CN108179477A - 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法 - Google Patents

一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108179477A
CN108179477A CN201810081285.4A CN201810081285A CN108179477A CN 108179477 A CN108179477 A CN 108179477A CN 201810081285 A CN201810081285 A CN 201810081285A CN 108179477 A CN108179477 A CN 108179477A
Authority
CN
China
Prior art keywords
calcium sulfate
magnetic field
crystal whiskers
sulfate crystal
prepared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810081285.4A
Other languages
English (en)
Inventor
李强
尚超
刘福立
师长伟
闫平科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Liaoning Technical University
Original Assignee
Liaoning Technical University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Liaoning Technical University filed Critical Liaoning Technical University
Priority to CN201810081285.4A priority Critical patent/CN108179477A/zh
Publication of CN108179477A publication Critical patent/CN108179477A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
    • C30B30/04—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using magnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/62—Whiskers or needles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/14—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，属于矿物加工技术领域。该方法包括：将硫酸钠水溶液加入氯化钙水溶液中，得到合成前驱物，静置；按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1：(1～1.5)；在60～90℃，磁场强度为0.1～2T环境中，将合成前驱物持续搅拌，使溶液混合均匀，得到混合溶液；向混合溶液中加入促溶剂和晶型控制剂，在60～90℃，外加磁场强度为0.1～2T的环境下继续搅拌，反应0.5～2h，得到反应后的混合物料；将反应后的混合物料冷却至室温、洗涤、真空抽滤，固体产物烘干，得到硫酸钙晶须。该方法在磁场作用下具有产物受热均匀、合成温度低、反应时间短、节能环保且产率高的优点。

Description

一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法
技术领域
本发明属于矿物加工技术领域，具体涉及一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法。
背景技术
硫酸钙晶须是无水或半水石膏纤维状单晶体，硫酸钙晶须生产成本低，它不仅保留了普通粉体硫酸钙的无毒、轻质、隔声、隔热、胶凝性和阻燃性好等优良性能，又具有耐高温、抗腐蚀、韧性好、强度高等特性，广泛应用于医学、造纸、环保等诸多领域。
目前，有许多关于制备硫酸钙晶须的专利，主要采用水浴法和常压盐溶液法。在专利CN104480523A中，以水热法制备的硫酸钙晶须直径0.005-10μm，长度10-5000μm、长径比100-10000。在专利CN101550602A中，以脱硫石膏为原料，采用常压盐溶液法制备出直径为1～10μm，长度为140～60μm的硫酸钙晶须。利用水浴法和常压盐溶液法制备硫酸钙晶须具有操作流程短且简单易控制的优点，但制备过程中，不能对晶须成长进行精确控制，制得的硫酸钙晶须形貌和尺寸不稳定并且产率相对较低，不利于工业化。
总之，前人在制备硫酸钙晶须方面开展了一些工作，但没有涉及到在一定磁场强度条件下对硫酸钙进行搅拌处理并加入促溶剂、晶型控制剂，从而减少反应时间。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的反应时间过长、不能对晶须生长过程进行精确控制等缺陷，提供了一种在磁场中制备硫酸钙晶须的方法，该方法利用磁场的作用通过恒温水浴加热制备硫酸钙晶须，具有快速和便于精确控制晶须生长等优点，本发明为制备硫酸钙晶须提供了一种节能、高效、环保的新方法。该方法在磁场作用下具有产物受热均匀、合成温度低、反应时间短、节能环保且产率高的优点。
