CN108347044B - 静电放电防护电路 - Google Patents

静电放电防护电路 Download PDF

Info

Publication number
CN108347044B
CN108347044B CN201710304938.6A CN201710304938A CN108347044B CN 108347044 B CN108347044 B CN 108347044B CN 201710304938 A CN201710304938 A CN 201710304938A CN 108347044 B CN108347044 B CN 108347044B
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
circuit
terminal
comparison result
detection voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710304938.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108347044A (zh
Inventor
吴健铭
林见儒
雷良焕
詹政邦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Realtek Semiconductor Corp
Original Assignee
Realtek Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Realtek Semiconductor Corp filed Critical Realtek Semiconductor Corp
Publication of CN108347044A publication Critical patent/CN108347044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108347044B publication Critical patent/CN108347044B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/20—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage
    • H02H3/207—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage also responsive to under-voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/02—Details
    • H02H3/04—Details with warning or supervision in addition to disconnection, e.g. for indicating that protective apparatus has functioned

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种静电放电防护电路，其一实施例包含：一第一端，用来接收一第一电压；一第二端，用来接收一第二电压；一检测电压产生电路，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压；一警示电路，用来依据该检测电压产生一控制信号，其中当该检测电压满足一预设电压条件时，该控制信号反映一正常情形，当该检测电压不满足该预设电压条件时，该控制信号反映一异常情形；以及一受保护电路，用来于接收到该控制信号反映该异常情形时，依据该控制信号暂停一正常运行。

Description

静电放电防护电路
技术领域
本发明涉及防护电路，尤其涉及静电放电防护电路。
背景技术
传统的静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)防护电路是检测电源端(例如高电压VDD端与低电压VSS端)的电压或检测电源端与接地端的电压来启动保护机制。传统的ESD防护电路放电时须经由电源端的路径向接地端放电，且经由电源端的路径一般而言较长而不利于实时放电，故传统的ESD防护电路仍有改善的空间。相关现有技术可见于下列文献：“Advances in Solid State Circuit Technologies”,Chapter 10。
鉴于传统的ESD防护电路的缺点，本公开申请人先前提出一种ESD防护电路如图1所示。图1的ESD防护电路100包含一第一端110、一第二端120、一检测电路130以及一防护电路140，另外，一受保护电路10可耦接ESD防护电路100的第一端110与第二端120以获得保护，该受保护电路10通常而言是耦接于一电源端12与一接地端之间，并接收来自第一端110与第二端120的信号。ESD防护电路100的更详细的说明可见于申请号为105114262的中国台湾专利申请案。
承上所述，尽管防护电路140能够在静电发生时进行放电，受保护电路10仍可能在静电发生时(或异常能量产生时)受到瞬间信号波动的影响，虽然在ESD防护电路100的保护下，受保护电路10通常不致于损坏，但受保护电路10可能因该瞬间信号波动的影响而当机(crash)或产生误操作，导致受保护电路10需经由重新启动或重置以恢复正常运行。
