CN108292913A - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够减小IDT电极的交叉区域中的膜厚的偏差的影响并且能够充分地抑制横模乱真的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：第1质量附加膜(5a)，被设置在第1电介质膜(4)上以使得在俯视的情况下与IDT电极(3)的多根第1以及第2电极指(3a2、3b2)重叠，沿着各第1以及第2电极指(3a2、3b2)延伸的方向延伸，并且被设置于中央区域(A1)；和第2以及第3质量附加膜(5b、5c)，被设置在第1电介质膜(4)上，并且被设置于第1以及第2边缘区域(A2a、A2b)，一部分在俯视的情况下与第1以及第2电极指(3a2、3b2)之中的至少一方重叠。第2以及第3质量附加膜(5b、5c)的沿着弹性波传播方向的尺寸比第1质量附加膜(5a)的沿着弹性波传播方向的尺寸长。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及利用了活塞模式的弹性波装置。
背景技术
以往，为了抑制横模乱真，提出利用了活塞模式的弹性波装置。
例如，在下述的专利文献1中，表示利用了活塞模式的弹性波装置的一个例子。该弹性波装置具有在弹性波传播方向观察时重叠于IDT电极的多根第1电极指和多根第2电极指的交叉区域。交叉区域在第1、第2电极指延伸的方向，具有：中央区域、和被设置于中央区域的第1、第2电极指延伸的方向的外侧的第1、第2边缘区域。
另一方面，在压电基板上层叠电介质膜，以使得覆盖IDT电极。钛层被埋入到位于电介质膜的第1、第2边缘区域的部分。由此，第1、第2边缘区域中的声速比中央区域以及第1、第2边缘区域的外侧的区域中的声速慢，能够抑制横模乱真。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2012-186808号公报
发明内容
-发明要解决的课题-
在用于得到专利文献1的弹性波装置的制造工序中，需要在第1、第2边缘区域形成钛层。因此，不能通过同一工序来形成中央区域中的部分和第1、第2边缘区域中的部分。因此，交叉区域的膜厚可能产生较大偏差。因此，有可能无法充分地抑制横模乱真。
本发明的目的在于，提供一种能够减小IDT电极的交叉区域中的膜厚的偏差的影响并且能够充分地抑制横模乱真的弹性波装置。
-解决课题的手段-
本发明所涉及的弹性波装置具备：压电基板；和IDT电极，被设置在所述压电基板上，所述IDT电极具有：相互对置的第1以及第2汇流条、一端与所述第1汇流条连接的多根第1电极指、和一端与所述第2汇流条连接的多根第2电极指，所述多根第1以及第2电极指相互交错插入，在将所述第1电极指与所述第2电极指在弹性波传播方向上重合的部分设为交叉区域的情况下，该交叉区域在所述第1以及第2电极指延伸的方向上，具有位于中央侧的中央区域、和被配置于所述中央区域的两侧的第1以及第2边缘区域，所述弹性波装置还具备：第1电介质膜，被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述IDT电极；第1质量附加膜，被设置在所述第1电介质膜上，沿着各所述第1以及第2电极指延伸的方向延伸，并且被设置于所述中央区域，在俯视的情况下与所述多根第1以及第2电极指重叠；第2质量附加膜，被设置在所述第1电介质膜上，并且被设置于所述第1边缘区域，在俯视的情况下，一部分与所述第1以及第2电极指之中的至少一方重叠；和第3质量附加膜，被设置在所述第1电介质膜上，并且被设置于所述第2边缘区域，在俯视的情况下，一部分与所述第1以及第2电极指之中的至少一方重叠，所述第2以及第3质量附加膜的沿着弹性波传播方向的尺寸比所述第1质量附加膜的沿着弹性波传播方向的尺寸长。
在本发明所涉及的弹性波装置的某个特定的方面，在将所述中央区域中的弹性波的声速设为V1、将所述第1以及第2边缘区域中的弹性波的声速设为V2、将位于所述第1边缘区域与所述第1汇流条之间以及所述第2边缘区域与所述第2汇流条之间的区域中的弹性波的声速设为V3的情况下，被设为V3＞V1＞V2。在该情况下，能够进一步抑制横模乱真。
在本发明所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述第1～第3质量附加膜的材料的密度比所述IDT电极的材料的密度高。在该情况下，能够有效地提高IDT电极的激励效率。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，所述第2以及第3质量附加膜遍布在所述第1以及第2边缘区域的弹性波传播方向上的全长。在该情况下，能够有效地使第1以及第2边缘区域中的声速变慢。因此，能够进一步抑制横模乱真。
