CN108183031A - 减轻低压化成箔波浪边的化成方法 - Google Patents

减轻低压化成箔波浪边的化成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108183031A
CN108183031A CN201810004605.6A CN201810004605A CN108183031A CN 108183031 A CN108183031 A CN 108183031A CN 201810004605 A CN201810004605 A CN 201810004605A CN 108183031 A CN108183031 A CN 108183031A
Authority
CN
China
Prior art keywords
foil
maleic acid
chemical conversion
hua cheng
lactones
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810004605.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108183031B (zh
Inventor
严季新
陈健
王建中
吴春春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SICHUAN ZHONGYA TECHNOLOGY Co Ltd
NANHAI HAIXING ELECTRONIC Co Ltd
Nantong Haixing Electronics LLC
Nantong Haiyi Electronics Co Ltd
Original Assignee
SICHUAN ZHONGYA TECHNOLOGY Co Ltd
NANHAI HAIXING ELECTRONIC Co Ltd
Nantong Haiyi Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SICHUAN ZHONGYA TECHNOLOGY Co Ltd, NANHAI HAIXING ELECTRONIC Co Ltd, Nantong Haiyi Electronics Co Ltd filed Critical SICHUAN ZHONGYA TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201810004605.6A priority Critical patent/CN108183031B/zh
Priority to PCT/CN2018/081587 priority patent/WO2019134280A1/zh
Priority to JP2018566563A priority patent/JP6691241B2/ja
Publication of CN108183031A publication Critical patent/CN108183031A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108183031B publication Critical patent/CN108183031B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/04Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/10Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing organic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/04Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/12Anodising more than once, e.g. in different baths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/055Etched foil electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Chemical Treatment Of Metals (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供了一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,其特征在于:工艺路线为前处理、五级化成处理、水洗、去极化处理、水洗、一次修补化成处理、水洗、中处理、热处理、二次修补化成处理和烘干处理,本发明的优点是:减轻低压化成箔波浪边,增加化成箔有效宽度且边部各项指标较优。

Description

减轻低压化成箔波浪边的化成方法
技术领域
本发明涉及一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法。
背景技术
现有的低压铝电解电容器用化成箔制造方法为:将电压腐蚀箔直接置于浓度3~10wt%己二酸铵溶液中,在温度为70℃,电流密度为500mA/cm2化成电压10V化成5~7min,后再在相同溶液条件下化成电压40V化成5~7min,再经过化成电压80V化成7~10min、化成电压100V化成15~20min;取出水洗,经过5wt%磷酸溶液60℃浸渍2~5min去极化处理;取出水洗;置于修补化成槽中化成电压100V进行一次修补化成5~7min;取出水洗;置于400~500℃热处理1~2min;再置于修补化成槽中化成电压100V进行二次修补化成后烘干得到低压化成箔。这种低压化成箔的制造方法产品版型为波浪形,影响下游裁切,产品有效使用面积小。
发明内容
本发明的目的在于克服上述局限,提供一种减轻低压化成箔波浪边,增加化成箔有效宽度且边部各项指标较优的化成处理方法。
本发明通过以下技术方案来实现:一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,包括以下技术步骤:
前处理:将低压腐蚀箔放入0.1~30wt%γ-丁内脂和0.1~2wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为40~60℃浸渍处理0.5~5min;
将经过前处理的铝箔在3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的20%,应加电压为20~170V,阳极氧化5~10min得到一级化成箔;
将一级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的40%,阳极氧化5~10min得到二级化成箔;
将二级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的60%,阳极氧化5~10min得到三级化成箔;
将三级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的80%,阳极氧化5~10min得到四级化成箔;
将四级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的100%,阳极氧化10~30min得到五级化成箔,取出水洗;
去极化处理:将五级化成箔置于3~6wt%磷酸水溶液中,40~70℃下浸渍2~5min,取出水洗;
一次修补化成:将去极化处理后的铝箔置于0.1~0.6%磷酸二氢铵溶液中,75~90℃,100%应加电压下修补化成5~10min,得到修补化成箔,取出水洗;
中处理:将修补化成箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为0.1~5wt%,温度为50~90℃,浸渍处理0.5~6min,得到中处理箔;稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3等中的一种或多种;
热处理:将中处理箔置于400~550℃烘箱中,处理1~3min,得到热处理箔;
二次修补化成:将热处理箔置于0.1~0.6%磷酸二氢铵溶液中,75~90℃,100%应加电压下修补化成5~10min;取出水洗、烘干得到产品。
综上所述,本发明具有以下优点:减轻低压化成箔波浪边,增加化成箔有效宽度且边部各项指标较优,产品边部更平整利用率高,与中部散差小,提高了产品一致性。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例对本发明作进一步详述,该实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明保护范围的限定。
实施例1:前处理:将低压腐蚀箔放入5wt%γ-丁内脂和0.2wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为40℃浸渍处理5min;将经过前处理的铝箔在7wt%己二酸铵和0.05wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为5v,阳极氧化5min得到一级化成箔;将一级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.05wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为10v,阳极氧化5min得到二级化成箔;将二级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.05wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为15v,阳极氧化5min得到三级化成箔;将三级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为20v,阳极氧化5min得到四级化成箔;将四级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为25v,阳极氧化15min得到五级化成箔,取出水洗;去极化处理:将五级化成箔置于6wt%磷酸水溶液中,40℃下浸渍3min,取出水洗;一次修补化成:将去极化处理后的铝箔置于0.1%磷酸二氢铵溶液中,80℃,25v电压下修补化成5min,得到修补化成箔,取出水洗;中处理:将修补化成箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为0.1wt%温度为50℃浸渍处理6min,得到中处理箔;稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3等中的一种或多种;热处理:将中处理箔置于400℃烘箱中,处理3min,得到热处理箔;二次修补化成:将热处理箔置于0.1%磷酸二氢铵溶液中,80℃,25v电压下修补化成5min。取出水洗、烘干得到产品。
实施例2:前处理:将低压腐蚀箔放入15wt%γ-丁内脂和1wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为50℃浸渍处理3min;将经过前处理的铝箔在10wt%己二酸铵和0.1wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60℃,电流密度50mA/cm2,电压为10v,阳极氧化7min得到一级化成箔;将一级化成箔置于10wt%己二酸铵和0.1wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60℃,电流密度50mA/cm2,电压为20v,阳极氧化7min得到二级化成箔;将二级化成箔置于10wt%己二酸铵和0.1wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60℃,电流密度50mA/cm2,电压为30v,阳极氧化7min得到三级化成箔;将三级化成箔置于10wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60℃,电流密度50mA/cm2,电压为40v,阳极氧化7min得到四级化成箔;将四级化成箔置于10wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60℃,电流密度50mA/cm2,电压为50v,阳极氧化20min得到五级化成箔,取出水洗;去极化处理:将五级化成箔置于3wt%磷酸水溶液中,70℃下浸渍5min,取出水洗;一次修补化成:将去极化处理后的铝箔置于0.3%磷酸二氢铵溶液中,85℃,50v电压下修补化成7min,得到修补化成箔,取出水洗;中处理:将修补化成箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为3wt%温度为70℃浸渍处理3min,得到中处理箔;稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3等中的一种或多种;热处理:将中处理箔置于480℃烘箱中,处理2min,得到热处理箔;二次修补化成:将热处理箔置于0.3%磷酸二氢铵溶液中,85℃,50v电压下修补化成7min,取出水洗、烘干得到产品。
实施例3:前处理:将低压腐蚀箔放入30wt%γ-丁内脂和2wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为60℃浸渍处理1min;将经过前处理的铝箔在15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为20v,阳极氧化10min得到一级化成箔;将一级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为40v,阳极氧化10min得到二级化成箔;将二级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为60v,阳极氧化10min得到三级化成箔;将三级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为80v,阳极氧化10min得到四级化成箔;将四级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为100v,阳极氧化30min得到五级化成箔,取出水洗;去极化处理:将五级化成箔置于5wt%磷酸水溶液中,55℃下浸渍2min,取出水洗;一次修补化成:将去极化处理后的铝箔置于0.6%磷酸二氢铵溶液中,90℃,100v电压下修补化成10min,得到修补化成箔,取出水洗;中处理:将修补化成箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为5wt%温度为90℃浸渍处理0.5min,得到中处理箔;稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3等中的一种或多种;热处理:将中处理箔置于550℃烘箱中,处理1min,得到热处理箔;二次修补化成:将热处理箔置于0.6%磷酸二氢铵溶液中,90℃,100v电压下修补化成10min,取出水洗、烘干得到产品。