实现本发明的一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，包括以下步骤：
步骤1，配置物料
将硫酸钠水溶液加入氯化钙水溶液中，得到合成前驱物，静置；其中，按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1：(1～1.5)；
步骤2，预搅拌
在60～90℃，磁场强度为0.1～2T环境中，将合成前驱物持续搅拌，使溶液混合均匀，得到混合溶液；
步骤3，加入添加剂
向混合溶液中加入促溶剂和晶型控制剂，在60～90℃，外加磁场强度为0.1～2T的环境下继续搅拌，反应0.5～2h，得到反应后的混合物料；其中，促溶剂的加入量为混合溶液质量的0.01wt.％～10wt.％，晶型控制剂的加入量为混合溶液质量的1wt.％～10wt.％；
步骤4，后处理
将反应后的混合物料停止搅拌，自然冷却至室温，洗涤后进行真空抽滤，抽滤后的固体产物进行烘干，得到硫酸钙晶须。
本发明制得的硫酸钙晶须的直径为100～180μm、长度为5～10μm，长径比为10～36。
所述的步骤1中，所述的静置，静置时间为10～30min。
所述的步骤1中，所述的硫酸钠水溶液，优选摩尔浓度为0.3～0.7mol/L；所述的氯化钙水溶液，优选摩尔浓度为0.3～0.7mol/L。
所述的步骤2中，所述的搅拌，优选为磁力搅拌，搅拌速率为100～150r/min。
所述的步骤2中，所述的搅拌采用的设备为恒温水浴磁力搅拌器。
所述的步骤2中，所述的持续搅拌的时间优选为5～15min。
所述的步骤3中，所述的促溶剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十六烷基苯磺酸钠或硫脲的任意一种或几种混合。
所述的步骤3中，所述的晶型控制剂为氯化镁、氯化钾、氯化钠、硫酸铵或硫酸钠的任意一种或几种混合。
所述的步骤3中，所述的搅拌，优选为磁力搅拌，搅拌速率为100～150r/min。
所述的步骤4中，所述的烘干，具体是将抽滤后固体产物置于80～90℃烘箱中干燥2～3h。
本发明为一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，与现有的技术相比，本发明的特点和有益效果是：
本发明采用氯化钙与硫酸钠作为反应原料合成硫酸钙晶须，发生的反应是：
CaCl2+Na2SO4→2NaCl+CaSO4·2H2O
引进磁场，在磁场条件下对混合物进行磁力搅拌，该合成方法具有高效、加热均匀、合成温度低、反应时间短、产率高且环保的特点；在硫酸钙晶须的制备过程中加入促溶剂、晶型控制剂使得制备的硫酸钙晶须尺寸均匀，表面光滑。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的硫酸钙晶须在扫描电镜下的照片；
图2为本发明实施例1制备的硫酸钙晶须的XRD图谱；
图3为本发明实施例2制备的硫酸钙晶须在扫描电镜下的照片；
图4为本发明实施例3制备的硫酸钙晶须在扫描电镜下的照片；
图5为本发明实施例4制备的硫酸钙晶须在扫描电镜下的照片。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。
以下实施例，除特殊说明，使用的化学试剂为市购分析纯级别试剂。
以下实施例中，使用的恒温水浴磁力搅拌型号为上海凌科实业发展有限公司DF-101Z型，其额定功率为330W。
以下实施例中，扫描电镜下的硫酸钙晶须照片在日本津岛的SEM—SS550图像颗粒分析系统下拍摄，XRD图谱采用的仪器型号为日本的DX—2000。
实施例1
一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，包括以下步骤：
步骤1，配置物料
室温下，将浓度0.4mol/L硫酸钠水溶液加入盛有浓度为0.4mol/L氯化钙水溶液的烧杯中，得到合成前驱物，其中，按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1:1，静置20min；
步骤2，预搅拌
在60℃，磁场强度为0.1T环境中，将装有合成前驱物的烧杯置于恒温水浴磁力搅拌器中，磁力搅拌10min，搅拌速率为100r/min，得到混合溶液；
步骤3，加入添加剂
10min后，向混合溶液中加入十二烷基磺酸钠和氯化钾，在60℃，磁场强度为0.1T环境中继续磁力搅拌，反应1h，得到反应后的混合物料；其中，十二烷基磺酸钠的加入量为混合溶液质量的0.05％，氯化钾的加入量为混合溶液质量的1％，搅拌速率为100r/min；
步骤4，后处理
将反应后的混合物料停止搅拌，取出装有反应后的混合物料的烧杯并冷却至室温，用蒸馏水洗涤2次，进行真空抽滤，抽滤后的固体产物置于90℃烘箱中，干燥2h，得到硫酸钙晶须。
本次实施例制备出硫酸钙晶须平均长度达到100μm，平均直径为10μm，平均长径比10，图1为本实施例制备的硫酸钙晶须的扫描电镜图片，图2为本实施例制备的硫酸钙晶须的XRD图谱，根据XRD图谱分析，硫酸钙晶须为二水硫酸钙晶须。
实施例2
一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，包括以下步骤：
步骤1，配置物料
室温下，将浓度0.5mol/L硫酸钠水溶液加入盛有浓度为0.4mol/L氯化钙水溶液的烧杯中，得到合成前驱物，其中，按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1:1.2，静置10min；
步骤2，预搅拌
在80℃，磁场强度为0.5T环境中，将装有合成前驱物的烧杯置于恒温水浴磁力搅拌器中，磁力搅拌10min，搅拌速率为120r/min，得到混合溶液；
步骤3，加入添加剂
10min后向混合溶液中加入十二烷基苯磺酸钠和氯化钠，在80℃，磁场强度为0.5T环境中继续磁力搅拌，反应1h，得到反应后的混合物料；其中，十二烷基苯磺酸钠的加入量为混合溶液质量的1％，氯化钠的加入量为混合溶液质量的2％，搅拌速率为120r/min；
步骤4，后处理
将反应后的混合物料停止搅拌，取出装有反应后的混合物料的烧杯并冷却至室温，用蒸馏水洗涤2次，进行真空抽滤，抽滤后的固体产物置于80℃烘箱中，干燥3h，得到硫酸钙晶须。
本次实施例制备出硫酸钙晶须平均长度达到120μm，平均直径为10μm，平均长径比12，图3为本实施例制备的硫酸钙晶须的扫描电镜图片。
实施例3
一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，包括以下步骤：
步骤1，配置物料
室温下，将浓度0.5mol/L硫酸钠水溶液加入盛有浓度为0.5mol/L氯化钙水溶液的烧杯中，得到合成前驱物，其中，按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1:1.4，静置30min；
步骤2，预搅拌
在80℃，磁场强度为1T环境中，将装有合成前驱物的烧杯置于恒温水浴磁力搅拌器中，磁力搅拌10min，搅拌速率为130r/min，得到混合溶液；
步骤3，加入添加剂
10min后向混合溶液中加入十二烷基硫酸钠和氯化镁，在80℃，磁场强度为1T环境中继续磁力搅拌，反应1h，得到反应后的混合物料；其中，十二烷基硫酸钠的加入量为混合溶液质量的1.5％，氯化镁的加入量为混合溶液质量的2％，搅拌速率为130r/min；
步骤4，后处理
将反应后的混合物料停止搅拌，取出装有反应后的混合物料的烧杯并冷却至室温，用蒸馏水洗涤2次，进行真空抽滤，抽滤后的固体产物置于85℃烘箱中，干燥3h，得到硫酸钙晶须。
本次实施例制备出硫酸钙晶须平均长度达到150μm，平均直径为10μm，平均长径比15，图4为本实施例制备的硫酸钙晶须的扫描电镜图片。
实施例4
一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，包括以下步骤：
步骤1，配置物料
室温下，将浓度0.6mol/L硫酸钠水溶液加入盛有浓度为0.5mol/L氯化钙水溶液的烧杯中，得到合成前驱物，其中，按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1:1.5，静置30min；
步骤2，预搅拌
在90℃，磁场强度为0.8T环境中，将装有合成前驱物的烧杯置于恒温水浴磁力搅拌器中，磁力搅拌10min，搅拌速率为150r/min，得到混合溶液；
步骤3，加入添加剂
10min后向混合溶液中加入硫脲和硫酸铵，在90℃，磁场强度为0.8T环境中继续磁力搅拌，反应2h，得到反应后的混合物料；其中，硫脲的加入量为混合溶液质量的3％，硫酸铵的加入量为混合溶液质量的5％，搅拌速率为150r/min；
步骤4，后处理
将反应后的混合物料停止搅拌，取出装有反应后的混合物料的烧杯并冷却至室温，用蒸馏水洗涤2次，进行真空抽滤，抽滤后的固体产物置于80℃烘箱中，干燥3h，得到硫酸钙晶须。
本次实施例制备出硫酸钙晶须平均长度达到180μm，平均直径为5μm，平均长径比达到36，图5为本实施例制备的硫酸钙晶须的扫描电镜图片。
实施例5
一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，包括以下步骤：
步骤1，配置物料
室温下，将浓度0.7mol/L硫酸钠水溶液加入盛有浓度为0.7mol/L氯化钙水溶液的烧杯中，得到合成前驱物，其中，按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1:1.3，静置20min；
步骤2，预搅拌
在60℃，磁场强度为2T环境中，将装有合成前驱物的烧杯置于恒温水浴磁力搅拌器中，磁力搅拌10min，搅拌速率为100r/min，得到混合溶液；
步骤3，加入添加剂
10min后向混合溶液中加入硫脲和硫酸铵，在60℃，磁场强度为2T环境中继续磁力搅拌，反应2h，得到反应后的混合物料；其中，硫脲的加入量为混合溶液质量的10％，硫酸铵的加入量为混合溶液质量的10％，搅拌速率为100r/min；
步骤4，后处理
将反应后的混合物料停止搅拌，取出装有反应后的混合物料的烧杯并冷却至室温，用蒸馏水洗涤2次，进行真空抽滤，抽滤后的固体产物置于80℃烘箱中，干燥3h，得到硫酸钙晶须。

Claims (10)

1.一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，配置物料
将硫酸钠水溶液加入氯化钙水溶液中，得到合成前驱物，静置；其中，按摩尔比，氯化钙：硫酸钠＝1：(1～1.5)；
步骤2，预搅拌
在60～90℃，磁场强度为0.1～2T环境中，将合成前驱物持续搅拌，使溶液混合均匀，得到混合溶液；
步骤3，加入添加剂
向混合溶液中加入促溶剂和晶型控制剂，在60～90℃，外加磁场强度为0.1～2T的环境下继续搅拌，反应0.5～2h，得到反应后的混合物料；其中，促溶剂的加入量为混合溶液质量的0.01wt.％～10wt.％，晶型控制剂的加入量为混合溶液质量的1wt.％～10wt.％；
步骤4，后处理
将反应后的混合物料停止搅拌，自然冷却至室温，洗涤后进行真空抽滤，抽滤后的固体产物进行烘干，得到硫酸钙晶须。
2.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所制得的硫酸钙晶须的直径为100～180μm、长度为5～10μm，长径比为10～36。
3.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤1中，所述的静置，静置时间为10～30min。
4.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤1中，所述的硫酸钠水溶液，摩尔浓度为0.3～0.7mol/L；所述的氯化钙水溶液，摩尔浓度为0.3～0.7mol/L。
5.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤2中，所述的搅拌，为磁力搅拌，搅拌速率为100～150r/min。
6.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤2中，所述的持续搅拌的时间为5～15min。
7.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤3中，所述的促溶剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十六烷基苯磺酸钠或硫脲的任意一种或几种混合。
8.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤3中，所述的晶型控制剂为氯化镁、氯化钾、氯化钠、硫酸铵或硫酸钠的任意一种或几种混合。
9.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤3中，所述的搅拌，为磁力搅拌，搅拌速率为100～150r/min。
10.如权利要求1所述的磁场中制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于，所述的步骤4中，所述的烘干，具体是将抽滤后固体产物置于80～90℃烘箱中干燥2～3h。
CN201810081285.4A 2018-01-29 2018-01-29 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法 Pending CN108179477A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810081285.4A CN108179477A (zh) 2018-01-29 2018-01-29 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810081285.4A CN108179477A (zh) 2018-01-29 2018-01-29 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108179477A true CN108179477A (zh) 2018-06-19

Family

ID=62551584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810081285.4A Pending CN108179477A (zh) 2018-01-29 2018-01-29 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108179477A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109913953A (zh) * 2019-04-09 2019-06-21 南京工业大学 戊二胺制备过程中含硫酸钙固渣的处理方法
CN112251813A (zh) * 2020-10-30 2021-01-22 昆明理工大学 一种运用多物理场耦合辅助石膏制备硫酸钙晶须的方法
CN112442731A (zh) * 2020-11-06 2021-03-05 昆明理工大学 一种多物理场对晶体转化和生长定向调控的方法
CN112909424A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 帕特克(武汉)科技有限公司 原位改性硫酸钡晶须及其制备方法和锂离子电池隔膜
CN113046832A (zh) * 2021-03-10 2021-06-29 西安建筑科技大学 一种短周期低成本水热法制备半水硫酸钙晶须的方法
