CN108140457A - 氧化物超导线材 - Google Patents

Abstract

一种氧化物超导线材，其包括取向的金属基板、在所述取向的金属基板上形成的中间层以及在所述中间层上形成的氧化物超导层。所述取向的金属基板具有7°以下的面内取向性Δφ。所述中间层由单层形成。

Description

氧化物超导线材

技术领域

本发明涉及氧化物超导线材。

本申请要求于2015年10月15日提交的日本专利申请2015-203745号的优先权，并通过引用将其全部内容并入本文中。

背景技术

日本特开2012-248469号公报(专利文献1)记载了氧化物超导线材，所述氧化物超导线材包括取向的金属基板、在所述取向的金属基板上形成的中间层以及在所述中间层上形成的氧化物超导层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-248469号公报

发明内容

本公开的氧化物超导线材包括取向的金属基板、在取向的金属基板上形成的中间层以及在中间层上形成的氧化物超导层。取向的金属基板具有7°以下的面内取向性(Δφ)。中间层由单层形成。

附图说明

图1是示出实施方式的氧化物超导线材的构成的示意性截面图。

图2是示出常规氧化物超导线材的构成的示意性截面图。

图3是示出实施方式的制造氧化物超导线材的方法的流程图。

图4是说明实施方式的制造氧化物超导线材的方法的示意性截面图。

图5是说明实施方式的制造氧化物超导线材的方法的示意性截面图。

图6是说明实施方式的制造氧化物超导线材的方法的示意性截面图。

图7是说明实施方式的制造氧化物超导线材的方法的示意性截面图。

图8是示出实施方式的变形例的氧化物超导线材的构成的示意性截面图。

具体实施方式

[本公开要解决的问题]

根据专利文献1中记载的氧化物超导线材，氧化物超导层的取向性可以通过在取向的金属基板与氧化物超导层之间插入中间层而得到提高。在此，“取向性”是指晶粒的晶体取向对齐的程度。另外，可以抑制在基板与氧化物超导层之间的元素的扩散和反应。结果，可以获得诸如高临界电流密度(Jc)和高临界电流(Ic)的优异特性。

然而，在专利文献1中记载的氧化物超导线材中，为了获得具有良好取向性的中间层，在取向的金属基板上堆叠多个层以形成中间层。作为这样的中间层，例如通常采用由CeO₂(二氧化铈)/YSZ(氧化钇稳定的氧化锆)/Y₂O₃(氧化钇)形成的三层结构。因此，在取向的金属基板上形成中间层的步骤需要与上述多层相对应的多个成膜工艺，由此增加了制造成本。

因此，本公开的目的在于提供允许在维持优异超导特性的同时降低制造成本的氧化物超导线材。

[本公开的效果]

根据本公开，可以实现允许在维持优异超导特性的同时降低制造成本的氧化物超导线材。

[本发明的实施方式的说明]

首先，将列出并说明本发明的实施方式。

(1)本发明的一个实施方式的氧化物超导线材1(参见图1)包括取向的金属基板10、在取向的金属基板10上形成的中间层20以及在中间层20上形成的氧化物超导层30。取向的金属基板10具有7°以下的面内取向性(Δφ)。中间层20由单层形成。在本说明书中，取向的金属基板10的面内取向性可以通过X射线衍射(XRD)由通过取向的金属基板10的(111)面的φ扫描获得的峰的半峰全宽(FWHM)确定。

根据上述(1)的氧化物超导线材1，由于取向的金属基板10具有良好的取向性，所以在取向的金属基板10上形成的中间层20可以具有良好的取向性。因此，即使在由单层形成中间层20的情况下，也可以获得良好的取向性。结果，中间层20上形成的氧化物超导层30也具有良好的取向性，由此可以获得优异的超导特性。

另外，根据氧化物超导线材1，由于可以以良好的取向性形成由单层形成的中间层20，所以与常规氧化物超导线材相比，中间层20的厚度可以减小。由此可以降低制造成本。结果，可以获得允许在维持优异超导特性的同时降低制造成本的氧化物超导线材。

