CN103151427A - 一种双面电池的制备工艺 - Google Patents

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鲁伟明
初仁龙
费存勇
王志刚
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Abstract

本发明公开了一种双面电池的制备工艺，该工艺特征在于采用喷涂或者丝网印刷的方法同时在电池表面喷涂/印刷磷源和硼源，采用链式或者管式炉进行高温下硼磷的一步扩散。这种双面电池的制备工艺减少了工艺步骤，降低了生产成本，提高了扩散的均匀性，并且更加安全和高效。

Description

一种双面电池的制备工艺
技术领域
 本发明涉及一种太阳能电池的制备工艺，尤其涉及一种双面电池的制备工艺。
背景技术
已批量生产的两面受光太阳电池片是被称为B3电池片的硼扩散背面电场两面电池片，基板是薄薄的P型单晶硅基板，其正反两面的表面都是经过蚀刻处理的棱锥体，可以有效抑制入射光的反射。正面是磷扩散，在正面附近形成n+p结；整个反面为硼扩散的p+层，形成BSF。B3电池片的正面是负极，反面为正极，正反面的图形一致。
一般的太阳电池片，从机械强度和耐候性来看，都是使用透光性能好、经过热处理的钢化白玻璃来进行封装，作为保护，然后再成型为板式的太阳电池组件。两面受光太阳电池正反两面都是夹在玻璃里面，封装为双面玻璃型的标准组件产品。双面玻璃不仅耐候性好、可靠性高，从其采光性高及B3电池片反面特性来看，适合用在外墙等建筑方面。
常规双面电池的生产工艺中往往需要进行P扩散和B扩散两个高温步骤，在每一步骤之前需要对非扩散面进行阻挡层隔离，然后再去除阻挡层，因此工艺复杂，并且均采用液态源扩散，均匀性较差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种工艺步骤减少，扩散的均匀性提高，并且更加安全和高效的双面电池的制备工艺。
为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种双面电池的制备工艺，其特征是，包括以下步骤：
（a）对单晶硅片进行碱制绒，背表面抛光；
（b）在硅片制绒面生长或者喷涂一层氧化硅阻挡层；
（c）在该阻挡层表面喷涂磷酸或者丝网印刷含有磷酸或磷酸盐的浆料，在100-500oC下烘干1-10min；
（d）在抛光面喷涂硼酸或者丝网印刷含有硼酸或硼酸盐的浆料，在100-500oC下烘干1-10min；
（e）在链式炉或者管式炉中，进行高温硼磷共扩散；所述硼磷共扩散的温度为800～1050oC，时间为30min～90min；并且先在950～1000oC高温下进行扩散30min，然后将温度降至800～900oC扩散30～60min,气氛为氮气保护气氛；
（f）扩散之后去除表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并通过酸刻蚀的方法
去除掉表面死层；
（g）双面氧化并采用等离子体气相沉积法双面沉积氮化硅薄膜；
（h）丝网印刷背电极和正面电极，烧结；
（i）测试分选，制备完毕。
进一步地，所述步骤（b）的氧化硅阻挡层的厚度为50-100nm。
进一步地所述步骤（e）中，刻蚀后的发射极表面方阻为50～120Ω/□，背场的表面方阻为40～100Ω/□。
与现有技术相比，本发明的有益之处在于：这种双面电池的制备工艺采用喷涂或者丝网印刷的方法在硅片表面预制有源层，然后进行同时高温扩散，减少了工艺步骤，降低了生产成本，提高了扩散的均匀性，并且更加安全和高效。
具体实施方式：
下面通过具体实施方式对本发明进行详细描述。
实例一：
将P型单晶硅片进行碱制绒，背表面抛光；在硅片制绒面生长或者喷涂一层氧化硅阻挡层，厚度为50nm；在该阻挡层表面喷涂磷酸，进行烘干；在抛光面面喷涂硼酸或者丝网印刷含有硼酸和硼酸盐的浆料，进行烘干；在管式炉中，现将温度升至1000oC，保持20min，然后将温度降至900oC，保持40min；扩散之后去除表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并去除掉表面死层，发射极表面方阻为60Ω/□，背场表面方阻为60Ω/□；双面氧化并采用等离子体气相沉积法双面沉积氮化硅薄膜；丝网印刷背电极和正面电极，烧结；测试分选，制备完毕。
实例二：
将P型单晶硅片进行碱制绒，背表面抛光；在硅片制绒面生长或者喷涂一层氧化硅阻挡层，厚度为60nm；在该阻挡层表面喷涂磷酸，进行烘干；在抛光面面喷涂硼酸或者丝网印刷含有硼酸和硼酸盐的浆料，进行烘干；在管式炉中，现将温度升至1050oC，保持15min，然后将温度降至950oC，保持30min；扩散之后去除表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并去除掉表面死层，发射极表面方阻为70Ω/□，背场表面方阻为55Ω/□；双面氧化并采用等离子体气相沉积法双面沉积氮化硅薄膜；丝网印刷背电极和正面电极，烧结；测试分选，制备完毕。
实例三：
将P型单晶硅片进行碱制绒，背表面抛光；在硅片制绒面生长或者喷涂一层氧化硅阻挡层，厚度为80nm；在该阻挡层表面喷涂磷酸，进行烘干；在抛光面面喷涂硼酸或者丝网印刷含有硼酸和硼酸盐的浆料，进行烘干；在管式炉中，现将温度升至1050oC，保持20min，然后将温度降至900oC，保持60min；扩散之后去除表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并去除掉表面死层，发射极表面方阻为70Ω/□，背场表面方阻为50Ω/□；双面氧化并采用等离子体气相沉积法双面沉积氮化硅薄膜；丝网印刷背电极和正面电极，烧结；测试分选，制备完毕。
实例四：
将P型单晶硅片进行碱制绒，背表面抛光；在硅片制绒面生长或者喷涂一层氧化硅阻挡层，厚度为100nm；在该阻挡层表面喷涂磷酸，进行烘干；在抛光面面喷涂硼酸或者丝网印刷含有硼酸和硼酸盐的浆料，进行烘干；在管式炉中，现将温度升至1050oC，保持30min，然后将温度降至930oC，保持60min； 扩散之后去除表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并去除掉表面死层，发射极表面方阻为75Ω/□，背场表面方阻为45Ω/□；双面氧化并采用等离子体气相沉积法双面沉积氮化硅薄膜；丝网印刷背电极和正面电极，烧结；测试分选，制备完毕。
实例五：
将P型单晶硅片进行碱制绒，背表面抛光；在硅片制绒面生长或者喷涂一层氧化硅阻挡层，厚度为70nm；在该阻挡层表面喷涂磷酸，进行烘干；在抛光面面喷涂硼酸或者丝网印刷含有硼酸和硼酸盐的浆料，进行烘干；在管式炉中，现将温度升至1050oC，保持40min，然后将温度降至850oC，保持30min；扩散之后去除表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并去除掉表面死层，发射极表面方阻为100Ω/□，背场表面方阻为40Ω/□；双面氧化并采用等离子体气相沉积法双面沉积氮化硅薄膜；丝网印刷背电极和正面电极，烧结；测试分选，制备完毕。
这种双面电池的制备工艺采用喷涂或者丝网印刷的方法在硅片表面预制有源层，然后进行同时高温扩散，减少了工艺步骤，降低了生产成本，提高了扩散的均匀性，并且更加安全和高效。
需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (3)