发明内容
鉴于现有技术的不足，本发明的一目的在于提供一种静电放电防护电路，以改善现有技术。
本发明公开了一种静电放电防护电路，其一实施例包含一第一端、一第二端、一检测电压产生电路、一比较电路、一控制电路以及一受保护电路。所述第一端用来接收一第一电压。所述第二端用来接收一第二电压。所述检测电压产生电路耦接于该第一与第二端之间，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压。所述比较电路用来依据该检测电压与至少一参考电压产生至少一比较结果。所述控制电路用来依据该至少一比较结果产生一控制信号，其中当该至少一比较结果指出该检测电压未达到该至少一参考电压的任一个时，该控制信号反映一正常情形，当该至少一比较结果指出该检测电压达到该至少一参考电压的任一个时，该控制信号反映一异常情形。所述受保护电路用来于接收到该控制信号反映该异常情形时，依据该控制信号执行一防护运行。
前述静电放电防护电路的另一实施例包含一第一端、一第二端、一检测电压产生电路、一警示电路与一受保护电路。所述第一端用来接收一第一电压。所述第二端用来接收一第二电压。所述检测电压产生电路耦接于该第一与第二端之间，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压。所述警示电路用来依据该检测电压产生一控制信号，其中当该检测电压满足一预设电压条件时，该控制信号反映一正常情形，当该检测电压不满足该预设电压条件时，该控制信号反映一异常情形。所述受保护电路用来于接收到该控制信号反映该异常情形时，依据该控制信号暂停一正常运行。
前述静电放电防护电路的又一实施例包含一第一端、一第二端、一检测电压产生电路、一比较电路以及一控制电路。所述第一端用来接收一第一电压。所述第二端用来接收一第二电压。所述检测电压产生电路耦接于该第一与第二端之间，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压。所述比较电路包含：一第一反相器，用来依据该检测电压与一预设电压范围来产生一第一比较结果；以及一第二反相器，用来依据该检测电压与该预设电压范围来产生一第二比较结果。所述控制电路用来依据该第一与第二比较结果产生一控制信号，其中当该第一与第二比较结果均指出该检测电压位于该预设电压范围内时，该控制电路通过该控制信号反映一正常情形，当该第一与第二比较结果之任一个指出该检测电压位于该预设电压范围外时，该控制电路通过该控制信号反映一异常情形并发出一电路防护警示。
附图说明
图1显示一现有的静电放电防护电路；
图2显示本发明的静电放电防护电路之一实施例；
图3显示图2的检测电压产生电路的一实施例；
图4显示图2的警示电路的一实施例；
图5显示图4的比较电路的一实施例；
图6显示图4的比较电路的另一实施例；
图7显示图6的实施例的一实施方式；
图8显示图7的第一与第二反相器的一实施例；
图9显示图7的第一与第二反相器的另一实施例；以及
图10显示本发明的静电放电防护电路的另一实施例。
附图标记说明：
10 待防护电路
12 电源端
100 静电放电防护电路
110 第一端
120 第二端
130 检测电路
140 防护电路
200 静电放电防护电路
210 第一端
220 第二端
230 检测电压产生电路
240 警示电路
250 受保护电路
310 第一阻抗
320 第二阻抗
410 比较电路
420 控制电路
510 参考电压产生电路
520 比较器
610 第一比较器
620 第二比较器
710 检测电压输入端
720 第一比较结果输出端
730 第二比较结果输出端
740 第一反相器
750 第二反相器
810 第一PMOS电路
820 第一NMOS电路
830 第二PMOS电路
840 第二NMOS电路
910 第一开关
920 第二开关
1000 静电放电防护电路
VDD1 第一高电压端
VSS1 第一低电压端
VDD2 第二高电压端
VSS2 第二低电压端
具体实施方式
以下说明内容的用语是参照本技术领域的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释是以本说明书的说明或定义为准。
本发明公开了一种静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)防护电路，能够避免静电发生时(或异常能量产生时)的瞬间信号波动对一受保护电路造成严重影响。本发明能够应用于多种电路像是以太网电路及其它需要ESD防护的电路，且适用于采用差分信号的电路，但本发明之应用并不以此为限。
请参阅图2，其显示本发明的静电放电防护电路的一实施例。如图2所示，本实施例的静电放电防护电路200包含一第一端210、一第二端220、一检测电压产生电路230、一警示电路240以及一受保护电路250。第一端210用来接收一第一电压(例如一差分信号的一正极信号的电压)，第二端220用来接收一第二电压(例如一差分信号的一负极信号的电压)。检测电压产生电路230耦接于第一端210与第二端220之间，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压，举例而言，检测电压产生电路230包含一第一阻抗310(例如电阻及/或电容)与一第二阻抗320(例如电阻及/或电容)如图3所示，第一阻抗310耦接于第一端210与警示电路240之间，第二阻抗320耦接于第二端220与警示电路240之间，当该第一阻抗310之阻抗值等于该第二阻抗320的阻抗值时，该检测电压反映第一端210与第二端220的一共模电压。
