CN108400090A - 防止Al腐的处理方法 - Google Patents
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Abstract
一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。上述处理方法，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作，碳氟气体中的F离子能够置换出所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中的Cl，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。通过进行热烘操作，能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种防止Al腐的处理方法。
背景技术
在采用低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)制作显示屏的过程中，Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)复合膜层通常采用干法刻蚀(Dry Etching)进行刻蚀，以满足显示屏对线宽、晶圆或面板尺寸等的要求。目前的干法刻蚀也主要向着高深宽比、大面积化、难溶金属刻蚀等几个方向发展。在采用低温多晶硅技术制作显示屏的过程中，Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)复合膜层通常采用干法刻蚀(Dry Etching)进行，而采用干法刻蚀工艺对Ti/Al/Ti膜层进行刻蚀时候，通常采用的刻蚀气体为氯气(Cl2)和三氯化硼(BCl3)，而Cl2很容易对Ti/Al/Ti膜层中的铝(Al)膜层产生腐蚀，尤其是在刻蚀后极容易产生侧壁Al腐蚀的现象，一旦Al膜层发生腐蚀，将会对TFT特性和导通电阻、接触电阻将会产生很大影响，因此，如何有效避免Al膜层腐蚀，成为业界内重点关注的问题。
而目前，在业界内，防止铝(Al)膜层腐蚀的方法主要有以下两种：
1、O2+H2O：O2、H2O在工艺腔室中被电离成Plasma(等离子体)，Plasma中的H结合残留的Cl，以除去Cl。
2、水洗：使Cl溶解在水中，生成HCL，以除去Cl。
然而，第一种和第二种方法都需要增加额外的操作腔室和水洗装置，这样，都会增加操作难度，使得工艺操作步骤较为繁琐，此外也会增加处理成本和设备购买成本。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题以及操作工艺较为简单的防止Al腐的处理方法。
一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：
在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；
在真空腔室内，对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；
将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；
将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。
在其中一个实施例中，所述碳氟气体为CF4、CHF3、C4F6和C4F8中的至少一种。
在其中一个实施例中，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为0.5Pa～3.99Pa。
在其中一个实施例中，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为0.9Pa～1.88Pa。
在其中一个实施例中，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa。
在其中一个实施例中，在执行所述第一次电离操作中，Cl2的流量为400sccm～500sccm。
在其中一个实施例中，在执行所述第一次电离操作中，Cl2的流量为450sccm。
在其中一个实施例中，在执行所述第一次电离操作中，BCl3的流量为100sccm～200sccm。
在其中一个实施例中，在执行所述第一次电离操作中，BCl3的流量为150sccm。
在其中一个实施例中，在执行所述第二次电离操作中，碳氟气体的流量为150sccm～300sccm。
上述防止Al腐的处理方法，采用Cl2和BCl3的混合气体对所述源漏极进行干法刻蚀操作后，残留的Cl(氯)元素会在后续的处理过程中，对所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层造成腐蚀问题，通过在干法刻蚀操作后采用对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作，碳氟气体中的F(氟)离子能够置换出所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中的Cl(氯)，对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。通过将经过修复操作的源漏极进行脱模操作以及将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，一方面，能够减少传统中水洗操作步骤，将经过修复操作的源漏极直接进行脱模操作，不需要增加额外的操作腔室和水洗装置，生产成本得以降低，使得操作工艺更为简单，另一方面，通过将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。此外，尤其需要说明的是，上述防止Al腐的处理方法处理后的源漏极，表面坡度角在60度～75度，其整体坡度均一性较好，且能够减少Al腐造成的蜂窝状的侧壁形貌，从而能够较好的减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
附图说明
图1为本发明一实施方式的防止Al腐的处理方法的步骤示意图；
图2为本发明实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的第一个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图3为本发明实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的第二个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图4为本发明实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的第三个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图5为本发明实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的第四个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图6为本发明实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的其中一个采样点在电镜下的SEM形貌的示意图；
图7为本发明实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的另一个采样点在电镜下的SEM形貌的示意图；
图8为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的第一个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图9为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的第二个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图10为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的第三个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图11为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的第四个采样点在电镜下的坡度角的示意图；
图12为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的其中一个采样点在电镜下的SEM形貌的示意图；
图13为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的另一个采样点在电镜下的SEM形貌的示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
例如，一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；在真空腔室内，对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。又如，所述源漏极设置有钛/铝/钛复合膜层。又如，防止Al腐的处理方法为防止铝腐的处理方法，又如，防止铝腐的处理方法亦为减少铝腐的处理方法。
为了进一步说明上述防止Al腐的处理方法，又一个实施例是，请参阅图1，一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：
S110：在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；
通过在对Cl2和BCl3的混合气体进行首次电离形成的第一等离子体来实现对源漏极的干法刻蚀操作，可以在所述源漏极形成沟道。其中Cl2和BCl3的混合气体对所述源漏极进行主刻蚀操作。所述源漏极设置有钛/铝/钛复合膜层，在主刻蚀操作中残留的Cl元素会对钛/铝/钛复合膜层的铝膜层造成腐蚀问题，进而影响整体产品的品质。
一实施例中，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为0.5Pa～3.99Pa，优选的，所述真空腔室内的压力为0.9Pa～1.88Pa，更优选的，所述真空腔室内的压力为1.33Pa。如此，能够较好地进行干法刻蚀操作。
一实施例中，在执行所述第一次电离操作中，Cl2的流量为400sccm～500sccm。优选的，Cl2的流量为450sccm。又如，在执行所述第一次电离操作中，BCl3的流量为100sccm～200sccm，优选的，BCl3的流量为150sccm。如此，能够较好地进行干法刻蚀操作。
尤其需要说明的是，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa，Cl2的流量为450sccm，BCl3的流量为150sccm，如此，能够更好地进行干法刻蚀操作。
需要说明的是，在进行干法刻蚀操作之前，需要对源漏极进行成像操作，即将光刻胶显影在源漏极上。需要说明的是，干法刻蚀操作之前的工艺以及如何对源漏极进行成像操作，请参考现有技术，本申请在此不再赘述。
S120：在真空腔室内，对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；
本实施例中，过在干法刻蚀操作后采用对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作，碳氟气体中的F离子能够置换出所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中的Cl，对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
例如，所述碳氟气体为CF4、CHF3、C4F6和C4F8中的至少一种。又如，所述碳氟气体为CF4、CHF3、C4F6或C4F8。更优选的，所述碳氟气体为C4F6，如此，对Cl元素的吸收效果极好，能够进一步起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
需要说明的是，当所述碳氟气体为CF4时，当对CF4进行第二次电离操作时：CF4→CFX++CFY -+F-+F++F，当将所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作时：F+AlCl3→AlF3+Cl，由此可以看出，CF4对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀为题。
需要说明的是，当所述碳氟气体为C4F8时，当对C4F8进行第二次电离操作时：C4F8→C4F7+F，当将所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作时：F+AlCl3→AlF3+Cl，由此也可以看出，C4F8对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题，
需要说明的是，当所述碳氟气体为CHF3时，当对CHF3进行第二次电离操作时：CHF3→H+F，当将所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作时：H+F+AlCL3→HCl↑+AlF3↑，由此也可以看出，CHF3对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
一实施例中，执行所述第二次电离操作的真空腔室与执行所述第一次电离操作的真空腔室相同，如此，能够使得操作工艺更为简单。当然，执行所述第二次电离操作的真空腔室与执行所述第一次电离操作的真空腔室也可不相同。
一实施例中，在执行所述第二次电离操作中，所述真空腔室内的压力为0.5Pa～3.99Pa，优选的，所述真空腔室内的压力为0.9Pa～1.88Pa，更优选的，所述真空腔室内的压力为1.33Pa。如此，对Cl元素的吸收效果更好，能够更好地减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀为题。
一实施例中，在执行所述第二次电离操作中，碳氟气体的流量为150sccm～300sccm。优选的，所述碳氟气体的流量为180sccm～220sccm。更优选的，所述碳氟气体的流量为200sccm，如此，对Cl元素的吸收效果更好，能够更好地减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀为题。
尤其需要说明的是，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa，Cl2的流量为450sccm，BCl3的流量为150sccm，在执行所述第二次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa，所述碳氟气体为CF4时，所述碳氟气体的流量为200sccm，如此，能够较好地进行干法刻蚀操作，且能够在修复操作中，对Cl元素的吸收效果更好，能够更好地减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀为题。
S130：将经过修复操作的源漏极进行脱模操作。
通过将经过修复操作的源漏极进行脱模操作，以去除表面多余的光刻胶。
需要说明的是，如何进行脱模操作，请参考现有技术，本申请在此不再赘述。
S140：将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。
通过将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
尤其需要说明的是，对源漏极进行脱模操作时，通常需要使用脱膜药液，脱膜药液虽然含有水：AlCl3+H2O→Al(OH)3+HCl，可以去除一部分但是不能保证彻底去除残留的Cl元素。因此需要加个热烘，热烘的目的通过高温，使残留的Cl元素进行挥发。如果不能去除干净，在制品很容易在空气中随着放置时间加长，发生二次Al腐蚀。
尤其需要说明的是，通过将经过修复操作的源漏极进行脱模操作以及将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，一方面，能够减少传统中水洗操作步骤，将经过修复操作的源漏极直接进行脱模操作，不需要增加额外的操作腔室和水洗装置，生产成本得以降低，使得操作工艺更为简单，且能够相较于传统中水洗操作具有更好的防止铝腐效果，另一方面，通过将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。此外，尤其需要说明的是，上述防止Al腐的处理方法处理后的源漏极，表面坡度角在60度～75度，其整体坡度均一性较好，且能够减少Al腐造成的蜂窝状的侧壁形貌，从而能够较好的减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
一实施例中，所述热烘操作的温度为200摄氏度～300摄氏度，优选的，所述热烘操作的温度为230摄氏度～280摄氏度，更优选的，所述热烘操作的温度为250摄氏度，如此，能够更好地使所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
一实施例中，所述热烘操作的时间为100秒～300秒，优选的，所述热烘操作的时间为150秒～200秒，更优选的，所述热烘操作的时间为180秒，如此，能够更好地使所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
尤其需要说明的是，当所述热烘操作的温度为250摄氏度，所述热烘操作的时间为180秒，如此，能够更好地使所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
一实施例中，在所述热烘操作的温度热烘之后，所述防止Al腐的处理方法还包括如下操作：将经过热烘操作的源漏极冷却140秒～200秒，优选的，将经过热烘操作的源漏极冷却170秒，如此，能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
需要说明的是，现有的传统的防止Al膜层腐蚀的处理方法是，同时使用O2+H2O和水洗这两种方法，这样，必须额外增加处理腔室对O2+H2O进行电离，同时增加水洗(waterRinse)装置，这样就会增加很多额外的生产成本和生产暂停时间(Tacktime)，同时必须考虑主刻蚀腔室内，氯对源漏极的刻蚀；O2+H2O和水洗这两种方法都是脱离主刻蚀腔室的，所以做不到对主刻蚀腔室内氯对源漏极腐蚀的预防。例如，上述处理方法能够减少等离子(Plasma)中Cl对源漏极的腐蚀，主要是下部电极纯Al基座，减少对下部电极的腐蚀损耗，延长下部电极的使用寿命。例如，节约生产成本，节省出相应的处理腔室和水洗装置，同时可以节省出相应的水电气等。例如，在Cl2主刻蚀步骤后增加碳氟气体后修复操作步骤，在Ti/Al/Ti膜层干法刻蚀中，能够有效防止Al膜层被Cl腐蚀；在Ti/Al/Ti膜层干法刻蚀中，有效保护和修复Ti/Al/Ti膜层侧壁。
上述防止Al腐的处理方法，采用Cl2和BCl3的混合气体对所述源漏极进行干法刻蚀操作后，残留的Cl(氯)元素会在后续的处理过程中，对所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层造成腐蚀问题，通过在干法刻蚀操作后采用对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作，碳氟气体中的F(氟)离子能够置换出所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中的Cl(氯)，对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。通过将经过修复操作的源漏极进行脱模操作以及将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，一方面，能够减少传统中水洗操作步骤，将经过修复操作的源漏极直接进行脱模操作，不需要增加额外的操作腔室和水洗装置，生产成本得以降低，使得操作工艺更为简单，另一方面，通过将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。此外，尤其需要说明的是，上述防止Al腐的处理方法处理后的源漏极，表面坡度角在60度～75度，其整体坡度均一性较好，且能够减少Al腐造成的蜂窝状的侧壁形貌，从而能够较好的减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
下面结合具体实施例，对上述防止Al腐的处理方法，继续予以说明。
实施例1
在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；其中，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa，Cl2的流量为450sccm，BCl3的流量为150sccm。
在真空腔室内，对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；其中，在执行所述第二次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa，碳氟气体为CF4，碳氟气体的流量为200sccm。
将经过修复操作的源漏极进行脱模操作。
将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，其中，所述热烘操作的温度为250摄氏度，所述热烘操作的时间为180秒。
之后将热烘之后的钛/铝/钛复合膜层在电镜下观察。
对比例1
在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；其中，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa，Cl2的流量为450sccm，BCl3的流量为150sccm。
之后采取传统的处理腔室处理，即采用O2+H2O：O2、H2O在工艺腔室中被电离成Plasma(等离子体)，Plasma中的H结合残留的Cl，以除去Cl。
然后采用水洗操作，使Cl溶解在水中，生成HCL，以除去Cl。
然后将水洗后的钛/铝/钛复合膜层在电镜下观察。
实验结果如图2至13所示，其中图2至图5为实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的四个采样点在电镜下的坡度角的示意图；图6和图7为实施例1的防止Al腐的处理方法处理后的钛/铝/钛复合膜层的两个采样点在电镜下的SEM形貌的示意图。图8至图11为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的四个采样点在电镜下的坡度角的示意图；图12和图13为对比例1的钛/铝/钛复合膜层的两个采样点在电镜下的坡度角的示意图。
将实施例1中图2至图5的坡度角和对比例1中图8至图11的坡度角进行对比，可以明显地看出，本发明提供的防止Al腐的处理方法的钛/铝/钛复合膜层的几个采样点的坡度角均处于60度～70度的范围内，且坡度角均一性较好。相比于对比例1，本实施例1提供的防止Al腐的处理方法的钛/铝/钛复合膜层的四个采样点表面均较为光滑，高度较为一致。从对比例1的SEM地貌，如图12和图13所示，其表面具有较多的蜂窝状，各种不规则，表面其铝腐依然相当严重。而实施例1的SEM地貌如图6和图7所示，其可以看出，本实施例1提供的防止Al腐的处理方法的钛/铝/钛复合膜层的两个采样点表面光滑性较好，与对比例1的SEM地貌表面的蜂窝状相比，实施例1的表面蜂窝状的侧壁形貌明显消除了，表面铝腐问题有相当大的改善，从而证明本发明提供的防止Al腐的处理方法具有较好的减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题的效果。
上述防止Al腐的处理方法，采用Cl2和BCl3的混合气体对所述源漏极进行干法刻蚀操作后，残留的Cl元素会在后续的处理过程中，对所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层造成腐蚀问题，通过在干法刻蚀操作后采用对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作，碳氟气体中的F离子能够置换出所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中的Cl，对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。通过将经过修复操作的源漏极进行脱模操作以及将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，一方面，能够减少传统中水洗操作步骤，将经过修复操作的源漏极直接进行脱模操作，不需要增加额外的操作腔室和水洗装置，生产成本得以降低，使得操作工艺更为简单，另一方面，通过将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作，所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中残留的Cl(氯)能够在热烘操作中挥发，从而能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。此外，尤其需要说明的是，上述防止Al腐的处理方法处理后的源漏极，表面坡度角在60度～75度，其整体坡度均一性较好，且能够减少Al腐造成的蜂窝状的侧壁形貌，从而能够较好的减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。需要说明的是，本申请的“一实施例中”、“例如”、“又如”等，旨在对本申请进行举例说明，而不是用于限制本申请。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种防止Al腐的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；
在真空腔室内，对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；
将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；
将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。
2.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，所述碳氟气体为CF4、CHF3、C4F6和C4F8中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为0.5Pa～3.99Pa。
4.根据权利要求3所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为0.9Pa～1.88Pa。
5.根据权利要求4所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第一次电离操作中，所述真空腔室内的压力为1.33Pa。
6.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第一次电离操作中，Cl2的流量为400sccm～500sccm。
7.根据权利要求6所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第一次电离操作中，Cl2的流量为450sccm。
8.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第一次电离操作中，BCl3的流量为100sccm～200sccm。
9.根据权利要求8所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第一次电离操作中，BCl3的流量为150sccm。
10.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法，其特征在于，在执行所述第二次电离操作中，碳氟气体的流量为150sccm～300sccm。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN109148288A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作导电线路的方法 |
| CN109192664A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-01-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管、制备方法及阵列基板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124439A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| CN101740469A (zh) * | 2008-11-17 | 2010-06-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铝布线制作方法 |
| CN101894760A (zh) * | 2010-06-10 | 2010-11-24 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| CN102201350A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| CN106206290A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种包含铝的膜层图案、其制作方法及其后处理方法 |
| CN107393932A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-24 | 昆山龙腾光电有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
-
2017
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124439A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| CN101740469A (zh) * | 2008-11-17 | 2010-06-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铝布线制作方法 |
| CN102201350A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| CN101894760A (zh) * | 2010-06-10 | 2010-11-24 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| CN106206290A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种包含铝的膜层图案、其制作方法及其后处理方法 |
| CN107393932A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-24 | 昆山龙腾光电有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148288A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作导电线路的方法 |
| US10818513B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-10-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive line |
| CN109192664A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-01-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管、制备方法及阵列基板 |
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