本发明的金属基板沿图2中A-B方向的截面示意图。
具体实施方式
本发明提出的一种光伏组件的制造方法，包括以下步骤：
1)在金属基板的上表面形成多个凸起，每个所述凸起包括底表面以及与所述底表面对应设置的顶表面，所述底表面与所述顶表面均为正方形，所述底表面的边长大于所述顶表面的边长，所述凸起还包括四个倾斜的侧表面，任意相邻凸起之间的相邻底表面共用一条边，并通过激光刻蚀工艺在所述侧表面形成多个凹坑，然后在金属基板的下部沿金属基板的长度方向形成多个贯穿所述金属基板的通孔，其中，通过冲压、切割或刻蚀的方式形成所述凸起，所述顶表面的边长与所述底表面的边长之比为0.5-0.8，所述侧表面的形状为等腰梯形，所述通孔的直径为3-5毫米，多个所述凸起呈阵列分布，所述金属基板中每一行凸起对应设置有一个所述通孔。
2)将步骤1得到的金属基板放置于模具中，在相邻凸起之间的间隙中填充导热绝缘树脂，并进行热压合处理，热压合处理的具体工艺为：以8-12℃/min升温至100-110℃，同时以压力增加速率为每分钟增加4-6Kg/cm2的条件将压力增至40-50Kg/cm2，保持10-20分钟，接着以5-10℃/min升温至140-160℃，同时以压力降低速率为每分钟降低3-4Kg/cm2的条件将压力降至15-25Kg/cm2，保持20-30分钟，接着以10-20℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下压合5-10分钟，然后停止压合，并将所述金属基板从模具中取出，以在所述金属基板中形成第一导热绝缘树脂层，然后去除每个所述凸起的顶表面的导热绝缘树脂层以裸露所述顶表面。
3)然后在所述金属基板的表面依次铺设第二导热绝缘树脂层、太阳能电池片层、第一EVA胶层以及玻璃盖板，其中每个所述凸起支撑一个太阳能电池片，所述凸起与所述太阳能电池片一一对应，然后进行层压处理，以形成所述光伏组件，其中，每个所述凸起的所述顶表面的中心点与相应太阳能电池片的中心点对准设置，每个所述凸起的所述顶表面的面积与相应太阳能电池片的面积的比值为0.6-0.9，所述层压处理的具体工艺为：将层叠好的光伏组件放置于层压机的下腔体，保持所述下腔体的压强为0.001MPa-0.005MPa，上腔体的压强为0.02-0.05Mpa，以20-30℃/min升温至85-95℃，并保持1-3分钟，接着上腔体的压强下降到0.006-0.015Mpa，并以20-30℃/min升温至110-115℃，保持2-4分钟，接着将上腔体的压强增加至0.06-0.09MPa,并以20-30℃/min升温至140-150℃，并保持8-15分钟，所述第一导热绝缘树脂层和所述第二导热绝缘树脂层的材料包括如下组分：EVA 100份；氧化铝纳米颗粒5-10份；氮化硼纳米颗粒5-10份；玻璃纤维1-5份，所述第二导热绝缘树脂层的厚度为100-200微米。
本发明还提供了一种光伏组件，所述光伏组件为采用上述方法制备形成的。如图1-3所示，包括金属基板1、第一导热绝缘树脂层4、第二导热绝缘树脂层5、太阳能电池片6、第一EVA胶层7以及玻璃盖板8，其中，所述金属板1上形成有多个凸起2，每个凸起包括底表面21、顶表面22以及连接所述底表面21和顶表面22的四个倾斜的侧表面23，所述侧表面23上形成有多个凹坑24，在金属基板1的下部沿金属基板1的长度方向形成有多个贯穿所述金属基板1的通孔3，多个所述凸起2呈阵列分布，所述金属基基板1中每一行凸起对应设置有一个所述通孔3，所述第一导热绝缘树脂层4位于所述金属基板1的相邻凸起2的间隙中。
实施例1：
一种光伏组件的制造方法，包括以下步骤：
1)在金属基板的上表面形成多个凸起，每个所述凸起包括底表面以及与所述底表面对应设置的顶表面，所述底表面与所述顶表面均为正方形，所述底表面的边长大于所述顶表面的边长，所述凸起还包括四个倾斜的侧表面，任意相邻凸起之间的相邻底表面共用一条边，并通过激光刻蚀工艺在所述侧表面形成多个凹坑，然后在金属基板的下部沿金属基板的长度方向形成多个贯穿所述金属基板的通孔，其中，通过切割的方式形成所述凸起，所述顶表面的边长与所述底表面的边长之比为0.7，所述侧表面的形状为等腰梯形，所述通孔的直径为4毫米，多个所述凸起呈阵列分布，所述金属基板中每一行凸起对应设置有一个所述通孔。