请继续参阅图2。警示电路240用来依据该检测电压产生一控制信号，其中当该检测电压满足一预设电压条件时，该控制信号反映一正常情形，当该检测电压不满足该预设电压条件时，该控制信号反映一异常情形，举例而言，该预设电压条件为一预设电压范围(例如由一高电压门限与一低电压门限所定义的范围)，当该检测电压位于该预设电压范围内时，该控制信号反映该正常情形，否则反映该异常情形达一预定时间；另举例而言，该预设电压条件为至少一参考电压(例如一电压范围的上限与下限)，当该检测电压未达到该至少一参考电压的任一个时，该控制信号反映该正常情形，否则反映该异常情形达一预定时间。受保护电路250用来于接收到该控制信号反映该异常情形时，依据该控制信号执行一防护运行，举例而言，受保护电路250可依该控制信号暂停一正常运行(亦即受保护电路250在该正常情形下的运行)以达到该防护运行，另举例而言，受保护电路250可依该控制信号暂停一工作时脉的输出以达到该防护运行，本领域技术人员可参酌申请人的中国台湾专利申请案(专利申请号：103122921)来了解如何暂停一工作时脉的输出。
请参阅图4，其显示警示电路240的一实施例。图4的警示电路400包含一比较电路410与一控制电路420。比较电路410用来依据该检测电压与该预设电压条件来产生至少一比较结果，控制电路420用来依据该至少一比较结果产生该控制信号。控制电路420的一实施例包含一D型触发器、一闩锁电路或一逻辑闸的组合，可以将该至少一比较结果的瞬间变化转换为一电路防护警示达一预定时间。举例而言，若控制电路420包含一D型触发器(后称DFF)，该至少一比较结果输入至DFF的一时脉端、一警示电压(例如一高电压)输入至DFF的一信号输入端、DFF的一非反相输出端的电压于该时脉端的至少一比较结果发生电平变化时由一正常电压(例如一低电压)变成该警示电压、以及DFF的一重置端于该输出端的电压变成该警示电压达一预定时间后将该非反相输出端的电压重置为该正常电压，通过上述，控制电路420得以将该至少一比较结果的瞬间变化转换为一电路防护警示达一预定时间。上述预定时间的实施可通过一已知的计数器或一已知/自行开发的计时电路来实现。
请参阅图5，其显示比较电路410的一实施例。图5的比较电路410包含一参考电压产生电路510与一比较器520。参考电压产生电路510可包含一或多个参考电压产生单元，用来产生该至少一参考电压；比较器520可包含一或多个比较单元，用来比较该检测电压与该至少一参考电压以产生该至少一比较结果。图5的实施例中，参考电压产生电路510与比较器520的任一个单独而言为现有技艺，其细节在此不予赘述。
请参阅图6，其显示比较电路410的另一实施例。图6的比较电路410包含一第一比较器610与一第二比较器620。第一比较器610用来依据该检测电压与该预设电压条件来产生一第一比较结果，举例来说，该预设电压条件是一预设电压范围的一高电压门限，当该检测电压低于该高电压门限，该第一比较结果反映该正常情形，其中该高电压门限是依据第一比较器610的操作电压(例如后述的VDD1与VSS1)与第一比较器610的电路架构(例如图8或图9的架构)来产生。第二比较器620用来依据该检测电压与该预设电压条件来产生一第二比较结果，举例来说，该预设电压条件是一预设电压范围的一低电压门限，当该检测电压高于该低电压门限，该第二比较结果反映该正常情形，其中该低电压门限是依据第二比较器620的操作电压(例如后述的VDD2与VSS2)与第二比较器620的电路架构(例如图8或图9的架构)来产生。
请参阅图7，其显示图6的实施例的一实施方式。图7的比较电路410包含一检测电压输入端710、一第一比较结果输出端720、一第二比较结果输出端730、一第一反相器740以及一第二反相器750，其中检测电压输入端710、第一比较结果输出端720与第一反相器740对应图6的第一比较器610，检测电压输入端710、第二比较结果输出端730与第二反相器750对应图6的第二比较器620。检测电压输入端710用来接收该检测电压。第一比较结果输出端720用来输出一第一比较结果。第二比较结果输出端730用来输出一第二比较结果。第一反相器740耦接于一第一高电压端VDD1与一第一低电压端VSS1(例如一低电端电源端或是一接地端)之间，以及耦接于检测电压输入端710与第一比较结果输出端720之间，第一反相器740用来依据该检测电压以及一第一参考电压(例如一预设电压范围的一高电压门限)输出一第一比较结果，其中该第一参考电压与第一反相器740之架构有关，例如相关于反相器的架构所决定的输出条件。第二反相器750耦接于一第二高电压端VDD2(其可以均等于或相异于第一高电压端VDD1)与一第二低电压端VSS2(其可以均等于或相异于第一低电压端VSS2)之间，以及耦接于检测电压输入端710与第二比较结果输出端730之间，第二反相器750用来依据该检测电压以及一第二参考电压(例如一预设电压范围的一低电压门限)输出一第二比较结果，其中该第二参考电压小于该第一参考电压，且该第二参考电压与第二反相器750的架构有关，例如相关于反相器的架构所决定的输出条件。
