CN108139531A - 偏振元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明所涉及的偏振元件为具有线栅构造的偏振元件,具备:透明基板11;以及格子状凸部10,在透明基板11上以比使用波段的光小的间距排列,并沿既定方向延伸,格子状凸部10包含形成在透明基板11上的反射层12,反射层12具有金属层15和氧化物层16,该氧化物层16从既定方向来看,覆盖金属层15的侧面,且由构成金属层15的金属的氧化物构成。
Description
关联申请的相互参考
本申请主张于2015年10月28日在日本专利申请的特愿2015-212023的优先权,在此为进行参照而引入该在先的申请的整个公开。
技术领域
本发明涉及具有线栅(wire grid)构造的偏振元件及其制造方法。
背景技术
偏振元件是吸收一个方向的偏振光、并使与它正交的方向的偏振光透射的光学元件。液晶显示装置中,原理上需要偏振元件。特别是,在如透射型液晶投影仪那样的、使用光量大的光源的液晶显示装置中,偏振元件受到较强的辐射线,因此需要优异的耐热性,并且要求数厘米程度的大小和较高的消光比。为了响应这些要求,提出了线栅型的无机偏振元件(例如,参照专利文献1及2)。
线栅型的偏振元件具有在基板上以比所使用的波长的波段窄的间距(数十nm~数百nm)并排多数沿一个方向延伸的导体的金属线(反射层)而配置的构造(线栅构造)。若光入射该偏振元件,则与金属线的延伸方向平行的偏振光(TE波(S波))不能透射,而与金属线的延伸方向垂直的偏振光(TM波(P波))原样透射。线栅型的偏振元件由于耐热性优异、能制作比较大的元件、并具有较高的消光比,所以适合于液晶投影仪等的用途。
例如,在专利文献1记载的线栅型偏振元件中,在透明基板上形成以一定间隔配置凸状的线的栅(grid)构造层。该栅构造层由树脂形成。接着,通过溅射蚀刻将各自的凸状的线的前端部加工成人字形的形状。然后,使金属粒子从斜面入射,在树脂制的栅构造层的前端部周围形成金属层。
另外,在专利文献2记载的线栅型偏振元件中,在透明基板上形成金属线,并在其上设置电介质层和吸收层。与金属线的延伸方向平行的偏振光(TE波(S波)),被电介质层和吸收层选择性地吸收。由此,在使用于液晶投影仪的情况下,能够减小在偏振元件的表面反射的返回光在液晶投影仪的装置内再次反射而产生的双重影像(ghost)等造成的、画质的劣化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-66635号公报;
专利文献2:日本特开2014-52439号公报。
发明内容
发明要解决的课题
然而,在现有的线栅型的偏振元件中,由于对应于所使用的波长波段的、间距和栅宽度(栅的排列方向的栅的宽度)的关系,原理上越是短波长侧,光的透射率就越下降。在液晶投影仪中使用的可见光区域(红色波段:波长λ=600~680nm,绿色波段:波长λ=520nm~590nm,蓝色波段:λ=430nm~510nm)中,蓝色波段的透射率会最低。已知通过缩小偏振元件的栅宽度,能够提高透射率,但是实际上形成缩小栅宽度的图案包括制造偏差在内难度较高,另外,因为缩小了宽度也难以维持可靠性。
鉴于如上所述的问题点而构思的本发明的目的在于提供能够谋求改善透射轴方向的光透射特性的偏振元件及其制造方法。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题,本发明所涉及的偏振元件是具有线栅构造的偏振元件,其具有:透明基板;以及格子状凸部,在所述透明基板上以比使用波段的光的波长小的间距排列,并沿既定方向延伸,所述格子状凸部包含形成在所述透明基板上的反射层,所述反射层具有金属层和氧化物层,所述氧化物层从所述既定方向来看,覆盖所述金属层的侧面,并由构成所述金属层的金属的氧化物构成。
另外,本发明所涉及的偏振元件中,优选所述格子状凸部的排列方向的所述格子状凸部的宽度即栅宽度为35~45nm,若设所述格子状凸部的排列方向上的、所述栅宽度中所占的所述氧化物层的宽度的比例为x,则为28≤x<48%。
另外,本发明所涉及的偏振元件中,优选所述格子状凸部进一步包含形成在所述反射层上的电介质层、和形成在所述电介质层上的吸收层。
另外,本发明所涉及的偏振元件中,优选光入射的所述偏振元件的表面被由电介质构成的保护膜覆盖。
另外,本发明所涉及的偏振元件中,优选所述氧化物层越靠近最表面,构成所述金属层的金属的氧化的程度就越高。
另外,为了解决上述课题,本发明所涉及的偏振元件的制造方法是具有线栅构造的偏振元件的制造方法,包含:在透明基板上形成以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿既定方向延伸的金属层的工序;在所述金属层上形成电介质层的工序;在所述电介质层上形成吸收层的工序;以及在形成所述吸收层后,使所述金属层氧化而在所述金属层的侧面形成由构成所述金属层的金属的氧化物构成的氧化物层的工序。
