CN108279333B - 一种基于igbt器件的电感提取方法及装置 - Google Patents

一种基于igbt器件的电感提取方法及装置 Download PDF

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CN108279333B CN201711432967.7A CN201711432967A CN108279333B CN 108279333 B CN108279333 B CN 108279333B CN 201711432967 A CN201711432967 A CN 201711432967A CN 108279333 B CN108279333 B CN 108279333B
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Abstract

本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值；计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值，然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。

Description

一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置
技术领域
本发明涉及电力电子器件测试技术领域，具体涉及一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置。
背景技术
在柔性直流输电的电网中，IGBT器件通常运行在高频开关状态下，较高的di/dt和直流母线的寄生电感共同作用，将导致IGBT瞬态开通或关断时产生严重的极间电压尖峰，甚至超过IGBT器件的电压耐受值，将增强了IGBT器件的电应力、开关损耗以及电磁干扰，同时，直流输电系统中杂散参数的存在还可能导致主电路等效拓扑与参数的变化，进而致使系统阻抗特性出现偏移，导致大量高频谐波注入引起的电压与电流波形畸变，恶化电能质量。所以杂散参数对IGBT器件的开关特性存在一定影响，为保证IGBT器件安全可靠工作，研究基于IGBT器件的杂散参数提取具有重要意义。
目前传统的基于IGBT器件的电感提取方法通常单独利用IGBT器件开通瞬态波形或者关断瞬态波形得到换流回路中的杂散电感，即通过公式
Figure BDA0001525265420000011
计算的得到，这种方法可以直接忽略掉换流回路中的电阻对杂散电感的影响。而单独利用IGBT器件的开通波形计算杂散电感时，因为IGBT器件在瞬态开通的过程中，其集电极开通电流变化率di/dt>0,如果换流回路忽略电阻的影响，得到的杂散电感值比实际值要小一些，单独利用关断波形计算杂散电感时，因为IGBT器件在瞬态关断的过程中，其集电极关断电流变化率di/dt<0,如果忽略电阻的影响，得到的杂散电感值又会比实际值大一些。故单独采用IGBT器件的开通瞬态波形测试或关断瞬态波形测试杂散电感的方法存在不准确性，会增加换流回路的误差。
发明内容
因此，本发明实施例要解决的技术问题在于现有技术中的单独采用IGBT器件的开通瞬态波形测试或关断瞬态波形测试杂散电感的方法存在不准确性，会增加换流回路的误差。
为此，本发明实施例提供了如下技术方案：
本发明实施例提供一种基于IGBT器件的电感提取方法，包括如下步骤：
获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；
根据所述第一电流值、所述第一电压值以及所述第一电源电压值，计算所述闭合回路的第一电感值，并根据所述第二电流值、所述第二电压值以及所述第二电源电压值，计算所述闭合回路的第二电感值；
计算所述第一电感值和所述第二电感值的平均值得到所述闭合回路中的第三电感值。
可选地，所述根据所述第一电流值、所述第一电压值以及所述第一电源电压值，计算所述闭合回路的第一电感值的步骤包括：
计算所述第一电源电压值与所述第一电压值的第一差值；
获取所述第一电流值的电流变化率；
根据所述第一差值与所述第一电流值的电流变化率，计算所述第一电感值。
可选地，所述根据所述第二电流值、所述第二电压值以及所述第二电源电压值，计算所述闭合回路的第二电感值的步骤包括：
计算所述第二电压值与所述第二电源电压值的第二差值；
获取所述第二电流值的电流变化率；
根据所述第二差值与所述第二电流值的电流变化率，计算所述第二电感值。
可选地，所述计算所述闭合回路的第一电感值和所述计算所述闭合回路的第二电感值通过如下公式：
Figure BDA0001525265420000031
Figure BDA0001525265420000032
其中LS1为所述第一电感值，LS2为所述第二电感值，ucer为所述第一电压值，ucef为所述第二电压值，udcr为所述第一电源电压值，udcf为所述第二电源电压值，dicr/dt为所述第一电流值的电流变化率，dicf/dt所述第二电流值的电流变化率。
可选地，所述计算所述第一电感值和所述第二电感值的平均值得到所述闭合回路中第三电感值通过如下公式：
