CN108417601B - 有机发光显示设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光显示设备。该有机发光显示设备，包括：基板，包括发射区域和非发射区域；有机发光元件，用于发射光，所述有机发光元件包括：第一电极，在发射区域中设置在基板上；有机发光层，在发射区域中设置在第一电极上；及第二电极，设置在有机发光层上；以及通孔绝缘层，在基板的非发射区域中设置在基板上，所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料。通孔绝缘层在其中限定开口，在所述开口中设置有有机发光元件的有机发光层。

Description

有机发光显示设备

技术领域

实施例涉及显示设备。更具体而言，实施例涉及有机发光显示设备。

背景技术

有机发光显示设备可具有有机发光元件，有机发光元件包括空穴注入层、电子注入层以及形成于空穴注入层和电子注入层之间的有机发光层。在有机发光显示设备中，当作为从空穴注入层注入的空穴与从电子注入层注入的电子之结合的激子从激发态下降到基态时，可产生光。

有机发光显示设备可不包括单独的用以产生光的光源，并且因此有机发光显示设备可具有相对小的厚度和轻的重量以及相对低的功耗。此外，有机发光显示设备可具有相对宽的视角、高的对比度以及高的响应速度等。

发明内容

一个或多个实施例提供一种用于防止有机发光层的损坏的有机发光显示设备。

一个或多个实施例提供一种用于减少或有效防止有机发光元件的损坏的有机发光显示设备。

根据一个或多个实施例的有机发光显示设备包括：基板，包括发射区域和非发射区域；有机发光元件，用于发射光，所述有机发光元件包括：第一电极，在发射区域中设置在基板上；有机发光层，在发射区域中设置在第一电极上；及第二电极，设置在有机发光层上；以及通孔绝缘层，在基板的非发射区域中设置在基板上，所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料。通孔绝缘层在其中限定开口，在所述开口中设置有有机发光元件的有机发光层。

在实施例中，通孔绝缘层的顶表面距基板的最大高度可大于第一电极的中心部分的底表面距基板的高度。

在实施例中，有机发光显示设备还可包括：晶体管，在基板的发射区域中连接到有机发光元件，所述晶体管在非发射区域中设置在基板上。

在实施例中，第一电极的中心部分的底表面距基板的高度可设置在与晶体管的漏电极相同的高度处。

在实施例中，有机发光显示设备还可包括：钝化层，包括无机绝缘材料，其中所述通孔绝缘层位于钝化层与基板之间。

在实施例中，钝化层可沿着通孔绝缘层的顶表面和侧壁延伸。

在实施例中，钝化层可仅设置在非发射区域中。

在实施例中，钝化层可设置在非发射区域和发射区域中。

在实施例中，有机发光显示设备还可包括：钝化层，设置在基板与通孔绝缘层之间，所述钝化层包括无机绝缘材料。

在实施例中，钝化层可仅设置在非发射区域中。

在实施例中，钝化层可设置在非发射区域和发射区域中。

根据一个或多个实施例的有机发光显示设备包括：基板；多个子像素，设置在基板上，所述多个子像素各自包括有机发光元件；以及通孔绝缘层，在包括有机发光元件的子像素中的每个子像素中设置在基板上，所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料。通孔绝缘层在其中限定开口，在所述开口中设置有多个子像素中的至少一个子像素的有机发光元件。

在实施例中，多个子像素可包括蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素。蓝色子像素的有机发光元件可设置在通孔绝缘层的开口中。

在实施例中，有机发光显示设备还可包括：钝化层，设置在通孔绝缘层与有机发光元件之间，所述钝化层包括无机绝缘材料。

在实施例中，钝化层可沿着通孔绝缘层的顶表面和侧壁延伸。

在实施例中，钝化层可限定开口，在所述开口中设置有至少一个子像素的有机发光元件。

在实施例中，钝化层可设置在至少一个子像素的有机发光元件与基板之间。

在实施例中，有机发光显示设备还可包括：钝化层，设置在基板与通孔绝缘层之间，所述钝化层包括无机绝缘材料。

在实施例中，钝化层可限定开口，在所述开口中设置有至少一个子像素的有机发光元件。

在实施例中，钝化层可设置在至少一个子像素的有机发光元件与基板之间。

根据一个或多个实施例的有机发光显示设备可包括可以不与有机发光层重叠的通孔绝缘层，因此，可减少或者有效地防止对有机发光层的损坏。根据一个或多个实施例的有机发光显示设备可包括可以不与至少一个子像素的有机发光元件重叠的通孔绝缘层，因此，可减少或有效防止对有机发光元件的损坏。

附图说明

根据下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性且非限制性的实施例。

图1是示出根据本发明的有机发光显示设备的实施例的剖面侧视图。

图2是示出根据本发明的有机发光显示设备的另一实施例的剖面侧视图。

图3是示出图1中的有机发光显示设备的显示构件的实施例的俯视平面图。

图4是示出图3中的显示构件的单位像素的实施例的放大俯视平面图。

图5是示出根据本发明的有机发光显示设备的实施例的放大剖视图。

图6是示出根据本发明的有机发光显示设备的另一实施例的放大剖视图。

图7是示出根据本发明的有机发光显示设备的又一实施例的放大剖视图。

图8是示出根据本发明的有机发光显示设备的再一实施例的放大剖视图。

图9是示出根据本发明的有机发光显示设备的再一实施例的放大剖视图。

具体实施方式

现在将参考在其中示出了各实施例的附图，在下文中更全面地对本发明进行描述。然而，本发明可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。相同的附图标记始终指代相同的元件。

将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，其可直接在另一元件上，或者它们之间也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或区段与另一元件、组件、区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离本文的教导的情况下，下面所讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“区段”可被称为第二元件、部件、区域、层或区段。

本文所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而并不旨在进行限制。如本文所使用的，单数形式“一”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文另有明确指示。“至少一个”不应被解释为限制性的“一”或“一个”。“或”意指“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有的组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。

此外，在本文中可使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”等相对术语来描述如图所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了图中所描绘的方位之外，相对术语还旨在包含设备的不同方位。例如，如果一个图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧上的元件将被定向在其他元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下”可包含取决于附图的特定方位的“下”和“上”这两个方位。类似地，如果一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件“下面”或“之下”的元件将被定向为在其他元件的“上面”。因此，示例性术语“下面”或“之下”可包含上面和下面这两个方位。

除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将进一步理解，诸如在常用词典中所定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的背景下它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度正式的意义来解释，除非在本文中明确如此定义。

本文参考作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。因此，可预期到来自例如由于制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。因此，本文所描述的实施例不应被解释为限于如本文所示出的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，被图示或描述为平坦的区域可能通常具有粗糙和/或非线性的特征。此外，所示出的尖角可以是圆形的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状，而且并不旨在限制当前权利要求的范围。

在下文中，将参考附图来详细说明根据本公开的实施例的有机发光显示设备。

有机发光显示设备可包括以光来产生图像的显示面板。显示面板可包括：有机发光元件，产生用于显示图像的光；晶体管，对有机发光元件进行驱动以产生用于显示图像的光；以及通孔绝缘层。通孔绝缘层可保护对有机发光元件进行驱动的晶体管，并且可使显示面板内的晶体管的顶表面平坦化。通孔绝缘层可包括有机材料。

包括有机材料的通孔绝缘层由于其相对短期或长期的化学溶解而可能会产生逸出气体。逸出气体可能会不期望地注入到有机发光元件的有机发光层中，从而可能会不期望地发生诸如暗点、像素收缩等损坏。

图1是示出根据本发明的有机发光显示设备的实施例的剖面侧视图。

参考图1，根据实施例的有机发光显示设备11可包括(基底)基板20、封装基板30以及显示构件40。基板20、封装基板30和显示构件40可一起限定有机发光显示设备11的显示面板。这样的显示面板可相对于有机发光显示设备11的其他部件(包括但不限于，接收容器、盖等)来设置。

基板20可包括诸如玻璃或塑料等透明材料。显示构件40可设置在基板20上。显示构件40可以以光来产生并显示图像。在实施例中，例如，显示构件40可设置在基板20的第一表面21的中心部分上。显示构件40可在第一表面21上被设置成与基板20的端部或外缘间隔开。显示构件40可朝向基板20和/或封装基板30来显示图像。

封装基板30可设置在显示构件40上。封装基板30可相对于显示构件40而面向基板20的第一表面21。封装基板30可具有与基板20大致相同的材料。封装基板30可阻止其外部的杂质渗入到显示构件40中。

基板20的(外)边缘部分和封装基板30的(外)边缘部分可通过密封构件50来相互结合。基板20和封装基板30之间的空间可由密封构件50来封装。吸湿构件或填充构件可设置在该空间中。

图2是示出根据本发明的有机发光显示设备的另一实施例的剖面侧视图。

参考图2，根据另一实施例的有机发光显示设备11可包括(基底)基板20、封装薄膜35以及显示构件40。

如图2所示，封装薄膜35而不是封装基板30(参考图1)可设置在显示构件40上。封装薄膜35可保护显示构件40免受与以上针对封装基板30所描述的杂质相类似的杂质的影响。封装薄膜35可具有在其中至少一个无机层与至少一个有机层交替层叠的结构。然而，封装薄膜35的结构不限于此，并且可应用用于保护显示构件40免受杂质影响的任何透明封装结构。

图3是示出图1中的有机发光显示设备的显示构件的实施例的俯视平面图。图3中所示的显示构件也可被应用于图2中的有机发光显示设备。

参考图3，显示构件40可包括被设置为多个(图3中由设置在单位像素60的每侧的●●●来表示)的单位像素60。单位像素60可沿着彼此交叉的第一方向和第二方向来布置。第一方向和第二方向可大致平行于基板20。第一方向和第二方向可限定与其中设置有基板20和/或其第一表面21的平面相平行的平面。在俯视平面图中，第一方向和第二方向可大致彼此正交，但是本发明不限于此。沿着与第一方向和第二方向中的每个方向相交叉的第三方向来量出有机发光显示设备11的厚度。图1和图2的剖视图被限定在第三(厚度)方向和在与其中设置有基板20和/或其第一表面21的平面相平行的平面中的另一方向(例如第一或第二方向)上。

每个单位像素60可包括多个子像素70。在子像素70处产生或透射过子像素70的光可从子像素70中的每个子像素中发射出。在实施例中，每个单位像素60可包括第一子像素70a、第二子像素70b以及第三子像素70c。然而，单个单位像素60内的子像素70的数量不限于此，并且每个单位像素60可包括两个、四个或更多个子像素70。

在实施例中，第一子像素70a、第二子像素70b和第三子像素70c可分别发射蓝光、绿光和红光。每个单位像素60可通过对从诸如第一子像素70a、第二子像素70b和第三子像素70c等各个子像素中发射出的光进行组合，来显示特定的颜色。