另外,为了解决上述课题,偏振元件的制造方法的特征在于:在形成所述氧化物层的工序中,通过热处理来氧化所述金属层。
另外,为了解决上述课题,偏振元件的制造方法的特征在于:所述氧化物层越靠近最表面,构成所述金属层的金属的氧化的程度就越高。
另外,为了解决上述课题,本发明所涉及的偏振元件的制造方法是如下偏振元件的制造方法,所述偏振元件具备透明基板、和在所述透明基板上以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿既定方向延伸的格子状凸部,并具有所述格子状凸部的排列方向的所述格子状凸部的宽度即栅宽度为35~45nm的线栅构造,在入射光为绿色波段的光(波长λ=520nm~590nm)的情况下具有透射轴透射率为93.5%以上的透射特性,所述偏振元件的制造方法包含:在所述透明基板上形成以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿所述既定方向延伸的金属层的工序;在所述金属层上形成电介质层的工序;在所述电介质层上形成吸收层的工序;以及在形成所述吸收层后,使所述金属层氧化而在所述金属层的侧面形成由构成所述金属层的金属的氧化物构成的氧化物层的工序,从所述既定方向来看,当设所述排列方向上的、所述栅宽度中所占的将存在于所述金属层的左侧及右侧的所述氧化物层加在一起的宽度的比例为x时,形成在28≤x<48%的范围且满足所述透射特性的厚度的所述氧化物层。
发明效果
依据本发明所涉及的偏振元件及其制造方法,能够谋求改善透射轴方向的光透射特性。
附图说明
[图1]是示出本发明的一实施方式所涉及的偏振元件的结构的截面图。
[图2]是更详细地示出图1所示的氧化物层的结构的图。
[图3]是示出图1所示的偏振元件中的、利用模拟来计算的、透射轴透射率特性相对于栅宽度中所占的氧化物层的宽度的比例的图表。
[图4]是示出图1所示的偏振元件中的、利用模拟来计算的、对比度特性相对于栅宽度中所占的氧化物层的宽度的比例的图表。
[图5]是示出图1所示的偏振元件中的、利用模拟来计算的、能得到与栅宽度对应的、既定透射轴透射率及对比度的栅宽度中所占的氧化物层的宽度的比例的图。
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对用于实施本发明的方式进行说明。此外,本发明并不只局限于以下的实施方式,在不脱离本发明的宗旨的范围内显然能够进行各种变更。
图1是示出本发明的一实施方式所涉及的偏振元件1的结构的概略截面图。如图1所示,偏振元件1具备:对使用波段的光透明的透明基板11;以及在透明基板11的一个面上以比使用波段的光的波长小的间距排列的格子状凸部10。格子状凸部10具备形成在透明基板11上的反射层12、形成在反射层12上的电介质层13、和形成在电介质层13上的吸收层14。即,偏振元件1具有格子状凸部10以恒定间隔排列在透明基板11上的一维格子状的线栅构造,该格子状凸部10从透明基板11侧依次层叠反射层12、电介质层13和吸收层14。
此外,在以下的说明中,将格子状凸部10的一维格子延伸的方向称为Y轴方向(既定方向)。另外,将沿着透明基板11并与Y轴方向正交,且格子状凸部10排列的方向称为X轴方向。在该情况下,入射到偏振元件1的光,适合从与X轴方向及Y轴方向正交的方向入射到透明基板11的形成有格子状凸部10的一侧。另外,以下,将格子状凸部10的X轴方向的宽度称为栅宽度。
吸收层14由金属、半导体等光学常数的消光常数不为零、即具有光吸收作用的物质构成。此外,偏振元件1也可以以防止吸收层14扩散为目的而在电介质层13与吸收层14之间,作为扩散阻挡层具备Ta、W、Nb、Ti等的金属膜。另外,偏振元件1根据需要,也可以在光学特性的变化不会在应用上给予影响的范围内,为了在光入射的表面改善耐湿性等可靠性的目的而沉积由SiO2等的电介质构成的保护膜。
偏振元件1通过利用透射、反射、干涉、光学各向异性带来的偏振光波的选择性光吸收的4个作用,使具有与Y轴方向平行的电场分量的偏振光波(TE波(S波))衰减,并使具有与X轴方向平行的电场分量的偏振光波(TM波(P波))透射。因而,Y轴方向为偏振元件1的吸收轴的方向,X轴方向为偏振元件1的透射轴的方向。
透射吸收层14及电介质层13的TM波,以较高的透射率透射反射层12。另一方面,TE波因为吸收层14的光吸收作用而衰减。一维格子状的反射层12作为线栅发挥功能,对透射吸收层14及电介质层13的TE波进行反射。另外,通过适当调整电介质层13的厚度及折射率,由反射层12反射的TE波在通过吸收层14时一部分被吸收,一部分反射而返回反射层12。另外,通过吸收层14的光干涉而衰减。如以上那样,偏振元件1通过进行TE波的选择性衰减,能够得到期望的偏振光特性。
