CN108326729B - 研磨垫及研磨方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种研磨垫及研磨方法，研磨垫配置于研磨平台上，适用于研磨制程且包括研磨层、粘着层及至少一降粘着介面层。粘着层配置于研磨层与研磨平台之间。至少一降粘着介面层配置于粘着层与研磨层之间和/或配置于粘着层与研磨平台之间，其中至少一降粘着介面层的面积小于粘着层的面积。在进行研磨程序期间，本发明的研磨垫能缓冲所承受的应力集中。

Description

研磨垫及研磨方法

技术领域

本发明涉及一种研磨垫及研磨方法，尤其涉及一种可缓冲于进行研磨制程期间所产生的应力集中的研磨垫以及使用所述研磨垫的研磨方法。

背景技术

在产业的元件制造过程中，研磨制程是现今较常使用来使被研磨的物件表面达到平坦化的一种技术。在研磨制程中，物件的表面及研磨垫之间可选择提供一研磨液，以及通过物件与研磨垫彼此进行相对运动所产生的机械摩擦来进行平坦化。然而，由于研磨垫的各层间的界面或与研磨平台间的界面通常使用粘着层来紧密粘贴，在研磨制程期间所产生应力集中的现象，使得研磨垫容易发生突起变形，进而造成物件与突起处撞击导致研磨垫破损，甚至造成被研磨的物件破碎等问题。

目前，美国专利第7131901号及日本专利特开2008-53376号公报都揭示了可缓冲研磨制程期间所产生的应力集中的手段。然而，该些手段因为研磨层背面或是粘着层具有凹陷部，使得界面处具有非连续面，而造成在制造研磨垫程序中的粘贴步骤容易在不同界面处产生气泡而影响研磨垫的稳定性。

因此，仍有需求提供得以缓冲研磨制程期间所产生的应力集中的手段，以供产业所选择。

发明内容

本发明提供一种研磨垫及研磨方法，使得在进行研磨制程期间，研磨垫能缓冲所承受的应力集中。

本发明的研磨垫配置于研磨平台上，适用于研磨制程且包括研磨层、粘着层及至少一降粘着介面层。粘着层配置于研磨层与研磨平台之间。至少一降粘着介面层配置于粘着层与研磨层之间和/或配置于粘着层与研磨平台之间，其中至少一降粘着介面层的面积小于粘着层的面积。

本发明的研磨垫配置于研磨平台上，适用于研磨制程且包括研磨层、基底层、第一粘着层、第二粘着层及至少一降粘着介面层。基底层配置于研磨层下方。第一粘着层配置于研磨层与基底层之间。第二粘着层配置于基底层与研磨平台之间。至少一降粘着介面层的面积小于第一粘着层或第二粘着层的面积，且至少一降粘着介面层配置于以下位置中至少一者：(a)第一粘着层与研磨层之间，(b)第一粘着层与基底层之间，(c)基底层与第二粘着层之间以及(d)第二粘着层与研磨平台之间。

本发明的研磨方法适用于研磨物件，且包括以下步骤。提供研磨垫，其中研磨垫如上所述的任一种研磨垫。对物件施加压力以压置于研磨垫上。对物件及研磨垫提供相对运动以进行研磨制程。

基于上述，本发明的研磨垫通过包括配置于粘着层与研磨层之间和/或配置于粘着层与研磨平台之间且面积小于粘着层的面积的至少一降粘着介面层，或者通过包括配置于第一粘着层与研磨层之间、第一粘着层与基底层之间、基底层与第二粘着层之间以及第二粘着层与研磨平台之间中的至少一者且面积小于第一粘着层或第二粘着层的面积的至少一降粘着介面层，藉此使得在使用本发明的研磨垫进行研磨制程期间，本发明的研磨垫能缓冲所承受的应力集中。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。

图2是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。

图3是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。

图4是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。

图5是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。

图6是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。

图7是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。

图8是依照本发明的一实施方式的研磨方法的流程图。

符号说明

100、200、300、400、500、600、700：研磨垫；

102、202、302、402、502、602、702：研磨层；

104、204、304：粘着层；

106、206、306、406、506、606、706：降粘着介面层；

110、210、310、410、510、610、710：研磨平台；

404a、504a、604a、704a：第一粘着层；

404b、504b、604b、704b：第二粘着层；

408、508、608、708：基底层；

BS：背面；

C：中央区域；

DS：下表面；

E：边缘区域；

P：主要研磨区域；

PS：研磨面；

S10、S12、S14：步骤；

TS：上表面。

具体实施方式

图1是将本发明的一实施方式的研磨垫应用于研磨系统剖面示意图。详细而言，图1是沿研磨垫100的半径方向的剖面示意图。

请参照图1，研磨垫100配置于研磨平台110上。一般而言，研磨平台110为圆形转盘，且研磨平台110具有一旋转方向。当研磨平台110旋转时，会带动配置于研磨平台110上的研磨垫100，而使研磨垫100得以同时旋转，以利进行研磨制程。换言之，研磨垫100适用于研磨制程。

