CN108268174A - 触摸屏的制造工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了触摸屏的制造工艺，包括如下步骤：在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极、在ITO薄膜上设置整面绝缘层和在ITO薄膜上设置银胶层；其中，X电极和Y电极之间相互绝缘，X电极在X轴方向上保持连续，Y电极在与X电极交叉的区域断开；整面绝缘层上对应各Y电极的断开区域的两侧设有用于露出Y电极的开孔；银胶层包括多条搭桥线和多条边缘走线，搭桥线与Y电极的断开区域一一对应；搭桥线位于整面绝缘层上，且延伸至开孔内并导通相应断开区域两侧的Y电极。同步制作出用于连接断开区域两侧的Y电极的搭桥线和用于将X电极或Y电极连接至IC控制器的边缘走线，简化了工序，无需单独制作搭桥绝缘和搭桥银胶，大大地提高了生产效率。

Description

触摸屏的制造工艺

技术领域

本发明属于触摸屏领域，具体涉及触摸屏的制造工艺。

背景技术

电容触摸屏是利用人体的感应电流进行工作的，当手指触摸到屏幕上的某个点时，触摸屏的触控IC控制器需要获得该点分别在X轴方向和Y方向的电流信息，以精确计算触摸点的位置。常用的电容触摸屏，一般是采用两层结构的ITO电极，分别作为X轴方向的电极和Y轴方向的电极，所述的两层ITO电极分别沉积在两片基材上，再将两片基材用光学胶粘合，再将上层基材用光学胶与玻璃盖板粘接，这样X轴方向和Y轴方向的ITO电极分别在各自的层上工作。由于使用两层ITO导电材料、两层光学胶制作触摸屏，工艺繁琐，触摸屏的厚度高；导电用跳线线宽较大，跳线不可避免会在显示区域内显示，影响触摸屏显示效果。

若在单层导电薄膜上设置X电极和Y电极，并通过搭桥银胶连接断开的电极，会先在ITO薄膜上制作搭桥绝缘，待搭桥绝缘固化后，再进行搭桥银胶印刷、预干、曝光和显影，检验合格后，再印刷边缘走线银胶和边缘走线区域绝缘，工序多，生产效率相对较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种触摸屏的制造工艺，以解决现有技术中存的生产效率低的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明触摸屏的制造工艺采用的技术方案是：

触摸屏的制造工艺，包括如下步骤：

在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极；所述X电极和所述Y电极之间相互绝缘，所述X电极沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，所述Y电极沿Y轴方向延伸并在与所述X电极交叉的区域断开；

还包括如下步骤：

在所述ITO薄膜上设置整面绝缘层；所述整面绝缘层上对应各所述Y电极的断开区域的两侧设有用于露出所述Y电极的开孔；

在所述ITO薄膜上设置银胶层；所述银胶层包括多条搭桥线和多条边缘走线，所述搭桥线与所述Y电极的断开区域一一对应；所述搭桥线位于所述整面绝缘层上，且延伸至所述开孔内并导通相应断开区域两侧的所述Y电极；一部分所述边缘走线一一连接所述X电极，另一部分所述边缘走线一一连接所述Y电极，并位于所述ITO薄膜的边缘区域。

进一步地，在所述ITO薄膜上设置所述整面绝缘层的步骤包括：

在所述ITO薄膜上印刷整面绝缘胶；

烘烤所述整面绝缘胶。

进一步地，烘烤所述整面绝缘胶的温度为140±3℃，时间为60±2min。

进一步地，在所述ITO薄膜上设置所述银胶层的步骤包括：

在所述ITO薄膜上印刷银胶，并对所述银胶进行IR预干、曝光、显影和烘烤。

进一步地，在所述ITO薄膜上印刷银胶的刮刀硬度为85±1°，刮刀角度为20±5°，回墨刀角度为0±5°，离版高度为2.5±0.5mm，抬版量为2±1mm，刮刀压力为30±10Kgf/MPa，刮刀速度为150±20mm/s，回墨刀压力为10±5Kgf/MPa，回墨刀速度为180±20mm/s。

进一步地，对所述银胶进行IR预干的温度为110±3℃，速度为3.5±0.2m/min，恒温时间为3.5±0.5min。

进一步地，对所述银胶进行烘烤的温度为140±3℃，时间为60±2min。

进一步地，各所述搭桥线包括一根主桥线、多根第一分桥线和多根第二分桥线，位于所述断开区域的一侧的开孔与所述第一分桥线一一对应，位于所述断开区域的另一侧的开孔与所述第二分桥线一一对应；所述主桥线位于所述整面绝缘层上，且所述主桥线的两端在所述ITO薄膜上投影位于断开区域的两侧的所述Y电极上；多根所述第一分桥线的一端连接于所述主桥线的一端，另一端各自伸入一个所述开孔并连接位于所述断开区域的一侧的所述Y电极；多根所述第二分桥线的一端连接于所述主桥线的另一端，另一端各自伸入一个所述开孔并连接位于所述断开区域的另一侧的所述Y电极。

进一步地，还包括在所述ITO薄膜上设置所述银胶层后进行的如下步骤：

在所述ITO薄膜上印刷覆盖所述边缘走线的线路绝缘胶，烘烤所述线路绝缘胶；

在所述ITO薄膜的导电侧贴保护膜。

进一步地，所述ITO薄膜包括PET基材和设于所述PET基材上表面的ITO涂层；在所述ITO薄膜上蚀刻出多条所述X电极和多条所述Y电极的步骤为：

对所述ITO薄膜进行缩水老化处理，直至所述PET基材和所述ITO涂层完全结晶；

在所述ITO薄膜上贴合干膜，所述干膜覆盖所述ITO涂层，静止15min以上；

根据所述X电极和所述Y电极的形状对所述干膜进行紫外曝光，静止15min以上；

对紫外曝光后的所述干膜进行显影，发生反应的干膜对所述ITO涂层进行保护；

利用蚀刻液蚀刻掉不受所述干膜保护的所述ITO涂层；

剥离发生反应的所述干膜。

本发明提供的触摸屏的制造工艺的有益效果在于：在设有X电极和Y电极的ITO薄膜上直接设置整面绝缘层，且设置整面绝缘层时预留出开孔，通过开孔限定搭桥点位置，再设置银胶层，同时制作出用于连接断开区域两侧的Y电极的搭桥线和用于将X电极或Y电极连接至IC控制器的边缘走线，简化了工序，无需单独制作搭桥绝缘和搭桥银胶，大大地提高了生产效率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的触摸屏的制造工艺的流程图一；

图2为本发明实施例提供的触摸屏的制造工艺的流程图二；

图3为本发明实施例提供的触摸屏的截面图；

图4为本发明实施例提供的触摸屏的搭桥相关结构的截面图；

图5为图4的搭桥线的结构示意图；

其中：1-ITO薄膜；11-X电极；12-Y电极；2-整面绝缘层；3-搭桥线；31-主桥线；32-第一分桥线；33-第二分桥线；4-边缘走线；5-OCA；6-OLED；7-Lens

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请一并参阅图1、图3和图4，现对本发明提供的触摸屏的制造工艺进行说明。触摸屏的制造工艺，包括依次进行的如下步骤：

在ITO薄膜1上蚀刻出多条X电极11和多条Y电极12；

在ITO薄膜1上设置整面绝缘层2；以及

在ITO薄膜1上设置银胶层；

其中，X电极11和Y电极12之间相互绝缘，X电极11沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，Y电极12沿Y轴方向延伸并在与X电极11交叉的区域断开；整面绝缘层2上对应各Y电极12的断开区域的两侧设有用于露出Y电极12的开孔；银胶层包括多条搭桥线3和多条边缘走线4，搭桥线3与Y电极12的断开区域一一对应；搭桥线3位于整面绝缘层2上，且延伸至开孔内并导通相应断开区域两侧的Y电极12；一部分边缘走线4一一连接X电极11，另一部分边缘走线4一一连接Y电极12，并位于ITO薄膜1的边缘区域。

本发明提供的触摸屏的制造工艺，与现有技术相比，在设有X电极11和Y电极12的ITO薄膜1上直接设置整面绝缘层2，且设置整面绝缘层2时预留出开孔，通过开孔限定搭桥点位置，再设置银胶层，同时制作出用于连接断开区域两侧的Y电极12的搭桥线3和用于将X电极11或Y电极12连接至IC控制器的边缘走线4，简化了工序，无需单独制作搭桥绝缘和搭桥银胶，大大地提高了生产效率。

进一步地，请参阅图1，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，ITO薄膜1包括PET基材和设于PET基材上表面的ITO涂层；在ITO薄膜1上蚀刻出多条X电极11和多条Y电极12的步骤为：

对ITO薄膜1进行缩水老化处理，直至PET基材和ITO涂层完全结晶；

在ITO薄膜1上贴合干膜，干膜覆盖ITO涂层，静止15min以上；

根据X电极11和Y电极12的形状对干膜进行紫外曝光，静止15min以上；

对紫外曝光后的干膜进行显影，发生反应的干膜对ITO涂层进行保护；

利用蚀刻液蚀刻掉不受干膜保护的ITO涂层；

剥离发生反应的干膜。

利用干膜的影像转移功能，在ITO薄膜1上同步完成导电电极(包括X电极11和Y电极12)蚀刻，工艺简单，保证导电电极的精度，提高良品率。ITO薄膜1的基材为PET(即聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜，在较宽的温度范围内具有优良的物理机械性能，长期使用温度可达120℃，电绝缘性优良，抗蠕变性、耐疲劳性、耐摩擦性及尺寸稳定性都很好，适合作为触摸屏结构的基材，能保证触摸屏工作性能的稳定。

进一步地，请参阅图1，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，在ITO薄膜1上设置整面绝缘层2的步骤包括：

在ITO薄膜1上印刷整面绝缘胶；

烘烤整面绝缘胶。

印刷整面绝缘胶到ITO薄膜1上后，烘烤整面绝缘胶得到整面绝缘层2，减少了绝缘预干和曝光显影工序，提高了生产效率；整面绝缘层2通过印刷和烘烤设置到ITO薄膜1上，易于控制整面绝缘层2的覆盖区域，印刷时压力小，有利于保护ITO薄膜1，印刷工艺形成的整面绝缘层2对ITO薄膜1的附着力强。

进一步地，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，烘烤整面绝缘胶的温度为140±3℃，时间为60±2min；既保证整面绝缘胶的完全固化，小分子的有效去除，又避免整面绝缘胶老化。

进一步地，请参阅图1，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，在ITO薄膜1上设置银胶层的步骤包括：

在ITO薄膜1上印刷银胶，并对银胶进行IR预干、曝光、显影和烘烤。

通过印刷工艺能够将银胶印刷于ITO薄膜1上，再进行IR预干(即红外预干)，使银胶层初步成型，再经曝光、显影，去除部分银胶，仅保留用于形成搭桥线3和边缘走线4的银胶，再经过烘烤，使用于形成搭桥线3和边缘走线4的银胶进一步固化，即可得到牢牢附着在ITO薄膜1上的搭桥线3和边缘走线4，能够提高搭桥线3连接相应断开区域两侧的Y电极12的可靠性，提高边缘走线4将X电极11或Y电极12连接于IC控制器的可靠性，得到既具有良好的结构稳定性，又能够灵敏的反馈信号，又具有良好显示效果的触摸屏；通过印刷、IR预干、曝光、显影和烘烤工艺，同步形成边缘走线4和搭桥线3，工艺简单，保证搭桥线3和边缘走线4的方位、尺寸精度，提高良品率。

进一步地，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，在ITO薄膜1上印刷银胶的刮刀硬度为85±1°，刮刀角度为20±5°，回墨刀角度为0±5°，离版高度为2.5±0.5mm，抬版量为2±1mm，刮刀压力为30±10Kgf/MPa，刮刀速度为150±20mm/s，回墨刀压力为10±5Kgf/MPa，回墨刀速度为180±20mm/s。

既利于缩短印刷银胶的时间、提高用于形成搭桥线3和边缘走线4的银胶的厚度均匀性，避免出现气泡、分层等现象影响结构稳定性，又避免在开孔处连接Y电极12时因整面绝缘层2的开孔梯度而出现银胶断线的现象，保证搭桥线3可靠连接Y电极12，又有利于保证银胶层与ITO薄膜1或绝缘层的贴合，提高银胶层与绝缘层之间和与ITO薄膜1之间的附着力，保证触摸屏的结构稳定性、反馈信号灵敏度和良好显示效果。

进一步地，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，IR预干的温度为110±3℃，速度为3.5±0.2m/min，恒温时间为3.5±0.5min；既能够初步成型银胶，稳定银胶的形状，又避免银胶完全固化，有利于缩短后续银胶曝光的时间，保证银胶显影顺利进行。

进一步地，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，对银胶进行烘烤的温度为140±3℃，时间为60±2min；能够保证银胶的完全固化及小分子的有效去除，避免银胶老化

进一步地，请一并参阅图4和图5，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，各搭桥线3包括一根主桥线31、多根第一分桥线32和多根第二分桥线33，位于断开区域的一侧的开孔与第一分桥线32一一对应，位于断开区域的另一侧的开孔与第二分桥线33一一对应；主桥线31位于整面绝缘层2上，且主桥线31的两端在ITO薄膜1上投影位于断开区域的两侧的Y电极12上；多根第一分桥线32的一端连接于主桥线31的一端，另一端各自伸入一个开孔并连接位于断开区域的一侧的Y电极12；多根第二分桥线33的一端连接于主桥线31的另一端，另一端各自伸入一个开孔并连接位于断开区域的另一侧的Y电极12。如此，既避免搭桥线3干扰显示，又有利于减少接触电阻，保证Y电极12的良好导电能力，提高IC控制器检测电流信息的精度，触控灵敏。当整面绝缘层2通过印刷工艺设置，银胶层通过印刷工艺设置时，如此设置的搭桥线3还能增加银胶层与Y电极12及银胶层与整面绝缘层2的粘接面积，银胶层能够更好地附着在ITO薄膜1及整面绝缘层2上，使得触摸屏具有更好的结构稳定性。

具体地，请参阅图5，各搭桥线3包括一根主桥线31、三根第一分桥线32和三根第二分桥线33，主桥线31的一端与三根第一分桥线32组成“十字”形，主桥线31的另一端与三根第二分桥线33组成“十字”形，更好地避免搭桥线3干扰显示。

进一步地，请参阅图1，作为本发明提供的触摸屏的制造工艺的一种具体实施方式，还包括在ITO薄膜1上设置银胶层后进行的如下步骤：

在ITO薄膜1上印刷覆盖边缘走线4的线路绝缘胶，烘烤线路绝缘胶，得到线路绝缘层，能够保护位于ITO薄膜1的边缘区域的边缘走线4；

在ITO薄膜1的导电侧贴保护膜，能够保护ITO薄膜1的导电侧，能够对导电面进行防尘。

具体地，请一并参阅图2和图3，经过在ITO薄膜1上蚀刻出多条X电极11和多条Y电极12、在ITO薄膜1上设置整面绝缘层2、在ITO薄膜1上设置银胶层、在ITO薄膜1上印刷覆盖边缘走线4的线路绝缘胶和在ITO薄膜1的导电侧贴保护膜，得到触摸屏的核心触控组件，再设置PLO(偏光片)、Sensor(传感器)，绑定FPC(柔性电路板)，通过组合OCA 5(光学胶)、TP(触摸屏)和3D Lens7(透镜)，再贴合TP器件和OLED 6，再贴保护膜、贴泡棉，即可将合格产品包装入库，等待出货。图2示出了本发明优选的触摸屏的制造工艺，图2中的100级、1000级、10000级和普通房是指无尘室等级。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.触摸屏的制造工艺，包括如下步骤：

在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极；所述X电极和所述Y电极之间相互绝缘，所述X电极沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，所述Y电极沿Y轴方向延伸并在与所述X电极交叉的区域断开；

其特征在于，还包括如下步骤：

在所述ITO薄膜上设置整面绝缘层；所述整面绝缘层上对应各所述Y电极的断开区域的两侧设有用于露出所述Y电极的开孔；

在所述ITO薄膜上设置银胶层；所述银胶层包括多条搭桥线和多条边缘走线，所述搭桥线与所述Y电极的断开区域一一对应；所述搭桥线位于所述整面绝缘层上，且延伸至所述开孔内并导通相应断开区域两侧的所述Y电极；一部分所述边缘走线一一连接所述X电极，另一部分所述边缘走线一一连接所述Y电极，并位于所述ITO薄膜的边缘区域。

2.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上设置所述整面绝缘层的步骤包括：

在所述ITO薄膜上印刷整面绝缘胶；

烘烤所述整面绝缘胶。

3.根据权利要求2所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，烘烤所述整面绝缘胶的温度为140±3℃，时间为60±2min。

4.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上设置所述银胶层的步骤包括：

在所述ITO薄膜上印刷银胶，并对所述银胶进行IR预干、曝光、显影和烘烤。

5.根据权利要求4所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上印刷银胶的刮刀硬度为85±1°，刮刀角度为20±5°，回墨刀角度为0±5°，离版高度为2.5±0.5mm，抬版量为2±1mm，刮刀压力为30±10Kgf/MPa，刮刀速度为150±20mm/s，回墨刀压力为10±5Kgf/MPa，回墨刀速度为180±20mm/s。

6.根据权利要求4所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，对所述银胶进行IR预干的温度为110±3℃，速度为3.5±0.2m/min，恒温时间为3.5±0.5min。

7.根据权利要求4所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，对所述银胶进行烘烤的温度为140±3℃，时间为60±2min。

8.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，各所述搭桥线包括一根主桥线、多根第一分桥线和多根第二分桥线，位于所述断开区域的一侧的开孔与所述第一分桥线一一对应，位于所述断开区域的另一侧的开孔与所述第二分桥线一一对应；所述主桥线位于所述整面绝缘层上，且所述主桥线的两端在所述ITO薄膜上投影位于断开区域的两侧的所述Y电极上；多根所述第一分桥线的一端连接于所述主桥线的一端，另一端各自伸入一个所述开孔并连接位于所述断开区域的一侧的所述Y电极；多根所述第二分桥线的一端连接于所述主桥线的另一端，另一端各自伸入一个所述开孔并连接位于所述断开区域的另一侧的所述Y电极。

9.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，还包括在所述ITO薄膜上设置所述银胶层后进行的如下步骤：

在所述ITO薄膜上印刷覆盖所述边缘走线的线路绝缘胶，烘烤所述线路绝缘胶；

在所述ITO薄膜的导电侧贴保护膜。

10.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，所述ITO薄膜包括PET基材和设于所述PET基材上表面的ITO涂层；在所述ITO薄膜上蚀刻出多条所述X电极和多条所述Y电极的步骤为：

对所述ITO薄膜进行缩水老化处理，直至所述PET基材和所述ITO涂层完全结晶；

在所述ITO薄膜上贴合干膜，所述干膜覆盖所述ITO涂层，静止15min以上；

根据所述X电极和所述Y电极的形状对所述干膜进行紫外曝光，静止15min以上；

对紫外曝光后的所述干膜进行显影，发生反应的干膜对所述ITO涂层进行保护；

利用蚀刻液蚀刻掉不受所述干膜保护的所述ITO涂层；

剥离发生反应的所述干膜。