透明基板11由对于使用波段的光透明且折射率为1.1~2.2的材料、例如玻璃、蓝宝石、石英等构成。在本实施方式中,作为透明基板11的构成材料,优选使用热传导性高的石英或蓝宝石基板。由此,对于较强的光具有较高的耐光性,作为发热量多的投影仪的光学引擎用的偏振元件有用。
另外,在透明基板11由石英这样的光学活性的晶体构成的情况下,通过在对于晶体的光学轴而言平行方向或垂直方向配置格子状凸部10,能够得到优异的光学特性。在此,光学轴是指沿该方向前进的光的O(平常光线)与E(异常光线)的折射率之差成为最小的方向轴。
此外,根据偏振元件1的用途,也可以使用玻璃,特别是石英(折射率1.46)或碱石灰玻璃(折射率1.51)。玻璃材料的成分组成没有特别限制,例如能够使用作为光学玻璃广泛流通的硅酸盐玻璃等的廉价的玻璃材料,能够谋求减少制造成本。
反射层12在透明基板11上沿吸收轴即Y轴方向排列以带状延伸的金属薄膜而成。即,反射层12具有作为线栅型偏振光镜的功能,使朝着透明基板11的形成线栅的面而入射的光之中,在与线栅延伸的方向平行的方向(Y轴方向)具有电场分量的偏振光波(TE波(S波))衰减,并使在与线栅延伸的方向正交的方向(X轴方向)具有电场分量的偏振光波(TM波(P波))透射。
在本实施方式中,反射层12包含:从透明基板11上沿与X轴方向及Y轴方向正交的方向延伸的金属层15;以及从既定方向来看覆盖金属层15的侧壁的氧化物层16。
金属层15的结构材料上,只要是对于使用波段的光具有反射性的材料就没有特别限制,能够使用例如Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Ti、Ni、W、Fe、Si、Ge、Te等的金属单体或包含这些的合金或者半导体材料。此外,金属层15除了金属材料以外,例如也可以由通过着色等而使表面的反射率较高地形成的金属以外的无机膜或树脂膜构成。
氧化物层16通过使构成金属层15的金属氧化(构成金属层15的金属和氧的氧化反应)而构成。例如,在金属层15由Al构成的情况下,氧化物层16由Al2O3构成,在金属层15由Si构成的情况下,氧化物层16由SiO2构成。即,形成具有与期望的栅宽度相同的X方向的宽度的金属层,在该金属层上形成电介质层13,在电介质层13上形成吸收层14。然后,对于金属层进行既定氧化处理,从而氧化从金属层的表面进行,形成氧化物层16。
为了使构成金属层15的金属与氧的氧化反应能够继续,需要使构成金属层15的金属的金属原子及氧原子通过扩散而穿过氧化物层。作为容易得到扩散所需要的活性能量的环境,能举出高温下的热处理。通过进行热处理,氧化构成金属层15的金属,能够形成沿X轴方向具有既定厚度的氧化物层16。在热处理中,从氧化处理前的金属层的最表面开始氧化反应,通过扩散而氧化处理进行到金属层的内部。因此,如图2所示,氧化物层16从栅中心部朝着氧化物层16的最表面而氧化的程度(构成金属层15的金属氧化的比例)会变高。
在此,通过控制热处理的温度或时间,能够控制氧化物层16的宽度(X轴方向的厚度)。如上述,金属层15反射光。另一方面,氧化物层16能够使光透射。因此,通过控制氧化物层16的宽度,从光的入射方向观看的金属层15的面积会变更,因此在反射层12反射的光的量发生变化。因而,通过控制栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例,能够控制偏振元件1的光透射特性。
作为用于形成氧化物层16的氧化处理,还可以考虑进行利用氧气的等离子体氧化、或者利用臭氧水或气体的臭氧氧化。然而,利用等离子体以及臭氧进行的氧化处理,需要比热处理还复杂的工艺。例如,在等离子体氧化的情况下,必须考虑等离子体对栅的损伤。另外,进行处理时会需要真空装置,因此会招致制造成本的增大。在臭氧氧化的情况下也同样,会需要臭氧产生机、反应层、废臭氧处理装置等非常高价的设备。另外,因臭氧的浓度而有可能引起爆炸或火灾,进而对人体有害,因此在操作时重要的是安全的环境系统或对使用者的教育。
此外,因金属层的氧化而形成氧化物层16,因此还考虑反射层12中的栅宽度会大于氧化前的金属层中的栅宽度(期望的栅宽度)。但是,由于那样的栅宽度的变化微小,所以以下设为反射层12中的栅宽度与氧化前的金属层中的栅宽度(期望的栅宽度)相同。
电介质层13以对于由吸收层14反射的偏振光而言,使透射吸收层14、在反射层12反射的偏振光的相位错开半波长的膜厚形成。具体的膜厚在能够调整偏振光的相位从而提高干涉效果的1~500nm的范围内适当设定。
构成电介质层13的材料能够使用SiO2、Al2O3、氧化铍、氧化铋等的金属氧化物;MgF2、冰晶石、锗、二氧化钛、硅、氟化镁、氮化硼、氧化硼、氧化钽、碳以及它们的组合等的一般性材料。另外,电介质层13的折射率优选设为大于1.0且2.5以下。此外,反射层12的光学特性因周围的折射率而也受影响,所以也可以通过电介质层13的材料控制偏振元件特性。
吸收层14由金属、半导体等光学常数的消光常数不为零的、具有光吸收作用的1种以上物质构成,该材料根据所适用的光的波长范围而选择。作为金属材料,能举出Ta、Al、Ag、Cu、Au、Mo、Cr、Ti、W、Ni、Fe、Sn单体或包含这些的合金。作为半导体材料,能举出Si、Ge、Te、ZnO、硅化物材料(β-FeSi2、MgSi2、NiSi2、BaSi2、CrSi2、CoSi2、TaSi等)等。由此,偏振元件1对于所适用的可见光域能够具有较高的消光比。
在作为吸收层14使用半导体材料的情况下,由于半导体的带隙能量参与吸收作用,所以需要使带隙能量为使用波段以下。例如,在以可见光使用的情况下,需要使用波长400nm以上吸收、即作为带隙为3.1eV以下的材料。
此外,吸收层14能够通过蒸镀法或溅射法来以较高的密度形成膜。另外,吸收层14也可以由材料不同的2层以上构成。
依据这样构成的偏振元件1,通过利用透射、反射、干涉、偏振光波的选择性光吸收这4个作用,能够使具有与反射层12的格子平行的Y轴方向的电场分量的偏振光波(TE波(S波))衰减,并使具有与格子垂直的X轴方向的电场分量的偏振光波(TM波(P波))透射。即,TE波因为吸收层14的偏振光波的选择性光吸收作用而衰减,透射吸收层14及电介质层13的TE波因为作为线栅发挥功能的格子状的反射层12而反射。在此,通过适当调整电介质层13的厚度、折射率,关于由反射层12反射的TE波,在透射吸收层14时能够反射一部分而返回反射层12,另外,能够通过干涉来使通过吸收层14的光衰减。如以上那样进行TE波的选择性衰减,从而能够得到期望的偏振光特性。
进而,在本发明所涉及的偏振元件1中,反射层12包含金属层15、和仅覆盖金属层15的侧面并由构成金属层15的金属的氧化物构成的氧化物层16。因此,通过控制格子状凸部10的栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例,从而从光的入射方向来看,将光反射的部分的面积发生变化,因此能够控制偏振元件1的光透射特性。
此外,也可以在偏振元件1的表面(形成线栅的面)上,通过CVD(化学气相沉积:Chemical Vapor Deposition)成膜或ALD(原子层沉积:Atomic Layer Deposition)成膜,形成由电介质构成的保护膜。这样,就能够抑制金属层15的所需以上的氧化反应。
图3是示出偏振元件1的格子状凸部10的栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例和透射轴透射率(Tp)的关系的图。另外,图4是示出偏振元件1的格子状凸部10的栅宽度中所占的氧化物层16的宽度(从Y方向(格子状凸部10的延伸方向)来看,X方向(格子状凸部10的排列方向)上的、将格子状凸部10的栅宽度中所占的存在于金属层15的两侧(左侧及右侧)的氧化物层16加在一起的宽度)的比例和对比度(CR=Tp/Ts(吸收轴透射率))的关系的图。更具体而言,在图2中示出了在将栅宽度变更为35nm、40nm、45nm、并改变了栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例的情况下的偏振元件1的透射轴透射率(Tp)的变化。另外,在图3中示出了在将栅宽度变更为35nm、40nm、45nm、并改变了栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例的情况下的偏振元件1的对比度的变化。此外,在图3、4中示出了在入射光为绿色波段的光(波长λ=520nm~590nm)的情况下的模拟结果。
如图3所示,栅宽度越窄,则透射轴透射率越上升。另外,如果栅宽度相同,则在栅宽度中所占的氧化物层16(Al2O3)的宽度的比例越大,透射轴透射率就越上升。例如,在栅宽度为35nm、且栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例为0%的情况下、和栅宽度为45nm、且栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例为约33%的情况下,能够得到大体相同的透射轴透射率。如上述,缩小栅宽度包含制造偏差在内难度较高,因缩小宽度也难以提高可靠性。然而,在本发明中,通过控制栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例,能够得到与比实际的栅宽度更窄的栅宽度对应的透射轴透射率。因此,无需对照期望的光透射特性而缩小栅宽度,所以能够抑制制造偏差并提高可靠性。