在本实施方式中，研磨垫100包括中央区域C、边缘区域E以及位于中央区域C与边缘区域E之间的主要研磨区域P。详细而言，在本实施方式中，研磨垫100为圆形，中央区域C为与研磨垫100共心的圆形区域，主要研磨区域P环绕中央区域C，且边缘区域E环绕主要研磨区域P。另一方面，在本实施方式中，研磨垫100包括研磨层102、粘着层104及降粘着介面层106。

研磨层102具有研磨面PS以及相对于研磨面PS的背面BS，其中背面BS为平坦面。也就是说，在本实施方式中，研磨层102的背面BS未设置有任何凹陷部或沟槽图案。另外，在本实施方式中，研磨层102例如是由聚合物基材所构成，其中聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚氨酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、或其余经由合适的热固性树脂(thermosetting resin)或热塑性树脂(thermoplastic resin)所合成的聚合物基材，但本发明并不限于此。

粘着层104配置于研磨层102与研磨平台110之间。详细而言，在本实施方式中，粘着层104将研磨层102的背面BS与研磨平台110相黏。也就是说，研磨垫100通过粘着层104而粘着固定于研磨平台110上。另外，在本实施方式中，粘着层104为连续的胶层，其中所述胶层包括(但不限于)：无载体胶层或双面胶层。上述胶层的材料例如是亚克力系胶、环氧树脂系胶或聚胺酯系胶，但本发明并不限于此。

降粘着介面层106配置于粘着层104与研磨层102之间。详细而言，降粘着介面层106所配置的区域例如是研磨制程所产生应力集中的区域。在本实施方式中，降粘着介面层106配置在研磨垫100的中央区域C内。在一实施方式中，研磨垫100的制造方法例如包括：于研磨层102的背面BS上先形成降粘着介面层106后再全面性地形成粘着层104，或于粘着层104上先形成降粘着介面层106后再一起形成于研磨层102的背面BS上，其中形成粘着层104的方法例如是贴合或涂布。如此一来，在本实施方式中，降粘着介面层106与研磨层102的背面BS相接触，且受粘着层104所覆盖。

另外，在本实施方式中，降粘着介面层106的面积小于粘着层104的面积。详细而言，降粘着介面层106的面积相对于粘着层104的面积为介于0.01％至20％之间，较佳为介于0.05％至10％之间。当降粘着介面层106的面积相对于粘着层104的面积低于0.01％时，则不容易达到缓冲应力的效果；当降粘着介面层106的面积相对于粘着层104的面积高于20％时，则可能导致研磨垫在研磨过程中因为有效粘着面积过小而自研磨平台脱离。

另外，在本实施方式中，降粘着介面层106例如包括(但不限于)：(1)以涂布方式实施的抗粘着剂或离型剂，其中抗粘着剂例如是有机油类或有机溶剂，离型剂例如是含氟素离型剂或含硅酮离型剂；(2)以吸附或粘贴方式实施的粉末、纤维、隔离膜或低粘性胶，其中粉末例如是金属粉末、陶瓷粉末或有机物粉末，纤维例如是天然纤维或人造纤维，隔离膜可以是连续或不连续膜且隔离膜例如是金属薄膜、高分子薄膜或离型膜，低粘性胶例如是硅胶系胶或橡胶系胶；或者(3)以表面处理方式实施的表面处理层，其中表面处理层例如是以物理方式或化学方式的实施程序来在粘着层104的表面上形成粘着力大幅降低的表面处理层，其中所述实施程序例如是高温处理、光照处理、植入处理、气体处理、电浆处理或化学液处理。也就是说，在本实施方式中，降粘着介面层106与研磨层102之间的粘着力小于粘着层104与研磨层102之间的粘着力，和/或粘着层104与降粘着介面层106之间的粘着力小于粘着层104与研磨层102之间的粘着力。举例而言，当降粘着介面层106包括粉末、纤维、隔离膜、低粘性胶或表面处理层，则降粘着介面层106与研磨层102之间的粘着力小于粘着层104与研磨层102之间的粘着力。举另一例而言，当降粘着介面层106包括抗粘着剂或离型剂，则降粘着介面层106与研磨层102之间的粘着力小于粘着层104与研磨层102之间的粘着力，以及粘着层104与降粘着介面层106之间的粘着力小于粘着层104与研磨层102之间的粘着力。如此一来，粘着层104的覆盖降粘着介面层106的部分会因为降粘着介面层106而与研磨层102之间的粘着力大幅降低。具体而言，和未配置有降粘着介面层106的区域中粘着层104与研磨层102间的粘着力相比，配置有降粘着介面层106的区域中粘着层104与研磨层102间的粘着力降低50％至100％，较佳为降低80％至100％。