Figure BDA0001525265420000033
其中LS3为所述第三电感值，ucer为所述第一电压值，ucef为所述第二电压值，udcr为所述第一电源电压值，udcf为所述第二电源电压值，dicr/dt为所述第一电流值的电流变化率，dicf/dt所述第二电流值的电流变化率。
本发明实施例提供一种基于IGBT器件的电感提取装置，包括：
获取模块，用于获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；
第一计算模块，用于根据所述第一电流值、所述第一电压值以及所述第一电源电压值，计算所述闭合回路的第一电感值，并根据所述第二电流值、所述第二电压值以及所述第二电源电压值，计算所述闭合回路的第二电感值；
第二计算模块，用于计算所述第一电感值和所述第二电感值的平均值得到所述闭合回路中的第三电感值。
可选地，所述第一计算模块包括：
第一计算子模块，用于计算所述第一电源电压值与所述第一电压值的第一差值；
第一获取子模块，用于获取所述第一电流值的电流变化率；
第二计算子模块，用于根据所述第一差值与所述第一电流值的电流变化率，计算所述第一电感值。
可选地，所述第二计算模块还包括：
第三计算子模块，用于计算所述第二电压值与所述第二电源电压值的第二差值；
第二获取子模块，用于获取所述第二电流值的电流变化率；
第四计算子模块，用于根据所述第二差值与所述第二电流值的电流变化率，计算所述第二电感值。
本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，该指令被处理器执行时实现所述的基于IGBT器件的电感提取方法的步骤。
本发明实施例提供体重基于IGBT器件的电感提取设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现所述的基于IGBT器件的电感提取方法的步骤。
本发明实施例技术方案，具有如下优点：
本发明提供一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值；计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值，然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中与IGBT器件形成闭合回路的电路原理图；
图2为本发明实施例1中与IGBT器件形成闭合回路的电路原理图的等效电路图；
图3为本发明实施例1中基于IGBT器件的电感提取方法的流程图；
图4为本发明实施例2中基于IGBT器件的电感提取装置的结构框图；
图5为本发明实施例2中基于IGBT器件的电感提取装置第一计算模块的结构框图；
图6为本发明实施例4中基于IGBT器件的电感提取设备的硬件示意框图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本发明实施例一种基于IGBT器件的电感提取方法，用于如图1所示的闭合回路中，闭合回路由电源udc、续流二极管Diode和待测IGBT器件DUT依次串联连接，在图1中待测IGBT器件uge和负载电感Load不是最主要的测试参数。图1的IGBT器件所在闭合回路的电路原理图的等效电路图如图2所示，其包含了所述闭合回路中的杂散电感和杂散电阻。此处的IGBT器件为绝缘栅双极型晶体管，分别包括集电极C、栅极G和发射极E，IGBT器件开通时需要在待测IGBT器件的栅极G和发射极E提供正电压，使得IGBT器件开通；IGBT器件关断时需要在待测IGBT器件的栅极G和发射极E提供可靠的负压使得IGBT器件可靠关断。IGBT器件在高频电网中应用较为广泛，一般作为开关器件使用。本实施例中的基于IGBT器件的电感提取方法，如图3所示，包括如下步骤：
S31、获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值。此处的第一电流值、第一电压值分别为IGBT器件在开通瞬态下其集电极电流icr和集电极与发射极之间的电压ucer；第二电流值和第二电压值分别为待测IBGT器件在关断瞬态下其集电极电流icf和集电极与发射极之间的电压ucef。第一电源电压值和第二电源电压值分别为待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下闭合回路中直流母线电压。
S32、根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值。
具体地，根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值的步骤包括：
第一步，计算第一电源电压值与第一电压值的第一差值。第一电源电压值为udcr,第一电压值为ucer,二者差值为udcr-ucer，对于待测IGBT器件在开关过程中，根据基尔霍夫电压定律，在图2中，闭合回路的总电压和为零，得到如下公式：
Figure BDA0001525265420000081
其中udc为直流母线电压值即为电源电压值，L1、L2、L3为线路寄生电感，Ld为续流二极管内部寄生电感值，Lc为直流母线电容寄生电感，Le为待测IGBT器件内部寄生电感值，r1、r2、r3为线路电阻值，rd为续流二极管内部寄生电阻值，rc为直流母线电容寄生电阻值，re为待测IGBT器件内部寄生电阻值，Ubi为续流二极管的内建电势，Uce为待测IGBT器件的集电极与发射极之间的电压值，id为流过续流二极管的电流值，
Figure BDA0001525265420000091
为流过续流二极管电流变化率，ic为待测IGBT器件集电极电流值，
Figure BDA0001525265420000092
为待测IGBT器件集电极电流变化率。在图2中的Load、Lg、rg和Uge不是最主要的测试参数。
对于待测IGBT器件开通过程，可以得到寄生电感与电路中各个物理量的关系：
Figure BDA0001525265420000093
Udcr为直流母线第一电压值，ion为流过闭合回路中续流二极管的第一电流值，Ubi为闭合回路中续流二极管的内建电势，Ucer为待测IGBT器件的第一电压值、icr为待测IGBT器件的第一电流值、LS为闭合回路中的电感值，
Figure BDA0001525265420000096
为待测IGBT器件的第一电流值的电流变化率。
第二步，获取第一电流值的电流变化率。根据第一步中的关系式，如果忽略闭合回路中寄生电阻的影响，对于待测IGBT器件在开通瞬态下可以得到寄生电感值，此处获取的第一电流值变化率通过待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流值计算得来，为
Figure BDA0001525265420000094
第三步，根据第一差值与第一电流值的电流变化率，计算第一电感值。第一差值为udcf-ucer，第一电流值的电流变化率为
Figure BDA0001525265420000095
计算第一电感值通过如下公式为：
Figure BDA0001525265420000101
其中LS1为第一电感值，ucer为第一电压值，udcr为第一电源电压值，dicr/dt为第一电流值的电流变化率。故得到了待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电感值。
具体地，根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值的步骤包括：
第一步，计算第二电压值与第二电源电压值的第二差值。第二电压值为ucef，第二电源电压值为udcf,,二者差值为ucef-udcf，对于待测IGBT器件在开关过程中，根据基尔霍夫电压定律，在图2中，闭合回路的总电压和为零，得到如下公式：
Figure BDA0001525265420000102
其中udc为直流母线电压值，L1、L2、L3为线路寄生电感，Ld为续流二极管内部寄生电感值，Lc为直流母线电容寄生电感，Le为待测IGBT器件内部寄生电感值，r1、r2、r3为线路电阻值，rd为续流二极管内部寄生电阻值，rc为直流母线电容寄生电阻值，re为待测IGBT器件内部寄生电阻值，Ubi为续流二极管的内建电势，Uce为待测IGBT器件的集电极与发射极之间的电压值，id为流过续流二极管的电流值，
Figure BDA0001525265420000103
为流过续流二极管电流的变化率，ic为待测IGBT器件集电极电流值，
Figure BDA0001525265420000104
为待测IGBT器件集电极电流变化率。在图2中的Load、Lg、rg和Uge不是最主要的测试参数。对于待测IGBT器件关断过程，可以得到寄生电感与电路中各个物理量的关系：
Figure BDA0001525265420000111
Udcf为直流母线第二电压值，ioff为流过续流二极管的第二电流值，Ucef为待测IGBT器件的第二电压值、icf为待测IGBT器件的第二电流值、
Figure BDA0001525265420000112
为待测IGBT器件的第二电流值的变化率。由于待测IGBT器件在开通瞬态下
Figure BDA0001525265420000113
在关断瞬态下
Figure BDA0001525265420000114
所以
Figure BDA0001525265420000115
需要给
Figure BDA0001525265420000116
和
Figure BDA0001525265420000117
添加上绝对值。
获取第二电流值的电流变化率。根据第一步中的关系式，如果忽略闭合回路中寄生电阻的影响，对于待测IGBT器件在关断瞬态下可以得到寄生电感值，此处获取的第二电流值的变化率通过待测IGBT器件在关断瞬态下第二电流值计算得来，为
Figure BDA0001525265420000118
根据第二差值与第二电流值的电流变化率，计算第二电感值。第二差值为ucef-udcf，第二电流值的电流变化率为
Figure BDA0001525265420000119
计算第二电感值通过如下公式为：
Figure BDA00015252654200001110
LS2为第二电感值，ucef为第二电压值，udcf为第二电源电压值，dicf/dt第二电流值的电流变化率。故得到了待测IGBT器件在关断瞬态下的第二电感值。
S33、计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值通过如下公式：
Figure BDA00015252654200001111
其中LS3为第三电感值，ucer为第一电压值，ucef为第二电压值，udcr为第一电源电压值，udcf为第二电源电压值，dicr/dt为第一电流值的电流变化率，dicf/dt第二电流值的电流变化率。
本发明通过同时采用了开通瞬态和关断瞬态的各物理参数，分别计算出待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的第一电感值和第二电感值，最后求出二者的平均值，在现有技术中基于IGBT器件的电感提取过程中，避免了往往只单独考虑待测IGBT器件在开通瞬态下或关断瞬态下某一种情况直接得到闭合回路中的寄生电感值，这样会导致参数测量精度较低，故本实施例中的基于IGBT器件的电感提取方法，可以减少提取闭合回路中杂散电感的误差，从而提高测量精度。
实施例2
本发明实施例提供一种基于IGBT器件的电感提取装置，如图4所示，包括：
获取模块41，用于获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值。
第一计算模块42，用于根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值。
第二计算模块43，用于计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。
本发明实施例中基于IGBT器件的电感提取装置，如图5所示，第一计算模块42包括：
第一计算子模块421，用于计算第一电源电压值与第一电压值的第一差值；
第一获取子模块422，用于获取第一电流值的电流变化率；
第二计算子模块423，用于根据第一差值与第一电流的电流变化率，计算第一电感值。
本发明实施例中基于IGBT器件的电感提取装置，如图5所示，第一计算模块42还包括：
第三计算子模块424，用于计算第二电压值与第二电源电压值的第二差值；
第二获取子模块425，用于获取第二电流值的电流变化率；
第四计算子模块426，用于根据第二差值与第二电流的电流变化率，计算第二电感值。
本发明实施例中基于IGBT器件的电感提取装置，第一计算模块42计算闭合回路的第一电感值和计算闭合回路的第二电感值通过如下公式：
Figure BDA0001525265420000131
Figure BDA0001525265420000132
其中LS1为第一电感值，LS2为第二电感值，ucer为第一电压值，ucef为第二电压值，udcr为第一电源电压值，udcf为第二电源电压值，dicr/dt为第一电流值的电流变化率，dicf/dt第二电流值的电流变化率。
本发明实施例中基于IGBT器件的电感提取装置，第二计算模块43计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中第三电感值通过如下公式：
Figure BDA0001525265420000141
其中LS3为第三电感值，ucer为第一电压值，ucef为第二电压值，udcr为第一电源电压值，udcf为第二电源电压值，dicr/dt为第一电流值的电流变化率，dicf/dt第二电流值的电流变化率。
本发明通过同时采用了开通瞬态和关断瞬态的各物理参数，分别计算出待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的第一电感值和第二电感值，最后求出二者的平均值，在现有技术基于IGBT器件的电感提取方法中，避免了往往只单独考虑待测IGBT器件在开通瞬态下或关断瞬态下某一种情况直接得到闭合回路中的寄生电感值，这样会导致参数测量精度较低，故本实施例中的基于IGBT器件的电感提取方法，可以减少提取闭合回路中杂散电感的误差，从而提高测量精度。
实施例3
本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，该指令被处理器执行时实现实施例1中基于IGBT器件的电感提取方法的步骤。该存储介质上还存储有待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值以及闭合回路中待测IGBT器件分别在开通瞬态下和关断瞬态计算闭合回路中的电感值时要需要的其它参数值。
其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)、快闪存储器(FlashMemory)、硬盘(Hard DiskDrive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid-StateDrive，SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(ROM)或随机存储记忆体(RAM)等。
实施例4
本实施例提供基于IGBT器件的电感提取设备，如图6所示，包括存储器620、处理器610及存储在存储器620上并可在处理器610上运行的计算机程序，处理器610执行程序时实现实施例1中基于IGBT器件的电感提取方法的步骤。
图6是本发明实施例提供的执行列表项操作的处理方法的硬件结构示意图，如图6所示，该基于IGBT器件的电感提取设备包括一个或多个处理器610以及存储器620，图6中以一个处理器610为例。
执行列表项操作的处理方法的设备还可以包括：获取装置630和计算装置640。
处理器610、存储器620、获取装置630和计算装置640可以通过总线或者其他方式连接，图6中以通过总线连接为例。
处理器610可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器610还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (6)

1.一种基于IGBT器件的电感提取方法，其特征在于，包括如下步骤：
获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值，所述第一电流值、第一电压值分别为待测IGBT器件在开通瞬态下集电极电流和集电极与发射极之间的电压，所述第二电流值和第二电压值分别为待测IBGT器件在关断瞬态下其集电极电流和集电极与发射极之间的电压，所述第一电源电压值和第二电源电压值分别为待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下闭合回路中直流母线电压，所述闭合回路由电源、续流二极管和待测IGBT器件依次串联连接；
根据所述第一电流值、所述第一电压值以及所述第一电源电压值，计算所述闭合回路的第一电感值，并根据所述第二电流值、所述第二电压值以及所述第二电源电压值，计算所述闭合回路的第二电感值；
计算所述第一电感值和所述第二电感值的平均值得到所述闭合回路中的第三电感值；
所述计算所述第一电感值和所述第二电感值的平均值得到所述闭合回路中第三电感值通过如下公式：
Figure FDA0002733107100000021
其中LS3为所述第三电感值，ucer为所述第一电压值，ucef为所述第二电压值，udcr为所述第一电源电压值，udcf为所述第二电源电压值，dicr/dt为所述第一电流值的电流变化率，dicf/dt所述第二电流值的电流变化率。
2.一种基于IGBT器件的电感提取装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值，所述第一电流值、第一电压值分别为待测IGBT器件在开通瞬态下集电极电流和集电极与发射极之间的电压，所述第二电流值和第二电压值分别为待测IBGT器件在关断瞬态下其集电极电流和集电极与发射极之间的电压，所述第一电源电压值和第二电源电压值分别为待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下闭合回路中直流母线电压，所述闭合回路由电源、续流二极管和待测IGBT器件依次串联连接；
第一计算模块，用于根据所述第一电流值、所述第一电压值以及所述第一电源电压值，计算所述闭合回路的第一电感值，并根据所述第二电流值、所述第二电压值以及所述第二电源电压值，计算所述闭合回路的第二电感值；
第二计算模块，用于计算所述第一电感值和所述第二电感值的平均值得到所述闭合回路中的第三电感值；
所述第二计算模块计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中第三电感值通过如下公式：
Figure FDA0002733107100000031
其中LS3为所述第三电感值，ucer为所述第一电压值，ucef为所述第二电压值，udcr为所述第一电源电压值，udcf为所述第二电源电压值，dicr/dt为所述第一电流值的电流变化率，dicf/dt所述第二电流值的电流变化率。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一计算模块包括：
第一计算子模块，用于计算所述第一电源电压值与所述第一电压值的第一差值；
第一获取子模块，用于获取所述第一电流值的电流变化率；
第二计算子模块，用于根据所述第一差值与所述第一电流值的电流变化率，计算所述第一电感值。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第二计算模块还包括：
第三计算子模块，用于计算所述第二电压值与所述第二电源电压值的第二差值；
第二获取子模块，用于获取所述第二电流值的电流变化率；
第四计算子模块，用于根据所述第二差值与所述第二电流值的电流变化率，计算所述第二电感值。
5.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，该指令被处理器执行时实现权利要求1所述的基于IGBT器件的电感提取方法的步骤。
6.一种基于IGBT器件的电感提取设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1所述的基于IGBT器件的电感提取方法的步骤。
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