实施例4:前处理:将低压腐蚀箔放入3wt%γ-丁内脂和0.1wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为40℃浸渍处理5min;将经过前处理的铝箔在7wt%己二酸铵和0.05wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为5v,阳极氧化5min得到一级化成箔;将一级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.05wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为10v,阳极氧化5min得到二级化成箔;将二级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.05wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为15v,阳极氧化5min得到三级化成箔;将三级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为20v,阳极氧化5min得到四级化成箔;将四级化成箔置于7wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度70℃,电流密度20mA/cm2,电压为25v,阳极氧化15min得到五级化成箔,取出水洗;去极化处理:将五级化成箔置于6wt%磷酸水溶液中,40℃下浸渍3min,取出水洗;一次修补化成:将去极化处理后的铝箔置于0.1%磷酸二氢铵溶液中,80℃,25v电压下修补化成5min,得到修补化成箔,取出水洗;中处理:将修补化成箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为0.1wt%温度为50℃浸渍处理6min,得到中处理箔;稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3等中的一种或多种;热处理:将中处理箔置于400℃烘箱中,处理3min,得到热处理箔;二次修补化成:将热处理箔置于0.1%磷酸二氢铵溶液中,80℃,25v电压下修补化成5min。取出水洗、烘干得到产品。
实施例5:前处理:将低压腐蚀箔放入10wt%γ-丁内脂和0.6wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为70℃浸渍处理1min;将经过前处理的铝箔在15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为20v,阳极氧化10min得到一级化成箔;将一级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为40v,阳极氧化10min得到二级化成箔;将二级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为60v,阳极氧化10min得到三级化成箔;将三级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为80v,阳极氧化10min得到四级化成箔;将四级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为100v,阳极氧化30min得到五级化成箔,取出水洗;去极化处理:将五级化成箔置于5wt%磷酸水溶液中,55℃下浸渍2min,取出水洗;一次修补化成:将去极化处理后的铝箔置于0.6%磷酸二氢铵溶液中,90℃,100v电压下修补化成10min,得到修补化成箔,取出水洗;中处理:将修补化成箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为5wt%温度为90℃浸渍处理0.5min,得到中处理箔;稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3等中的一种或多种;热处理:将中处理箔置于550℃烘箱中,处理1min,得到热处理箔;二次修补化成:将热处理箔置于0.6%磷酸二氢铵溶液中,90℃,100v电压下修补化成10min,取出水洗、烘干得到产品。
实施例6:前处理:将低压腐蚀箔放入30wt%γ-丁内脂和1wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为60℃浸渍处理1min;将经过前处理的铝箔在15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为20v,阳极氧化10min得到一级化成箔;将一级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为40v,阳极氧化10min得到二级化成箔;将二级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为60v,阳极氧化10min得到三级化成箔;将三级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为80v,阳极氧化10min得到四级化成箔;将四级化成箔置于15wt%己二酸铵和0.01wt%顺丁烯二酸溶液中,温度80℃,电流密度100mA/cm2,电压为100v,阳极氧化30min得到五级化成箔,取出水洗;去极化处理:将五级化成箔置于5wt%磷酸水溶液中,55℃下浸渍2min,取出水洗;一次修补化成:将去极化处理后的铝箔置于0.6%磷酸二氢铵溶液中,90℃,100v电压下修补化成10min,得到修补化成箔,取出水洗;中处理:将修补化成箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为5wt%温度为90℃浸渍处理0.5min,得到中处理箔;稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3等中的一种或多种;热处理:将中处理箔置于550℃烘箱中,处理1min,得到热处理箔;二次修补化成:将热处理箔置于0.6%磷酸二氢铵溶液中,90℃,100v电压下修补化成10min,取出水洗、烘干得到产品。
表1是实施例1-6得到的化成箔全幅5点比容散差表。

Claims (9)

1.一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,其特征在于:工艺路线为前处理、五级化成处理、水洗、去极化处理、水洗、一次修补化成处理、水洗、中处理、热处理、二次修补化成处理和烘干处理。