承上所述，实施本发明者可依其需求来设计该第一与第二参考电压。举例而言，第一高电压端VDD1提供一第一高电压，第一低电压端VSS1提供一第一低电压，该第一参考电压不小于该第一高电压与该第一低电压的平均，该第二高电压端VDD2提供一第二高电压，第二低电压端VSS2提供一第二低电压，该第二参考电压不大于该第二高电压与该第二低电压的平均。本发明技术人员可从以下关于图8与图9之公开来了解及推衍该第一与第二参考电压之设计。
请参阅图8，其显示图7的第一反相器740与第二反相器750的一实施例。图8中，一第一P型金氧半导体(PMOS)电路810与一第一N型金氧半导体(NMOS)电路820对应图7的第一反相器740，一第二PMOS电路830与一第二NMOS电路840对应图7的第二反相器750。第一PMOS电路810耦接检测电压输入端710、第一高电压端VDD1与第一比较结果输出端720，第一PMOS电路810用来于该检测电压低于该第一参考电压时电性连接第一高电压端VDD1与第一比较结果输出端720，从而输出第一高电压端VDD1的一第一高电压以作为该第一比较结果；一第一NMOS电路820耦接检测电压输入端710、第一低电压端VSS1与第一比较结果输出端710，第一NMOS电路820用来于该检测电压高于该第一参考电压时电性连接第一低电压端VSS1与第一比较结果输出端720，从而输出第一低电压端VSS1的一第一低电压以作为该第一比较结果。此外，第二PMOS电路830耦接检测电压输入端710、第二高电压端VDD2与第二比较结果输出端730，第二PMOS电路830用来于该检测电压低于该第二参考电压时电性连接第二高电压端VDD2与第二比较结果输出端730，从而输出第二高电压端VDD2的一第二高电压以作为该第二比较结果；第二NMOS电路840耦接检测电压输入端710、第二低电压端VSS2与第二比较结果输出端730，第二NMOS电路840用来于该检测电压高于该第二参考电压时电性连接第二低电压端VSS2与第二比较结果输出端730，从而输出第二低电压端VSS2的一第二低电压以作为该第二比较结果。
请参阅图9，其显示图8的实施例的一实施变化的示意图。图9中，第一PMOS电路810包含多个PMOS晶体管，所述PMOS晶体管分别经由多个第一开关910耦接至第一高电压端VDD1，所述第一开关910的至少一个导通以确保第一PMOS电路810的运行，且导通的第一开关910的数目愈多，该第一参考电压愈高，换言之，所述第一开关910的一整体导通状态决定了该第一参考电压；此外，第二NMOS电路840包含多个NMOS晶体管，所述NMOS晶体管分别经由多个第二开关920耦接至第二低电压端VSS2，所述第二开关920的至少一个导通以确保第二NMOS电路840的运行，且导通的第二开关920的数目愈多，该第二参考电压愈低，换言之，所述第二开关920的一整体导通状态决定了该第二参考电压。请注意，图9之晶体管数目与开关的数目是示范性的以供理解之用，非用以限制本发明的实施范围。
依据图9的实施例，第一PMOS电路810的多个PMOS晶体管的数量大于第一NMOS电路820的至少一NMOS晶体管的数量，第二PMOS电路830的至少一PMOS晶体管的数量小于第二NMOS电路840的多个NMOS晶体管的数量，然此并非本发明的实施限制。上述晶体管数量差异所带来的效果亦可由其它方式来实现，举例而言，第一PMOS电路810的一有效晶体管通道宽度大于第一NMOS电路820的一有效晶体管通道宽度，以及第二PMOS电路830的一有效晶体管通道宽度小于第二NMOS电路840的一有效晶体管通道宽度，由于有效晶体管通道宽度的控制属本领域之通常知识，其细节在此不予赘述。
请注意，图2的受保护电路250可分开地被实施，换言之，如图10所示，静电放电防护电路1000包含第一端210、第二端220、检测电压产生电路230与警示电路240。由于本领域技术人员能够参酌图2至图9的实施例的公开来了解图10的实施例的实施细节与变化，亦即图2至图9的实施例的技术特征均可合理应用于图10的实施例中，因此，在不影响公开与可实施性的要求的前提下，重复及冗余的说明在此予以省略。另请注意，本发明的静电放电防护电路是于检测到静电或异常能量时，及时发出警示，以令一受保护电路得以实时因应；尽管本发明非着眼于排放静电或异常能量，但可结合既存的或自行开发的静电放电防护电路以排放静电或异常能量，所述既存的静电放电防护电路例如是申请人的中国台湾专利申请案(申请号：105114262)所载的电路。
综上所述，本发明能够于静电发生时(或异常能量产生时)发出一电路防护警示给一受保护电路，使该受保护电路及时执行一防护运行，从而避免静电(或异常能量)造成严重影响。
虽然本发明的实施例如上所述，然而所述实施例并非用来限定本发明，本技术领域技术人员可依据本发明的明示或隐含的内容对本发明的技术特征施以变化，凡此种种变化均可能属于本发明所寻求的专利保护实施方式，换言之，本发明的专利保护范围须视本说明书的权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种静电放电防护电路，包含：
一第一端，用来接收一第一电压，该第一电压为一差分信号的正极信号的电压；
一第二端，用来接收一第二电压，该第二电压为该差分信号的负极信号的电压；