图4是示出图3中的显示构件的单位像素的实施例的放大俯视平面图。

参考图4，子像素70中的每个子像素可包括发射区域和非发射区域。第一子像素70a可包括第一发射区域80a和第一非发射区域90a。第二子像素70b可包括第二发射区域80b和第二非发射区域90b。第三子像素70c可包括第三发射区域80c和第三非发射区域90c。每个包括发射区域和非发射区域的子像素70可彼此间隔开(参考图4)或者可彼此直接相邻(例如，参考图5)。

光可从发射区域中被发射出。在实施例中，例如，可从第一发射区域80a中发射蓝光，可从第二发射区域80b中发射绿光，并且可从第三发射区域80c中发射红光。

子像素的非发射区域可与其发射区域相邻。在实施例中，例如，在俯视平面图中非发射区域可围绕发射区域，即，设置在发射区域的所有侧面。参考图4，例如，第一非发射区域90a可围绕第一发射区域80a，第二非发射区域90b可围绕第二发射区域80b，并且第三非发射区域90c可围绕第三发射区域80c。

通孔绝缘层140可不与多个子像素70中的至少一个子像素的发射区域重叠。在实施例中，通孔绝缘层140可不与第一子像素70a、第二子像素70b和第三子像素70c之中的第一子像素70a的第一发射区域80a重叠。然而，在另一实施例中，通孔绝缘层140可不与第一子像素70a、第二子像素70b和第三子像素70c之中的第二子像素70b的第二发射区域80b或第三子像素70c的第三发射区域80c重叠。以下将参考图5来说明通孔绝缘层140的细节。

图5是示出根据本发明的有机发光显示设备的实施例的放大剖视图。例如，图5可以是示出沿着图4中的线I-I'截取的根据本发明的有机发光显示设备11的放大剖视图。

参考图5，根据实施例的有机发光显示设备11可包括：基板20、晶体管TR_a和TR_b、通孔绝缘层140以及有机发光元件150a和150b。晶体管TR_a和TR_b可设置在基板20上。通孔绝缘层140可将晶体管TR_a和TR_b覆盖。有机发光元件150a和150b可设置在基板20上。

基板20可包括由子像素70的这些相应区域所限定的集合发射区域和集合非发射区域。图5仅示出包括第一发射区域80a和第一非发射区域90a的第一子像素70a以及包括第二发射区域80b和第二非发射区域90b的第二子像素70b。然而，包括第三发射区域80c和第三非发射区域90c的第三子像素70c也可设置在基板20上。第三子像素70c可具有与第一子像素70a或第二子像素70b大致相同的元件或结构。因此，可省略关于第三子像素70c的描述。

缓冲层105可设置在基板20上，并位于晶体管TR_a和TR_b与基板20之间。缓冲层105可具有面向晶体管TR_a和TR_b的平坦表面，并且可阻止来自有机发光显示设备11外部的杂质的渗透。缓冲层105可包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等无机绝缘材料。在替代实施例中，可省略缓冲层105。

第一晶体管TR_a和第二晶体管TR_b可设置在基板20上。第一晶体管TR_a可向第一有机发光元件150a供应驱动(电的)电流，并且第二晶体管TR_b可向第二有机发光元件150b供应驱动(电的)电流。第一晶体管TR_a可包括第一有源图案110a、第一栅电极120a、第一源电极130a以及第一漏电极135a。第二晶体管TR_b可包括第二有源图案110b、第二栅电极120b、第二源电极130b以及第二漏电极135b。在实施例中，第一晶体管TR_a可设置在第一非发射区域90a中。

第一有源图案110a和第二有源图案110b可设置在缓冲层105上。第一有源图案110a和第二有源图案110b可包括半导体材料。在实施例中，例如，第一有源图案110a和第二有源图案110b可包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等。第一有源图案110a和第二有源图案110b中的每一个可包括或限定源区、漏区和设置于源区和漏区之间的沟道区。

栅极绝缘层115可设置在缓冲层105上。栅极绝缘层115可将第一有源图案110a和第二有源图案110b覆盖。栅极绝缘层115可包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等无机绝缘材料。栅极绝缘层115可使第一栅电极120a与第一有源图案110a绝缘，并且可使第二栅电极120b与第二有源图案110b绝缘。

第一栅电极120a和第二栅电极120b可设置在栅极绝缘层115上。第一栅电极120a可与第一有源图案110a的沟道区重叠。第二栅电极120b可与第二有源图案110b的沟道区重叠。第一栅电极120a和第二栅电极120b可包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等金属材料。

绝缘间层125可设置在栅极绝缘层115上。绝缘间层125可将第一栅电极120a和第二栅电极120b覆盖。绝缘间层125可包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等无机绝缘材料。

第一源电极130a、第一漏电极135a、第二源电极130b和第二漏电极135b可设置在绝缘间层125上。第一源电极130a和第一漏电极135a可分别通过绝缘间层125和栅极绝缘层115中的接触孔与第一有源图案110a的源区和漏区接触。第二源电极130b和第二漏电极135b可分别通过绝缘间层125和栅极绝缘层115中的接触孔与第二有源图案110b的源区和漏区接触。第一源电极130a、第一漏电极135a、第二源电极130b和第二漏电极135b可包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等金属。

通孔绝缘层140可设置在绝缘间层125上。通孔绝缘层140可对于子像素70中的每个子像素和单位像素60中的每个单位像素而为公共的。通孔绝缘层140可将第一晶体管TR_a和第二晶体管TR_b覆盖。在实施例中，例如，通孔绝缘层140可将第一源电极130a、第一漏电极135a、第二源电极130b和第二漏电极135b覆盖。通孔绝缘层140可具有平坦的顶表面，以便减轻由第一晶体管TR_a和第二晶体管TR_b产生的不平坦表面，并且便于减少或有效地防止有机发光显示设备11内设置在通孔绝缘层140上的结构出现破损。通孔绝缘层140可包括诸如聚酰亚胺(PI)等有机绝缘材料。在单位像素60中的发射区域之中，通孔绝缘层140可不与第一发射区域80a重叠。换言之，通孔绝缘层140可不设置在第一发射区域80a中。

通孔绝缘层140可包括或限定开口部分141和接触孔。开口部分141可设置或形成在第一发射区域80a中，并且可使第一发射区域80a中的绝缘间层125的一部分和第一漏电极135a的一部分暴露。接触孔可设置或形成在第二漏电极135b上，并且可使第二漏电极135b的一部分暴露。

在制造有机发光显示设备11的实施例中，通孔绝缘层140可通过使用光刻工艺来形成。在实施例中，可在绝缘间层125上形成光敏有机绝缘材料层，并且随后可通过使用掩模对有机绝缘材料层进行曝光和显影，从而形成包括开口部分141和接触孔的通孔绝缘层140。可去除有机绝缘材料层的一部分以形成开口部分141，因此，与在发射区域不包括开口部分141的通孔绝缘层相比，通孔绝缘层140的总体积可减小。因此，由于包括开口部分141的通孔绝缘层140的总体积减小，所以从通孔绝缘层140产生的逸出气体量可减少。

第一有机发光元件150a和第二有机发光元件150b可设置在基板20上。第一有机发光元件150a可电连接到第一晶体管TR_a，第二有机发光元件150b可电连接到第二晶体管TR_b。第一有机发光元件150a可包括第一像素电极151a、第一有机发光层152a和第一公共电极153a。第二有机发光元件150b可包括第二像素电极151b、第二有机发光层152b和第二公共电极153b。第一有机发光元件150a可设置在第一发射区域80a中，并且第二有机发光元件150b可设置在第二发射区域80b中。第一公共电极153a和第二公共电极153b可以是针对子像素70和单位像素60中的每个而共同设置的单个公共电极的一部分，但是本发明不限于此。

如上所述，通孔绝缘层140可不设置(例如不包括)在第一发射区域80a中。因此，通孔绝缘层140可不设置在第一有机发光元件150a之下，并且第一有机发光元件150a可直接设置在包括无机绝缘材料的绝缘间层125上。因为第一晶体管TR_a设置在其上设置有通孔绝缘层140的第一非发射区域90a中，所以尽管通孔绝缘层140并未设置在第一发射区域80a中的第一有机发光元件150a之下，也不会产生由于其下的不平坦表面而导致的(例如可能由第一子像素70a中的下层第一晶体管TR_a产生的)对第一有机发光元件150a的损坏。

第一像素电极151a和第二像素电极151b中的每一个可被图案化为岛状离散图案的形状。在开口部分141处，第一像素电极151a的中心(例如，非边缘)部分可设置在绝缘间层125上或设置在绝缘间层125处，并且第一像素电极151a的边缘部分可设置在通孔绝缘层140的侧壁和顶表面上，或设置在通孔绝缘层140的侧壁和顶表面处。第一像素电极151a可通过通孔绝缘层140中的开口部分141与第一漏电极135a接触。第二像素电极151b可设置在通孔绝缘层140上，并且可通过通孔绝缘层140中的接触孔与第二漏电极135b接触。第一像素电极151a和第二像素电极151b可包括金属和/或透明导电材料。

在实施例中，通孔绝缘层140在其顶表面处的高度可大于第一像素电极151a在其中心部分的底表面处的高度。通孔绝缘层140的顶表面的高度和第一像素电极151a的中心部分的底表面的高度中的每一个可以是距诸如基板20等公共基准的高度。在实施例中，例如，通孔绝缘层140在顶表面处的高度可以是缓冲层105的厚度、栅极绝缘层115的厚度、绝缘间层125的厚度和通孔绝缘层140的厚度之和。第一像素电极151a在中心部分的底表面处的高度可以是缓冲层105的厚度、栅极绝缘层115的厚度和绝缘间层125的厚度之和。因此，通孔绝缘层140在顶表面处的高度可比第一像素电极151a在中心部分的底表面处的高度大出通孔绝缘层140的厚度。上面描述的厚度和高度可以是取自公共基准的这些尺寸中的最大值。

在实施例中，第一像素电极151a在其中心部分处的高度可与第一晶体管TR_a的第一漏电极135a的高度大致相同。在实施例中，例如，第一像素电极151a的中心部分和第一漏电极135a可设置在绝缘间层125的顶表面上或设置在绝缘间层125的顶表面处。因此，第一像素电极151a在其中心部分处的高度和第一漏电极135a的高度可大致相同。

像素限定层160可设置在通孔绝缘层140上。像素限定层160可将第一像素电极151a的边缘部分和第二像素电极151b的边缘部分覆盖。像素限定层160可使第一像素电极151a的中心部分和第二像素电极151b的中心部分暴露，以便限定第一发射区域80a和第二发射区域80b。像素限定层160可包括诸如聚酰亚胺(PI)等有机绝缘材料。像素限定层160可针对子像素70和单位像素60中的每一个而共同设置，但是本发明不限于此。

第一有机发光层152a和第二有机发光层152b可分别设置在第一像素电极151a和第二像素电极151b上。当如上所述第一子像素70a是蓝色子像素并且第二子像素70b是绿色子像素时，第一有机发光层152a可发射蓝光，并且第二有机发光层152b可发射绿光。