另外,如图4所示,在任一个栅宽度中,随着栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例的增加(透射轴透射率的增加)的上升,对比度减少。由以上的原因,可知使偏振元件1的透射率特性提高,并且能得到任意的透射率。
如上述,作为偏振元件1的用途之一,有投影仪用途。在偏振元件1用于投影仪的情况下,作为被要求的优异的特性,优选透射轴透射率为93.5%以上,对比度大于500。
图5是示出各栅宽度(35、40、45、50、55nm)中,能得到既定透射轴透射率(Tp)的栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例及对比度(CR)成为500的栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例的图。
如图5所示,在栅宽度为45nm的情况下,对比度成为500的栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例最大,在50.6%下对比度成为500。因而,为了使对比度大于500,优选栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例大体为50%以下。
另外,透射轴透射率成为93.5%以上的是:在栅宽度为35nm的情况下,栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例为28.0%以上的情况;在栅宽度为40nm的情况下,栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例为40.0%以上的情况;在栅宽度为45nm的情况下,栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例为47.8%以上的情况。因而,为了使透射轴透射率为93.5%以上,优选栅宽度为35~45nm,且在设栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例为x%时,28≤x<48%。
此外,至此以入射光为绿色波段的光(波长λ=520nm~590nm)的情况为例子进行了说明,但是入射光为红色波段的光(波长λ=600~680nm)或者蓝色波段的光(λ=430nm~510nm),栅宽度中所占的氧化物层16的宽度的比例x%虽然会稍微波动,但是也能得到同样的效果。
这样在本实施方式中,偏振元件1具备透明基板11、和在透明基板11上以比使用波段的光小的间距排列并沿既定方向延伸的格子状凸部10。格子状凸部10包含形成在透明基板11上的反射层12,反射层12具有金属层15和氧化物层16,该氧化物层16从既定方向来看覆盖金属层15的侧面,并由构成金属层15的金属的氧化物构成。
反射层12具有金属层15和覆盖金属层15的侧面的氧化物层16,从而从光的入射方向来看,因氧化物层16的厚度的变化而将光反射的部分(金属层15)的面积发生变化,因此能够谋求改善偏振元件1的光透射特性。进而,即便不缩小栅宽度本身,也能得到与窄的栅宽度对应的光透射特性,因此不易出现形成细栅带来的光刻等中的掩模图案歪斜、或干法蚀刻等中的栅歪斜等,因此减少偏振元件1制造中的难度,另外,抑制制造偏差,能够谋求提高可靠性。
基于附图及实施方式对本发明进行了说明,但是要注意的是本领域技术人员基于本公开容易进行各种变形或修改。因而,要留意这些变形或修改包括在本发明的范围内。
标号说明
1偏振元件;10格子状凸部;11透明基板;12反射层;13电介质层;14吸收层;15金属层;16氧化物层。
Claims (9)
1. 一种偏振元件,是具有线栅构造的偏振元件,其特征在于具备:
透明基板;以及
格子状凸部,在所述透明基板上以比使用波段的光的波长小的间距排列,并沿既定方向延伸,
所述格子状凸部包含形成在所述透明基板上的反射层,
所述反射层具有金属层和氧化物层,所述氧化物层从所述既定方向来看,覆盖所述金属层的侧面,并由构成所述金属层的金属的氧化物构成。
2.如权利要求1所述的偏振元件,其特征在于:
所述格子状凸部的排列方向的所述格子状凸部的宽度即栅宽度为35~45nm,若设所述格子状凸部的排列方向上的、所述栅宽度中所占的所述氧化物层的宽度的比例为x,则为28≤x<48%。
3.如权利要求1或2所述的偏振元件,其特征在于:
所述格子状凸部进一步包含形成在所述反射层上的电介质层、和形成在所述电介质层上的吸收层。
4.如权利要求1至3的任一项所述的偏振元件,其特征在于:
光入射的所述偏振元件的表面被由电介质构成的保护膜覆盖。
5.如权利要求1至4的任一项所述的偏振元件,其特征在于:
所述氧化物层越靠近最表面,构成所述金属层的金属的氧化的程度越高。
6.一种偏振元件的制造方法,该偏振元件是具有线栅构造的偏振元件,所述制造方法包含:
在透明基板上形成以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿既定方向延伸的金属层的工序;
在所述金属层上形成电介质层的工序;
在所述电介质层上形成吸收层的工序;以及
在形成所述吸收层后,使所述金属层氧化而在所述金属层的侧面形成由构成所述金属层的金属的氧化物构成的氧化物层的工序。
7.如权利要求6所述的偏振元件的制造方法,其特征在于:
在形成所述氧化物层的工序中,通过热处理来氧化所述金属层。
8.如权利要求7所述的偏振元件的制造方法,其特征在于:
所述氧化物层越靠近最表面,构成所述金属层的金属的氧化的程度越高。
9.一种偏振元件的制造方法,其中所述偏振元件具备透明基板、和在所述透明基板上以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿既定方向延伸的格子状凸部,并具有所述格子状凸部的排列方向的所述格子状凸部的宽度即栅宽度为35~45nm的线栅构造,在入射光为绿色波段的光(波长λ=520nm~590nm)的情况下具有透射轴透射率为93.5%以上的透射特性,所述偏振元件的制造方法包含:
在所述透明基板上形成以比使用波段的光的波长小的间距排列并沿所述既定方向延伸的金属层的工序;
在所述金属层上形成电介质层的工序;
在所述电介质层上形成吸收层的工序;以及
在形成所述吸收层后,使所述金属层氧化而在所述金属层的侧面形成由构成所述金属层的金属的氧化物构成的氧化物层的工序,从所述既定方向来看,当设所述排列方向上的、所述栅宽度中所占的将存在于所述金属层的左侧及右侧的所述氧化物层加在一起的宽度的比例为x时,形成在28≤x<48%的范围且满足所述透射特性的厚度的所述氧化物层。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-212023 | 2015-10-28 | ||
JP2015212023 | 2015-10-28 | ||
PCT/JP2016/004673 WO2017073044A1 (ja) | 2015-10-28 | 2016-10-24 | 偏光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108139531A true CN108139531A (zh) | 2018-06-08 |
CN108139531B CN108139531B (zh) | 2020-09-18 |
Family
ID=58631487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680060125.0A Active CN108139531B (zh) | 2015-10-28 | 2016-10-24 | 偏振元件及其制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10698148B2 (zh) |
JP (1) | JP6377285B2 (zh) |
CN (1) | CN108139531B (zh) |
WO (1) | WO2017073044A1 (zh) |
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- 2016-10-24 JP JP2017547612A patent/JP6377285B2/ja active Active
- 2016-10-24 WO PCT/JP2016/004673 patent/WO2017073044A1/ja active Application Filing
- 2016-10-24 CN CN201680060125.0A patent/CN108139531B/zh active Active
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WO2017073044A1 (ja) | 2017-05-04 |
US10698148B2 (en) | 2020-06-30 |
JP6377285B2 (ja) | 2018-08-22 |
JPWO2017073044A1 (ja) | 2018-04-12 |
CN108139531B (zh) | 2020-09-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |