CN108257909B - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示设备及其制造方法，在所述种显示设备中，阴极与有机发光层不分离。一种用于制造显示设备的方法包括以下步骤：在第一基板上的显示区域上形成像素；形成用于覆盖所述显示区域的封装膜；将保护膜附接到所述封装膜上；以及去除所述保护膜。此时，所述保护膜包括基底层和形成在所述基底层的至少一侧的边缘区域处的第一粘附层。

Description

显示设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示设备及其制造方法。
背景技术
随着信息时代的发展，对显示图像的显示设备的需求已经以各种形式增加。因此，已经使用了诸如液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)设备和有机发光显示(OLED)设备的各种显示设备。
在显示设备当中，有机发光显示设备是自发光设备，并且具有比液晶显示设备的视角和对比度更优异的优点。此外，由于有机发光显示设备不需要单独的背光，因此有机发光显示设备具有轻薄且功耗低的优点。此外，有机发光显示设备具有可以在低直流电压下驱动、具有快速响应速度、并且尤其具有低制造成本的优点。
有机发光显示设备包括像素，各个像素包括有机发光二极管以及划分像素以限定像素的堤岸。堤岸可以作为像素限定膜。有机发光二极管包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极。在这种情况下，如果向阳极施加高电位电压并且向阴极施加低电位电压，则空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层并且在有机发光层中彼此复合以发光。
有机发光二极管存在的问题在于有机发光二极管可能由于诸如外部H2O和O2的外部因素而劣化。为了防止发生这样的问题，有机发光器件包括形成为防止外部H2O和O2渗透到有机发光二极管中的封装膜。
图1是简要示出现有技术的显示设备的截面图。
参照图1，在现有技术的显示设备中，在设置有有机发光二极管层20的基板10上形成封装层30。此时，封装层30防止O2或H2O渗透到有机发光层和电极中。
通常，不会连续地执行用于制造显示设备的处理。例如，有机发光二极管层20和封装层30可以通过连续处理形成在第一基板10上。然后，可以移动设置有有机发光二极管层20和封装层30的基板10以执行后续处理。此时，为了防止有机发光二极管层20和封装层30被损坏，如图1所示，在保护膜40附接到第一基板10的状态下，第一基板10移动到执行后续处理的位置。然后，在从第一基板10去除保护膜40之后执行后续处理。
保护膜40包括基底层42和粘附层44。粘附层44沉积在基底层42的整个表面上以覆盖封装层30的整个表面。此时，封装层30与粘附层44之间的粘附力大于有机发光二极管层20的有机发光层与阴极之间的粘附力，因此当从第一基板10去除保护膜40时，存在阴极与有机发光层分离的问题。由于在阴极与有机发光层分离的区域中不能正常发光，所以出现了显示设备的缺陷。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的显示设备及其制造方法。
本发明的一个优点是提供一种阴极与有机发光层不分离的显示设备及其制造方法。
本发明的其它优点和特征部分将在下面的描述中阐述，并且部分对于本领域普通技术人员而言在查阅下文之后将变得显而易见或者可从本发明的实践而得知。本发明的目的和其它优点可通过在说明书、权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如本文具体表达和广泛描述的，根据本发明的一个实施方式的制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：在第一基板上的显示区域上形成像素；形成用于覆盖所述显示区域的封装膜；将保护膜附接到所述封装膜上；以及去除所述保护膜。此时，所述保护膜包括基底层和形成在所述基底层的至少一侧的边缘区域处的第一粘附层。
在本发明的另一方面，根据本发明的另一个实施方式的显示设备包括：基板，所述基板包括上面布置有像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；以及保护膜，所述保护膜粘附到所述基板上。此时，所述保护膜包括基底层和形成在所述基底层的至少一侧的边缘区域处的第一粘附层。
应当理解，本发明的以上总体描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是简要示出现有技术的显示设备的截面图；
图2是示出根据本发明的一个实施方式的显示设备的立体图；
图3是示出图2的第一基板、源驱动IC(source drive IC)、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图；
图4是简要示出根据本发明的第一实施方式的第一基板的截面图；
图5是简要示出根据本发明的第一实施方式的第一基板的平面图；
图6是示出图5的显示区域中的像素的示例的截面图；
图7是沿着图5所示的线II-II'的截面图；
图8是沿着图5所示的线III-III'的截面图；
图9是示出图5的变形实施方式的平面图；
图10是示出图5的另一变型实施方式的平面图；
图11是简要示出根据本发明的第二实施方式的第一基板的截面图；
图12是简要示出根据本发明的第二实施方式的第一基板的平面图；
图13是沿着图12所示的线IV-IV'的截面图；
图14是示出图12的变形实施方式的平面图；
图15是示出根据本发明的第一实施方式的显示设备的制造方法的流程图；以及
图16A、图16B、图16C、图16D和图16E是示出根据本发明的第一实施方式的显示设备的制造方法的截面图。
具体实施方式
通过参照附图描述的以下实施方式，将阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，而不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。此外，本发明仅由权利要求的范围限定。
在附图中公开的用于描述本发明的实施方式的形状、尺寸、比例、角度和标记仅仅是示例，因此，本发明不限于所示的细节。在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。在下面的描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述会不必要地使本发明的重点不清楚时，将省略详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部分，除非使用了“仅～”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非另有相反说明。
在对元件进行解释时，尽管没有明确的描述，但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……之上”、“在……上方”、“在……之下”和“在……旁边”时，一个或更多个部分可以被布置在两个其它部分，除非使用了“刚好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……后”、“在……随后”、“在……之后”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了“刚好”或“直接”。
应当理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不脱离本发明的范围。
“X-轴方向”、“Y-轴方向”和“Z-轴方向”不应由仅为相互垂直关系的几何关系来解释，而是在本发明的元件在功能上可起作用的范围内可以具有更广泛的方向性。
术语“至少一个”应理解为包括一个或更多个相关列出项中的任何一个和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项的两个或更多个项中提出的所有项的组合，以及第一项、第二项或第三项。
本发明的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此联接或组合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样以各种方式相互操作且在技术上驱动。本发明的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以共同依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。
图2是示出本发明的一个实施方式的显示设备的立体图，并且图3是示出图2的第一基板、源驱动IC、柔性膜、电路板和定时控制器的平面图。在下文中，将描述的根据本发明的一个实施方式的显示设备是(但不限于)有机发光显示设备。也就是说，根据本发明的一个实施方式的显示设备可以实现为液晶显示设备、场发射显示设备和电泳显示设备中的任一种。
参照图2和图3，根据本发明的一个实施方式的显示设备100包括显示面板110、源驱动集成电路(以下称为“IC”)140、柔性膜150、电路板160和定时控制器170。
显示面板110包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜或玻璃基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。
选通线、数据线和像素形成在第一基板111的面向第二基板112的一个表面上。像素设置在由选通线和数据线的交叉结构限定的区域中。
各个像素可以包括有机发光二极管、所述有机发光二极管包括薄膜晶体管、第一电极、有机发光层和第二电极。如果通过使用薄膜晶体管从选通线输入选通信号，则各个像素根据数据线的数据电压向有机发光二极管提供预定电流。为此，各个像素的有机发二极管可以根据预定电流以预定亮度发光。稍后将参照图5和图6来描述各个像素的结构。
显示面板110可以被分类为形成像素来显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA，如图3所示。可以在显示区域DA上形成选通线、数据线和像素。可以在非显示区域NDA上形成选通驱动器和焊盘。
选通驱动器根据从定时控制器170输入的选通控制信号向选通线提供选通信号。选通驱动器20可以以面板(GIP)模式形成在显示面板110的显示区域DA的一侧或两侧外的非显示区域NDA上。另选地，选通驱动器可以由驱动芯片制成，该驱动芯片封装在柔性膜中并且以带式自动焊接(TAB)模式附接到显示面板110的一侧或两侧外的非显示区域NDA。
源驱动IC 140从定时控制器170接收数字视频数据和源控制信号(sourcecontrol signal)。源驱动IC 140根据源控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且将模拟数据电压提供给数据线。如果源驱动IC 140由驱动芯片制成，则源驱动IC 140可以以膜上芯片(COF：chip on film)模式或塑料上芯片(COP:chip on plastic)模式被封装在柔性膜150中。
诸如数据焊盘的焊盘可以形成在显示面板110的非显示区域NDA上。将焊盘与源驱动IC 140连接的线和将焊盘与电路板160的线连接的线可以形成在柔性膜150中。柔性膜150可以通过非均质导电膜附接到焊盘上，由此焊盘可以与柔性膜150的线连接。
电路板160可以附接到柔性膜150。包括驱动芯片的多个电路可以封装在电路板160中。例如，定时控制器170可以封装在电路板160中。电路板160可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器170通过线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器170基于定时信号产生用于控制选通驱动器的操作定时的选通控制信号和用于控制源驱动IC 140的源控制信号。定时控制器170将选通控制信号提供给选通驱动器，并且将源控制信号提供给源驱动IC 140。
第一实施方式
图4是简要示出根据本发明的第一实施方式的第一基板的截面图。
图4中示出了在结合到第二基板112之前移动到执行后续处理的位置的第一基板111。根据本发明的一个实施方式的第一基板111设置有形成在一个表面上的薄膜晶体管层210、有机发光二极管层220、封装层230和保护膜240。
第一基板111可以是塑料膜或玻璃基板。
薄膜晶体管层210形成在第一基板111上。薄膜晶体管层210可以包括扫描线、数据线和薄膜晶体管。每个薄膜晶体管包括栅极、半导体层以及源极和漏极。
有机发光二极管层220形成在薄膜晶体管层210上。有机发光二极管层220包括第一电极、有机发光层、第二电极和堤岸。有机发光层中的每一个可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。在这种情况下，如果向第二电极和第一电极中的每一个电极施加电压，则空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且在有机发光层中彼此复合以发光。由于在形成有机发光二极管层220的区域中设置像素，所以可以将形成有机发光二极管层220的区域定义为显示区域。显示区域的外围区域可以被定义为非显示区域。
封装层230形成在有机发光二极管层220上。封装层230用于防止O2或H2O渗透到有机发光二极管层220中。封装层230可包括至少一种无机膜。
保护膜240形成在封装层230上。保护膜240包括基底层242和粘附层244。保护膜240用于防止颗粒渗透到形成在第一基板111上的薄膜晶体管层210、有机发光二极管层220和封装层230中，或者防止薄膜晶体管层210、有机发光二极管层220和封装层230在第一基板111移动以执行后续处理时被损坏。在第一基板111移动到执行后续处理的位置之前，将保护膜240附接到封装层230上，并且然后在执行后续处理之前与封装层230分离。
在下文中，将参照图5至图14来描述根据本发明的第一实施方式的保护膜240的结构。
图5是简要示出根据本发明的第一实施方式的第一基板的平面图。
参照图5，第一基板111被分类为显示区域DA和非显示区域NDA，其中可以在非显示区域NDA上形成焊盘区域PA，焊盘形成在所述焊盘区域PA中。
用于显示图像的像素P形成在显示区域DA上。各个像素可以包括含有薄膜晶体管、第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管。如果通过使用薄膜晶体管从选通线输入选通信号，则各个像素根据数据线的数据电压向有机发光二极管提供预定电流。为此，各个像素的有机发光二极管可以根据预定电流以预定亮度发光。
在下文中，将参照图6详细描述根据本发明的实施方式的显示区域DA的各个像素P的结构。
图6是示出图5的显示区域中的像素的示例的截面图。
参照图6，薄膜晶体管层210形成在第一基板111的一个表面上。此时，薄膜晶体管层210包括薄膜晶体管310和电容器320。
更详细地说，可以在第一基板111上形成缓冲膜，以保护薄膜晶体管310免受通过易透湿的第一基板111渗透的H2O的影响。
薄膜晶体管310中的每一个包括有源层311、栅极312、源极313和漏极314。尽管薄膜晶体管310按照栅极312布置在有源层311上方的方式以顶栅模式形成，如图6所示，但是应当理解，本发明的薄膜晶体管不限于顶栅模式。也就是说，薄膜晶体管310可以按照栅极电极312布置在有源层311下方的底栅模式或者以栅极312布置在有源层311上方和下方的双栅模式形成。
有源层311形成在第一基板111的缓冲膜上。有源层311可以由硅类半导体材料或氧化物类半导体材料形成。用于遮挡进入有源层311的外部光的遮光层可以形成在第一基板111上。
栅绝缘膜330可以形成在有源层311上。栅绝缘膜330可以由无机膜形成，例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
栅极312可以形成在栅绝缘膜330上。栅极312可以是但不限于由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金所构成的单层或多层。
层间电介质层340可以形成在栅极312上。层间电介质层340可以由无机膜形成，例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
源极313和漏极314可以形成在层间电介质层340上。源极313和漏极314中的每一个可以通过穿透栅绝缘膜330和层间电介质层340的接触孔CH1和CH2连接到有源层311。源极313和漏极314中的每一个可以是但不限于由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金所构成的单层或多层。
每一个电容器320包括下电极321和上电极322。下电极321形成在栅绝缘膜330上，并且可以由与栅极312相同的材料形成。上电极322形成在层间电介质层340上，并且可以由与源极313和漏极324相同的材料形成。
钝化膜350可以形成在薄膜晶体管310和电容器320上。钝化膜350可以用作绝缘膜。钝化膜350可以由无机膜形成，例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
有机发光二极管层220形成在薄膜晶体管层210上。此时，有机发光二极管层220包括有机发光二极管380。
更详细地说，可以在钝化膜350上形成用于使由于薄膜晶体管310和电容器320引起的阶梯差平整的平整膜360。平整膜360可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。
有机发光二极管380和堤岸384形成在平整膜360上。有机发光二极管380包括第一电极381、有机发光层382和第二电极383。第一电极381可以是阳极，第二电极383可以是阴极。可以将第一电极381、有机发光层382和第二电极383沉积的区域定义为发光区(EA)。
第一电极381可以形成在平整膜360上。第一电极381经由穿透钝化膜350和平整膜360的接触孔CH3连接到薄膜晶体管310的漏极314。第一电极381可以由具有高反射率的金属材料形成，诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是Ag，Pd和Cu的合金。
堤岸384可以形成在平整膜360上以覆盖第一电极381的边缘，从而划分发光区EA。堤岸384可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。
有机发光层382形成在第一电极381和堤岸384上。有机发光层382可以包括空穴传输层、至少一个发光层以及电子传输层。在这种情况下，如果向第一电极381和第二电极383施加电压，则空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且在发光层中彼此复合以发光。
有机发光层382可以由发射白光的白色发光层组成。在这种情况下，有机发光层382可以形成为覆盖第一电极381和堤岸384。在这种情况下，可以在第二基板112上形成滤色器(未示出)。
另选地，有机发光层382可以由发射红光的红色发光层、发射绿光的绿色发光层或发射蓝光的蓝色发光层组成。在这种情况下，有机发光层382可以形成在与第一电极381相对应的区域中，并且在第二基板112上可以不形成滤色器。
第二电极383形成在有机发光层382上。如果有机发光显示设备形成为顶部发射结构，则第二电极383可以由可透射光的透明导电材料(TCO)(诸如ITO和IZO)或者半透射导电材料(诸如Mg、Ag或Mg与Ag的合金)形成。可以在第二电极383上形成覆盖层。
在有机发光二极管层220上形成封装层230。此时，封装层230包括封装膜390。
更详细地说，封装膜390形成在有机发光二极管380上。封装膜390用于防止H2O或O2渗透到有机发光层382和第二电极383中。为此，封装膜390可以包括至少一种无机膜和至少一种有机膜。
例如，封装膜390可以包括第一无机膜391、第一有机膜392和第二无机膜393。在这种情况下，第一无机膜391形成为覆盖第二电极383。第一有机膜392形成在第一无机膜391上。第一有机膜392优选形成为足够的厚度，以防止颗粒穿过第一无机膜392渗透到有机发光层382和第二电极383中。第二无机膜393形成为覆盖第一有机膜392。
保护膜240形成在封装膜390上。保护膜240包括基底层242和粘附层244。基底层242仅形成在布置在像素P中的封装膜390上。在封装膜390与基底层242之间形成气隙。因此，在布置像素P的区域中，封装膜390和基底层242不彼此粘附，并且它们的粘附力接近0gf/inch(克力/英寸)。
再次参照图5，焊盘区域PA可以布置在第一基板111的一侧的边缘处。焊盘区域PA包括多个焊盘，所述多个焊盘可以通过使用非均质导电膜与柔性膜150的线电连接。
保护膜240粘附在显示区域DA和非显示区域NDA上。此时，保护膜240可以不形成在焊盘区域PA上，如图5所示。然而，本发明不限于图5的示例。在另一个实施方式中，保护膜240甚至可以形成在焊盘区域PA上，如图9和图10所示。
保护膜240包括基底层242和粘附层244。本发明的第一实施方式的特征在于，粘附层244形成在基底层242的边缘区域上，但不形成在基底层242的中心区域处。
在下文中，将参照图7和图8更详细地描述根据本发明的第一实施方式的保护膜240。
图7是沿着图5所示的线II-II'截取的截面图，并且图8是沿着图5所示的线III-III'截取的截面图。
为了便于描述，在图7和图8中将省略薄膜晶体管层210的详细元件，并且图7和图8示出了作为薄膜晶体管层210的具体元件的TFT基板300。
参照图7和图8所示，有机发光二极管380、封装膜390和保护膜240形成在TFT基板300上。