2.根据权利要求1所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理,具体为将低压腐蚀箔放入0.1~30wt%γ-丁内脂和0.1~2wt%顺丁烯二酸混合水溶液,温度为40~60℃浸渍处理0.5~5min;
将经过前处理的铝箔在3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的20%,应加电压为20~170V,阳极氧化5~10min得到一级化成箔;
所述五级化成处理为将一级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的40%,阳极氧化5~10min得到二级化成箔;
将二级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的60%,阳极氧化5~10min得到三级化成箔;
将三级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的80%,阳极氧化5~10min得到四级化成箔;
将四级化成箔置于3~15wt%己二酸铵和0.01~0.5wt%顺丁烯二酸溶液中,温度60~80℃,电流密度10~100mA/cm2,电压为应加电压的100%,阳极氧化10~30min得到五级化成箔,取出水洗;
所述去极化处理为将五级化成箔置于3~6wt%磷酸水溶液中,40~70℃下浸渍2~5min,取出水洗;
所述一次修补化成为将去极化处理后的铝箔置于0.1~0.6%磷酸二氢铵溶液中,75~90℃,100%应加电压下修补化成5~10min,得到修补化成箔,取出水洗;
所述中处理步骤为将一次修补化成处理后的铝箔置于具有晶粒细化作用的稀土无机盐溶液中,浓度为0.1~5wt%,温度为50~90℃,浸渍处理0.5~6min;
所述热处理为将中处理箔置于400~550℃烘箱中,处理1~3min,得到热处理箔;
所述二次修补化成为将热处理箔置于0.1~0.6%磷酸二氢铵溶液中,75~90℃,100%应加电压下修补化成5~10min;取出水洗、烘干得到产品。
3.根据权利要求2所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述中处理稀土无机盐为:La(NO3)3、Sc(NO3)3、Ce(NO3)3、Pr(NO3)3、Nd(NO3)3、Eu(NO3)3中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理,具体为将低压腐蚀箔放入0.1~5wt%γ-丁内脂和0.1~0.2wt%顺丁烯二酸混合水溶液,所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为3~7wt%和0.01~0.05wt%。
5.根据权利要求2所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理,具体为将低压腐蚀箔放入5~30wt%γ-丁内脂和0.2~2wt%顺丁烯二酸混合水溶液,所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为7~15wt%和0.05~0.5wt%。
6.根据权利要求4所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理,具体为将低压腐蚀箔放入2~5wt%γ-丁内脂和0.15~0.2wt%顺丁烯二酸混合水溶液,所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为5~7wt%和0.02~0.05wt%。
7.根据权利要求6所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理,具体为将低压腐蚀箔放入3wt%γ-丁内脂和0.1wt%顺丁烯二酸混合水溶液,所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为6wt%和0.03wt%。
8.根据权利要求5所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理,具体为将低压腐蚀箔放入5~15wt%γ-丁内脂和0.2~1wt%顺丁烯二酸混合水溶液,所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为7~10wt%和0.05~0.3wt%。
9.根据权利要求8所述的一种减轻低压化成箔波浪边的化成方法,所述前处理步骤为采用γ-丁内脂和顺丁烯二酸混合水溶液进行浸渍处理,具体为将低压腐蚀箔放入10wt%γ-丁内脂和0.6wt%顺丁烯二酸混合水溶液,所述五级化成处理的己二酸铵和顺丁烯二酸溶液浓度分别为8wt%和0.1wt%。
CN201810004605.6A 2018-01-03 2018-01-03 减轻低压化成箔波浪边的化成方法 Active CN108183031B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810004605.6A CN108183031B (zh) 2018-01-03 2018-01-03 减轻低压化成箔波浪边的化成方法
PCT/CN2018/081587 WO2019134280A1 (zh) 2018-01-03 2018-04-02 减轻低压化成箔波浪边的化成方法
JP2018566563A JP6691241B2 (ja) 2018-01-03 2018-04-02 低圧用化成箔のアンジュレーションを減軽する化成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810004605.6A CN108183031B (zh) 2018-01-03 2018-01-03 减轻低压化成箔波浪边的化成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108183031A true CN108183031A (zh) 2018-06-19
CN108183031B CN108183031B (zh) 2019-08-06

Family

ID=62549907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810004605.6A Active CN108183031B (zh) 2018-01-03 2018-01-03 减轻低压化成箔波浪边的化成方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6691241B2 (zh)
CN (1) CN108183031B (zh)
WO (1) WO2019134280A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109023474A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 南通海星电子股份有限公司 一种电极箔馈电液及高强度低压化成箔的制造方法
CN109056024A (zh) * 2018-08-30 2018-12-21 新疆众和股份有限公司 一种铝箔有机酸化成馈供电用电解液
CN109402700A (zh) * 2018-11-01 2019-03-01 青海瑞合铝箔有限公司 一种改进的化成箔制造工艺
CN110295385A (zh) * 2019-06-21 2019-10-01 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 一种模块化阳极箔化成方法
CN112071648A (zh) * 2020-07-13 2020-12-11 新疆众和股份有限公司 一种五级磷酸盐化成工艺
CN112941592A (zh) * 2021-01-28 2021-06-11 恒扬(韶关)工业有限公司 铝电解电容器低压化成箔生产工艺
CN113106518A (zh) * 2021-04-19 2021-07-13 南通海星电子股份有限公司 一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114411219B (zh) * 2021-12-30 2023-10-27 立敦电子科技(惠州)有限公司 高耐酸低压化成箔、制备方法及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1502719A (zh) * 2002-11-27 2004-06-09 电子科技大学 纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术
CN101030487A (zh) * 2006-12-22 2007-09-05 东莞市东阳光电容器有限公司 电解电容器阳极箔的制造方法
CN101593628A (zh) * 2008-05-26 2009-12-02 南通海一电子有限公司 低压用铝电解电容器电极箔的五级制造方法
CN104599845A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 日丰(清远)电子有限公司 一种电解电容器用低压阳极铝箔的生产方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104499030B (zh) * 2014-12-26 2017-03-15 四川日科电子有限公司 缩短水合时间的化成液、耐水性化成箔及其化成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1502719A (zh) * 2002-11-27 2004-06-09 电子科技大学 纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术
CN101030487A (zh) * 2006-12-22 2007-09-05 东莞市东阳光电容器有限公司 电解电容器阳极箔的制造方法
CN101593628A (zh) * 2008-05-26 2009-12-02 南通海一电子有限公司 低压用铝电解电容器电极箔的五级制造方法
CN104599845A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 日丰(清远)电子有限公司 一种电解电容器用低压阳极铝箔的生产方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109023474A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 南通海星电子股份有限公司 一种电极箔馈电液及高强度低压化成箔的制造方法
CN109056024A (zh) * 2018-08-30 2018-12-21 新疆众和股份有限公司 一种铝箔有机酸化成馈供电用电解液
CN109402700A (zh) * 2018-11-01 2019-03-01 青海瑞合铝箔有限公司 一种改进的化成箔制造工艺
CN110295385A (zh) * 2019-06-21 2019-10-01 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 一种模块化阳极箔化成方法
CN112071648A (zh) * 2020-07-13 2020-12-11 新疆众和股份有限公司 一种五级磷酸盐化成工艺
CN112071648B (zh) * 2020-07-13 2021-10-08 新疆众和股份有限公司 一种五级磷酸盐化成工艺
CN112941592A (zh) * 2021-01-28 2021-06-11 恒扬(韶关)工业有限公司 铝电解电容器低压化成箔生产工艺
CN113106518A (zh) * 2021-04-19 2021-07-13 南通海星电子股份有限公司 一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020507002A (ja) 2020-03-05
JP6691241B2 (ja) 2020-04-28
CN108183031B (zh) 2019-08-06
WO2019134280A1 (zh) 2019-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108183031B (zh) 减轻低压化成箔波浪边的化成方法
CN102709059B (zh) 一种中压铝电解电容器阳极箔的化成方法
CN102610390B (zh) 铝电解电容器用超高压阳极箔的化成方法
CN103243369B (zh) 一种提高铝电解电容用中高压阳极铝箔化成工艺
CN104505260B (zh) 一种用脉冲直流叠加电流制备中高压腐蚀箔的方法
CN103160902B (zh) 中高压电极箔5段化成2级液馈生产方法
CN105039989B (zh) 一种酸性氯化体系含铜蚀刻废液电积脱铜及再生的方法
CN104499028B (zh) 一种超低电压阳极氧化铝箔制造方法
CN102936074B (zh) 一种环氧类增塑剂生产废水的预处理方法
CN101483102B (zh) 中高压铝电解电容器用阳极铝箔腐蚀方法
CN104078240B (zh) 一种用于交流马达电容器的阳极箔制造方法
CN101030487A (zh) 电解电容器阳极箔的制造方法
CN101752095A (zh) 一种腐蚀铝箔的发孔方法
CN101707141A (zh) 一种铝电解电容器阳极箔的制造方法
CN105513803A (zh) 一种高温电容器用低压电极箔制造方法
CN107287638A (zh) 一种耐大纹波电流电极箔的化成方法
CN1962471A (zh) 一种采用铱钽锡氧化物涂层钛电极电解处理有机废水的方法
CN106745557A (zh) 一种钛基锡铱氧化物电极及其制备方法
CN108511195A (zh) 一种提高中高压电极箔氧化膜质量的后处理方法
CN103539300B (zh) 一种处理丁烯氧化脱氢制丁二烯废水的方法
CN110233051A (zh) 一种高含水系铝电解电容器用电极箔的制造方法
CN205635274U (zh) 高浓度废乳化液综合处置系统
CN100587871C (zh) 一种低压化成箔的制造方法
CN105347445A (zh) 一种铁电极活化过硫酸盐去除水中微污染物的方法
CN103132122B (zh) 一种钢丝在线常温电解磷化方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant