CN108385084A - 一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法 - Google Patents

一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法。为了解决已有镍薄膜、碳化镍薄膜制备方法存在的工艺流程复杂、薄膜粒子尺寸与形貌难以调控、三维基材台阶覆盖率差的不足，本发明的制备镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，在该方法中，使用加热装置对镍单体瓶进行加热，将镍单体挥发为气体，气态镍与载气混合后通入沉积腔中，使用加热炉对沉积腔室进行加热，气态的镍单体在基材表面发生热分解反应生成镍薄膜、碳化镍薄膜与可挥发的副产物，镍薄膜、碳化镍薄膜沉积在基础表面，即得到镍薄膜、碳化镍薄膜。本发明方法相比于其他镍、碳化镍薄膜制备工艺，操作简便。本发明通过调控沉积温度，可以选择性沉积镍薄膜、碳化镍薄膜并可以调节镍碳比例。

Description

一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法
技术领域
本发明涉及一种制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法，具体涉及一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法，属于催化与超级电容领域。
背景技术
过渡金属镍具有优良的导电、导热与铁磁性，同时在催化、光电领域具有独特的性能，因而得到广泛的研究与应用。近年来，其碳化物如碳化镍在电能储存、析氢反应中表现出优异的催化性能而备受人们的关注。目前，镍薄膜、碳化镍薄膜的制备方法主要有湿化学合成，物理气相沉积等，存在着工艺流程复杂、薄膜粒子尺寸与形貌难以调控、三维基材台阶覆盖率差等缺点。
发明内容
本发明的目的在于解决已有镍薄膜、碳化镍薄膜制备方法存在的工艺流程复杂、薄膜粒子尺寸与形貌难以调控、三维基材台阶覆盖率差的不足，提供一种能够制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，该设备是采用化学气相沉积法制备镍薄膜、碳化镍薄膜，该方法工艺流程简单，能够在复杂的三维基底上沉积具有相对优良的台阶覆盖性薄膜，并且薄膜成分与形貌易于控制。
本发明的化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备是通过以下技术方案实现的：
一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，其特殊之处在于：包括载气瓶1、氢气瓶12，所述载气瓶1、氢气瓶12的输出端均通过管道连接有镍单体瓶2，所述镍单体瓶2的输出端通过管道连接有沉积腔6，所述沉积腔6的输出端通过管道连接有机械泵7，所述载气瓶1、氢气瓶12与镍单体瓶2之间的管道上均依次安装有手动阀3、质量流量计4、气动阀5，所述镍单体瓶2与沉积腔6之间、沉积腔6与机械泵7之间的管道上均安装有气动阀5，所述镍单体瓶2的外侧包裹有加热装置8，所述沉积腔6前后两侧均设有加热炉9，所述沉积腔6的内部设有基片台10，基片台10的上方安装有基材11；
所述载气瓶1、氢气瓶12与镍单体瓶2之间的管道上依次安装有手动阀3、质量流量计4、气动阀5是指从载气瓶1开始的管道上依次安装有手动阀3、质量流量计4、气动阀5；
所述载气瓶1中的气体为氮气、氩气、氦气中的一种或任意两种或三种的混合气体，气体的流量均由质量流量计控制；
所述氢气瓶12中的气体为氢气，氢气的流量由质量流量计控制；
所述镍单体瓶2外侧包裹的加热装置8为电热毯或加热带，能够对镍单体瓶加热，获得足够的镍单体蒸汽压；
所述沉积腔6是由金属管或石英管或刚玉管组成的腔体；
所述基片台10为半圆柱形的外壳，其内部设置有加热棒与热电偶，放置在沉积腔6中，平面向上，曲面向下；
基材可为粉体多孔材料，如分子筛、三氧化二铝或块体泡沫镍、泡沫铜等；也可以为片状平面材料如玻璃、硅片、金属基材等。
所述的镍单体为有机金属镍（bis(1,3-diazabutadienyl)-nickel, Ni(DAD)2）的一种，均为固态。由载气携带进入沉积腔内，在惰性气氛（氮气、氩气、氦气）或氢气的气氛中发生热分解反应生成金属镍或碳化镍沉积在基材上。
本发明的化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法是通过以下技术方案实现的：
一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，其特殊之处在于：在该方法中，使用加热装置对镍单体瓶进行加热，将镍单体挥发为气体，气态镍与载气混合后通入沉积腔中，使用加热炉对沉积腔室进行加热，气态的镍单体在基材表面发生热分解反应生成镍薄膜、碳化镍薄膜与可挥发的副产物，镍薄膜、碳化镍薄膜沉积在基础表面，即得到镍薄膜、碳化镍薄膜；
上述制备方法中，所述加热装置对镍单体瓶进行加热，温度范围为60 °C ~ 100 °C；
上述制备方法中，所述生成镍薄膜的沉积温度范围为120 °C ~ 200 °C及360 °C ~500 °C。
上述制备方法中，所述生成碳化镍薄膜的沉积温度为210 °C ~ 350 °C。
上述制备方法中，所述气态镍与载气混合后通入沉积腔采取的通入方式为Labview程序控制的连续式或脉冲式；
上述制备方法中，在制备镍薄膜，碳化镍薄膜的过程中，沉积腔的压力为1 ~ 10 kPa；
上述制备方法中，反应完成后的载气以及反应产生的副产物由机械泵抽出并进行处理。
本发明设计的沉积设备结构简单，连续、脉冲方式切换方便，成本低；
本发明沉积工艺相比于其他镍、碳化镍薄膜制备工艺，操作简便。本发明通过调控沉积温度，可以选择性沉积镍薄膜、碳化镍薄膜并可以调节镍碳比例。
附图说明
图1：本发明设备的结构示意图；
1、载气瓶， 2、镍单体瓶， 3、手动阀， 4、质量流量计， 5、气动阀，6、沉积腔， 7、机械泵， 8、加热装置， 9、加热炉， 10、基片台， 11、基材，12、氢气瓶。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1。参考图1。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，包括装有纯度为99.999%氮气的载气瓶1、氢气瓶12，所述载气瓶1、氢气瓶12的输出端均通过管道连接有装有Ni(tBuDAD)2 的镍单体瓶2，所述镍单体瓶2的输出端通过管道连接有由金属管组成的沉积腔6，所述沉积腔6的输出端通过管道连接有机械泵7，所述载气瓶1、氢气瓶12与镍单体瓶2之间的管道上依次安装有手动阀3、质量流量计4、气动阀5，所述镍单体瓶2与沉积腔6之间、沉积腔6与机械泵7之间的管道上均安装有气动阀5，所述镍单体瓶2的外侧包裹有加热装置8，所述加热装置为电热毯，所述沉积腔6前后两侧均设有加热炉9，所述沉积腔6的内部设有基片台10，基片台10的上方安装有基材11；
所述基片台10为半圆柱形的外壳，其内部设置有加热棒与热电偶，放置在沉积腔6中，平面向上，曲面向下；
所述基材11可为粉体多孔材料，如分子筛、三氧化二铝或块体泡沫镍、泡沫铜等；也可以为片状平面材料如玻璃、硅片、金属基材等。
一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(tBuDAD)2单体瓶至95°C，使用50 ml/min高纯氮气（99.999%）携带气态的Ni(tBuDAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在200 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气（99.999%），重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为3Kpa，可得到85 nm厚的镍薄膜。
实施例2。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，其结构与实施例1的结构基本相同，其不同之处在于：所述加热装置8为加热带，所述沉积腔6为由石英管组成的腔体。
一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(tBuDAD)2单体瓶至95°C，使用50 ml/min高纯氮气（99.999%）携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在250 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气（99.999%），重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为7Kpa，可得到122 nm厚的碳化镍薄膜。
实施例3。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，其结构与实施例1的结构基本相同，其不同之处在于：所述沉积腔6为由刚玉管组成的腔体。
一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至95°C，使用50 ml/min高纯氮气（99.999%）携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在350 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气（99.999%），重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为8Kpa，可得到70 nm厚的镍薄膜。
实施例4。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至60°C，使用50 ml/min高纯氩气携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在120 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为1 kPa，可得到镍薄膜。
实施例5。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至100°C，使用50 ml/min高纯氦气携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在500 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为10kPa，可得到镍薄膜。
实施例6。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至80°C，使用50 ml/min高纯氩气和氮气的混合气体携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在160 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为5.5 kPa，可得到镍薄膜。
实施例7。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至80°C，使用50 ml/min高纯氩气和氦气的混合气体携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在400 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为3 kPa，可得到镍薄膜。
实施例8。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至80°C，使用50 ml/min高纯氩气和氦气的混合气体携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在200 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为3 kPa，可得到镍薄膜。
实施例9。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至80°C，使用50 ml/min高纯氩气和氦气的混合气体携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在350 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为3 kPa，可得到镍薄膜。
实施例10。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至60°C，使用50 ml/min高纯氮气和氦气的混合气体携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在210 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为6 kPa，可得到碳化镍薄膜。
实施例11。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至70°C，使用50 ml/min高纯氮气、氩气和氦气的混合气体携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在275 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体脉冲通入500次，沉积腔的压力为8 kPa，可得到碳化镍薄膜。
实施例12。一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，加热Ni(DAD)2单体瓶至70°C，使用50 ml/min高纯氮气、氩气和氦气的混合气体携带气态的Ni(DAD)2单体至沉积腔，沉积腔室的基材温度保持在350 °C，镍单体的通入时间为5 s，连续通入50 ml/min的高纯氢气，重复镍单体连续通入500次，沉积腔的压力为8 kPa，可得到碳化镍薄膜。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，其特征在于：包括载气瓶（1）、氢气瓶（12），所述载气瓶（1）、氢气瓶（12）的输出端均通过管道连接有镍单体瓶（2），所述镍单体瓶（2）的输出端通过管道连接有沉积腔（6），所述沉积腔（6）的输出端通过管道连接有机械泵（7），所述载气瓶（1）、氢气瓶（12）与镍单体瓶（2）之间的管道上均依次安装有手动阀（3）、质量流量计（4）、气动阀（5），所述镍单体瓶（2）与沉积腔（6）之间、沉积腔（6）与机械泵（7）之间的管道上均安装有气动阀（5），所述镍单体瓶（2）的外侧包裹有加热装置（8），所述沉积腔（6）前后两侧均设有加热炉（9），所述沉积腔（6）的内部设有基片台（10），基片台（10）的上方安装有基材（11）。
2.根据权利要求1所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，其特征在于：所述镍单体瓶（2）外侧包裹的加热装置（8）为电热毯或加热带。
3.根据权利要求1或2所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，其特征在于：所述沉积腔（6）是由金属管或石英管或刚玉管组成的腔体。
4.根据权利要求3所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的设备，其特征在于：所述基片台（10）为半圆柱形的外壳，其内部设置有加热棒与热电偶，放置在沉积腔（6）中，平面向上，曲面向下；
基材（11）为粉体多孔材料或片状平面材料。
5.用权利要求1-4任一所述设备制备镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，其特征在于：在该方法中，使用加热装置对镍单体瓶进行加热，将镍单体挥发为气体，气态镍与载气混合后通入沉积腔中，使用加热炉对沉积腔室进行加热，气态的镍单体在基材表面发生热分解反应生成镍薄膜、碳化镍薄膜与可挥发的副产物，镍薄膜、碳化镍薄膜沉积在基础表面，即得到镍薄膜、碳化镍薄膜。
6.根据权利要求5所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，其特征在于：所述加热装置对镍单体瓶进行加热，温度范围为60 °C ~ 100 °C。
7.根据权利要求5或6所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，其特征在于：所述生成镍薄膜的沉积温度范围为120 °C ~ 200 °C及350 °C ~ 500 °C。
8.根据权利要求5或6所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，其特征在于：所述生成碳化镍薄膜的沉积温度为210 °C ~ 350 °C。
9.根据权利要求5或6所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，其特征在于：在制备镍薄膜，碳化镍薄膜的过程中，沉积腔的压力为1 ~ 10 kPa。
10.根据权利要求5所述一种化学气相沉积镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，其特征在于：所述气态镍与载气混合后通入沉积腔采取的通入方式为连续式或脉冲式；反应完成后的载气以及反应产生的副产物由机械泵抽出并进行处理。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534569A (zh) * 2011-12-23 2012-07-04 嘉兴科民电子设备技术有限公司 一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534569A (zh) * 2011-12-23 2012-07-04 嘉兴科民电子设备技术有限公司 一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MOUHAMADOU SARR等: ""Tailoring the properties of atomic layer deposited nickel and nickel carbide thin films via chain-length control of the alcohol reducing agents"", 《THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C》 *
S. E. ALEXANDROV等: ""Chemical Vapor Deposition of Ni–C Films from Bis-(Ethylcyclopentadienyl) Nickel"", 《JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY》 *
TOMONORI AOYAMA等: ""Ruthenium Films Prepared by Liquid Source Chemical Vapor Deposition Using Bis-(ethylcyclopentadienyl)ruthenium"", 《JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》 *
V. S. PROTOPOPOVA等: ""Kinetic Regularities of the Chemical Vapor Deposition of Nickel Layers from Bis-(Ethylcyclopentadienyl)nickel"", 《RUSSIAN JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY》 *
国政: ""等离子体辅助原子层沉积在铜互连薄膜沉积工艺中的应用研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库》 *
赵立峰 等: ""镍的金属有机化学气相沉积"", 《材料导报》 *
郭群 等: ""原子层沉积技术制备碳化镍薄膜及其性能的研究"", 《第十八届全国等离子体科学技术会议》 *

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