值得说明的是，在本实施方式中，通过研磨垫100包括配置在粘着层104与研磨层102之间的降粘着介面层106，且降粘着介面层106的面积小于粘着层104的面积，藉此使得当使用研磨垫100进行研磨制程时，研磨垫100能缓冲所承受的应力集中，其原因如下。如前文所述，因为配置在粘着层104与研磨层102之间的降粘着介面层106，使得应力集中区域中的粘着层104与研磨层102之间的粘着力大幅降低，藉此使得在研磨垫100进行研磨制程期间，所述区域中的研磨层102可适度地变形或移位以缓冲研磨垫100所承受的应力集中。如此一来，研磨垫100的应力集中区域不会在研磨制程中因受应力而发生严重突起变形或破损，进而延长研磨垫100的使用寿命。从另一观点而言，由于降粘着介面层106配置在研磨垫100的中央区域C内，故研磨垫100适用于应力集中区域位于中央区域C内的研磨制程，也即降粘着介面层106配置的区域为研磨制程的应力集中区域。

在图1的实施方式中，降粘着介面层106配置在研磨垫100的中央区域C内，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，降粘着介面层也可配置在研磨垫的边缘区域内。以下，将参照图2进行详细说明。

图2是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。请同时参照图2及图1，图2的研磨垫200与图1的研磨垫100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。另外，研磨平台210、研磨层202以及粘着层204可与图1的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将就两者之间的差异处进行说明。

请参照图2，降粘着介面层206配置在研磨垫200的边缘区域E内。值得说明的是，如前文所述，通过研磨垫200包括降粘着介面层206，使得应力集中区域中的粘着层204与研磨层202之间的粘着力大幅降低，藉此在研磨垫200进行研磨制程期间，所述区域中的研磨层202可适度地变形或移位以缓冲研磨垫200所承受的应力集中。如此一来，研磨垫200的应力集中区域不会在研磨制程中因受应力而发生严重突起变形或破损，进而延长研磨垫200的使用寿命。从另一观点而言，由于降粘着介面层206配置在研磨垫200的边缘区域E内，故研磨垫200适用于应力集中区域位于边缘区域E内的研磨制程，也即降粘着介面层206配置的区域为研磨制程的应力集中区域。

另外，在图1及图2的实施方式中，降粘着介面层106、206配置在粘着层104、204与研磨层102、202之间，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，降粘着介面层也可配置在粘着层与研磨平台之间。以下，将参照图3进行详细说明。

图3是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。请同时参照图3及图1，图3的研磨垫300与图1的研磨垫100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。另外，研磨平台310、研磨层302以及粘着层304可与图1的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将就两者之间的差异处进行说明。

请参照图3，降粘着介面层306配置在粘着层304与研磨平台310之间。在一实施方式中，研磨垫300的制造方法例如包括：于研磨层302的背面BS上先全面性地形成粘着层304后再形成降粘着介面层306，或于粘着层304上先形成降粘着介面层306后再一起形成于研磨层302的背面BS上，其中形成粘着层304的方法例如是贴合或涂布。另外，在一实施方式中，研磨垫300例如是以贴合方式通过粘着层304而粘着固定于研磨平台310上。如此一来，在本实施方式中，降粘着介面层306会与研磨平台310相接触，且受粘着层304所覆盖。

如前文所述，在本实施方式中，粘着层304的覆盖降粘着介面层306的部分会因为降粘着介面层306而与研磨平台310之间的粘着力大幅降低。具体而言，和未配置有降粘着介面层306的区域中粘着层304与研磨平台310之间的粘着力相比，有降粘着介面层306的区域中粘着层304与研磨平台310间的粘着力降低50％至100％，较佳为降低80％至100％。

值得说明的是，在本实施方式中，通过研磨垫300包括配置在粘着层304与研磨平台310之间的降粘着介面层306，且降粘着介面层306的面积小于粘着层304的面积，藉此使得当使用研磨垫300进行研磨制程时，研磨垫300能缓冲所承受的应力集中，其原因如下。如前文所述，因为配置在粘着层304与研磨平台310之间的降粘着介面层306，使得应力集中区域中的粘着层304与研磨平台310之间的粘着力大幅降低，藉此使得在研磨垫300进行研磨制程期间，所述区域中的研磨层302及粘着层304可适度地变形或移位以缓冲研磨垫300所承受的应力集中。如此一来，研磨垫300的应力集中区域不会在研磨制程中因受应力而发生严重突起变形或破损，进而延长研磨垫300的使用寿命。从另一观点而言，由于降粘着介面层306配置在研磨垫300的中央区域C内，故研磨垫300适用于应力集中区域位于中央区域C内的研磨制程，也即降粘着介面层306配置的区域为研磨制程的应力集中区域。

一般而言，使用不同的研磨设备进行研磨制程，研磨垫的应力集中区域的分布会不同。详细而言，研磨垫可能存在一个应力集中区域，其例如是位于研磨垫的中央区域或边缘区域内；或者研磨垫可能存在两个以上的应力集中区域，其例如是位于研磨垫的中央区域及边缘区域内。也就是说，在研磨制程期间，研磨垫可能会存在一个以上的应力集中区域。从另一观点而言，如前文所述，由于对于不同的研磨制程或研磨设备而言，所产生的应力集中区域可能不同，因此降粘着介面层所配置的区域也随之对应。有鉴于此，任何所属技术领域中技术人员应理解，本发明的研磨垫并不以图1至图3中所示者为限，只要研磨垫包括至少一降粘着介面层且其配置于粘着层与研磨层之间和/或配置于粘着层与研磨平台之间即落入本发明的范畴内。

基于上述可知，本发明的研磨垫通过包括配置于粘着层与研磨层之间和/或配置于粘着层与研磨平台之间的至少一降粘着介面层，且至少一降粘着介面层的面积小于粘着层的面积，藉此在研磨制程期间，本发明的研磨垫能缓冲所承受的应力集中，进而延长使用寿命。

图4是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。同样地，图4是沿研磨垫400的半径方向的剖面示意图。请同时参照图4及图1，图4的研磨垫400与图1的研磨垫100相似，差异主要在于两者的研磨垫构造不相同，因此使用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件，且相关说明皆可参照前文而不再赘述。另外，研磨平台410以及研磨层402可与图1的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将仅针对两者之间的差异处进行说明。

请参照图4，研磨垫400包括配置于研磨层402下方的基底层408。详细而言，在本实施方式中，基底层408用于衬垫研磨垫400中的研磨层402，且基底层408的材料例如为聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本发明并不限于此。另外，在本实施方式中，基底层408具有上表面TS以及相对于上表面TS的下表面DS，其中上表面TS与下表面DS分别为平坦面。也就是说，在本实施方式中，基底层408的上表面TS与下表面DS皆未设置有任何凹陷部或沟槽图案。

研磨垫400包括配置于研磨层402与基底层408之间的第一粘着层404a。详细而言，在本实施方式中，第一粘着层404a将研磨层402的背面BS与基底层408的上表面TS相黏。另外，在本实施方式中，第一粘着层404a为连续的胶层，其中所述胶层包括(但不限于)：无载体胶层、双面胶层、热熔胶层或湿气硬化胶层。上述胶层的材料例如是亚克力系胶、环氧树脂系胶或聚胺酯系胶，但本发明并不限于此。

研磨垫400包括配置于基底层408与研磨平台410之间的第二粘着层404b。详细而言，在本实施方式中，第二粘着层404b将基底层408的下表面DS与研磨平台410相黏。也就是说，研磨垫400通过第二粘着层404b而粘着固定于研磨平台410上。另外，在本实施方式中，第二粘着层404b为连续的胶层，其中所述胶层包括(但不限于)：无载体胶层或双面胶层。上述胶层的材料例如是亚克力系胶、环氧树脂系胶或聚胺酯系胶，但本发明并不限于此。

研磨垫400包括配置于第一粘着层404a与研磨层402之间的降粘着介面层406。在一实施方式中，研磨垫400的制造方法例如包括以下步骤：首先，于研磨层402的背面BS上先形成降粘着介面层406后再全面性地形成第一粘着层404a，或于第一粘着层404a上先形成降粘着介面层406后再一起形成于研磨层402的背面BS上，其中形成第一粘着层404a的方法例如是贴合或涂布。接着，将基底层408例如以贴合方式而粘着固定于第一粘着层404a上后，于基底层408的下表面DS上形成第二粘着层404b，其中形成第二粘着层404b的方法例如是贴合或涂布。如此一来，在本实施方式中，降粘着介面层406与研磨层402的背面BS相接触，且受第一粘着层404a所覆盖。

另外，在本实施方式中，降粘着介面层406的面积小于第一粘着层404a的面积或小于第二粘着层404b的面积。详细而言，降粘着介面层406的面积相对于第一粘着层404a的面积为介于0.01％至20％之间，较佳为介于0.05％至10％之间，或降粘着介面层406的面积相对于第二粘着层404b的面积为介于0.01％至20％之间，较佳为介于0.05％至10％之间。当降粘着介面层406的面积相对于第一粘着层404a或第二粘着层404b的面积低于0.01％时，则不容易达到缓冲应力的效果；当降粘着介面层406的面积相对于第一粘着层404a或第二粘着层404b的面积高于20％时，则可能导致研磨垫在研磨过程中因为有效粘着面积过小而自研磨平台脱离。

另外，在本实施方式中，降粘着介面层406例如包括(但不限于)：(1)以涂布方式实施的抗粘着剂或离型剂，其中抗粘着剂例如是有机油类或有机溶剂，离型剂例如是含氟素离型剂或含硅酮离型剂；(2)以吸附或粘贴方式实施的粉末、纤维、隔离膜或低粘性胶，其中粉末例如是金属粉末、陶瓷粉末或有机物粉末，纤维例如是天然纤维或人造纤维，隔离膜可以是连续或不连续膜且隔离膜例如是金属薄膜、高分子薄膜或离型膜，低粘性胶例如是硅胶系胶或橡胶系胶；或者(3)以表面处理方式实施的表面处理层，其中表面处理层例如是以物理方式或化学方式的实施程序来在第一粘着层404a的表面上形成粘着力大幅降低的表面处理层，其中所述实施程序例如是高温处理、光照处理、植入处理、气体处理、电浆处理或化学液处理。也就是说，在本实施方式中，降粘着介面层406与研磨层402之间的粘着力小于第一粘着层404a与研磨层402之间的粘着力，和/或第一粘着层404a与降粘着介面层406之间的粘着力小于第一粘着层404a与研磨层402之间的粘着力。举例而言，当降粘着介面层406包括粉末、纤维、隔离膜、低粘性胶或表面处理层，则降粘着介面层406与研磨层402之间的粘着力小于第一粘着层404a与研磨层402之间的粘着力。举另一例而言，当降粘着介面层406包括抗粘着剂或离型剂，则降粘着介面层406与研磨层402之间的粘着力小于第一粘着层404a与研磨层402之间的粘着力，以及第一粘着层404a与降粘着介面层406之间的粘着力小于第一粘着层404a与研磨层402之间的粘着力。如此一来，第一粘着层404a的覆盖降粘着介面层406的部分会因为降粘着介面层406而与研磨层402之间的粘着力大幅降低。具体而言，和未配置有降粘着介面层406的区域中第一粘着层404a与研磨层402间的粘着力相比，配置有降粘着介面层406的区域中第一粘着层404a与研磨层402间的粘着力降低50％至100％，较佳为降低80％至100％。

值得说明的是，在本实施方式中，通过研磨垫400包括配置在第一粘着层404a与研磨层402之间的降粘着介面层406，且降粘着介面层406的面积小于第一粘着层404a的面积，藉此使得当使用研磨垫400进行研磨制程时，研磨垫400能缓冲所承受的应力集中，其原因如下。如前文所述，因为配置在第一粘着层404a与研磨层402之间的降粘着介面层406，使得应力集中区域中的第一粘着层404a与研磨层402之间的粘着力大幅降低，藉此使得在研磨垫400进行研磨制程期间，所述区域中的研磨层402可适度地变形或移位以缓冲研磨垫400所承受的应力集中。如此一来，研磨垫400的应力集中区域不会在研磨制程中因受应力而发生严重突起变形或破损，进而延长研磨垫400的使用寿命。从另一观点而言，由于降粘着介面层406配置在研磨垫400的中央区域C内，故研磨垫400适用于应力集中区域位于中央区域C内的研磨制程，也即降粘着介面层406配置的区域为研磨制程的应力集中区域。

另外，在图4的实施方式中，降粘着介面层406配置在第一粘着层404a与研磨层402之间，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，降粘着介面层也可配置在第一粘着层、基底层和第二粘着层中任两个相邻的界面之间，或者降粘着介面层也可配置在第二粘着层与研磨平台之间。以下，将参照图5至图7进行详细说明。

图5是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。请同时参照图5及图4，图5的研磨垫500与图4的研磨垫400相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。另外，研磨平台510、研磨层502、第一粘着层504a、第二粘着层504b以及基底层508可与图4的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将就两者之间的差异处进行说明。

请参照图5，降粘着介面层506配置在第一粘着层504a与基底层508之间。在一实施方式中，研磨垫500的制造方法例如包括以下步骤：首先，于研磨层502的背面BS上先全面性地形成第一粘着层504a后再形成降粘着介面层506，或于第一粘着层504a上先形成降粘着介面层506后再一起形成于研磨层502的背面BS上，其中形成第一粘着层504a的方法例如是贴合或涂布。接着，将基底层508例如以贴合方式粘着固定于第一粘着层504a上后，于基底层508的下表面DS上形成第二粘着层504b，其中形成第二粘着层504b的方法例如是贴合或涂布。如此一来，在本实施方式中，降粘着介面层506会与基底层508相接触，且受第一粘着层504a所覆盖。

如前文所述，在本实施方式中，第一粘着层504a的覆盖降粘着介面层506的部分会因为降粘着介面层506而与基底层508之间的粘着力大幅降低。具体而言，和未配置有降粘着介面层506的区域中第一粘着层504a与基底层508间的粘着力相比，配置有降粘着介面层506的区域中第一粘着层504a与基底层508间的粘着力降低50％至100％，较佳为降低80％至100％。

值得说明的是，在本实施方式中，通过研磨垫500包括配置在第一粘着层504a与基底层508之间的降粘着介面层506，且降粘着介面层506的面积小于第一粘着层504a或第二粘着层504b的面积，藉此使得当使用研磨垫500进行研磨制程时，研磨垫500能缓冲所承受的应力集中，其原因如下。如前文所述，因为配置在第一粘着层504a与基底层508之间的降粘着介面层506，使得应力集中区域中的第一粘着层504a与基底层508之间的粘着力大幅降低，藉此使得在研磨垫500进行研磨制程期间，所述区域中的研磨层502及第一粘着层504a可适度地变形或移位以缓冲研磨垫500所承受的应力集中。如此一来，研磨垫500的应力集中区域不会在研磨制程中因受应力而发生严重突起变形或破损，进而延长研磨垫500的使用寿命。从另一观点而言，由于降粘着介面层506配置在研磨垫500的中央区域C内，故研磨垫500适用于应力集中区域位于中央区域C内的研磨制程，也即降粘着介面层506配置的区域为研磨制程的应力集中区域。

图6是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。请同时参照图6及图4，图6的研磨垫600与图4的研磨垫400相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。另外，研磨平台610、研磨层602、第一粘着层604a、第二粘着层604b以及基底层608可与图4的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将就两者之间的差异处进行说明。

请参照图6，降粘着介面层606配置在基底层608与第二粘着层604b之间。在一实施方式中，研磨垫600的制造方法例如包括以下步骤：首先，于研磨层602的背面BS上全面性地形成第一粘着层604a后，将基底层608例如以贴合方式粘着固定于第一粘着层604a上，其中形成第一粘着层604a的方法例如是贴合或涂布。接着，于基底层608的下表面DS上先形成降粘着介面层606后再全面性地形成第二粘着层604b，或于第二粘着层604b上先形成降粘着介面层606后再一起形成于基底层608的下表面DS上，其中形成第二粘着层604b的方法例如是贴合或涂布。如此一来，在本实施方式中，降粘着介面层606会与基底层608相接触，且受第二粘着层604b所覆盖。

如前文所述，在本实施方式中，第二粘着层604b的覆盖降粘着介面层606的部分会因为降粘着介面层606而与基底层608之间的粘着力大幅降低。具体而言，和未配置有降粘着介面层606的区域中第二粘着层604b与基底层608间的粘着力相比，配置有降粘着介面层606的区域中第二粘着层604b与基底层608间的粘着力降低50％至100％，较佳为降低80％至100％。

值得说明的是，在本实施方式中，通过研磨垫600包括配置在第二粘着层604b与基底层608之间的降粘着介面层606，且降粘着介面层606的面积小于第一粘着层604a或第二粘着层604b的面积，藉此使得当使用研磨垫600进行研磨制程时，研磨垫600能缓冲所承受的应力集中，其原因如下。如前文所述，因为配置在第二粘着层604b与基底层608之间的降粘着介面层606，使得应力集中区域中的第二粘着层604b与基底层608之间的粘着力大幅降低，藉此使得在研磨垫600进行研磨制程期间，所述区域中的研磨层602、第一粘着层604a及基底层608可适度地变形或移位以缓冲研磨垫600所承受的应力集中。如此一来，研磨垫600的应力集中区域不会在研磨制程中因受应力而发生严重突起变形或破损，进而延长研磨垫600的使用寿命。从另一观点而言，由于降粘着介面层606配置在研磨垫600的中央区域C内，故研磨垫600适用于应力集中区域位于中央区域C内的研磨制程，也即降粘着介面层606配置的区域为研磨制程的应力集中区域。

图7是依照本发明的另一实施方式的配置于研磨平台上的研磨垫的剖面示意图。请同时参照图7及图4，图7的研磨垫700与图4的研磨垫400相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。另外，研磨平台710、研磨层702、第一粘着层704a、第二粘着层704b以及基底层708可与图4的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。以下，将就两者之间的差异处进行说明。