1.一种双面电池的制备工艺，其特征是，包括以下步骤：
（a）对单晶硅片进行碱制绒，背表面抛光；
（b）在硅片制绒面生长或者喷涂一层氧化硅阻挡层；
（c）在该阻挡层表面喷涂磷酸或者丝网印刷含有磷酸或磷酸盐的浆料，在100-500oC下烘干1-10min；
（d）在抛光面喷涂硼酸或者丝网印刷含有硼酸或硼酸盐的浆料，在100-500oC下烘干1-10min；
（e）在链式炉或者管式炉中，进行高温硼磷共扩散；所述硼磷共扩散的温度为800～1050oC，时间为30min～90min；并且先在950～1000oC高温下进行扩散30min，然后将温度降至800～900oC扩散30～60min，气氛为氮气保护气氛；
（f）扩散之后去除表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃，并通过酸刻蚀的方法
去除掉表面死层；
（g）双面氧化并采用等离子体气相沉积法双面沉积氮化硅薄膜；
（h）丝网印刷背电极和正面电极，烧结；
（i）测试分选，制备完毕。
2.根据权利要求1所述的双面电池的制备工艺，其特征是，所述步骤（b）的氧化硅阻挡层的厚度为50-100nm。
3.根据权利要求1所述的双面电池的制备工艺，其特征是，所述步骤（e）中，刻蚀后的发射极表面方阻为50～120Ω/□，背场的表面方阻为40～100Ω/□。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441190A (zh) * 2013-09-09 2013-12-11 英利集团有限公司 一种太阳能电池中pn结制作方法
CN104766790A (zh) * 2015-03-11 2015-07-08 苏州启澜功率电子有限公司 一种磷、硼液态源一次全扩散工艺
CN105405920A (zh) * 2014-09-11 2016-03-16 上海神舟新能源发展有限公司 小尺寸高空用薄化双面电池的电极金属化方法
WO2016112757A1 (zh) * 2015-01-15 2016-07-21 中利腾晖光伏科技有限公司 一种n型双面电池及其制作方法
CN109950347A (zh) * 2019-04-02 2019-06-28 河北大学 一种双面电池的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185011A (zh) * 2010-12-02 2011-09-14 江阴浚鑫科技有限公司 太阳能电池片的制绒方法
CN102263159A (zh) * 2011-05-31 2011-11-30 江阴鑫辉太阳能有限公司 一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺
CN102280519A (zh) * 2011-05-30 2011-12-14 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种利用硼磷共扩散制备高效全背电极n型太阳电池的工艺
CN102709389A (zh) * 2012-05-27 2012-10-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种双面背接触太阳能电池的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185011A (zh) * 2010-12-02 2011-09-14 江阴浚鑫科技有限公司 太阳能电池片的制绒方法
CN102280519A (zh) * 2011-05-30 2011-12-14 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种利用硼磷共扩散制备高效全背电极n型太阳电池的工艺
CN102263159A (zh) * 2011-05-31 2011-11-30 江阴鑫辉太阳能有限公司 一种利用硼磷共扩散制备n型太阳电池的工艺
CN102709389A (zh) * 2012-05-27 2012-10-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种双面背接触太阳能电池的制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441190A (zh) * 2013-09-09 2013-12-11 英利集团有限公司 一种太阳能电池中pn结制作方法
CN103441190B (zh) * 2013-09-09 2016-04-13 英利集团有限公司 一种太阳能电池中pn结制作方法
CN105405920A (zh) * 2014-09-11 2016-03-16 上海神舟新能源发展有限公司 小尺寸高空用薄化双面电池的电极金属化方法
WO2016112757A1 (zh) * 2015-01-15 2016-07-21 中利腾晖光伏科技有限公司 一种n型双面电池及其制作方法
CN104766790A (zh) * 2015-03-11 2015-07-08 苏州启澜功率电子有限公司 一种磷、硼液态源一次全扩散工艺
CN109950347A (zh) * 2019-04-02 2019-06-28 河北大学 一种双面电池的制备方法

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