在本发明所涉及的弹性波装置的其它特定的方面，具有多个所述第2质量附加膜，多个所述第2质量附加膜在弹性波传播方向上相互隔开间隙地配置，各所述第2质量附加膜在俯视的情况下，遍布在各所述第1以及第2电极指的弹性波传播方向上的全长与各所述第1以及第2电极指重叠，
具有多个所述第3质量附加膜，多个所述第3质量附加膜在弹性波传播方向上相互隔开间隙地配置，各所述第3质量附加膜在俯视的情况下，遍布在各所述第1以及第2电极指的弹性波传播方向上的全长与各所述第1以及第2电极指重叠。在该情况下，在用于得到弹性波装置的制造工序中，能够使用剥离法来容易地形成第1～第3质量附加膜。因此，能够提高生产率。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，所述第1质量附加膜与所述第2以及第3质量附加膜相连。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，在俯视的情况下，所述第1质量附加膜与所述第2以及第3质量附加膜隔开间隙而被配置在与弹性波传播方向垂直的方向上。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，所述第1质量附加膜的沿着弹性波传播方向的尺寸比各所述第1以及第2电极指的沿着弹性波传播方向的尺寸短。在该情况下，中央区域中的声速难以变慢。因此，能够进一步抑制横模乱真。
在本发明所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，还具备第2电介质膜，所述第2电介质膜层叠在所述压电基板与所述IDT电极之间。在该情况下，能够调整机电耦合系数。
-发明效果-
根据本发明所涉及的弹性波装置，能够减小IDT电极的交叉区域中的膜厚的偏差的影响，能够充分地抑制横模乱真。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的俯视图。
图2是沿着图1中的I-I线的剖视图。
图3是表示将本发明的第1实施方式中的第1～第3质量附加膜的膜厚设为95nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。
图4是表示将本发明的第1实施方式中的第1～第3质量附加膜的膜厚设为70nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。
图5是表示将本发明的第1实施方式中的第1～第3质量附加膜的膜厚设为120nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。
图6是表示将比较例中的第2、第3质量附加膜的膜厚设为6nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。
图7是表示将比较例中的第2、第3质量附加膜的膜厚设为4.5nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。
图8是表示将比较例中的第2、第3质量附加膜的膜厚设为7.5nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。
图9是本发明的第1实施方式的第1变形例所涉及的弹性波装置的俯视图。
图10是本发明的第1实施方式的第2变形例所涉及的弹性波装置的俯视图。
图11是本发明的第1实施方式的第3变形例所涉及的弹性波装置的放大正面剖视图。
图12是本发明的第2实施方式的第4变形例所涉及的弹性波装置的俯视图。
具体实施方式
以下，通过参照附图来对本发明的具体实施方式进行说明，以使本发明清楚明了。
另外指出，本说明书中所述的各实施方式是示例性的，在不同的实施方式之间，能够进行结构的局部置换或者组合。
图1是本发明的第1实施方式所涉及的弹性波装置的俯视图。图2是沿着图1中的I-I线的剖视图。另外，在图1中，省略了后述的第1～第3质量附加膜上的电介质膜。
弹性波装置1具有压电基板2。压电基板2包含LiNbO3或者LiTaO3等的压电单晶、适当的压电陶瓷。
在压电基板2上，设置IDT电极3。IDT电极3具有相互对置的第1、第2汇流条3a1、3b1。IDT电极3具有一端连接于第1汇流条3a1的多根第1电极指3a2。进一步地，IDT电极3具有一端连接于第2汇流条3b1的多根第2电极指3b2。
多根第1、第2电极指3a2、3b2相互交错插入。这里，将第1电极指3a2与第2电极指3b2在弹性波传播方向上重合的部分设为交叉区域A。此时，交叉区域A在第1、第2电极指3a2、3b2延伸的方向上，具有位于中央侧的中央区域A1。交叉区域A在第1、第2电极指3a2、3b2延伸的方向上，也具有被配置于中央区域A1的两侧的第1、第2边缘区域A2a、A2b。第1边缘区域A2a位于第1汇流条3a1侧，第2边缘区域A2b位于第2汇流条3b1侧。
IDT电极3具有与第1、第2边缘区域A2a、A2b的中央区域A1侧相反的一侧的区域的第1、第2外侧区域Ba、Bb。第1外侧区域Ba位于第1边缘区域A2a与第1汇流条3a1之间。第2外侧区域Bb位于第2边缘区域A2b与第2汇流条3b1之间。
在本实施方式中，IDT电极3包含A1。另外，IDT电极3也可以包含A1以外的适当的金属。IDT电极3可以包含单层的金属膜，或者也可以包含层叠金属膜。
这里，弹性波装置1是利用了活塞模式的弹性波装置。将中央区域A1中的弹性波的声速设为V1，将第1、第2边缘区域A2a、A2b中的弹性波的声速设为V2，将第1、第2外侧区域Ba、Bb中的弹性波的声速设为V3。此时，优选设为V3＞V1＞V2。由此，能够有效地抑制横模乱真。图1中表示上述的各声速V1、V2、V3的关系。另外，表示随着朝向图1中的左侧，声速为高速。
如图1所示，在压电基板2上设置第1电介质膜4以使得覆盖IDT电极3。第1电介质膜4并不被特别限定，但包含SiO2。
在第1电介质膜4上设置第1～第3质量附加膜5a～5c以使得在俯视的情况下，与第1、第2电极指3a2、3b2重叠。更具体而言，第1质量附加膜5a在中央区域A1被设置有多个。多个第1质量附加膜5a沿着各第1、第2电极指3a2、3b2延伸的方向延伸，遍布在中央区域A1的该方向上的全长。多个第1质量附加膜5a在弹性波传播方向上，相互隔开间隙地设置。多个第1质量附加膜5a包含在俯视的情况下与第1电极指3a2重叠的第1质量附加膜5a和与第2电极指3b2重叠的第1质量附加膜5a。这里，将沿着各第1、第2电极指3a2、3b2以及各第1质量附加膜5a的弹性波传播方向的尺寸设为宽度。此时，在本实施方式中，各第1质量附加膜5a的宽度比各第1、第2电极指3a2、3b2的宽度窄。
另一方面，第2质量附加膜5b被设置于第1边缘区域A2a。第2质量附加膜5b遍布在第1边缘区域A2a的弹性波传播方向上的全长。
第3质量附加膜5c被设置于第2边缘区域A2b。第3质量附加膜5c遍布在第2边缘区域A2b的弹性波传播方向上的全长。这样，第2质量附加膜5b以及第3质量附加膜5c的沿着弹性波传播方向的尺寸比第1质量附加膜5a的沿着弹性波传播方向的尺寸长。
在本实施方式中，多个第1质量附加膜5a与第2、第3质量附加膜5b、5c相连。
在本实施方式中，第1～第3质量附加膜5a～5c包含Pt。另外，第1～第3质量附加膜5a～5c也可以包含Pt以外的适当的金属。优选第1～第3质量附加膜5a～5c的材料的密度比IDT电极3的材料的密度高。由此，能够有效地提高IDT电极3的激励效率。另外，第1～第3质量附加膜5a～5c可以包含单层的金属膜，或者也可以包含层叠金属膜。
如图2所示，在第1电介质膜4上设置电介质层6。电介质层6覆盖图1所示的第1～第3质量附加膜5a～5c。电介质层6具有：位于第1电介质膜4侧的第1层6a、和在第1层6a上层叠的第2层6b。在该情况下，例如，第1层6a也可以包含SiO2等，第2层6b也可以包含SiN等。另外，电介质层6也可以包含单层。
返回到图1，本实施方式的特征在于，第1～第3质量附加膜5a～5c被设置为：在俯视的情况下，与IDT电极3的交叉区域A重叠。由此，能够减小IDT电极3的交叉区域A中的膜厚的偏差的影响。进一步地，能够充分地抑制横模乱真。以下对此进行说明。
如图1所示，IDT电极3中位于第1外侧区域Ba的部分仅为第1电极指3a2。IDT电极3中位于第2外侧区域Bb的部分仅为第2电极指3b2。并且，由于在交叉区域A，设置有第1～第3质量附加膜5a～5c，因此声速变慢。因此，在弹性波装置1中，被设为V3＞V1以及V3＞V2。
