CN108229023B - 一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法 - Google Patents

一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法，其技术方案要点是：首先，建立开关器件的双脉冲测试电路，建立电路的高频等效模型，然后得到高频等效电路的复数域公式，得到高频GaN开关器件两端电压的特征方程。可以采用两种方式来得到缓冲电路的值，一种是固定吸收电阻RS，以吸收电容CS为参变量，根据式特征方程画出缓冲电容CS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数的对应的电容CS的值作为吸收电容的值；另一种是固定吸收电容CS，以缓冲电阻RS为参变量，根据特征方程画出缓冲电阻RS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数的对应的电阻RS的值作为吸收电容的值。本发明解决了传统缓冲电路设计过程过于复杂的问题。

Description

一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法
技术领域
本发明涉及电力电子变换技术领域，尤其涉及一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法。
背景技术
在电力电子变换器中，高频GaN开关器件存在寄生电容，该寄生电容与线路中的寄生电感发生谐振会引起开关器件两端电压过冲和振荡，由于开关器件的耐压有一定的限值，为了保证设备的正常工作，需要采用缓冲电路来抑制开关器件两端电压过冲和振荡，因此研究高频GaN开关器件的缓冲电路具有重要意义。一般，在设计高频GaN开关器件的缓冲电路时，需要综合考虑开关器件对应的主电路结构、电路器件的容量、开关器件的开通特性以及关断特性等因素，设计过程比较复杂，采用一种双脉冲测试电路从特征方程的角度来得到合适的缓冲电路的值，可以简化缓冲电路的设计过程，得到适合的吸收电容和吸收电感的参数。
发明内容
本发明的目的是提出一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法，该方法能够避免电路设计过程过于复杂的问题达到优化设计的目的。
为了解决上述存在的技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法，其内容包括以下步骤：
(1)首先，建立高频GaN开关器件的双脉冲测试电路，所述双脉冲测试电路包括开关器件S、负载电感L、续流二极管D、吸收电阻RS、吸收电容CS和直流电压源E0；开关器件S的一端点“a”与负载电感L串联，负载电感L并联续流二极管D，续流二极管D的正极与负载电感L连接于“a”点，续流二极管D的负极与负载电感L连接于“b”点；由吸收电阻Rs与吸收电容Cs串联组成缓冲电路，缓冲电路的吸收电阻Rs一端连接到“b”点，其吸收电容Cs一端与开关器件S的另一端点“c”相连；直流源E0正极与“b”点相连，负极与“c”点相连；稳压电容C与直流电压源E0并联，其一端接到“b”点，另一端接到“c”点；所述双脉冲测试电路中考虑直流母线寄生电感Lp，稳压电容C线路上的寄生电阻R0和电压源与稳压电容之间的寄生电感Lo，寄生电阻R0相当于串联在稳压电容C的上端，寄生电感Lp相当于连接在“b”点与寄生电阻R0之间，寄生电感Lo相当于连接在寄生电阻R0与直流源E0正极之间；
(2)建立双脉冲测试电路的高频等效模型；在开关器件S断开时，负载电感L视为开路，稳压电容C视为短路，电压源E0视为开路。电路的高频等效模型结构如下：
开关器件S的寄生电容Co的一端点为“d”，另一端点为“e”点，缓冲电路的吸收电阻Rs一端与“d”点相连，其吸收电容Cs一端与“e”点相连，寄生电阻R0与寄生电感Lp串联，寄生电阻R0一端与“d”点相连，寄生电感Lp一端与“e”点相连。
所述高频GaN开关器件缓冲电路的吸收电阻RS和吸收电容CS的计算方式如下：
(1)根据高频GaN开关器件的高频等效电路，令初始条件为：缓冲电路电流Is和母线电流Ip的初始值为i0，母线电流Ip初始值为零，开关器件S的漏极电流Id初始值为零。Is为缓冲电路电流，VDS为开关器件S两端电压。
得到高频等效电路的复数域公式：
Figure BDA0001538421760000031
由上述公式⑴得到开关器件S两端电压公式：
Figure BDA0001538421760000032
在上述公式⑵中：
D(s)＝(COCSLPRS)s3+(COLP+CSLP+COCSR0RS)s2+(CSRS+CSR0+COR0)s+1 ⑶
由上述公式⑶得到特征方程：
(COCSLPRS)s3+(COLP+CSLP+COCSR0RS)s2+(CSRS+CSR0+COR0)s+1＝0； ⑷
(2)采用两种方式得到高频GaN开关器件缓冲电路的值；一种是固定吸收电阻RS，以吸收电容CS为参变量，根据式⑷特征方程画出缓冲电容CS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数对应的电容CS值作为吸收电容的值；一种是固定吸收电容CS，以缓冲电阻RS为参变量，根据式⑷特征方程画出缓冲电阻RS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数对应的电阻RS值作为吸收电容的值。
由于采用上述技术方案，与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提出了一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法，解决了传统缓冲电路设计过程过于复杂的问题，提出了一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法。
附图说明
图1为高频GaN开关器件的双脉冲测试电路；
图2为双脉冲测试电路的高频等效电路；
图3为该设计方法的设计步骤流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细具体的说明。
图1所示为高频GaN开关器件的双脉冲测试电路，图2所示为双脉冲测试电路的高频等效电路，图3为该设计方法的设计步骤流程图。
一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法，如图3流程图所示，具体包括如下步骤：
(1)首先，建立如图1的高频GaN开关器件的双脉冲测试电路，图1中，所述双脉冲测试电路包括开关器件S、负载电感L、续流二极管D、吸收电阻RS、吸收电容CS和直流电压源E0；开关器件S的一端点“a”与负载电感L串联，负载电感L并联续流二极管D，续流二极管D的正极与负载电感L连接于“a”点，续流二极管D的负极与负载电感L连接于“b”点；由吸收电阻Rs与吸收电容Cs串联组成缓冲电路，缓冲电路的吸收电阻Rs一端连接到“b”点，其吸收电容Cs一端与开关器件S的另一端点“c”相连；直流源E0正极与“b”点相连，负极与“c”点相连；稳压电容C与直流电压源E0并联，其一端接到“b”点，另一端接到“c”点；所述双脉冲测试电路中考虑直流母线寄生电感Lp，稳压电容C线路上的寄生电阻R0和电压源与稳压电容之间的寄生电感Lo，寄生电阻R0相当于串联在稳压电容C的上端，寄生电感Lp相当于连接在“b”点与寄生电阻R0之间，寄生电感Lo相当于连接在寄生电阻R0与直流源E0正极之间；
(2)然后，如图2，建立双脉冲测试电路的高频等效模型。在开关器件S断开时，由于负载电感L的高频阻抗远大于二极管两端的寄生电感，负载电感L视为开路；由于稳压电容C的高频阻抗远小于R0，稳压电容C视为短路；由于电压源E0与功率模块的距离相对稳压电容C距功率模块的距离较大，电压源E0视为开路。电路的高频等效模型的结构如下：开关器件的寄生电容Co的一端点为“d”，另一端点为“e”点，缓冲电路一端与“d”点相连，另一端与“e”点相连，寄生电阻R0与寄生电感Lp串联，一端与“d”点相连，另一端与“e”点相连。
在高频GaN开关器件的双脉冲测试电路中，所述高频GaN开关器件缓冲电路的吸收电阻RS和吸收电容CS的计算方式如下：
(1)根据高频GaN器件的高频等效电路，令缓冲电路电流Is和母线电流Ip的初始值为i0，母线电流Ip初始值为零，开关器件S的漏极电流Id初始值为零。Is为缓冲电路电流，VDS为开关器件S两端电压。
得到高频等效电路的复数域公式：
Figure BDA0001538421760000051
由上述公式⑸得到开关器件两端电压公式：
Figure BDA0001538421760000052
在上述公式⑹中：
D(s)＝(COCSLPRS)s3+(COLP+CSLP+COCSR0RS)s2+(CSRS+CSR0+COR0)s+1 ⑺
由上述公式⑺得到特征方程：
(COCSLPRS)s3+(COLP+CSLP+COCSR0RS)s2+(CSRS+CSR0+COR0)s+1＝0 ⑻
(2)采用特征方程得到高频GaN开关器件缓冲电路的值。特征方程D(s)＝0是一个3阶多项式，在复平面区域有3条根轨迹，根轨迹与实轴的交点被称为分离点。分离点将解的情况分为两种：一种是都为实根；一种是一个实根和一对共轭复数根。所以，采用两种方式来得到缓冲电路的值，一种是固定吸收电阻RS，以吸收电容CS为参变量，根据式⑻特征方程画出缓冲电容CS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数对应的电容CS值作为吸收电容的值；另一种是固定吸收电容CS，以缓冲电阻RS为参变量，根据式⑻特征方程画出缓冲电阻RS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数对应的电阻RS值作为吸收电容的值。

Claims (1)

