CN108281366A - 一种改善led发光波长的方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种改善LED发光波长的方法及其装置，所述方法包括获取一温度，该温度为载片盘表面温度或衬底表面温度；获取衬底翘曲度；根据获取的衬底翘曲度与预设衬底翘曲度对比并对预设温度进行修正，得一修正温度；根据获取的温度与修正温度利用PID控制使输出温度等于修正温度。本发明利用不同批次间衬底翘曲度的不同对预设温度进行修正，得一修正温度，再利用温控器使输出温度等于修正温度从而使前后批次制得的LED外延片发光波长保持一致，避免了来料不稳所产生的产品规格参数波动，提高了产品良率。

Description

一种改善LED发光波长的方法及其装置
技术领域
本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种改善LED发光波长的方法及其装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于具有寿命长、耗能低等优点，广泛应用于各种领域。尤其随着发光二极管照明性能指标的大幅度提高，发光二极管常用于发光装置。其中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光功率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电器件等领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。
氮化镓(GaN)发光二极管的基本结构包括P型氮化镓层和N型氮化镓层构成的PN结。发光效率和发光波长是发光二极管的重要性质。为了增加发光二极管的发光效率并控制发光波长，量子阱结构被引入发光二极管中，即在P型氮化镓层和N型氮化镓层之间形成一层量子阱结构。
量子阱结构是由两种不同材料薄层相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的量子阱，这两种不同材料薄层分别为垒层和阱层。发光层能够有效提高发光二极管的发光效率，并可以形成波长可调的二极管。
在通过MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相沉积)设备/工艺进行LED外延片制备时利用在衬底材料上沉积GaN实现异质外延。由于异质外延衬底和GaN之间的晶格失配以及热形变差产生的应力会使外延片发生翘曲现象，翘曲使得在后续生长发光层时，外延片中心位置比边缘更靠近或紧挨石墨盘的表面，从而使中心部分温度高于边缘部分，最终导致生长发光层后的外延片中心部分的发光波长要比边缘部分短。
申请号CN201210051923.0公开了一种降低LED外延翘曲应力的方法，在沉积GaN层由三维生长向二维生长转变过程中，插入超晶格结构，调节释放二维生长的GaN外延层与衬底之间的翘曲应力，进而改善外延片生长发光层时的翘曲程度，从而降低生长发光层后的外延片中心部分和边缘部分的波长差，改善外延片的波长均匀性，进而提高外延片的波长良品率。
工业化量产过程中，保持不同批次间产品性能指标的前后一致性是业界长期追求的目标。在连续生产时，衬底材料、沉积时工艺条件的波动，都会使得不同批次间(具体表现为不同炉次间)外延片发生不同程度的翘曲，这样即使通过申请号CN201210051923.0公开的降低LED外延翘曲应力的方法对波长均匀性进行改善，依然不能实现由于不同批次间不同程度的翘曲导致的外延波长波动，因而需要一种能够提高不同批次间LED发光波长的方法及其装置。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种改善LED发光波长的方法及其装置，能够有效的改善不同批次间LED发光波长的一致性，提高产品良率。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
一种改善LED发光波长的方法，包括以下步骤：
获取一温度，该温度为载片盘表面温度或衬底表面温度；
获取衬底翘曲度；
根据获取的衬底翘曲度与预设衬底翘曲度对比并对预设温度进行修正，得一修正温度；
根据获取的温度与修正温度利用PID控制使输出温度等于修正温度。
可选的，当获取的温度为载片盘表面温度时，若获取的衬底翘曲度大于预设衬底翘曲度，修正温度小于预设温度。
可选的，当获取的温度为衬底表面温度且为衬底表面中心温度时，若获取的衬底翘曲度大于预设衬底翘曲度，修正温度大于预设温度。
可选的，当获取的温度为衬底表面温度且为衬底表面边缘温度时，若获取的衬底翘曲度大于预设衬底翘曲度，修正温度小于预设温度。
可选的，所述修正温度小于或大于预设温度0～20℃。
可选的，所述温度为沉积量子阱层时载片盘表面温度或衬底表面温度，所述衬底翘曲度为沉积量子阱层时衬底翘曲度。
可选的，获取所述载片盘表面温度或衬底表面温度与获取所述衬底翘曲度为同时获取的同一量子阱层的载片盘表面温度或衬底表面温度与衬底翘曲度。
可选的，所述量子阱层为靠近N型GaN层一侧的量子阱层。
本发明还提供一种改善LED发光波长的装置，包括：温度探测模块，翘曲探测模块，加热模块，温控器；所述温度探测模块、翘曲探测模块、加热模块分别与所述温控器连接；