封装膜390形成为覆盖形成在显示区域DA上的有机发光二极管380，从而防止H2O和O2渗透到有机发光二极管380中。此时，封装膜390可以包括至少一种无机膜和至少一种有机膜。例如，封装膜390可以包括第一无机膜391、有机膜392和第二无机膜393。在这种情况下，第一无机膜391形成为覆盖第二电极383。有机膜392形成在第一无机膜391上，并且第二无机膜393形成为覆盖有机膜392。
第一无机膜391和第二无机膜393中的每一个可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。第一无机膜391和第二无机膜393可以通过但不限于化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法来沉积。
有机膜392可以透明地形成以透射从有机发光层382发射的光。有机膜392可以由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料形成，所述有机材料可以将从有机发光层382发射的光透射达95％以上。有机膜392可以通过但不限于使用有机物的气相沉积法、印刷法或狭缝涂布法来形成。有机膜392可以通过喷墨处理形成。
保护膜240覆盖封装膜390，以在第一基板111移动到执行后续处理的位置时保护形成在第一基板111上的有机发光二极管380和封装膜390。保护膜240甚至在非显示区域NDA以及显示区域DA上形成以覆盖封装膜390，并且可以不形成在非显示区域NDA的焊盘区域PA上，如图8所示。
保护膜240包括基底层242和粘附层244，并且基底层242和封装膜390通过粘附层244彼此粘附。
粘附层244形成在基底层242的边缘区域处，并且不形成在基底层242的中心区域处。此时，基底层242的设置有粘附层244的边缘区域与非显示区域交叠，并且可以与显示区域DA部分地交叠。然而，即使粘附层244与显示区域DA部分地交叠，粘附层244也形成为与有机发光二极管380的第二电极383不交叠。这样，由于粘附层244形成在基底层242的边缘区域处但是不形成在第二电极383上，因此形成第二电极383的区域的封装膜390不与基底层242粘附。此时，由于在封装膜390与基底层242之间形成气隙，因此封装膜390与基底层242之间的粘附力接近于0gf/inch。
另外，粘附层244与封装膜390之间的粘附力可以大于有机发光二极管380的第二电极383与有机发光层382之间的粘附力。在第一基板111移动到执行后续处理的位置时，保护膜240不应与形成有有机发光二极管380和封装膜390的第一基板111分离。为了确保这一点，粘附层244与封装膜390之间的粘附力应该大于有机发光二极管380的第二电极383与有机发光层382之间的粘附力。由于粘附层244与第二电极383不交叠，因此即使粘附层244与封装膜390之间的粘附力大于第二电极383与有机发光层382之间的粘附力，当去除保护膜240时，也不会产生第二电极383与有机发光层382之间的间隙。
在本发明的第一实施方式中，粘附层244仅形成在基底层242的边缘区域处并且形成为与第二电极383不交叠，由此当去除保护膜240时，可以防止第二电极383与有机发光层382分离。
尽管图5示出了粘附层244与显示区域DA的一部分交叠，但是本发明不限于图5的示例。在另一个实施方式中，粘附层244可以与显示区域DA不交叠。例如，如果第二电极383形成为延伸到非显示区域NDA，则粘附层244可以与显示区域DA不交叠。此时，粘附层244可以形成为与非显示区域NDA的一部分交叠，并且同时与第二电极383不交叠。
尽管图5示出了粘附层244未形成在焊盘区域PA上，但是本发明不限于图5的示例。在另一个实施方式中，粘附层244可以形成在包括如图9所示的焊盘区域的非显示区域NDA上。
另外，尽管图5示出了粘附层244形成在基底层242的四个边缘区域处，但是本发明不限于图5的示例。在另一个实施方式中，粘附层244可以仅形成在基底层242的彼此面对的两个边缘区域处，如图10所示。
第二实施方式
图11是简要示出根据本发明的第二实施方式的第一基板的截面图。
图11中示出了在结合到第二基板112之前移动到执行后续处理的位置的第一基板111。由于图11所示的薄膜晶体管层210、有机发光二极管层220和封装层230与图5至图8所示的薄膜晶体管层210、有机发光二极管层220和封装层230基本相同，因此将省略其详细说明。
保护膜240形成在封装层230上。保护膜240包括基底层242、第一粘附层244和第二粘附层246。保护膜240用于防止颗粒渗透到形成在第一基板111上的薄膜晶体管层210、有机发光二极管层220和封装层230中，或者防止薄膜晶体管层210、有机发光二极管层220和封装层230在第一基板111正在移动以执行后续处理时被损坏。保护膜240在第一基板111移动到执行后续处理的位置之前附接到封装层230上，然后在执行后续处理之前与封装层230分离。
在下文中，将参照图12和图13描述根据本发明的第二实施方式的保护膜240的结构。
图12是简要示出根据本发明的第二实施方式的第一基板的平面图。
参照图12，第一基板111被分类为显示区域DA和非显示区域NDA，其中可以在非显示区域NDA上形成焊盘区域PA，焊盘形成在焊盘区域PA中。
用于显示图像的像素P形成在显示区域DA上。各个像素可以包括有机发光二极管，该有机发光二极管包括薄膜晶体管、第一电极、有机发光层和第二电极。如果通过使用薄膜晶体管从选通线输入选通信号，则各个像素根据数据线的数据电压向有机发光二极管提供预定电流。为此，各个像素的有机发光二极管可以根据预定电流以预定亮度发光。
焊盘区域PA可以布置在第一基板111的一侧的边缘处。焊盘区域PA包括多个焊盘，所述多个焊盘可以通过使用非均质导电膜与柔性膜150的线电连接。
保护膜240粘附在显示区域DA和非显示区域NDA上。此时，保护膜240可以不形成在焊盘区域PA上，如图12所示。然而，本发明不限于图12的示例。在另一个实施方式中，保护膜240甚至可以形成在焊盘区域PA上。
保护膜240包括基底层242、第一粘附层244和第二粘附层246。本发明的第二实施方式的特征在于，第一粘附层244形成在基底层242的边缘区域上并且第二粘附层246形成在基底层242的中心区域处。
在下文中，将参照图13更详细地描述根据本发明的第二实施方式的保护膜240。
图13是沿着图12所示的线IV-IV'截取的截面图。
为了便于描述，在图13中将省略薄膜晶体管层210的具体元件，并且图13示出了作为薄膜晶体管层210的具体元件的TFT基板300。
参照图13，有机发光二极管380、封装膜390和保护膜240形成在TFT基板300上。由于图13所示的有机发光二极管380和封装膜390与图5至图8所示的有机发光二极管380和封装膜390基本相同，因此将省略其详细描述。
保护膜240覆盖封装膜390，以在第一基板111移动到执行后续处理的位置时保护形成在第一基板111上的有机发光二极管380和封装膜390。保护膜240甚至形成在非显示区域NDA以及显示区域DA上以覆盖封装膜390，并且可以不形成在非显示区域NDA的焊盘区域PA上。
保护膜240包括基底层242、第一粘附层244和第二粘附层246，并且基底层242和封装膜390通过第一粘附层244和第二粘附层246彼此粘附。
第一粘附层244形成在基底层242的边缘区域处，并且不形成在基底层242的中心区域处。此时，基底层242的设置有第一粘附层244的边缘区域与非显示区域NDA交叠，并且可以与显示区域DA部分地交叠。然而，即使第一粘附层244与显示区域DA部分地交叠，第一粘附层244也形成为与有机发光二极管380的第二电极383不交叠。
第二粘附层246形成在基底层242的中心区域处。第二粘附层246与显示区域DA交叠，并且可以与形成在显示区域DA上的第二电极383交叠。
第二粘附层246具有比第一粘附层244更小的粘附力。由于第二粘附层246与第二电极383交叠，因此如果第二粘附层246粘附力大，则会出现如下问题：当去除保护膜240时，通过第二粘附层246的粘附力将第二电极383与有机发光层382分离。另一方面，由于第一粘附层244与第二电极383不交叠，所以第一粘附层244可以具有比第二粘附层246更大的粘附力。第一粘附层244与封装膜390之间的粘附力可大于第二电极383与有机发光层382之间的粘附力。
另外，为了解决当去除保护膜240时第二电极383与有机发光层382分离的问题，第二粘附层246与封装膜390之间的粘附力应该小于第二电极383与有机发光层382之间的粘附力。
另外，尽管图12示出了第二粘附层246形成在由第一粘附层244所围绕的中心区域的整个表面上，但是本发明不限于图12的示例。第二粘附层246可以由多个图案形成，如图14所示。在这种情况下，第二粘附层246与封装膜390之间的粘附力被分散，可以减小去除保护膜240时每单位面积拉动第二电极383的力。
在本发明的第二实施方式中，第二粘附层246与封装膜390之间的粘附力小于第二电极383与有机发光层382之间的粘附力，由此可以防止去除保护膜240时第二电极383与有机发光层382分离。
此外，在本发明的第二实施方式中，第二粘附层246由多个图案形成，由此可以分散第二粘附层246的粘附力。因此，由于可以减小去除保护膜240时每单位面积拉动第二电极383的力，所以可以更有效地防止第二电极383与有机发光层382分离。
此外，在本发明的第二实施方式中，由于第一粘附层244的粘附力大于第二粘附层246的粘附力，因此可以防止在第一基板111移动到执行后续处理的位置时保护膜240与第一基板111分离。
尽管图12示出了第一粘附层244与显示区域DA的一部分交叠，但是本发明不限于图12的示例。在另一个实施方式中，第一粘附层244可以与显示区域DA不交叠。例如，如果第二电极383形成为延伸到非显示区域NDA，则第一粘附层244可以与显示区域DA不交叠。此时，第一粘附层244可以形成为与非显示区域NDA的一部分交叠，并且同时与第二电极383不交叠。
尽管图12示出了第一粘附层244未形成在焊盘区域PA上，但是本发明不限于图12的示例。在另一个实施方式中，第一粘附层244可以形成在包括焊盘区域的非显示区域NDA上。
另外，尽管图12示出了第一粘附层244形成在基底层242的四个边缘区域处，但是本发明不限于图12的示例。在另一个实施方式中，第一粘附层244可以仅形成在基底层242的彼此面对的两个边缘区域处。
图15是示出根据本发明的第一实施方式的显示设备的制造方法的流程图，图16A至图16E是示出根据本发明的第一实施方式的显示设备的制造方法的截面图。
首先，在显示区域DA上形成像素P(S1501)。
如图16A所示，像素P形成在第一基板111的显示区域DA上。更详细地说，在第一基板111上形成缓冲膜。缓冲膜可以由无机膜形成，例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
然后，在缓冲膜上形成有源层311。有源层311可以由硅类半导体材料或氧化物类半导体材料形成.
然后，在有源层311上形成栅绝缘膜330。栅绝缘膜330可以由无机膜形成，例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
在栅绝缘膜330上形成栅极312和电容器320的下电极321。栅极312和下电极321中的每一个可以是但不限于由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一种或它们的合金构成的单层或多层。
然后，在栅极312和下电极321上形成层间电介质层340。层间电介质层340可以由无机膜形成，例如硅氧化物膜，硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
然后，用于暴露有源层312的接触孔CH1和CH2形成为穿透栅绝缘膜330和层间电介质层340。
然后，在层间电介质层340上形成源极313、漏极314和电容器320的上电极322。源极313、漏极314和上电极322中的每一个可以是但不限于由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金所构成的单层或多层。
然后，在薄膜晶体管310和电容器320上形成钝化膜350。钝化膜350可以用作绝缘膜。钝化膜350可以由无机膜形成，例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜。
然后，在钝化膜350上形成平整膜360。平整膜360可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。
然后，用于暴露薄膜晶体管310的源极或漏极的接触孔CH3形成为穿透钝化膜350和平整膜360，并且形成第一电极381。第一电极381可以由具有高反射率的金属材料形成，诸如Al和Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是Ag、Pd和Cu的合金。
然后，在平整膜360上形成堤岸384以覆盖第一电极381的边缘，从而划分发光区EA。堤岸384可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。
然后，在第一电极381和堤岸384上形成有机发光层382。第二电极383形成在有机发光层382上。第二电极383可以由可透射光的透明导电材料(TCO)(诸如ITO和IZO)或半透射导电材料(诸如Mg、Ag或Mg和Ag的合金)形成。可以在第二电极383上形成覆盖层。
另外，还可以在非显示区域NDA上形成坝395。坝395可以与平整膜360或堤岸384同时形成。坝395可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。
接下来，形成用于覆盖显示区域DA的封装膜390(S1502)。
如图16B所示，在第二电极383上形成封装膜390。更详细地说，形成用于覆盖显示区域DA的第一无机膜391。此时，使用CVD方法或ALD方法形成第一无机膜391。第一无机膜391可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。
然后，形成用于覆盖第一无机膜391的有机膜392。有机膜392可以由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料形成，所述有机材料可以将从有机发光层382发射的光透射达99％以上。
然后，形成用于覆盖有机膜392的第二无机膜393。第二无机膜393可以由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物形成。
接下来，在封装膜390上形成保护膜240(S1503)。
如图16C所示，保护膜240被附接到封装膜390上。保护膜240包括基底层242和第一粘附层244。第一粘附层244形成在基底层242的边缘区域处，然后与第一基板111的非显示区域NDA交叠。此外，第一粘附层244可以与第一基板111的显示区域DA的一部分交叠，但与第二电极383不交叠。第一粘附层244可以是粘附树脂，并且该第一粘附层244的粘附力可大于第二电极383与有机发光层382之间的粘附力。
尽管未示出，但是保护膜240可以进一步包括形成在基底层242的中心区域上的第二粘附层246。与第一粘附层244不同，第二粘附层246可以与第二电极383交叠，并且该第二粘附层246的粘附力可以小于第二电极383与有机发光层382之间的粘附力。另外，第二粘附层246可以形成在基底层242的整个中心区域上，或者可以由在基底层242的中心区域处的多个图案形成。
接下来，去除保护膜240(S1504)。
如图16D所示，去除保护膜240。更详细地说，设置有有机发光二极管380和封装膜390的第一基板111在其上附接有保护膜240的状态下移动到执行后续处理的位置。然后，在执行后续处理之前，从第一基板111去除保护膜240。
接下来，第一基板111和第二基板112彼此结合(S1505)。
如图16E所示，第二基板112结合至去除了保护膜240的第一基板111。尽管未详细示出，但是可以在第二基板112上形成第一滤色器至第三滤色器(未示出)和黑底(未示出)。红色滤色器可以形成在红色发光部分上，蓝色滤色器可以形成在蓝色发光部分上，并且绿色滤色器可以形成在绿色发光部分上。在这种情况下，第一基板111的封装膜390通过粘附层410粘附到第二基板112的滤色器(未示出)，由此第一基板111和第二基板112可以彼此结合。此时，可以在第一基板111和第二基板112彼此交叠的所有区域上形成粘附层410，并且粘附层410的粘附力可以大于第二电极383与有机发光层382之间的粘附力。
此外，可以通过后续处理将第一滤色器至第三滤色器(未示出)和黑底(未示出)直接形成在去除了保护膜240的第一基板111的封装膜390上。在这种情况下，第一基板111的滤色器(未示出)可以通过粘附层410粘附到第二基板112。
此外，可以在第二基板112上形成触摸面板(未示出)。此时，触摸面板(未示出)可以设置有第一触摸电极和第二触摸电极。在这种情况下，第一基板111的封装膜390可以通过粘附层410粘附到第二基板112的触摸面板。
此外，第二触摸电极(未示出)可以仅形成在第二基板112上。可以通过后续处理将第一触摸电极(未示出)直接形成在去除了保护膜240的第一基板111的封装膜390上。在这种情况下，设置有第一触摸电极的第一基板111可以通过粘附层410粘附到设置有第二触摸电极的第二基板112。
此外，可以在第二基板112上形成偏振片(未示出)。在这种情况下，第一基板111的封装膜390可以通过粘附层410粘附到第二基板112的偏振片。
另外，尽管保护膜240被附接到封装膜390上并且然后在图15和图16中被去除，但是本发明不限于图15和图16的示例。在另一个实施方式中，可以在封装膜390上进一步形成电极图案(例如第一触摸电极和第二触摸电极)。在这种情况下，保护膜240可以附接到电极图案上，然后在第一基板移动到执行后续处理的位置之后从电极图案去除该保护膜240。
如上所述，根据本发明，可以获得以下优点。
设置有有机发光二极管和封装膜的第一基板在保护膜附接到封装膜上的状态下移动到执行后续处理的位置，由此可以防止颗粒渗透到有机发光二极管和封装膜中，或者可以防止有机发光二极管和封装膜在第一基板移动到执行后续处理的位置时被损坏。
此外，用于将保护膜粘附到封装膜的第一粘附层仅形成在边缘区域处并且形成为与第二电极不交叠，由此可以防止在从执行后续处理的位置去除保护膜时第二电极与有机发光层分离。因此，可以提高显示设备的产量和可靠性。
此外，用于将保护膜粘附到封装膜的第二粘附层形成为与第二电极交叠，并且该第二粘附层的粘附力小于第二电极与有机发光层之间的粘附力，由此可以防止在从执行后续处理的位置去除保护膜时第二电极与有机发光层分离。
此外，第二粘附层由多个图案形成，由此可以分散第二粘附层的粘附力。因此，由于去除保护膜时每单位面积拉动第二电极的力会减小，所以可以更有效地防止第二电极与有机发光层分离。
此外，由于第一粘附层的粘附力大于第二电极与有机发光层之间的粘附力，所以可以防止在第一基板移动到执行后续处理的位置时保护膜与第一基板分离。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改和变化，只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内。因此，上述实施方式在所有方面都被认为是说明性的而不是限制性的。本发明的范围应通过所附权利要求的合理解释来确定，并且在本发明的等同物范围内的所有改变都包括在本发明的范围中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月28日提交的韩国专利申请No.10-2016-0180912的权益，出于所有目的通过引用将该韩国专利申请并入本文，如同在此完全阐述一样。

Claims (13)

1.一种用于制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
在第一基板上的显示区域上形成像素；
形成用于覆盖所述显示区域的封装膜；
将保护膜附接到所述封装膜上；以及
去除所述保护膜，
其中，所述保护膜包括基底层和形成在所述基底层的至少一侧的边缘区域处的第一粘附层，
其中，在所述基底层与所述封装膜之间形成气隙，并且
其中，所述第一粘附层与所述封装膜的上表面和所述封装膜的侧表面的至少一部分接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基底层的至少一侧的边缘区域与围绕所述显示区域的非显示区域交叠。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述像素包括第一电极、布置在所述第一电极上的有机发光层和布置在所述有机发光层上的第二电极，并且所述第一粘附层与所述第二电极不交叠。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述封装膜与所述第一粘附层之间的粘附力大于所述第二电极与所述有机发光层之间的粘附力。
5.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在去除所述保护膜之后，通过使用第三粘附层将第二基板附接到所述封装膜上。
6.一种显示设备，所述显示设备包括：
基板，所述基板包括上面布置有像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；以及
封装膜，所述封装膜覆盖所述显示区域；和
保护膜，所述保护膜粘附到所述基板上，
其中，所述保护膜包括基底层和形成在所述基底层的至少一侧的边缘区域处的第一粘附层，
其中，在所述基底层与所述封装膜之间形成气隙，
其中，所述第一粘附层与所述封装膜的上表面和所述封装膜的侧表面的至少一部分接触。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述基底层的至少一侧的边缘区域与包围所述显示区域的所述非显示区域交叠。
8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述像素包括第一电极、布置在所述第一电极上的有机发光层和布置在所述有机发光层上的第二电极，并且所述第一粘附层与所述第二电极不交叠。
9.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述基底层设置有形成在中心区域处的间隙，所述间隙形成在所述基底层与所述基板之间。
10.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述保护膜还包括形成在所述基底层的中心区域处的第二粘附层。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第二粘附层与所述封装膜之间的粘附力小于所述第一粘附层与所述封装膜之间的粘附力。
12.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述像素包括第一电极、布置在所述第一电极上的有机发光层和布置在所述有机发光层上的第二电极，并且所述封装膜与所述第二粘附层之间的粘附力小于所述第二电极与所述有机发光层之间的粘附力。
13.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第二粘附层由多个图案形成。
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