在中央区域A1，多个第1质量附加膜5a在弹性波传播方向隔开间隙地被设置。与此相对地，在第1、第2边缘区域A2a、A2b，第2、第3质量附加膜5b、5c遍布在交叉区域A的弹性波传播方向上的全长。由此，能够增大第1、第2边缘区域A2a、A2b中的第2、第3质量附加膜5b、5c的面积。因此，在第1、第2边缘区域A2a、A2b，能够增大附加于IDT电极3的质量。因此，能够有效地使第1、第2边缘区域A2a、A2b中的声速V2变慢。由此，能够设为V1＞V2，并且能够增大声速V1与声速V2的差。因此，能够有效地抑制横模乱真。
使用下述的图3～图5，对第1实施方式的效果进一步地进行说明。这里，将第2、第3质量附加膜5b、5c的与弹性波传播方向垂直的方向的尺寸设为第2、第3质量附加膜5b、5c的宽度。在第1实施方式中，第2、第3质量附加膜5b、5c的宽度为相同的宽度。
图3是表示将第1实施方式中的第1～第3质量附加膜的膜厚设为95nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。图4是表示将第1实施方式中的第1～第3质量附加膜的膜厚设为70nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。图5是表示将第1实施方式中的第1～第3质量附加膜的膜厚设为120nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。另外，在求取图3～图5所示的关系时，IDT电极的膜厚设为20nm。
图3～图5中的菱形的标绘点以及实线表示一阶的有效机电耦合系数。矩形的标绘点以及虚线表示三阶的有效机电耦合系数。三角形的标绘点以及虚线表示五阶的有效机电耦合系数。X字形的标绘点以及虚线表示七阶的有效机电耦合系数。I字形的标绘点以及虚线表示九阶的有效机电耦合系数。圆形的标绘点以及虚线表示十一阶的有效机电耦合系数。一阶的有效机电耦合系数的值表示在右侧的纵轴，三阶以上的有效机电耦合系数的值表示在左侧的纵轴。上述标绘点的形状以及线种与各阶数的关系在后述的图6～图8中也相同。
在图3所示的结果中，一阶的有效机电耦合系数为极大值的第2、第3质量附加膜的宽度与三阶以上的有效机电耦合系数为极小值的第2、第3质量附加膜的宽度是几乎相同的宽度。因此，能够有效地提高能量效率，并且能够有效地抑制横模乱真。
图4所示的结果是使求取图3所示的关系时的第1～第3质量附加膜的膜厚薄了25nm的情况下的结果。在这种情况下，一阶的有效机电耦合系数为极大值的第2、第3质量附加膜的宽度与三阶以上的有效机电耦合系数为极小值的第2、第3质量附加膜的宽度的偏差较小。
图5所示的结果是使求取图3所示的关系时的第1～第3质量附加膜的膜厚厚了25nm的情况下的结果。在这种情况下，一阶的有效机电耦合系数为极大值的第2、第3质量附加膜的宽度与三阶以上的有效机电耦合系数为极小值的第2、第3质量附加膜的宽度的偏差较小。
这样，在第1～第3质量附加膜的膜厚为95±25nm的宽范围，能够有效地抑制横模乱真。因此，能够减小第1～第3质量附加膜的膜厚的偏差的影响，能够减小IDT电极的交叉区域中的膜厚的偏差的影响。
接下来，通过对第1实施方式与比较例进行比较，来对第1实施方式的效果进行说明。比较例的弹性波装置在IDT电极包含Pt这方面以及不具有第1质量附加膜这方面，与第1实施方式不同。
图6是表示将比较例中的第2、第3质量附加膜的膜厚设为6nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。图7是表示将比较例中的第2、第3质量附加膜的膜厚设为4.5nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。图8是表示将比较例中的第2、第3质量附加膜的膜厚设为7.5nm时的、弹性波装置中的第2、第3质量附加膜的宽度与一阶以及高阶的有效机电耦合系数的关系的图。另外，在求取以下的图6～图8所示的关系时，IDT电极的膜厚设为20nm。
在图6所示的比较例的结果中，一阶的有效机电耦合系数为极大值的第2、第3质量附加膜的宽度与三阶以上的有效机电耦合系数为极小值的第2、第3质量附加膜的宽度的偏差较小。但是，在图7以及图8所示的结果中，一阶的有效机电耦合系数为极大值的第2、第3质量附加膜的宽度与三阶以上的有效机电耦合系数为极小值的第2、第3质量附加膜的宽度较大程度地偏离。进一步地，在图7所示的结果中，9阶以上的有效机电耦合系数的变化减小。
这里，图7所示的结果是使求取图6所示的关系时的第2、第3质量附加膜的膜厚薄了1.5nm的情况下的结果。图8所示的结果是使求取图6所示的关系时的第2、第3质量附加膜的膜厚厚了1.5nm的情况下的结果。这样，在比较例中，即使在第2、第3质量附加膜的膜厚为6±1.5nm的窄范围，该膜厚的偏差的影响也较大。