第一有机发光层152a可不与通孔绝缘层140重叠。在实施例中，例如，通孔绝缘层140可不设置在第一有机发光层152a之下。也就是说，可不将最大厚度的通孔绝缘层140设置在第一有机发光层152a之下。

在比较例中，当通孔绝缘层被大体上设置在有机发光层之下时，有机发光元件的有机发光层可能会被从通孔绝缘层中产生的逸出气体损坏。然而，在根据本发明的一个或多个实施例中，通孔绝缘层140可不设置在第一有机发光层152a之下。因此，尽管从设置在第一子像素70a的非发射区域中的通孔绝缘层140中散发出逸出气体，但是其第一有机发光层152a可不受这种逸出气体的影响。因此，可减少或有效地防止由于逸出气体而导致的对第一子像素70a的第一有机发光层152a的损坏。

第一公共电极153a可相对于第一有机发光层152a而面向第一像素电极151a，并且第二公共电极153b可相对于第二有机发光层152b而面向第二像素电极151b。第一公共电极153a和第二公共电极153b可整体形成，即，针对子像素70中的每个子像素而共同设置。第一公共电极153a和第二公共电极153b可包括金属和/或透明导电材料。

图6是示出根据本发明的有机发光显示设备的另一实施例的放大剖视图。例如，图6可以是示出沿着图4中的线I-I'截取的有机发光显示设备12的实施例的放大剖视图。

参考图6，根据另一实施例的有机发光显示设备12可包括：基板20、晶体管TR_a和TR_b、通孔绝缘层240、钝化层245以及有机发光元件250a和250b。晶体管TR_a和TR_b可设置在基板20上。栅极绝缘层215可设置在缓冲层205上。第一晶体管TR_a可包括第一有源图案210a、第一栅电极220a、第一源电极230a以及第一漏电极235a。第二晶体管TR_b可包括第二有源图案210b、第二栅电极220b、第二源电极230b以及第二漏电极235b。第一有机发光元件250a可包括第一像素电极251a、第一有机发光层252a以及第一公共电极253a。第二有机发光元件250b可包括第二像素电极251b、第二有机发光层252b以及第二公共电极253b。

通孔绝缘层240可将晶体管TR_a和TR_b覆盖。钝化层245可将通孔绝缘层240覆盖。钝化层245可针对子像素70和单位像素60中的每一个而共同设置，但是本发明不限于此。有机发光元件250a和250b可设置在基板20上。可省略对图6所示的有机发光显示设备12的元件和/或结构的详细说明，其与图5所示的有机发光显示设备11的那些元件和/或结构大致相同或类似。

通孔绝缘层240可设置在绝缘间层225上。通孔绝缘层240可包括第一开口部分241和第一接触孔。第一开口部分241可设置或形成在第一发射区域80a中，并且可使第一发射区域80a中的绝缘间层225的一部分和第一漏电极235a的一部分暴露。第一接触孔可设置或形成在第二漏电极235b上，并且可使第二漏电极235b的一部分暴露。

钝化层245可设置在通孔绝缘层240上。钝化层245可包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等无机绝缘材料。钝化层245可不与第一发射区域80a重叠。换言之，钝化层245可不设置在第一发射区域80a中。

在实施例中，钝化层245可将通孔绝缘层240的顶表面和侧壁覆盖。因此，从通孔绝缘层240散发到有机发光显示设备12的其他元件的逸出气体的渗透可被钝化层245阻挡，并且钝化层245可用作防止逸出气体的阻挡层。

钝化层245可包括或限定第二开口部分246和第二接触孔。第二开口部分246可设置或形成在第一发射区域80a中，并且可使第一发射区域80a中的绝缘间层225的一部分和第一漏电极235a的一部分暴露。在实施例中，例如，第二开口部分246可设置或形成在通孔绝缘层240的第一开口部分241内。第二接触孔可设置或形成在第二漏电极235b上，并且可使第二漏电极235b的一部分暴露。在实施例中，例如，第二接触孔可设置或形成在第一接触孔内。

在制造有机发光显示设备12的实施例中，通孔绝缘层240和钝化层245可通过使用光刻工艺来形成。在实施例中，光敏有机绝缘材料层可形成在绝缘间层225上，并且随后可通过使用第一掩模对有机绝缘材料层进行曝光和显影，从而形成包括第一开口部分241和第一接触孔的通孔绝缘层240。

无机绝缘材料层和光致抗蚀剂层可依次形成在通孔绝缘层240上，并且随后可通过使用第二掩模对光致抗蚀剂层进行曝光和显影，并且可对无机绝缘材料层进行刻蚀，从而形成包括第二开口部分246和第二接触孔的钝化层245。有机绝缘材料层的一部分可被去除以形成通孔绝缘层240的第一开口部分241，并且无机绝缘材料层可形成于其上，因此与在发射区域不包括开口部分241的通孔绝缘层相比，通孔绝缘层240的总体积可减小。因此，由于包括开口部分241的通孔绝缘层240的总体积减小，所以从通孔绝缘层240中产生的逸出气体量可减少。

第一像素电极251a和第二像素电极251b中的每一个可被图案化为岛状。在第一开口部分241和第二开口部分246处，第一像素电极251a的中心(例如，非边缘)部分可设置在绝缘间层225上，并且第一像素电极251a的边缘部分可设置在钝化层245的侧壁和顶表面上或设置在钝化层245的侧壁和顶表面处。第一像素电极251a可通过第二开口部分246与第一漏电极235a接触。第二像素电极251b可设置在钝化层245上，并且可通过第二接触孔与第二漏电极235b接触。像素限定层260可设置在钝化层245上。

如上所述，通孔绝缘层240可不设置在第一发射区域80a中。因此，通孔绝缘层240可不设置在第一有机发光元件250a之下，并且第一有机发光元件250a可直接设置在包括无机绝缘材料的绝缘间层225上。因为第一晶体管TR_a设置在第一非发射区域90a中，所以尽管通孔绝缘层240并未设置在第一发射区域80a中的第一有机发光元件250a之下，也不会产生由于其下的不平坦表面而导致的对第一有机发光元件250a的损坏。

图7是示出根据本发明的有机发光显示设备的又一实施例的放大剖视图。在实施例中，例如，图7可以是示出沿图4中的线I-I'截取的有机发光显示设备13的实施例的放大剖视图。

参考图7，根据又一实施例的有机发光显示设备13可包括：基板20、晶体管TR_a和TR_b、通孔绝缘层340、钝化层345以及有机发光元件350a和350b。栅极绝缘层315可设置在缓冲层305上。晶体管TR_a和TR_b可设置在基板20上。第一晶体管TR_a可包括第一有源图案310a、第一栅电极320a、第一源电极330a以及第一漏电极335a。第二晶体管TR_b可包括第二有源图案310b、第二栅电极320b、第二源电极330b以及第二漏电极335b。第一有机发光元件350a可包括第一像素电极351a、第一有机发光层352a以及第一公共电极353a。第二有机发光元件350b可包括第二像素电极351b、第二有机发光层352b以及第二公共电极353b。

通孔绝缘层340可将晶体管TR_a和TR_b覆盖。钝化层345可将通孔绝缘层340覆盖。有机发光元件350a和350b可设置在基板20上。可省略对图7所示的有机发光显示设备13的元件和/或结构的详细说明，其与图6所示的有机发光显示设备12的那些元件和/或结构大致相同或类似。

钝化层345可设置在通孔绝缘层340上。与图6所示的钝化层245相比，钝化层345可与第一发射区域80a重叠。换言之，钝化层345可设置在第一发射区域80a以及第一非发射区域90a、第二发射区域80b和第二非发射区域90b中。根据通孔绝缘层340和设置在其下的绝缘间层325的剖面，钝化层345可具有全部大体均匀的厚度。

钝化层345可包括第三接触孔346和第二接触孔。第三接触孔346可设置或形成在第一漏电极335a上，并且可使第一漏电极335a的一部分暴露。第二接触孔可形成在第二漏电极335b上，并且可使第二漏电极335b的一部分暴露。

在制造有机发光显示设备13的实施例中，通孔绝缘层340和钝化层345可通过使用光刻工艺来形成。在实施例中，光敏有机绝缘材料层可形成在绝缘间层325上，并且随后可通过使用第一掩模对有机绝缘材料层进行曝光和显影，从而形成其中包括开口部分341和第一接触孔的通孔绝缘层340。无机绝缘材料层和光致抗蚀剂层可依次形成在通孔绝缘层340上，并且随后通过使用第二掩模对光致抗蚀剂层进行曝光和显影，并且对无机绝缘材料层进行刻蚀，从而形成其中包括第三接触孔346和第二接触孔的钝化层345。有机绝缘材料层的一部分可被去除以形成通孔绝缘层340的开口部分341，并且无机绝缘材料层可形成于其上，因此，与在发射区域不包括开口部分341的通孔绝缘层相比，通孔绝缘层340的总体积可减小。因此，由于包括开口部分341的通孔绝缘层340的总体积减小，所以从通孔绝缘层340中产生的逸出气体量可减少。

第一像素电极351a和第二像素电极351b中的每一个可被图案化为岛状。在开口部分341处，第一像素电极351a的中心(例如，非边缘)部分可设置在位于开口部分341内部的钝化层345上，并且第一像素电极351a的边缘部分可设置在钝化层345的侧壁和顶表面上，或设置在钝化层345的侧壁和顶表面处。第一像素电极351a可通过第三接触孔346与第一漏电极335a接触。第二像素电极351b可设置在钝化层345上，并且可通过第二接触孔与第二漏电极335b接触。像素限定层360可设置在钝化层345上。

如上所述，通孔绝缘层340可不设置在第一发射区域80a中。因此，通孔绝缘层340可不设置在第一有机发光元件350a之下，并且第一有机发光元件350a可直接设置在包括无机绝缘材料的钝化层345上。因为第一晶体管TR_a设置在第一非发射区域90a中，所以尽管通孔绝缘层340并未设置在第一发射区域80a中的第一有机发光元件350a之下，也不会产生由于其下的不平坦表面而导致的对第一有机发光元件350a的损坏。

图8是示出根据本发明的有机发光显示设备的再一实施例的放大剖视图。在实施例中，例如，图8可以是示出沿图4中的线I-I'截取的有机发光显示设备14的实施例的放大剖视图。

参考图8，根据再一实施例的有机发光显示设备14可包括：基板20、晶体管TR_a和TR_b、钝化层445、通孔绝缘层440以及有机发光元件450a和450b。栅极绝缘层415可设置在缓冲层405上。晶体管TR_a和TR_b可设置在基板20上。钝化层445可将晶体管TR_a和TR_b覆盖。第一晶体管TR_a可包括第一有源图案410a、第一栅电极420a、第一源电极430a以及第一漏电极435a。第二晶体管TR_b可包括第二有源图案410b、第二栅电极420b、第二源电极430b以及第二漏电极435b。第一有机发光元件450a可包括第一像素电极451a、第一有机发光层452a以及第一公共电极453a。第二有机发光元件450b可包括第二像素电极451b、第二有机发光层452b以及第二公共电极453b。

通孔绝缘层440可设置在钝化层445上。有机发光元件450a和450b可设置在基板20上。可省略对图8所示的有机发光显示设备14的元件和/或结构的详细说明，其与图5所示的有机发光显示设备11的那些元件和/或结构大致相同或类似。

钝化层445可设置在绝缘间层425上。钝化层445可将第一晶体管TR_a和第二晶体管TR_b覆盖。在实施例中，例如，钝化层445可将第一源电极430a、第一漏电极435a、第二源电极430b和第二漏电极435b覆盖。钝化层445可包括诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等无机绝缘材料。钝化层445可不与第一发射区域80a重叠。换言之，钝化层445可不设置在第一发射区域80a中。

通孔绝缘层440可设置在钝化层445上。钝化层445和通孔绝缘层440可包括或共同限定开口部分441和接触孔。开口部分441可设置或形成在第一发射区域80a中，并且可使第一发射区域80a中的绝缘间层425的一部分和第一漏电极435a的一部分暴露。接触孔可设置或形成在第二漏电极435b上，并且可使第二漏电极435b的一部分暴露。

在制造有机发光显示设备14的实施例中，钝化层445和通孔绝缘层440可通过使用光刻工艺来形成。在实施例中，无机绝缘材料层和光致抗蚀剂层可依次形成在绝缘间层425上，并且随后可通过使用第一掩模对光致抗蚀剂层进行曝光和显影，并且对无机绝缘材料层进行刻蚀，从而形成包括开口部分441的一部分和接触孔的一部分的钝化层445。光敏有机绝缘材料层可形成在钝化层445上，并且随后可通过使用第二掩模对有机绝缘材料层进行曝光和显影，从而形成包括开口部分441的其余部分和接触孔的其余部分的通孔绝缘层440。

在制造有机发光显示设备14的再一实施例中，无机绝缘材料层和光敏有机绝缘材料层可依次形成在绝缘间层425上，并且随后可通过使用掩模对有机绝缘材料层进行曝光和显影，并且对无机绝缘材料层进行刻蚀，从而形成包括开口部分441的一部分和接触孔的一部分的钝化层445和通孔绝缘层440。在这种情况下，通孔绝缘层440可用作针对下层的无机绝缘材料层的蚀刻停止层。有机绝缘材料层的一部分可被去除以形成开口部分441，并且无机绝缘层可形成于其下方，因此，与在发射区域不包括开口部分441的通孔绝缘层相比，通孔绝缘层440的总体积可减小。因此，由于包括开口部分441的通孔绝缘层440的总体积减小，所以从通孔绝缘层440中产生的逸出气体量可减少。

第一像素电极451a和第二像素电极451b中的每一个可被图案化为岛状。在开口部分441处，第一像素电极451a的中心(例如，非边缘)部分可设置在绝缘间层425上，并且第一像素电极451a的边缘部分可设置在钝化层445的侧壁以及通孔绝缘层440的侧壁和顶表面上，或设置在钝化层445的侧壁以及通孔绝缘层440的侧壁和顶表面处。第一像素电极451a可通过开口部分441与第一漏电极435a接触。第二像素电极451b可设置在通孔绝缘层440上，并且可通过接触孔与第二漏电极435b接触。像素限定层460可设置在通孔绝缘层440上。

如上所述，通孔绝缘层440可不设置在第一发射区域80a中。因此，通孔绝缘层440可不设置在第一有机发光元件450a之下，并且第一有机发光元件450a可直接设置在包括无机绝缘材料的绝缘间层425上。因为第一晶体管TR_a被设置在第一非发射区域90a中，所以尽管通孔绝缘层440并未设置在第一发射区域80a中的第一有机发光元件450a之下，也不会产生由于其下的不平坦表面而导致的对第一有机发光元件450a的损坏。

图9是示出根据本发明的有机发光显示设备的再一实施例的放大剖视图。在实施例中，例如，图9可以是示出沿着图4中的线I-I'截取的有机发光显示设备15的实施例的放大剖视图。

参考图9，根据再一实施例的有机发光显示设备15可包括：基板20、晶体管TR_a和TR_b、钝化层545、通孔绝缘层540以及有机发光元件550a和550b。栅极绝缘层515可设置在缓冲层505上。晶体管TR_a和TR_b可设置在基板20上。钝化层545可将晶体管TR_a和TR_b覆盖。第一晶体管TR_a可包括第一有源图案510a、第一栅电极520a、第一源电极530a以及第一漏电极535a。第二晶体管TR_b可包括第二有源图案510b、第二栅电极520b、第二源电极530b以及第二漏电极535b。第一有机发光元件550a可包括第一像素电极551a、第一有机发光层552a以及第一公共电极553a。第二有机发光元件550b可包括第二像素电极551b、第二有机发光层552b以及第二公共电极553b。

通孔绝缘层540可设置在钝化层545上。有机发光元件550a和550b可设置在基板20上。可省略对图9所示的有机发光显示设备15的元件和/或结构的详细说明，其与图8所示的有机发光显示设备14的那些元件和/或结构大致相同或类似。

钝化层545可设置在绝缘间层525上。与图8所示的钝化层445相比，钝化层545可与第一发射区域80a重叠。换言之，钝化层545可设置在第一发射区域80a以及第一非发射区域90a、第二发射区域80b和第二非发射区域90b中。

钝化层545可包括第一接触孔546和第二接触孔的一部分。第一接触孔546可设置或形成在第一漏电极535a上，并且可使第一漏电极535a的一部分暴露。第二接触孔的部分可设置或形成在第二漏电极535b上，并且可使第二漏电极535b的一部分暴露。

通孔绝缘层540可设置在钝化层545上。通孔绝缘层540可包括第二接触孔的其余部分和开口部分541。开口部分541可设置或形成在第一发射区域80a中，并且可使第一发射区域80a中的钝化层545的一部分和第一漏电极535a的一部分暴露。第二接触孔的其余部分可设置或形成在第二漏电极535b上，并且可使第二漏电极535b的一部分暴露。

在制造有机发光显示设备15的实施例中，钝化层545和通孔绝缘层540可通过使用光刻工艺来形成。在实施例中，无机绝缘材料层和光致抗蚀剂层可依次形成在绝缘间层525上，并且随后可通过使用第一掩模对光致抗蚀剂层进行曝光和显影，并且对无机绝缘材料层进行刻蚀，从而形成包括第二接触孔的一部分和第一接触孔546的钝化层545。光敏有机绝缘材料层可形成在钝化层545上，并且随后可通过使用第二掩模对有机绝缘材料层进行曝光和显影，从而形成包括第二接触孔的其余部分和开口部分541的通孔绝缘层540。有机绝缘材料层的一部分可被去除以形成开口部分541，并且无机绝缘材料层可形成于其下，因此，与在发射区域不包括开口部分541的通孔绝缘层相比，通孔绝缘层540的总体积可减小。因此，由于包括开口部分541的通孔绝缘层540的总体积减小，所以从通孔绝缘层540中产生的溢出气体量可减少。

第一像素电极551a和第二像素电极551b中的每一个可被图案化为岛状。在开口部分541处，第一像素电极551a的中心部分可设置在钝化层545上，并且第一像素电极551a的边缘部分可设置在通孔绝缘层540的侧壁和顶表面上，或设置在通孔绝缘层540的侧壁和顶表面处。第一像素电极551a可通过第一接触孔546与第一漏电极535a接触。第二像素电极551b可设置在通孔绝缘层540上，并且可通过第二接触孔与第二漏电极535b接触。像素限定层560可设置在通孔绝缘层540上。

如上所述，通孔绝缘层540可不设置在第一发射区域80a中。因此，通孔绝缘层540可不设置在第一有机发光元件550a之下，并且第一有机发光元件550a可直接设置在包括无机绝缘材料的钝化层545上。因为第一晶体管TR_a设置在第一非发射区域90a中，所以尽管通孔绝缘层540并未设置在第一发射区域80a中的第一有机发光元件550a之下，也不会产生由于其下的不平坦表面而导致的对第一有机发光元件550a的损伤。

根据本公开的一个或多个实施例的有机发光显示设备可应用于被包括在计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、便携式媒体播放器(“PMP”)、个人数字助理(“PDA”)、MP3播放器等中的显示设备。

尽管已经参考附图描述了根据本发明的有机发光显示设备的实施例，但是所示出的实施例是示例，并且在不脱离下面的权利要求中所描述的本公开的技术精神的情况下，可由相关技术领域中具有普通知识的人修改和改变。

Claims (9)

1.一种有机发光显示设备，包括：

基板，包括在其中发射光的发射区域和在其中不发射光的非发射区域；

晶体管，在所述非发射区域中设置在所述基板上，所述晶体管包括有源图案和直接连接到所述有源图案的电极；

有机发光元件，用于发射光，所述有机发光元件包括：

第一电极，在所述基板的所述发射区域中设置在所述基板上；

有机发光层，在所述发射区域中设置在所述第一电极上；及

第二电极，设置在所述有机发光层上；以及

通孔绝缘层，在所述基板的所述非发射区域中设置在所述基板上，所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料，

其中所述通孔绝缘层在其中限定开口，在所述开口中设置有所述有机发光元件的所述有机发光层，

所述晶体管的所述电极延伸到所述开口中以限定所述晶体管的从所述通孔绝缘层暴露的延伸部分，并且

在所述通孔绝缘层的所述开口中，所述有机发光元件直接连接到所述晶体管的所述延伸部分。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中

所述通孔绝缘层的顶表面距所述基板的最大高度大于所述第一电极的中心部分的底表面距所述基板的高度。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：

钝化层，包括无机绝缘材料，其中所述通孔绝缘层位于所述钝化层与所述基板之间，

其中在所述通孔绝缘层中的所述开口处，所述钝化层沿着所述通孔绝缘层的顶表面和侧壁延伸。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中

所述钝化层仅设置在所述非发射区域中。

5.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中

所述钝化层设置在所述非发射区域和所述发射区域中。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：

钝化层，设置在所述基板与所述通孔绝缘层之间，所述钝化层包括无机绝缘材料。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中

所述钝化层仅设置在所述非发射区域中。

8.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中

所述钝化层设置在所述非发射区域和所述发射区域中。

9.一种有机发光显示设备，包括：

基板；

多个子像素，设置在所述基板上，所述多个子像素各自包括用于发射光的有机发光元件以及包括有源图案和直接连接到所述有源图案的电极的晶体管；以及

通孔绝缘层，在包括所述有机发光元件的所述子像素中的每个子像素中设置在所述基板上，所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料，

其中所述通孔绝缘层在其中限定开口，在所述开口中设置有所述多个子像素中的至少一个子像素的所述有机发光元件，

所述晶体管的所述电极延伸到所述开口中以限定所述晶体管的从所述通孔绝缘层暴露的延伸部分，并且

在所述通孔绝缘层的所述开口中，所述有机发光元件直接连接到所述晶体管的所述延伸部分。