1.一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法，其特征在于：该方法具体包括如下步骤：
(1)首先，建立高频GaN开关器件的双脉冲测试电路，所述双脉冲测试电路包括开关器件S、负载电感L、续流二极管D、吸收电阻RS、吸收电容CS和直流电压源E0；开关器件S的一端点“a”与负载电感L串联，负载电感L并联续流二极管D，续流二极管D的正极与负载电感L连接于“a”点，续流二极管D的负极与负载电感L连接于“b”点；由吸收电阻Rs与吸收电容Cs串联组成缓冲电路，缓冲电路的吸收电阻Rs一端连接到“b”点，其吸收电容Cs一端与开关器件S的另一端点“c”相连；直流源E0正极与“b”点相连，负极与“c”点相连；稳压电容C与直流电压源E0并联，其一端接到“b”点，另一端接到“c”点；所述双脉冲测试电路中考虑直流母线寄生电感Lp，稳压电容C线路上的寄生电阻R0和电压源与稳压电容之间的寄生电感Lo，寄生电阻R0相当于串联在稳压电容C的上端，寄生电感Lp相当于连接在“b”点与寄生电阻R0之间，寄生电感Lo相当于连接在寄生电阻R0与直流源E0正极之间；
(2)建立双脉冲测试电路的高频等效模型；在开关器件S断开时，负载电感L视为开路，稳压电容C视为短路，电压源E0视为开路，电路的高频等效模型结构如下：
开关器件S的寄生电容Co的一端点为“d”，另一端点为“e”点，缓冲电路的吸收电阻Rs一端与“d”点相连，其吸收电容Cs一端与“e”点相连，寄生电阻R0与寄生电感Lp串联，寄生电阻R0一端与“d”点相连，寄生电感Lp一端与“e”点相连；
所述吸收电阻RS和吸收电容CS的计算方式如下：
(1)根据高频GaN开关器件的高频等效电路，令初始条件为：缓冲电路电流Is和母线电流Ip的初始值为i0，母线电流Ip初始值为零，开关器件S的漏极电流Id初始值为零，Is为缓冲电路电流，VDS为开关器件S两端电压，
得到高频等效电路的复数域公式：
Figure FDA0002985654830000021
由上述公式⑴得到开关器件S两端电压公式：
Figure FDA0002985654830000022
在上述公式⑵中：
D(s)＝(COCSLPRS)s3+(COLP+CSLP+COCSR0RS)s2+(CSRS+CSR0+COR0)s+1 ⑶
由上述公式⑶得到特征方程：
(COCSLPRS)s3+(COLP+CSLP+COCSR0RS)s2+(CSRS+CSR0+COR0)s+1＝0； ⑷
(2)采用两种方式得到高频GaN开关器件缓冲电路的值；一种是固定吸收电阻RS，以吸收电容CS为参变量，根据式⑷特征方程画出缓冲电容CS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数对应的电容CS值作为吸收电容的值；一种是固定吸收电容CS，以缓冲电阻RS为参变量，根据式⑷特征方程画出缓冲电阻RS的参数根轨迹，选取特征方程的根都为实数对应的电阻RS值作为吸收电容的值。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111628640B (zh) * 2020-05-19 2021-06-29 中国人民解放军海军工程大学 反向恢复尖峰电压吸收电路的最优参数设计方法
CN116314174B (zh) * 2022-09-09 2023-11-24 燕山大学 锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051963A (en) * 1998-10-09 2000-04-18 Linear Technology Corporation Methods and apparatus for actively snubbing waveforms in switching regulators
CN102763189A (zh) * 2010-02-22 2012-10-31 西门子公司 负载的无阻抗匹配的高频供电
CN105453434A (zh) * 2013-04-17 2016-03-30 奥的斯电梯公司 采用氮化镓开关的驱动单元
CN106230246A (zh) * 2016-09-22 2016-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种电路以及开关电源和液晶显示驱动电路
CN107103122A (zh) * 2017-04-01 2017-08-29 北京交通大学 非分段GaN HEMT模型的建立方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051963A (en) * 1998-10-09 2000-04-18 Linear Technology Corporation Methods and apparatus for actively snubbing waveforms in switching regulators
CN102763189A (zh) * 2010-02-22 2012-10-31 西门子公司 负载的无阻抗匹配的高频供电
CN105453434A (zh) * 2013-04-17 2016-03-30 奥的斯电梯公司 采用氮化镓开关的驱动单元
CN106230246A (zh) * 2016-09-22 2016-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种电路以及开关电源和液晶显示驱动电路
CN107103122A (zh) * 2017-04-01 2017-08-29 北京交通大学 非分段GaN HEMT模型的建立方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Optimum Design of RC Snubbers for Switching Regulators;Koosuke Harada 等;《IEEE TRANSACTIONS ON AEROSPACE AND ELECTRONIC SYSTEMS》;19790331;第AES-15卷(第2期);说明书第[0021]段和图1 *
基于 GaN FETs 的高频半桥谐振变换器分析与设计;管乐诗 等;《电源学报》;20160731;第14卷(第4期);全文 *
基于耦合电感的高增益DC/DC拓扑及其建模研究;姚佳;《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》;20170615(第06期);全文 *

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