取向的金属基板10可以更优选具有6°以下的面内取向性Δφ。

(2)优选地，在上述(1)所述的氧化物超导线材1中，取向的金属基板10为被覆基板。作为这样的取向的金属基板，例如可以使用具有NiW/SUS的堆叠结构的被覆基板或者具有Ni/Cu/SUS的堆叠结构的被覆基板。因此，与使用Ni-W合金基板作为取向的金属基板的氧化物超导线材相比，在中间层的厚度相同的情况下，可以提高超导特性(Ic)。

(3)优选地，在上述(1)所述的氧化物超导线材1中，中间层20具有10nm以上的厚度。因此，可以以良好的取向性形成由单层形成的中间层20。中间层20更优选具有200nm以下的厚度。因此，可以在实现氧化物超导层30的良好的取向性的同时降低制造成本。

(4)优选地，在上述(1)至(3)中任一项所述的氧化物超导线材1中，中间层20具有8°以下的面内取向性Δφ。因此，由于由单层形成的中间层20具有良好的取向性，所以形成在中间层20上的氧化物超导层30可以具有良好的取向性。

优选中间层20的面内取向性等于或大于取向的金属基板10的面内取向性。所述面内取向性等于或大于是指中间层20的Δφ等于或小于取向的金属基板10的Δφ。通过将中间层20的Δφ与取向的金属基板10的Δφ之间的差除以取向的金属基板10的Δφ获得的值(以百分比表示)优选为15％以下。

(5)优选地，在上述(1)至(4)中任一项所述的氧化物超导线材1(参见图8)中，取向的金属基板10在与中间层20接触的最上部可以包括氧化物层11。

[本发明实施方式的详情]

现在将基于附图对本发明的实施方式进行说明。在以下附图中，相同或相应的部分用相同的参考符号表示，并且将不重复对其的说明。

(氧化物超导线材的构成)

图1是示出实施方式的氧化物超导线材的构成的示意性截面图。图1示出沿着与本实施方式的氧化物超导线材1延伸的方向相交的方向切割的横截面。因此，与纸面相交的方向是氧化物超导线材1的纵向，并且氧化物超导层30的超导电流沿着与横截面相交的方向流动。尽管在图1和后续的示意性截面图中为了视觉清晰而减小了在矩形横截面中的垂直方向(在下文中也称为“厚度方向”)与水平方向(在下文中也称为“宽度方向”)之间的长度差，但横截面的厚度方向上的长度实际上充分小于宽度方向上的长度。

参考图1，本实施方式的氧化物超导线材1是长尺寸形状(带状)的并且横截面是矩形的，并且在这种情况下，具有沿长尺寸形状的纵向延伸的相对大的表面作为主表面。氧化物超导线材1包括具有取向且结晶的表面的取向的金属基板10、中间层20、氧化物超导层30、保护层40和稳定层50。

取向的金属基板10是指晶体取向在基板表面的面中沿双轴方向对齐的基板。作为取向的金属基板10，例如适当地使用由镍(Ni)、铜(Cu)、铬(Cr)、锰(Mn)、钴(Co)、铁(Fe)、钯(Pd)、银(Ag)、钨(W)和金(Au)中的两种以上的金属制成的合金。这些金属可以与另外的金属或合金堆叠。

例如，取向的金属基板10可以通过将取向的金属层贴合到基板表面而形成。该基板是无取向的并且是无磁性的，并且具有比取向的金属层的强度高的强度。作为该基板，例如使用SUS(不锈钢)、Ni类合金等等。取向的金属层的材料的实例包括但不限于Ni、NiW(镍钨)和Cu(铜)。当使用Cu作为取向的金属层的材料时，可以在已经获得取向的金属基板之后的一个步骤中通过诸如镀敷的方法在取向的金属层的表面上形成由Ni等制成的涂层，以防止形成取向的金属层的Cu的氧化。

作为这样的取向的金属基板10，例如可以使用具有NiW/SUS的堆叠结构的被覆基板或者具有Ni/Cu/SUS的堆叠结构的被覆基板。与取向的单质金属层的实例相比，由此可以提高取向的金属基板的强度。另外，由于基板和取向的金属层贴合在一起，因此可以获得良好的取向性。结果，可以获得具有良好的取向性和高强度的取向的金属基板10。取向的金属基板10优选具有7°以下的面内取向性Δφ。

中间层20形成在取向的金属基板10上。中间层20由单层形成。形成中间层20的材料优选为具有岩盐型、萤石型、钙钛矿型和烧绿石型中的任一种的晶体结构的氧化物。具有这样的晶体结构的氧化物的实例包括：稀土元素氧化物，例如CeO₂(二氧化铈)、Ho₂O₃(氧化钬)、Yb₂O₃(氧化镱)；氧化物，例如YSZ(氧化钇稳定的氧化锆)、MgO(氧化镁)、Al₂O₃(三氧化二铝)；ABO₃型钙钛矿型化合物(A为选自Ca、Ba、Sr及镧系元素中的一种以上的元素；B为选自Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Nb、Mo和Gd中的一种以上的元素；O为氧)，例如SrTiO₃(钛酸锶)、BaZrO₃(锆酸钡)、LaMnO₃。特别地，从晶体常数和晶体取向的观点考虑，适合使用Y₂O₃、SrTiO₃、LaMnO₃等。

这些材料与氧化物超导层30的反应性极低，并且即使在与氧化物超导层30接触的界面处也不会使氧化物超导层30的超导性劣化。当在高温下形成氧化物超导层30时，这些材料还可以起到防止元素从取向的金属基板10扩散到氧化物超导层30的作用。形成中间层20的材料不特别地限于这些材料。中间层20优选具有良好的取向性。例如，中间层20优选具有8°以下的面内取向性Δφ。

氧化物超导层30形成在中间层20上。氧化物超导层30的材料例如优选为RE123类氧化物超导体。RE123类氧化物超导体是指由组成式REBa₂Cu₃O_y表示的超导体。在该组成式中，RE表示诸如Y(钇)、Gd(钆)、Sm(钐)、Ho(钬)、La(镧)、Nd(钕)、Eu(铕)、Dy(镝)、Er(铒)、Yb(镱)和Lu(镥)中的一种或两种以上的稀土元素。Y为6～8，且更优选为6.8～7。为了提高Ic，氧化物超导层30优选具有1μm～5μm的厚度。

保护层40形成在氧化物超导层30上以保护氧化物超导层30。例如，保护层40由Ag或Ag合金制成。保护层40不限于该Ag保护层，并且例如可以使用由Cu或Cu合金制成的Cu保护层来代替Ag保护层。

堆叠体由上述的取向的金属基板10、中间层20、氧化物超导层30和保护层40形成。然后形成稳定层50以覆盖该堆叠体的外周。在本实施方式中，形成稳定层50以覆盖堆叠体的外周，即覆盖堆叠体的几乎整个最外表面。然而，在此使用的“堆叠体的外周”并不限于整个外周，而是可以仅为堆叠体的上侧主表面。

稳定层50由具有良好导电性的金属材料的箔或镀层形成。形成稳定层50的材料优选为Cu或Cu合金。稳定层50与保护层40一起作为其中氧化物超导层30的电流在氧化物超导层30从超导状态转变到正常传导状态期间换向的旁路起作用。

如图1中所示，在本实施方式的氧化物超导线材1中，插在取向的金属基板10和氧化物超导层30之间的中间层20由单层形成。

常规上，经常采用具有由多个层形成的中间层的氧化物超导线材。图2是示出常规氧化物超导线材的构成例的示意性截面图。在图2的例子中，氧化物超导线材包括具有三层结构的中间层120。具体地，中间层120包括CeO₂层121、在CeO₂层121上形成的YSZ层122以及在YSZ层122上形成的CeO₂层123。CeO₂层121是用于在取向的金属基板110上形成双轴取向的陶瓷层的晶种层(シード層)。YSZ层122是用于防止元素从取向的金属基板110扩散到氧化物超导层130的防扩散层。CeO₂层123是用于生长c轴取向的氧化物超导层130的在中间层120与氧化物超导层130之间的晶格匹配层。

在图2所示的氧化物超导线材中，通过在取向的金属基板110与氧化物超导层130之间插入由多个层形成的中间层120来确保良好的取向性。另一方面，在形成中间层120的步骤中，需要依次进行CeO₂层形成步骤、YSZ层形成步骤和CeO₂层形成步骤以在取向的金属基板110上依次形成CeO₂层121、YSZ层122和CeO₂层123，由此增加了制造成本。

本发明人在降低制造成本方面进行了减小中间层厚度的研究。结果，证实取向的金属基板的取向性影响中间层的取向性，并且提高取向的金属基板的取向性可以在即使中间层是由单层形成的情况下也形成具有良好的取向性的中间层，并且可以防止元素从取向的金属基板扩散到氧化物超导层。

本实施方式的氧化物超导线材1基于上述发现，并且通过能够在具有良好的取向性的取向的金属基板10上以良好的取向性形成由单层形成的中间层20，与图2中所示的常规氧化物超导线材相比，可以具有减小的中间层20的厚度。因此，可以在维持优异的超导特性的同时降低制造成本。

在本实施方式中，取向的金属基板10优选具有7°以下的面内取向性Δφ。取向的金属基板10可以更优选具有6°以下的面内取向性Δφ。在本说明书中，取向的金属基板10的面内取向性可以借助于通过X射线衍射(XRD)进行的特定面的衍射取向测量来进行评价。

在XRD测量中，可以使用例如由日本理学株式会社(Rigaku Corporation)制造的RINT作为X射线发生器。Cu的Kα线被用作X射线源。产生输出为40千伏和40毫安的X射线。

取向的金属基板10的面内取向性Δφ可以由取向的金属基板10的主表面的(111)面的φ扫描的FWHM确定。取向的金属基板10的主表面的(111)面的φ扫描的FWHM对应于在取向的金属基板10的(111)面的倾斜为α＝35°时获得的X射线衍射峰的FWHM(φ扫描的FWHM)。在满足α＝35°时观察到的四个φ扫描峰的FWHM的平均值表示为面内取向性Δφ。Δφ值越小，表示面内取向性越好。

当在已经形成包括取向的金属基板10、中间层20、氧化物超导层30和保护层40的堆叠体之后测量取向的金属基板10的面内取向性时，取向的金属基板10的表面的取向度可以通过剥离保护层40和氧化物超导层30来测量。保护层40的剥离例如可以通过用过氧化氢水溶液和氨水的混合溶液蚀刻保护层40来进行。氧化物超导层30的剥离例如可以通过用硝酸蚀刻氧化物超导层30来进行。由于中间层20具有小的厚度并且允许X射线穿过，所以即使中间层20未剥离，取向的金属基板10的取向度的测量也不受影响。

当取向的金属基板10具有7°以下的面内取向性Δφ时，即使减小由单层形成的中间层20的厚度，也可以缓和(緩和する)取向的金属基板10与氧化物超导层30之间的晶格匹配性，并且可以防止元素(例如Ni)在取向的金属基板10与氧化物超导层30之间扩散。结果，可以在由单层薄膜形成的中间层20上以良好的取向性形成氧化物超导层30，由此实现氧化物超导线材1的优异的超导特性。

另一方面，当取向的金属基板10具有大于7°的面内取向性Δφ时，当在高温下形成氧化物超导层30时，难以通过中间层20防止元素(例如Ni)从取向的金属基板10到氧化物超导层30的扩散。结果，氧化物超导层30的结晶性(取向和表面平滑性)可能劣化，或者超导转变温度(Tc)可能降低。氧化物超导层30的这样的结晶性的劣化和Tc的降低导致氧化物超导线材1的超导特性的劣化(例如，Ic降低)。

为了防止元素在取向的金属基板10与氧化物超导层30之间的扩散，除了增加由单层形成的中间层20的厚度之外别无选择，这可能导致无法产生降低制造成本的效果。

在本实施方式中，由单层形成的中间层20的厚度优选为10nm以上且200nm以下。当中间层20的厚度为10nm以上时，中间层20可以起到防扩散层和晶格匹配层的作用。另一方面，当中间层20的厚度超过200nm时，降低制造成本的效果减小。也就是说，当中间层20的厚度为10nm以上且200nm以下时，可以在实现氧化物超导层30的良好的结晶性(取向性、表面平滑性等等)的同时降低制造成本。

此外，在本实施方式中，中间层20的面内取向性Δφ优选等于或大于取向的金属基板10的面内取向性Δφ。通过将中间层20的Δφ与取向的金属基板10的Δφ之间的差除以取向的金属基板10的Δφ获得的值(以百分比表示)优选为15％以下。

然而，中间层20的面内取向性Δφ优选为8°以下。这是因为，当中间层20的面内取向性Δφ超过8°时，为了在中间层20上形成的氧化物超导层30中获得良好的取向性，中间层20的厚度将大于200nm。

(制造氧化物超导线材的方法)

接着，参照图3～7，对本实施方式的制造氧化物超导线材的方法进行说明。图3是示出本实施方式的制造氧化物超导线材的方法的流程图。

参照图3，首先进行基板准备步骤(S10)。具体地，参照图4，准备取向的金属基板10。当取向的金属基板10是具有诸如SUS的无取向且无磁性的金属作为基板的被覆基板时，通过诸如辊压的方法进行基板与取向的金属层之间的贴合。

接着，进行在取向的金属基板10上形成中间层20的中间层形成步骤(图3中的S20)。具体地，参照图5，在取向的金属基板10的主表面上形成中间层20。作为形成中间层20的方法，例如可以使用诸如溅射法的气相法，但也可以使用金属有机物分解(MOD)法。

接着，进行在中间层20上形成氧化物超导层30的超导层形成步骤(图3中的S30)。具体地，参照图6，在中间层20的面向取向的金属基板10的主表面的相反侧的中间层20的主表面(图6中的上侧主表面)上形成由RE123类氧化物超导体制成的氧化物超导层30。作为形成氧化物超导层30的方法，可以使用任何成膜方法，例如气相法和液相法，或它们的组合。气相法的实例包括脉冲激光沉积(PLD)法、溅射法和电子束蒸发法。液相法的实例包括MOD法。当使用激光沉积法、溅射法、电子束法和MOD法中的至少一种时，可以形成具有优异的取向性和表面平滑性的表面的氧化物超导层30。

接着，进行在氧化物超导层30上形成保护层40的保护层形成步骤(图3中的S40)。具体地，参照图7，在氧化物超导层30的面向中间层20的主表面的相反侧的氧化物超导层30的主表面(图7中的上侧主表面)上通过诸如溅射或电镀法的物理气相沉积方法形成由Ag或Ag合金制成的保护层40。氧化物超导层30的表面可以通过形成保护层40来进行保护。随后，进行氧退火(酸素アニール)，其中在氧气氛下进行热处理(氧引入步骤)，以将氧引入氧化物超导层30中。通过进行上述步骤，形成包括在取向的金属基板10上依次堆叠的中间层20、氧化物超导层30和保护层40的堆叠体。

接着，进行在堆叠体的外周处形成稳定层50的稳定层形成步骤(图3中的S50)。具体地，通过已知的镀敷法形成由Cu或Cu合金制成的稳定层50，以覆盖堆叠体的外周，即覆盖堆叠体的几乎整个最外表面。除了镀敷法之外，形成稳定层50的方法的实例包括贴合铜箔的方法。通过进行上述步骤，制造了图1中所示的氧化物超导线材1。

参考图8，对图1中所示的氧化物超导线材1的变形例进行了说明。除了取向的金属基板10的构成不同于图1中所示的氧化物超导线材1的构成以外，图8中所示的氧化物超导线材1基本上具有与图1中所示的氧化物超导线材1类似的构成。在图8中所示的氧化物超导线材1中，取向的金属基板10在与中间层20接触的最上部包括氧化物层11。当取向的金属基板10的表面层是Ni层时，则氧化物层11是NiO(氧化镍)层。氧化物层11具有约10nm～约200nm的厚度。氧化物层11在中间层20的形成期间产生，并且也可以通过在超导层形成步骤(图3中的S30)中的氧气氛中的热处理而产生。

再次，在图8中所示的氧化物超导线材1中，可以在取向的金属基板10上以良好的取向性形成由单层薄膜形成的中间层20以及氧化物超导层30。结果，可以获得与图1中所示的氧化物超导线材1类似的效果。

实施例

接着，将基于实施例对本发明进行具体的说明。

(样品)

准备以下样品以检查取向的金属基板10的取向性对氧化物超导线材的影响。也就是说，准备如下的样品(1～13号样品)：在具有5°～8°的面内取向性Δφ的取向的金属基板上形成由单层形成且具有5nm～300nm的厚度的中间层，且在该中间层上形成氧化物超导层。

作为取向的金属基板，使用具有Ni/Cu/SUS的堆叠结构的被覆基板(1～11号样品)和Ni-W合金基板(12号和13号样品)。在1～11号样品各自的被覆基板中，Ni层具有2μm的厚度并且Cu层具有20μm的厚度。在12号和13号样品各自的Ni-W合金基板中，W具有5原子％(原子浓度)的组成比。