CN115894916A (zh) * 2022-12-13 2023-04-04 中鼎凯瑞科技成都有限公司 防X、γ射线和中子辐射的聚芳硫醚基屏蔽材料及其制备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101550602A (zh) * 2009-05-19 2009-10-07 武汉科技大学 一种以脱硫石膏为原料的CaSO4晶须及其制备方法
CN101736404A (zh) * 2010-01-22 2010-06-16 四川大学 硫酸钙晶须与磷酸的联产法
CN106801259A (zh) * 2017-01-17 2017-06-06 辽宁工程技术大学 一种机械力活化脱硫石膏制备硫酸钙晶须的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101550602A (zh) * 2009-05-19 2009-10-07 武汉科技大学 一种以脱硫石膏为原料的CaSO4晶须及其制备方法
CN101736404A (zh) * 2010-01-22 2010-06-16 四川大学 硫酸钙晶须与磷酸的联产法
CN106801259A (zh) * 2017-01-17 2017-06-06 辽宁工程技术大学 一种机械力活化脱硫石膏制备硫酸钙晶须的方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109913953A (zh) * 2019-04-09 2019-06-21 南京工业大学 戊二胺制备过程中含硫酸钙固渣的处理方法
CN112251813A (zh) * 2020-10-30 2021-01-22 昆明理工大学 一种运用多物理场耦合辅助石膏制备硫酸钙晶须的方法
CN112442731A (zh) * 2020-11-06 2021-03-05 昆明理工大学 一种多物理场对晶体转化和生长定向调控的方法
CN112909424A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 帕特克(武汉)科技有限公司 原位改性硫酸钡晶须及其制备方法和锂离子电池隔膜
CN113046832A (zh) * 2021-03-10 2021-06-29 西安建筑科技大学 一种短周期低成本水热法制备半水硫酸钙晶须的方法
CN113046832B (zh) * 2021-03-10 2022-05-13 西安建筑科技大学 一种短周期低成本水热法制备半水硫酸钙晶须的方法
CN115894916A (zh) * 2022-12-13 2023-04-04 中鼎凯瑞科技成都有限公司 防X、γ射线和中子辐射的聚芳硫醚基屏蔽材料及其制备
CN115894916B (zh) * 2022-12-13 2024-05-03 中鼎凯瑞科技成都有限公司 防X、γ射线和中子辐射的聚芳硫醚基屏蔽材料及其制备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108179477A (zh) 一种磁场中制备硫酸钙晶须的方法
CN101671848B (zh) 一种高长径比无水硫酸钙晶须的制备方法
CN107723800A (zh) 无机盐溶液中微波辅助合成硫酸钙晶须的方法
CN105883886B (zh) 一种利用盐化工副产物制备高纯α‑半水石膏粉的方法
CN107417146B (zh) 一种低品位菱镁矿综合利用方法
CN107032651A (zh) 晶核型混凝土早强剂及其制备方法
CN106745161B (zh) 一种醇-水混合体系中制备纳米硫酸钙以及硫酸钙晶须的方法
CN106315573A (zh) 改性石墨烯及其水泥复合材料的制备方法
CN110372236A (zh) 一种脱硫灰制备α型半水石膏的方法及其产品
CN103242007A (zh) 氧化石墨烯改性聚合物水泥防水涂料的制备方法
CN107473620A (zh) 一种无碱液体混凝土速凝剂及其制备方法和应用
CN106632884A (zh) 一种聚羧酸减水剂的制备方法
CN107399755B (zh) 一种脱硫石膏制备高白度短柱状α-半水石膏的方法
CN102219423A (zh) 一种新型低碱液体速凝剂的制备方法
CN106087064A (zh) 一种硫酸钙晶须的原位改性方法
CN107298451B (zh) 一种低品位菱镁矿镁碳双利用方法
CN101492278A (zh) 一种改性氯氧镁水泥制品及其制备方法
CN107324363A (zh) 一种高Al13含量聚合氯化铝的简易制备方法
CN104108904B (zh) 质感涂料及其制备方法
CN106517352B (zh) 联合助剂引导下氧化铁红晶种的制备方法
CN109320188A (zh) 一种高强度防水石膏板复合材料与制备方法
CN107337371A (zh) 一种无碱无氯液体有机无机复配速凝剂及其制备方法
CN105837103B (zh) 一种建筑材料混凝土外加料
CN110528060A (zh) 氟石膏渣生长硫酸钙晶须的方法及硫酸钙晶须
CN108411356A (zh) 一种利用低品位硅灰石制备硫酸钙晶须和硅溶胶的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180619