在第1实施方式的弹性波装置中，如图3～图5所示，在第1～第3质量附加膜的膜厚的范围的宽度宽于比较例的10倍的范围，能够进一步有效地减小该膜厚的偏差的影响。
下述的表1中表示第1实施方式中的V2/V1与IDT电极的膜厚的关系。V2/V1是第1、第2边缘区域的声速V2相对于中央区域的声速V1的比。另外，第1～第3质量附加膜的膜厚设为80nm。同样地，表1中表示比较例中的V2/V1与IDT电极的膜厚的关系。比较例的第2、第3质量附加膜的膜厚设为10nm。
[表1]
如表1所示，在比较例中，由于IDT电极的膜厚不同，因此V2/V1不同。与此相对地，在第1实施方式中，可知对于V2/V1，IDT电极的膜厚的偏差几乎没有影响。因此，在第1实施方式中，能够进一步减小IDT电极的交叉区域中的膜厚的偏差的影响。
返回到图1，在第1实施方式中，通过设置有隔着第1电介质膜4而与多根第1、第2电极指3a2、3b2对置的多个第1质量附加膜5a，能够有效地提高IDT电极3的激励效率。并且，在第1实施方式中，如图1所示，各第1质量附加膜5a的宽度比各第1、第2电极指3a2、3b2的宽度窄。由此，中央区域A1中的声速V1难以变慢。因此，能够进一步增大声速V1与声速V2的差，能够进一步抑制横模乱真。
如上所述，第1、第2边缘区域A2a、A2b中的声速通过设置有第2、第3质量附加膜5b、5c而变慢。因此，在第1、第2边缘区域A2a、A2b，不需要加宽IDT电极3的第1、第2电极指3a2、3b2的宽度。因此，也能够提高在施加电压等时针对静电破坏的耐性。
然而，如上所述，第1实施方式的弹性波装置1具有包含SiO2的第1电介质膜4。由此，能够减小TCF(Temperature coefficient of frequency：频率温度系数)的绝对值。因此，能够改善弹性波装置1的温度特性。另外，第1电介质膜4也可以包含SiN、SiON或者五氧化钽等适当的材料。
优选图2所示的电介质层6包含SiN。由此，能够调整弹性波装置1所使用的弹性波的频率。另外，电介质层6也可以不必被设置。
在以下的图9～图12所示的第1实施方式的第1～第4变形例中，也能够减小IDT电极的交叉区域中的膜厚的偏差的影响。进一步地，能够充分地抑制横模乱真。
如图9所示的第1实施方式的第1变形例那样，也可以分别具有多个第2、第3质量附加膜15b、15c。多个第2质量附加膜15b在弹性波传播方向上相互隔开间隙地配置。多个第3质量附加膜15c也在弹性波传播方向上相互隔开间隙地配置。在该情况下，在用于得到弹性波装置11的制造工序中，能够使用剥离法来容易地形成第1质量附加膜5a以及第2、第3质量附加膜15b、15c。因此，能够提高生产率。
更具体而言，在用于得到弹性波装置11的制造工序中，在第1电介质膜4上，形成用于形成第1质量附加膜5a以及多个第2、第3质量附加膜15b、15c的抗蚀层。接下来，使抗蚀层图案化。
此时，抗蚀层也到达相当于各第2、第3质量附加膜15b、15c间的弹性波传播方向的间隙的部分。由此，在俯视的情况下，与IDT电极3的中央区域A1重叠的部分的抗蚀层连接于与第1、第2外侧区域Ba、Bb重叠的部分的抗蚀层。
接下来，在抗蚀层上，形成成为第1质量附加膜5a以及多个第2、第3质量附加膜15b、15c的金属膜。接下来，将抗蚀层剥离。此时，由于抗蚀层是如上述那样被连接的图案，因此能够容易地将抗蚀层剥离。
另外，各第2、第3质量附加膜15b、15c在俯视的情况下一部分与各第1、第2电极指3a2、3b2之中的至少一方重叠即可。
也可以如图10所示的第1实施方式的第2变形例那样，在俯视的情况下，第1质量附加膜25a与第2、第3质量附加膜5b、5c也可以在与弹性波传播方向垂直的方向上，隔开间隙而被配置。
也可以如图11所示的第1实施方式的第3变形例那样，在压电基板2与IDT电极3之间，层叠第2电介质膜37。第2电介质膜37虽然未被特别限定，但包含SiO2、SiN等。
在第3变形例的弹性波装置中，通过设置有第2电介质膜37，从而能够调整机电耦合系数。
如图12所示的第1实施方式的第4变形例那样，第1质量附加膜45a也可以是与IDT电极3的各第1、第2电极指3a2、3b2的宽度相同的宽度。此外，也可以在第1电介质膜4上设置第4质量附加膜45d，以使得在俯视的情况下与第1汇流条3a1的至少一部分重叠。也可以在第1电介质膜4上设置第5质量附加膜45e，以使得在俯视的情况下与第2汇流条3b1的至少一部分重叠。第4、第5质量附加膜45d、45e例如也可以被设置为：在从第1、第2电极指3a2、3b2延伸的方向观察的情况下，与交叉区域A的弹性波传播方向上的全长重叠。