2)将步骤1得到的金属基板放置于模具中，在相邻凸起之间的间隙中填充导热绝缘树脂，并进行热压合处理，热压合处理的具体工艺为：以10℃/min升温至105℃，同时以压力增加速率为每分钟增加5Kg/cm2的条件将压力增至45Kg/cm2，保持15分钟，接着以8℃/min升温至155℃，同时以压力降低速率为每分钟降低4Kg/cm2的条件将压力降至20Kg/cm2，保持25分钟，接着以15℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下压合7分钟，然后停止压合，并将所述金属基板从模具中取出，以在所述金属基板中形成第一导热绝缘树脂层，然后去除每个所述凸起的顶表面的导热绝缘树脂层以裸露所述顶表面。
3)然后在所述金属基板的表面依次铺设第二导热绝缘树脂层、太阳能电池片层、第一EVA胶层以及玻璃盖板，其中每个所述凸起支撑一个太阳能电池片，所述凸起与所述太阳能电池片一一对应，然后进行层压处理，以形成所述光伏组件，其中，每个所述凸起的所述顶表面的中心点与相应太阳能电池片的中心点对准设置，每个所述凸起的所述顶表面的面积与相应太阳能电池片的面积的比值为0.7，所述层压处理的具体工艺为：将层叠好的光伏组件放置于层压机的下腔体，保持所述下腔体的压强为0.002MPa，上腔体的压强为0.03Mpa，以25℃/min升温至90℃，并保持3分钟，接着上腔体的压强下降到0.09Mpa，并以25℃/min升温至115℃，保持3分钟，接着将上腔体的压强增加至0.08MPa,并以25℃/min升温至140℃，并保持15分钟，所述第一导热绝缘树脂层和所述第二导热绝缘树脂层的材料包括如下组分：EVA 100份；氧化铝纳米颗粒6份；氮化硼纳米颗粒7份；玻璃纤维3份，所述第二导热绝缘树脂层的厚度为150微米。
实施例2：
一种光伏组件的制造方法，包括以下步骤：
1)在金属基板的上表面形成多个凸起，每个所述凸起包括底表面以及与所述底表面对应设置的顶表面，所述底表面与所述顶表面均为正方形，所述底表面的边长大于所述顶表面的边长，所述凸起还包括四个倾斜的侧表面，任意相邻凸起之间的相邻底表面共用一条边，并通过激光刻蚀工艺在所述侧表面形成多个凹坑，然后在金属基板的下部沿金属基板的长度方向形成多个贯穿所述金属基板的通孔，其中，通过刻蚀的方式形成所述凸起，所述顶表面的边长与所述底表面的边长之比为0.5，所述侧表面的形状为等腰梯形，所述通孔的直径为5毫米，多个所述凸起呈阵列分布，所述金属基板中每一行凸起对应设置有一个所述通孔。
2)将步骤1得到的金属基板放置于模具中，在相邻凸起之间的间隙中填充导热绝缘树脂，并进行热压合处理，热压合处理的具体工艺为：以12℃/min升温至110℃，同时以压力增加速率为每分钟增加6Kg/cm2的条件将压力增至40Kg/cm2，保持12分钟，接着以9℃/min升温至140℃，同时以压力降低速率为每分钟降低3Kg/cm2的条件将压力降至15Kg/cm2，保持20分钟，接着以20℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下压合5分钟，然后停止压合，并将所述金属基板从模具中取出，以在所述金属基板中形成第一导热绝缘树脂层，然后去除每个所述凸起的顶表面的导热绝缘树脂层以裸露所述顶表面。
3)然后在所述金属基板的表面依次铺设第二导热绝缘树脂层、太阳能电池片层、第一EVA胶层以及玻璃盖板，其中每个所述凸起支撑一个太阳能电池片，所述凸起与所述太阳能电池片一一对应，然后进行层压处理，以形成所述光伏组件，其中，每个所述凸起的所述顶表面的中心点与相应太阳能电池片的中心点对准设置，每个所述凸起的所述顶表面的面积与相应太阳能电池片的面积的比值为0.6，所述层压处理的具体工艺为：将层叠好的光伏组件放置于层压机的下腔体，保持所述下腔体的压强为0.001MPa，上腔体的压强为0.04Mpa，以20℃/min升温至85℃，并保持3分钟，接着上腔体的压强下降到0.006Mpa，并以30℃/min升温至110℃，保持2分钟，接着将上腔体的压强增加至0.06MPa,并以30℃/min升温至140℃，并保持15分钟，所述第一导热绝缘树脂层和所述第二导热绝缘树脂层的材料包括如下组分：EVA 100份；氧化铝纳米颗粒10份；氮化硼纳米颗粒5份；玻璃纤维5份，所述第二导热绝缘树脂层的厚度为100微米。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种光伏组件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)在金属基板的上表面形成多个凸起，每个所述凸起包括底表面以及与所述底表面对应设置的顶表面，所述底表面与所述顶表面均为正方形，所述底表面的边长大于所述顶表面的边长，所述凸起还包括四个倾斜的侧表面，任意相邻凸起之间的相邻底表面共用一条边，并通过激光刻蚀工艺在所述侧表面形成多个凹坑，然后在金属基板的下部沿金属基板的长度方向形成多个贯穿所述金属基板的通孔，
2)将步骤1得到的金属基板放置于模具中，在相邻凸起之间的间隙中填充导热绝缘树脂，并进行热压合处理，以在所述金属基板中形成第一导热绝缘树脂层，将所述金属基板从模具中取出，然后去除每个所述凸起的顶表面的导热绝缘树脂层以裸露所述顶表面；
3)然后在所述金属基板的表面依次铺设第二导热绝缘树脂层、太阳能电池片层、第一EVA胶层以及玻璃盖板，其中每个所述凸起支撑一个太阳能电池片，所述凸起与所述太阳能电池片一一对应，然后进行层压处理，以形成所述光伏组件。
2.根据权利要求1所述的光伏组件的制造方法，其特征在于：所述步骤1)中，通过冲压、切割或刻蚀的方式形成所述凸起，所述顶表面的边长与所述底表面的边长之比为0.5-0.8，所述侧表面的形状为等腰梯形，所述通孔的直径为3-5毫米。
3.根据权利要求2所述的光伏组件的制造方法，其特征在于：多个所述凸起呈阵列分布，所述金属基板中每一行凸起对应设置有一个所述通孔。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤2)中热压合处理的具体工艺为：以8-12℃/min升温至100-110℃，同时以压力增加速率为每分钟增加4-6Kg/cm2的条件将压力增至40-50Kg/cm2，保持10-20分钟，接着以5-10℃/min升温至140-160℃，同时以压力降低速率为每分钟降低3-4Kg/cm2的条件将压力降至15-25Kg/cm2，保持20-30分钟，接着以10-20℃/min降温至室温，保持压力不变的条件下压合5-10分钟，然后停止压合，并将所述金属基板从模具中取出。
5.根据权利要求1所述的光伏组件的制造方法，其特征在于：每个所述凸起的所述顶表面的中心点与相应太阳能电池片的中心点对准设置。
6.根据权利要求4所述的光伏组件的制造方法，其特征在于：每个所述凸起的所述顶表面的面积与相应太阳能电池片的面积的比值为0.6-0.9。
7.根据权利要求1所述的光伏组件的制造方法，其特征在于：所述层压处理的具体工艺为：将层叠好的光伏组件放置于层压机的下腔体，保持所述下腔体的压强为0.001MPa-0.005MPa，上腔体的压强为0.02-0.05Mpa，以20-30℃/min升温至85-95℃，并保持1-3分钟，接着上腔体的压强下降到0.006-0.015Mpa，并以20-30℃/min升温至110-115℃，保持2-4分钟，接着将上腔体的压强增加至0.06-0.09MPa,并以20-30℃/min升温至140-150℃，并保持8-15分钟。
8.根据权利要求1所述的光伏组件的制造方法，其特征在于：所述第一导热绝缘树脂层和所述第二导热绝缘树脂层的材料包括如下组分：EVA 100份；氧化铝纳米颗粒5-10份；氮化硼纳米颗粒5-10份；玻璃纤维1-5份。
9.根据权利要求1所述的光伏组件的制造方法，其特征在于：所述第二导热绝缘树脂层的厚度为100-200微米。
10.一种光伏组件，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810175444.7A CN108417665B (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种光伏组件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810175444.7A CN108417665B (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种光伏组件及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108417665A true CN108417665A (zh) | 2018-08-17 |
| CN108417665B CN108417665B (zh) | 2020-06-26 |
Family
ID=63129581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810175444.7A Active CN108417665B (zh) | 2018-03-02 | 2018-03-02 | 一种光伏组件及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108417665B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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