对各样品的取向的金属基板进行X射线衍射分析(φ扫描)，以测量面内取向性Δφ。作为中间层，使用溅射法在取向的金属基板上形成厚度为5nm～300nm的Y₂O₃层。另外，作为氧化物超导层，使用PLD法在中间层上形成具有2500nm的厚度的GdBCO层。

(评价)

对于上述1～13号样品中的各样品，在自磁场下在液氮温度(77.3K)下测量超导特性(Ic)。通过感应方法使用由THEVA制造的CryoScan装置测量超导转变温度Tc。结果示于表1中。

[表1]

如表1中所示，除了3号和6号样品外，在1～13号样品中，取向的金属基板的Δφ小于7°。其中，在1号和8～11号样品中，取向的金属基板的Δφ小于6°。

首先，比较具有相同厚度的中间层的1～3号和7号样品。在取向的金属基板的Δφ大于7°的3号样品中，Ic减小。另一方面，在取向的金属基板的Δφ小于7°的1号和2号样品中，可以看出Ic和Tc高，这是优选的。然而，在取向的金属基板的Δφ为7°以下、但中间层的Δφ高于8°的7号样品中，Tc具有高值，但Ic具有稍低的值。

接着，取向的金属基板的Δφ均大于7°且具有不同的中间层厚度的3号和6号样品之间的比较显示，与具有较小的中间层厚度的3号样品相比，在具有较大的中间层厚度的6号样品中获得较高的Ic。因此可以看出，当取向的金属基板的Δφ大于7°时，为了获得高Ic必须增加中间层的厚度。

另一方面，取向的金属基板的Δφ小于7°且具有减小的中间层厚度的4号、5号和12号样品之间的比较显示，虽然在厚度为5nm时Ic由于Tc减小而减小(4号样品)，但是当厚度为10nm时获得高Ic和Tc(5号和12号样品)。

此外，取向的金属基板的Δφ小于7°的1号、2号、5号和8～13号样品之间的比较显示，在取向的金属基板的Δφ小于6°的1号和8～11号样品中Ic较高，这是更优选的。此外，取向的金属基板的Δφ小于6°的1号和8～11号样品之间的比较显示，即使中间层的厚度从1000nm减小到150nm，也维持高的Ic。

最后，取向的金属基板的Δφ小于7°且具有相同的中间层厚度的5号和12号样品之间的比较显示，与其中取向的金属基板为Ni-W合金基板的12号样品相比，其中取向的金属基板为被覆基板的5号样品中Ic较高，这是更优选的。对于8号样品和13号样品之间的比较，情况同样如此。因此，可以说为了提高Ic而更优选被覆基板。

以这种方式，当取向的金属基板具有7°以下的面内取向性Δφ时，即使在由单层薄膜形成的中间层的情况下，也可以形成具有良好的取向性的氧化物超导层。更优选地，中间层可以具有10nm以上的厚度，并且中间层可以具有8°以下的面内取向性Δφ。更优选地，取向的金属基板可以具有6°以下的Δφ。更优选地，可以使用被覆基板作为取向的金属基板。由此，可以获得允许在维持优异超导特性的同时降低制造成本的氧化物超导线材。结果，可以产生提高批量生产性的效果。

应当理解在此公开的实施方式和实施例在任何方面都是说明性的而非限制性的。本发明的范围由权利要求书的各项限定，而不是由上述的实施方式和实施例限定，并且旨在包括在与权利要求书等同的范围和含义内的任何修改。

标号说明

1氧化物超导线材；10、110取向的金属基板；11氧化物层；20、120中间层；30、130氧化物超导层；40保护层；50稳定层；121、123CeO₂层；122YSZ层。

Claims (5)

1.一种氧化物超导线材，其包括：

取向的金属基板；

在所述取向的金属基板上形成的中间层；以及

在所述中间层上形成的氧化物超导层，

所述取向的金属基板具有7°以下的面内取向性(Δφ)，并且

所述中间层由单层形成。

2.根据权利要求1所述的氧化物超导线材，其中

所述取向的金属基板为被覆基板。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物超导线材，其中

所述中间层具有10nm以上的厚度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物超导线材，其中

所述中间层具有8°以下的面内取向性。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化物超导线材，其中

所述取向的金属基板在与所述中间层接触的最上部包括氧化物层。