本发明也能够适当地应用于弹性波谐振器、带通型滤波器等。
-符号说明-
1...弹性波装置
2...压电基板
3...IDT电极
3a1、3b1...第1、第2汇流条
3a2、3b2...第1、第2电极指
4...第1电介质膜
5a～5c...第1～第3质量附加膜
6...电介质层
6a、6b...第1、第2层
11...弹性波装置
15b、15c...第2、第3质量附加膜
25a...第1质量附加膜
37...第2电介质膜
45a、45d、45e...第1、第4、第5质量附加膜。

Claims (9)

1.一种弹性波装置，具备：
压电基板；和
IDT电极，被设置在所述压电基板上，
所述IDT电极具有：相互对置的第1以及第2汇流条、一端与所述第1汇流条连接的多根第1电极指、和一端与所述第2汇流条连接的多根第2电极指，
所述多根第1以及第2电极指相互交错插入，在将所述第1电极指与所述第2电极指在弹性波传播方向上重合的部分设为交叉区域的情况下，该交叉区域在所述第1以及第2电极指延伸的方向上，具有位于中央侧的中央区域、和被配置于所述中央区域的两侧的第1以及第2边缘区域，
所述弹性波装置还具备：
第1电介质膜，被设置在所述压电基板上以使得覆盖所述IDT电极；
第1质量附加膜，被设置在所述第1电介质膜上，沿着各所述第1以及第2电极指延伸的方向延伸，并且被设置于所述中央区域，在俯视的情况下与所述多根第1以及第2电极指重叠；
第2质量附加膜，被设置在所述第1电介质膜上，并且被设置于所述第1边缘区域，在俯视的情况下，一部分与所述第1以及第2电极指之中的至少一方重叠；和
第3质量附加膜，被设置在所述第1电介质膜上，并且被设置于所述第2边缘区域，在俯视的情况下，一部分与所述第1以及第2电极指之中的至少一方重叠，
所述第2以及第3质量附加膜的沿着弹性波传播方向的尺寸比所述第1质量附加膜的沿着弹性波传播方向的尺寸长。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
在将所述中央区域中的弹性波的声速设为V1、将所述第1以及第2边缘区域中的弹性波的声速设为V2、将位于所述第1边缘区域与所述第1汇流条之间以及所述第2边缘区域与所述第2汇流条之间的区域中的弹性波的声速设为V3的情况下，被设为V3＞V1＞V2。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述第1～第3质量附加膜的材料的密度比所述IDT电极的材料的密度高。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述第2以及第3质量附加膜遍布在所述第1以及第2边缘区域的弹性波传播方向上的全长。
5.根据权利要求1～3中任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置具有多个所述第2质量附加膜，多个所述第2质量附加膜在弹性波传播方向上相互隔开间隙地配置，各所述第2质量附加膜在俯视的情况下，遍布在各所述第1以及第2电极指的弹性波传播方向上的全长与各所述第1以及第2电极指重叠，
所述弹性波装置具有多个所述第3质量附加膜，多个所述第3质量附加膜在弹性波传播方向上相互隔开间隙地配置，各所述第3质量附加膜在俯视的情况下，遍布在各所述第1以及第2电极指的弹性波传播方向上的全长与各所述第1以及第2电极指重叠。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1质量附加膜与所述第2以及第3质量附加膜相连。
7.根据权利要求1～5中任意一项所述的弹性波装置，其中，
在俯视的情况下，所述第1质量附加膜与所述第2以及第3质量附加膜隔开间隙而被配置在与弹性波传播方向垂直的方向上。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1质量附加膜的沿着弹性波传播方向的尺寸比各所述第1以及第2电极指的沿着弹性波传播方向的尺寸短。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备第2电介质膜，所述第2电介质膜层叠在所述压电基板与所述IDT电极之间。
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