一检测电压产生电路，耦接于该第一与第二端之间，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压；
一比较电路，用来依据该检测电压与至少一参考电压产生至少一比较结果；
一控制电路，用来依据该至少一比较结果产生一控制信号，其中当该至少一比较结果指出该检测电压未达到该至少一参考电压的任一个时，该控制信号反映一正常情形，当该至少一比较结果指出该检测电压达到该至少一参考电压的任一个时，该控制信号反映一异常情形；以及
一受保护电路，用来于接收到该控制信号反映该异常情形时，依据该控制信号执行一防护运行。
2.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中该检测电压产生电路包含一第一阻抗与一第二阻抗，该第一阻抗耦接于该第一端与该比较电路之间，该第二阻抗耦接于该第二端与该比较电路之间。
3.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中该比较电路包含：
一参考电压产生电路，用来产生该至少一参考电压；以及
一比较器，用来接收该检测电压与该至少一参考电压以产生该至少一比较结果。
4.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中该比较电路包含：
一检测电压输入端，用来接收该检测电压；
一第一比较结果输出端，用来输出一第一比较结果；
一第二比较结果输出端，用来输出一第二比较结果；
一第一反相器，耦接于一第一高电压端与一第一低电压端之间以及耦接于该检测电压输入端与该第一比较结果输出端之间，该第一反相器用来依据该检测电压以及一第一参考电压输出一第一比较结果；以及
一第二反相器，耦接于一第二高电压端与一第二低电压端之间以及耦接于该检测电压输入端与该第二比较结果输出端之间，用来依据该检测电压以及一第二参考电压输出一第二比较结果，其中该第二参考电压小于该第一参考电压。
5.如权利要求4所述的静电放电防护电路，其中该第一反相器包含：
一第一PMOS电路，耦接该检测电压输入端、该第一高电压端与该第一比较结果输出端，该第一PMOS电路用来于该检测电压低于该第一参考电压时电性连接该第一高电压端与该第一比较结果输出端，从而输出该第一高电压端的一第一高电压以作为该第一比较结果；以及
一第一NMOS电路，耦接该检测电压输入端、该第一低电压端与该第一比较结果输出端，该第一NMOS电路用来于该检测电压高于该第一参考电压时电性连接该第一低电压端与该第一比较结果输出端，从而输出该第一低电压端的一第一低电压以作为该第一比较结果；
以及该第二反相器包含：
一第二PMOS电路，耦接该检测电压输入端、该第二高电压端与该第二比较结果输出端，该第二PMOS电路用来于该检测电压低于该第二参考电压时电性连接该第二高电压端与该第二比较结果输出端，从而输出该第二高电压端的一第二高电压以作为该第二比较结果；以及
一第二NMOS电路，耦接该检测电压输入端、该第二低电压端与该第二比较结果输出端，该第二NMOS电路用来于该检测电压高于该第二参考电压时电性连接该第二低电压端与该第二比较结果输出端，从而输出该第二低电压端的一第二低电压以作为该第二比较结果。
6.如权利要求5所述的静电放电防护电路，其中该第一PMOS电路的多个PMOS晶体管分别经由多个第一开关耦接至该第一高电压端，该多个第一开关的至少一个导通，且该多个第一开关的一整体导通状态决定了该第一参考电压；该第二NMOS电路的多个NMOS晶体管分别经由多个第二开关耦接至该第二低电压端，该多个第二开关的至少一个导通，且该多个第二开关的一整体导通状态决定了该第二参考电压。
7.如权利要求1所述的静电放电防护电路，其中该受保护电路通过暂停一正常运行以达到该防护运行。
8.一种静电放电防护电路，包含：
一第一端，用来接收一第一电压，该第一电压为一差分信号的正极信号的电压；
一第二端，用来接收一第二电压，该第二电压为该差分信号的负极信号的电压；
一检测电压产生电路，耦接于该第一与第二端之间，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压；
一警示电路，用来依据该检测电压产生一控制信号，其中当该检测电压满足一预设电压条件时，该控制信号反映一正常情形，当该检测电压不满足该预设电压条件时，该控制信号反映一异常情形；以及
一受保护电路，用来于接收到该控制信号反映该异常情形时，依据该控制信号暂停一正常运行。
9.如权利要求8所述的静电放电防护电路，其中该预设电压条件是一预设电压范围，且该警示电路包含：
一比较电路，用来依据该检测电压与该预设电压范围来产生至少一比较结果；以及
一控制电路，用来依据该至少一比较结果产生该控制信号。
10.一种静电放电防护电路，包含：
一第一端，用来接收一第一电压，该第一电压为一差分信号的正极信号的电压；
一第二端，用来接收一第二电压，该第二电压为该差分信号的负极信号的电压；
一检测电压产生电路，耦接于该第一与第二端之间，用来依据该第一与第二电压提供一检测电压；
一比较电路，包含：
一第一反相器，用来依据该检测电压与一预设电压范围来产生一第一比较结果；以及
一第二反相器，用来依据该检测电压与该预设电压范围来产生一第二比较结果；以及
一控制电路，用来依据该第一与第二比较结果产生一控制信号，其中当该第一与第二比较结果均指出该检测电压位于该预设电压范围内时，该控制电路通过该控制信号反映一正常情形，当该第一与第二比较结果的任一个指出该检测电压位于该预设电压范围外时，该控制电路通过该控制信号反映一异常情形并发出一电路防护警示。
CN201710304938.6A 2017-01-25 2017-05-03 静电放电防护电路 Active CN108347044B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106102885A TWI627809B (zh) 2017-01-25 2017-01-25 靜電放電防護電路
TW106102885 2017-01-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108347044A CN108347044A (zh) 2018-07-31
CN108347044B true CN108347044B (zh) 2021-02-05

Family

ID=62906780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710304938.6A Active CN108347044B (zh) 2017-01-25 2017-05-03 静电放电防护电路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10931101B2 (zh)
CN (1) CN108347044B (zh)
TW (1) TWI627809B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI607613B (zh) * 2017-02-24 2017-12-01 瑞昱半導體股份有限公司 靜電放電防護電路
CN110967568B (zh) * 2018-09-30 2022-07-26 奇景光电股份有限公司 静电放电检测装置
CN111404562A (zh) * 2019-01-03 2020-07-10 瑞昱半导体股份有限公司 用于接收器的静电放电防护的方法、以及接收器
CN110198028B (zh) * 2019-05-13 2021-08-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 静电防护电路
CN113678249A (zh) * 2020-06-12 2021-11-19 深圳市汇顶科技股份有限公司 静电泄放保护电路及具有静电泄放保护电路的芯片
CN111816134B (zh) * 2020-07-31 2022-08-23 重庆惠科金渝光电科技有限公司 一种显示面板的驱动电路和显示面板
CN112669739B (zh) * 2020-12-25 2023-01-17 昆山国显光电有限公司 显示装置及其控制方法
CN114301043B (zh) * 2021-11-25 2023-08-04 无锡中感微电子股份有限公司 静电保护增强电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130293992A1 (en) * 2012-05-01 2013-11-07 Texas Instruments Incorporated ESD Protection System Optimized at Board Level
CN105977251A (zh) * 2015-03-13 2016-09-28 台湾积体电路制造股份有限公司 用于差分信号器件的静电放电保护器件

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507471B2 (en) * 2000-12-07 2003-01-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. ESD protection devices
US7760476B2 (en) * 2007-06-07 2010-07-20 Atmel Corporation Threshold voltage method and apparatus for ESD protection
JP2012253241A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Sony Corp 半導体集積回路およびその製造方法
CN102868288B (zh) * 2011-07-07 2015-01-28 立锜科技股份有限公司 切换调节电路及其控制电路和用于其中的输入电压侦测方法
US9184586B2 (en) * 2012-06-26 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. SiGe based gate driven PMOS trigger circuit
US20140043036A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-13 Yizhuang Zhuang Detection circuit and detection method