请参照图7，降粘着介面层706配置在第二粘着层704b与研磨平台710之间。在一实施方式中，研磨垫700的制造方法例如包括以下步骤：首先，于研磨层702的背面BS上全面性地形成第一粘着层704a后，将基底层708例如以贴合方式粘着固定于第一粘着层704a上，其中形成第一粘着层704a的方法例如是贴合或涂布。接着，于基底层708的下表面DS上先全面性地形成第二粘着层704b后再形成降粘着介面层706，或于第二粘着层704b上先形成降粘着介面层706后再一起形成于基底层708的下表面DS上，其中形成第二粘着层704b的方法例如是贴合或涂布。另外，在一实施方式中，研磨垫700例如是以贴合方式通过第二粘着层704b而粘着固定于研磨平台710上。如此一来，在本实施方式中，降粘着介面层706会与研磨平台710相接触，且受第二粘着层704b所覆盖。

如前文所述，在本实施方式中，第二粘着层704b的覆盖降粘着介面层706的部分会因为降粘着介面层706而与研磨平台710之间的粘着力大幅降低。具体而言，和未配置有降粘着介面层706的区域中第二粘着层704b与研磨平台710间的粘着力相比，配置有降粘着介面层706的区域中第二粘着层704b与研磨平台710间的粘着力降低50％至100％，较佳为降低80％至100％。

值得说明的是，在本实施方式中，通过研磨垫700包括配置在第二粘着层704b与研磨平台710之间的降粘着介面层706，且降粘着介面层706的面积小于第一粘着层704a或第二粘着层704b的面积，藉此使得当使用研磨垫700进行研磨制程时，研磨垫700能缓冲所承受的应力集中，其原因如下。如前文所述，因为配置在第二粘着层704b与研磨平台710之间的降粘着介面层706，使得应力集中区域中的第二粘着层704b与研磨平台710之间的粘着力大幅降低，藉此使得在研磨垫700进行研磨制程期间，所述区域中的研磨层702、第一粘着层704a、基底层708及第二黏着层704b可适度地变形或移位以缓冲研磨垫700所承受的应力集中。如此一来，研磨垫700的应力集中区域不会在研磨制程中因受应力而发生严重突起变形或破损，进而延长研磨垫700的使用寿命。从另一观点而言，由于降粘着介面层706配置在研磨垫700的中央区域C内，故研磨垫700适用于应力集中区域位于中央区域C内的研磨制程，也即降粘着介面层706配置的区域为研磨制程的应力集中区域。

另外，如前文所述，根据使用不同的研磨设备进行研磨制程，在研磨制程期间，研磨垫可能会存在一个以上的应力集中区域，其例如是位于中央区内、位于边缘区域内或位于中央区域及边缘区域内。从另一观点而言，由于对于不同的研磨制程或研磨设备而言，所产生的应力集中区域可能不同，因此降粘着介面层所配置的区域也随之对应。有鉴于此，任何所属技术领域中技术人员应理解，本发明的研磨垫并不以图4至图7中所示者为限，只要研磨垫包括至少一降粘着介面层且其配置于以下位置中的至少一者：(a)第一粘着层与研磨层之间、(b)第一粘着层与基底层之间、(c)基底层与第二粘着层之间以及(d)第二粘着层与研磨平台之间即落入本发明的范畴内。

基于上述可知，本发明的研磨垫通过包括配置于第一粘着层与研磨层之间、第一粘着层与基底层之间、基底层与第二粘着层之间以及第二粘着层与研磨平台之间中的至少一者的至少一降粘着介面层，且至少一降粘着介面层的面积小于第一粘着层或第二粘着层的面积，藉此在研磨制程期间，本发明的研磨垫能缓冲所承受的应力集中，进而延长使用寿命。

特别值得说明是，在上述各种实施方式中，降粘着介面层的厚度(例如为1微米至100微米)可选择为小于各粘着层的厚度(例如为150微米至400微米)。另外，通常粘着层在粘贴步骤时具有一定的形变能力或流动性，因此粘着层可包覆降粘着介面层而使两者能处于共平面，或是两者的表面仅存在很小的落差。特别是当降粘着介面层是以利用表面处理方式在粘着层表面上所形成的表面处理层来实现时，降粘着介面层与粘着层更为一体化，并且降粘着介面层与粘着层实质上即处于共平面。基于此，相较于前述的现有技术，在本发明的研磨垫的制造程序中，当进行粘贴步骤时，可避免在不同界面处产生气泡而影响研磨垫的稳定性。除此之外，由于降粘着介面层仅配置于粘着层与另一膜层之间的界面处，因此包覆降粘着介面层上方或下方的粘着层仍维持本身的特性，使研磨垫整体在配置降粘着介面层的区域与未配置降粘着介面层的区域具有较接近的性质，例如是硬度、压缩性或模数，进而使研磨垫具有较均匀的研磨特性。

图8是依照本发明的一实施方式的研磨方法的流程图。此研磨方法适用于研磨物件。详细而言，此研磨方法可应用于制造工业元件的研磨制程，例如是应用于电子产业的元件，其可包括半导体、集成电路、微机电、能源转换、通讯、光学、储存硬盘、及显示器等元件，而制作这些元件所使用的物件可包括半导体晶圆、ⅢⅤ族晶圆、储存元件载体、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但并非用以限定本发明的范围。

请参照图8，首先，进行步骤S10，提供研磨垫。详细而言，在本实施方式中，研磨垫可以是前述实施方式中所述的任一种研磨垫，例如研磨垫100/200/300/400/500/600/700。而所述研磨垫100/200/300/400/500/600/700的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

接着，进行步骤S12，对物件施加压力。藉此，物件会被压置于所述研磨垫上，并与所述研磨垫接触。详细而言，如前文所述，物件会与研磨层102/202/302/402/502/602/702的研磨面PS接触。另外，对物件施加压力的方式例如是使用能够固持物件的载具来进行。

之后，进行步骤S14，对所述物件及所述研磨垫提供相对运动，以利用所述研磨垫对所述物件进行研磨制程，而达到平坦化的目的。详细而言，如前文所述，研磨平台110/210/310/410/510/610/710能带动配置于其上的研磨垫一起旋转，藉此使得研磨垫与物件之间产生相对运动。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

Claims (23)

1.一种研磨垫，配置于研磨平台上，且适用于研磨制程，其特征在于，所述研磨垫包括：

研磨层；

粘着层，配置于所述研磨层与所述研磨平台之间；以及

至少一降粘着介面层，配置于所述粘着层与所述研磨层之间和/或配置于所述粘着层与所述研磨平台之间，其中所述至少一降粘着介面层的面积小于所述粘着层的面积。

2.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层配置的区域为所述研磨制程的应力集中区域。

3.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层配置的区域为所述研磨垫的中央区域或边缘区域。

4.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层的面积相对于所述粘着层的面积为介于0.01％至20％之间。

5.根据权利要求1所述的研磨垫，其中在所述至少一降粘着介面层配置的区域中，所述粘着层的粘着力降低50％至100％。

6.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层包括抗粘着剂、离型剂、粉末、纤维、隔离膜、低粘性胶或表面处理层。

7.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述研磨层具有研磨面及相对于所述研磨面的背面，其中所述背面为平坦面。

8.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述粘着层为连续的胶层。

9.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述粘着层包括无载体胶层或双面胶层。

10.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层的厚度小于所述粘着层的厚度。

11.一种研磨垫，配置于研磨平台上，适用于研磨制程，其特征在于，所述研磨垫包括：

研磨层；

基底层，配置于所述研磨层下方；

第一粘着层，配置于所述研磨层与所述基底层之间；

第二粘着层，配置于所述基底层与所述研磨平台之间；以及

至少一降粘着介面层，其中所述至少一降粘着介面层的面积小于所述第一粘着层或所述第二粘着层的面积，且所述至少一降粘着介面层配置于以下位置中至少一者：

(a)所述第一粘着层与所述研磨层之间；

(b)所述第一粘着层与所述基底层之间；

(c)所述基底层与所述第二粘着层之间；以及

(d)所述第二粘着层与所述研磨平台之间。

12.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层配置的区域为所述研磨制程的应力集中区域。

13.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层配置的区域为所述研磨垫的中央区域或边缘区域。

14.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层的面积相对于所述第一粘着层或所述第二粘着层的面积为介于0.01％至20％之间。

15.根据权利要求11所述的研磨垫，其中在所述至少一降粘着介面层配置的区域中，所述第一粘着层或所述第二粘着层的粘着力降低50％至100％。

16.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层包括抗粘着剂、离型剂、粉末、纤维、隔离膜、低粘性胶或表面处理层。

17.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述研磨层具有研磨面及相对于所述研磨面的背面，其中所述背面为平坦面。

18.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述基底层具有上表面及相对于所述上表面的下表面，其中所述上表面与所述下表面分别为平坦面。

19.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述第一粘着层为连续的胶层，且所述第一粘着层包括无载体胶层、双面胶层、热熔胶层或湿气硬化胶层。

20.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述第二粘着层为连续的胶层，且所述第二粘着层包括无载体胶层或双面胶层。

21.根据权利要求11所述的研磨垫，其中所述至少一降粘着介面层的厚度小于所述第一粘着层或所述第二粘着层的厚度。

22.一种研磨方法，适用于研磨物件，其特征在于，包括：

提供研磨垫，所述研磨垫如权利要求1至10中任一项所述的研磨垫；

对所述物件施加压力以压置于所述研磨垫上；以及

对所述物件及所述研磨垫提供相对运动以进行所述研磨制程。

23.一种研磨方法，适用于研磨物件，其特征在于，包括：

提供研磨垫，所述研磨垫如权利要求11至21中任一项所述的研磨垫；

对所述物件施加压力以压置于所述研磨垫上；以及

对所述物件及所述研磨垫提供相对运动以进行所述研磨制程。

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