所述温度探测模块用于探测载片盘表面温度和/或衬底表面温度；
所述翘曲探测模块用于探测衬底翘曲度；
所述加热模块用于输出温度并对载片盘加热；
所述温控器根据所述翘曲探测模块探测的衬底翘曲度与预设衬底翘曲度对比并对预设温度进行修正，得一修正温度，再根据所述温度探测模块探测的温度与所述修正温度利用PID控制使所述加热模块输出温度等于修正温度。
可选的，所述翘曲探测模块包括激光发射模块和与所述激光发射模块连接并与激光发射模块具有固定位置关系的激光接收模块，所述激光接收模块与所述温控器连接。
本发明的有益效果是：本发明利用不同批次间衬底翘曲度的不同对预设温度进行修正，得一修正温度，再利用温控器使输出温度等于修正温度从而使前后批次制得的LED外延片发光波长保持一致，避免了来料不稳所产生的产品规格参数波动，提高了产品良率。
附图说明
图1为衬底置于载片盘的俯视图；
图2为衬底置于载片盘的剖面图；
图3为用于制造LED的MOCVD设备腔体示意简图；
图4为本发明温度控制原理图；
图5为衬底在载片盘中发生翘曲时的剖面图；
图6为温度探测模块设置在衬底中心正上方示意图；
图7为温度探测模块设置在衬底边缘正上方示意图；
图8为本发明提供的改善LED发光波长的装置原理图；
图9为本发明提供的翘曲探测模块设置在衬底边缘正上方示意图；
图10为本发明提供的翘曲探测模块结构图；
图11为本发明提供的LED外延片制备方法流程图；
图12为与图11流程图对应的LED结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明提供的一种改善LED发光波长的方法及其装置进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1-图3，在通过MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化学气相沉积)设备制造LED时，先将衬底110置于载片盘108上均匀分布的凹槽109中，凹槽109深度略高于衬底110厚度，优选在凹槽109底部靠近边缘设置环形状或间隔分布的凸起115，利用凸起115避免衬底110与凹槽109底部直接接触，使载片盘108升温过程中衬底110受热更为均匀，衬底110尺寸可以为二寸、四寸或六寸，载片盘108选用耐高温材质制成，如石墨材质。然后将装有衬底110的载片盘108传输至反应腔室104中，反应腔室104由上盖101、侧壁102和底座103形成的封闭结构，上盖101、侧壁102和底座103可以选用不锈钢材质，上盖101上均匀分布有连通的进气管105，反应气体、载气(NH3、N2、H2等)和MO源(三甲基镓、三乙基镓、三甲基铝、三甲基铟、二茂镁等)通过进气管105进入反应腔室104中，底座103上位于载片盘108下方设置加热模块107，加热模块107选用加热丝或者射频加热，通过加热模块107对载片盘108及反应腔室104加热，载片盘108背面位于中心位置设置凹陷的中心槽112，转轴111通过铁磁流体密封件穿过底座103，转轴111位于反应腔室104内一端与中心槽112接触将载片盘108顶起使载片盘108与加热模块107产生一间隙，转轴111位于反应腔室104外一端与驱动装置连接(图3中省略)，所述驱动装置通过转轴111带动载片盘108在反应腔室104中转动并通过控制器控制载片盘108转速，底座103四周沿圆周方向间隔设置排气孔106，通过进气管105进入反应腔室104中的反应气体、载气和MO源在载片盘108上方形成气流并反应进而沉积在衬底110上，通过排气孔106排出反应腔室104，沉积过程中控制反应腔室104压力，载片盘108表面温度或衬底110表面温度。
本设备通过PID控制实现对载片盘108表面温度或衬底110表面温度的精确控制。
具体的，在反应腔室104的上盖101上设置温度探测模块113，温度探测模块113位于衬底110正上方，由于沉积过程中载片盘108转动，温度探测模块113可同时实现对载片盘108表面温度和衬底110表面温度的探测，温度探测模块113选用具有发射率校正功能的辐射高温计，即把辐射高温计与反射率计组合使用，在测量载片盘108表面温度和衬底110表面温度的同时，用同样波长的激光(如930nm)测量载片盘108的反射率和衬底110的反射率，由反射率计算出发射率，最后使用普朗克公式计算出载片盘108表面温度和衬底110表面温度。
请参考图4，温度探测模块113与温控器116连接，温控器116与加热模块107连接，温度探测模块113将探测到的载片盘108表面温度或衬底110表面温度反馈至温控器116，温控器116根据温度探测模块113反馈的温度与预设温度进行对比并控制加热模块107的输出功率，从而使载片盘108表面温度或衬底110表面温度等于预设温度。
温控器116根据载片盘108表面温度进行控温，可排除衬底110因素带来的干扰，温控器116根据衬底110表面温度进行控温，可排除载片盘108因素带来的干扰，两者各有利弊，当载片盘108稳定时优选根据载片盘108表面温度进行控温，当衬底110来料稳定时优选根据衬底110表面温度进行控温。
由于衬底110是置于载片盘108上均匀分布的凹槽109中，当衬底110未发生翘曲时(图2所示)，衬底110下表面与凹槽109底部保持一固定距离，衬底110表面温度与载片盘108表面温度保持一固定温差，当衬底110发生翘曲时(图5所示)，通常情况是衬底110中心向凹槽109底部凹陷，边缘向上翘曲，从而使得衬底110下表面中心位置与凹槽109底部距离更近甚至发生接触，衬底110下表面边缘位置与凹槽109底部距离更远，由于热量是从载片盘108向衬底110传递，衬底110表面中心位置温度高，边缘位置温度低，在生长量子阱结构时，衬底110中心位置掺入到阱层中的铟少，边缘位置掺入到阱层中的铟多，最后得到的LED外延片中心波长短，边缘波长长。
当选用温度探测模块113将探测到的载片盘108表面温度反馈至温控器116并通过温控器116控制加热模块107的输出功率来进行控温时，不同批次间衬底110翘曲的不同使得即使载片盘108表面温度前后一致也不能够保证衬底110表面温度一致；当翘曲变大时，在载片盘108表面温度一定的条件下，衬底110中心位置温度更高，边缘位置温度更低，最后得到的LED外延片中心波长短，边缘波长长，整体波长偏短且均匀性差。
当选用温度探测模块113将探测到的衬底110表面温度反馈至温控器116并通过温控器116控制加热模块107的输出功率来进行控温时，由于温度探测模块113探测到的温度为衬底110某一点的温度，此点可以为衬底110中心温度或者偏离中心的温度。当温度探测模块113探测到的温度为衬底110中心温度时，温度探测模块113设置在衬底110中心正上方(图6所示)，此时当衬底110翘曲变大时，衬底110下表面中心位置与凹槽109底部距离变小，衬底110表面温度升高，温度探测模块113探测到的衬底110表面温度偏高，从而通过控制器116使加热模块107的输出功率减小以达到预设温度，由于衬底110中心位置向下凹陷，这使得衬底110边缘温度更低，波长更长，其结果是得到的LED外延片整体波长偏长且均匀性差；当温度探测模块113探测到的温度为衬底110边缘温度时，温度探测模块113设置在衬底110边缘正上方(图7所示)，此时当衬底110翘曲变大时，衬底110下表面边缘位置与凹槽109底部距离变大，衬底110表面温度降低，温度探测模块113探测到的衬底110表面温度偏低，从而通过控制器116使加热模块107的输出功率增大以达到预设温度，由于衬底110中心位置向下凹陷，这使得衬底110中心温度更高，波长更短，其结果是得到的LED外延片整体波长偏短且均匀性差。
综合以上几种控温方式，沉积过程中均存在当衬底110翘曲变化时，前后批次波长一致性不稳定，产品性能指标难以满足量产需求。
为解决该问题，本发明通过在反应腔室104的上盖101中安装一翘曲探测模块114(图3所示)，通过翘曲探测模块114对衬底110的翘曲度进行探测，然后将探测结果反馈至温控器116(图8所示)，温控器116在控温的时候根据翘曲探测模块114探测到的衬底110翘曲度对预设温度进行修正，得一修正温度，再根据温度探测模块113探测到的温度与修正温度利用PID控制输出温度，进而控制LED发光波长。
请参考图9，优选的，翘曲探测模块114安装在衬底110正上方偏离中心位置处，以实现对衬底110翘曲进行精确探测。
请参考图10，翘曲探测模块114包括激光发射模块1141和与激光发射模块1141连接并与激光发射模块1141具有固定位置关系的激光接收模块1142，激光接收模块1142与温控器116连接。翘曲探测模块114对衬底110翘曲度进行探测时，激光发射模块1141发射出一竖向方向并具有固定波长的激光照射到衬底110表面，由于衬底110表面翘曲而非平面，反射回的激光与入射激光间具有一夹角并被激光接收模块1142接收，通过激光接收模块1142对衬底110翘曲度进行探测记录并反馈至温控器116，温控器116根据激光接收模块1142探测到的翘曲度和温度探测模块113探测到的温度(载片盘108表面温度或衬底110表面温度)控制加热模块107的输出功率来进行温度调节从而控制衬底110表面温度使得到的LED外延片波长前后批次保持一致。
具体的，当温度探测模块113探测的温度为载片盘108表面温度时，如果翘曲探测模块114探测到的衬底110翘曲度比预设衬底翘曲度大，温控器116在预设温度的基础上减温(即修正温度小于预设温度)，减温幅度在0～20℃之间，使外延片整体波长保持前后一致。
当温度探测模块113探测的温度为衬底110表面温度且温度探测模块113设置在衬底110中心正上方时(即温度探测模块113探测的温度为衬底110表面中心温度)，如果翘曲探测模块114探测到的衬底110翘曲度比预设衬底翘曲度大，温控器116在预设温度的基础上加温(即修正温度大于预设温度)，加温幅度在0～20℃之间，使外延片整体波长保持前后一致。
当温度探测模块113探测的温度为衬底110表面温度且温度探测模块113设置在衬底110边缘正上方时(即温度探测模块113探测的温度为衬底110表面边缘温度)，如果翘曲探测模块114探测到的衬底110翘曲度比预设衬底翘曲度大，温控器116在预设温度的基础上减温(即修正温度小于预设温度)，减温幅度在0～20℃之间，使外延片整体波长保持前后一致。
以下结合LED制备流程图及其结构图进一步详述本发明提供的改善LED发光波长的方法及其装置，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。
请参考图11、图12，首先，进行步骤S1，提供一衬底110并置于载片盘108上。所述衬底110的材料可以为蓝宝石衬底、GaN衬底、硅衬底或碳化硅衬底，衬底110尺寸为二寸、四寸或六寸。
然后，进行步骤S2，在所述衬底110上沉积缓冲层210。所述缓冲层210的材料为GaN、AlN或AlGaN，形成所述缓冲层210时载片盘108转速为400～800rpm，衬底110表面温度或载片盘108表面温度为450℃～650℃，厚度为15nm～50nm。
接着，进行步骤S3，在所述缓冲层210上沉积N型GaN层310。形成所述N型GaN层310时载片盘108转速为1000～1300rpm，衬底110表面温度或载片盘108表面温度为700℃～1200℃，厚度为1.5um～4.5um，所述N型GaN层310的硅掺杂浓度为1e18cm-3～3e19cm-3。
实际生产中，在所述缓冲层210和所述N型GaN层310之间会沉积未掺杂GaN层。形成所述未掺杂GaN层载片盘108转速为1000～1300rpm，衬底110表面温度或载片盘108表面温度为900℃～1200℃，厚度为1.5um～4.5um。
接着，进行步骤S4，在所述型N型GaN层310上沉积发光层410。所述发光层410包括在所述N型GaN层310上依次层叠的量子阱层401和量子垒层402。
形成所述量子阱层401和量子垒层402时载片盘108转速为300～500rpm，衬底110表面温度或载片盘108表面温度为700℃～1000℃。
较佳的，所述发光层410由5～18组周期层叠的量子阱层401和量子垒层402组成。所述量子阱层401厚度为2.0nm～4.0nm，所述量子垒层402厚度为3.0nm～12.0nm。
最后，进行步骤S5，在所述发光层410上沉积P型GaN层510。形成所述P型GaN层510时载片盘108的转速为400～700rpm，衬底110表面温度或载片盘108表面温度为700℃～1100℃，生长厚度为30nm～500nm，所述P型GaN层510的镁掺杂浓度为5e18cm-3～5e20cm-3。
在进行步骤S3至步骤S4任一步骤中采取本发明提供的装置获取衬底110表面温度或载片盘108表面温度、衬底110翘曲度；根据获取的衬底110翘曲度与预设衬底110翘曲度对比并对预设温度进行修正，得一修正温度；再根据获取的温度与修正温度利用PID控制使输出温度等于修正温度，从而对不同批次间LED发光波长进行控制。
沉积过程中由于不同阶段沉积温度、沉积速率和外延层厚度不同，导致衬底110在不同阶段翘曲度不同，一般情况下，当沉积温度高、沉积速率快、外延层厚度厚时衬底110翘曲更大；同时LED发光波长主要由靠近P型GaN层的量子阱层401中铟含量决定，选择获取沉积靠近N型GaN层一侧的量子阱层时的衬底110表面温度或载片盘108表面温度、衬底110翘曲度，可以更真实、精确的反映在沉积决定LED发光波长的量子阱层时的温度与翘曲，从而及时准确在沉积决定LED发光波长的量子阱层之前对沉积温度进行修正，更好的使前后批次间LED发光波长保持一致。
综上，本发明利用不同批次间衬底翘曲度的不同对预设温度进行修正，得一修正温度，再利用温控器使输出温度等于修正温度从而使前后批次制得的LED外延片发光波长保持一致，避免了来料不稳所产生的产品规格参数波动，提高了产品良率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取一温度，该温度为载片盘表面温度或衬底表面温度；
获取衬底翘曲度；
根据获取的衬底翘曲度与预设衬底翘曲度对比并对预设温度进行修正，得一修正温度；
根据获取的温度与修正温度利用PID控制使输出温度等于修正温度。
2.如权利要求1所述的一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，当获取的温度为载片盘表面温度时，若获取的衬底翘曲度大于预设衬底翘曲度，修正温度小于预设温度。
3.如权利要求1所述的一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，当获取的温度为衬底表面温度且为衬底表面中心温度时，若获取的衬底翘曲度大于预设衬底翘曲度，修正温度大于预设温度。
4.如权利要求1所述的一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，当获取的温度为衬底表面温度且为衬底表面边缘温度时，若获取的衬底翘曲度大于预设衬底翘曲度，修正温度小于预设温度。
5.如权利要求2至4任一所述的一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，所述修正温度小于或大于预设温度0～20℃。
6.如权利要求1所述的一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，所述温度为沉积量子阱层时载片盘表面温度或衬底表面温度，所述衬底翘曲度为沉积量子阱层时衬底翘曲度。
7.如权利要求6所述的一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，获取所述载片盘表面温度或衬底表面温度与获取所述衬底翘曲度为同时获取的同一量子阱层的载片盘表面温度或衬底表面温度与衬底翘曲度。
8.如权利要求6或7所述的一种改善LED发光波长的方法，其特征在于，所述量子阱层为靠近N型GaN层一侧的量子阱层。
9.一种改善LED发光波长的装置，其特征在于，包括：温度探测模块，翘曲探测模块，加热模块，温控器；所述温度探测模块、翘曲探测模块、加热模块分别与所述温控器连接；
所述温度探测模块用于探测载片盘表面温度和/或衬底表面温度；
所述翘曲探测模块用于探测衬底翘曲度；
所述加热模块用于输出温度并对载片盘加热；
所述温控器根据所述翘曲探测模块探测的衬底翘曲度与预设衬底翘曲度对比并对预设温度进行修正，得一修正温度，再根据所述温度探测模块探测的温度与所述修正温度利用PID控制使所述加热模块输出温度等于修正温度。
10.如权利要求9所述的一种改善LED发光波长的装置，其特征在于，所述翘曲探测模块包括激光发射模块和与所述激光发射模块连接并与激光发射模块具有固定位置关系的激光接收模块，所述激光接收模块与所述温控器连接。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109545911A (zh) * 2018-11-09 2019-03-29 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管的外延片的制备方法
CN113741590A (zh) * 2021-09-09 2021-12-03 江苏奥雷光电有限公司 一种硅光微环波长标定和锁定控制方法
CN116497443A (zh) * 2023-06-29 2023-07-28 江西兆驰半导体有限公司 一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102044A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Nissan Motor Co Ltd エピタキシヤル成長装置
US7957827B2 (en) * 2007-12-27 2011-06-07 United Microelectronics Corp. Method of controlling statuses of wafers
CN103943731A (zh) * 2013-01-23 2014-07-23 同方光电科技有限公司 一种提高氮化物led外延片发射波长均匀性的生长方法
CN107170696A (zh) * 2017-04-21 2017-09-15 青岛杰生电气有限公司 晶圆生长控制装置和方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102044A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Nissan Motor Co Ltd エピタキシヤル成長装置
US7957827B2 (en) * 2007-12-27 2011-06-07 United Microelectronics Corp. Method of controlling statuses of wafers
CN103943731A (zh) * 2013-01-23 2014-07-23 同方光电科技有限公司 一种提高氮化物led外延片发射波长均匀性的生长方法
CN107170696A (zh) * 2017-04-21 2017-09-15 青岛杰生电气有限公司 晶圆生长控制装置和方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109545911A (zh) * 2018-11-09 2019-03-29 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管的外延片的制备方法
CN109545911B (zh) * 2018-11-09 2020-04-14 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管的外延片的制备方法
CN113741590A (zh) * 2021-09-09 2021-12-03 江苏奥雷光电有限公司 一种硅光微环波长标定和锁定控制方法
CN116497443A (zh) * 2023-06-29 2023-07-28 江西兆驰半导体有限公司 一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片
CN116497443B (zh) * 2023-06-29 2023-09-05 江西兆驰半导体有限公司 一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片

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