US8958186B2 (en) * 2012-10-02 2015-02-17 Synopsys, Inc. Mitigating cross-domain transmission of electrostatic discharge (ESD) events
US8922963B2 (en) * 2013-01-30 2014-12-30 Monolithic Power Systems, Inc. Electrostatic discharge protection circuit and method thereof
CN103412216B (zh) * 2013-07-31 2016-03-16 格科微电子（上海）有限公司 静电放电检测电路及处理系统
CN104979814B (zh) 2014-04-02 2017-12-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种静电放电保护电路
US9640988B2 (en) * 2014-12-12 2017-05-02 Globalfoundries Inc. Comparative ESD power clamp
TWI591795B (zh) * 2016-05-09 2017-07-11 瑞昱半導體股份有限公司 靜電放電保護電路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130293992A1 (en) * 2012-05-01 2013-11-07 Texas Instruments Incorporated ESD Protection System Optimized at Board Level
CN105977251A (zh) * 2015-03-13 2016-09-28 台湾积体电路制造股份有限公司 用于差分信号器件的静电放电保护器件

Also Published As

Publication number Publication date
TWI627809B (zh) 2018-06-21
US10931101B2 (en) 2021-02-23
TW201828554A (zh) 2018-08-01
US20180212422A1 (en) 2018-07-26
CN108347044A (zh) 2018-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108347044B (zh) 静电放电防护电路
US10535647B2 (en) Electrostatic discharge (ESD) protection circuit
TWI607613B (zh) 靜電放電防護電路
US8941421B2 (en) Semiconductor device
US8422180B2 (en) High-voltage-tolerant ESD clamp circuit with low leakage current fabricated by low-voltage CMOS process
EP2815478A1 (en) Surge protection for differential input/output interfaces
US20180375512A1 (en) Power on reset circuit
JP3875984B2 (ja) 複数の電源を有する電子システムのための過渡電圧検出回路
CN113451293B (zh) 静电放电保护电路
US20070019350A1 (en) Short circuit protection for complementary circuit
US9263882B2 (en) Output circuits with electrostatic discharge protection
CN114089226B (zh) 具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路
CN112311079B (zh) 冗余电源供应装置及其异常保护控制方法
TWI387093B (zh) 利用低壓元件實現的低漏電高壓電源靜電放電保護電路
CN209267548U (zh) 一种快速低功耗单端接口
CN108631284B (zh) 静电放电防护电路
US11831145B2 (en) Current sensing protection device for sensing whether current sensing element occurs short phenomenon
CN107331660B (zh) 静电释放箝位电路
CN111901923B (zh) 一种共阴led显示行驱动芯片的过流保护电路
TWI810905B (zh) 過電壓保護裝置
CN218678416U (zh) 一种具备延时功能的过流保护电路
US11502600B2 (en) Power supply control circuit
US7919987B1 (en) Logic signal transmitting circuit
KR101906158B1 (ko) 고입력 전압 보호의 수신기 회로
CN113346891A (zh) 一种信号传输电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant