CN108123118A - 具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备及应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,涉及能源材料技术领域,本发明所制备的具有多级结构的取向氮掺杂碳纳米管膜具有良好的自支撑性能和导电性,不需添加集流体或粘结剂即可用作锂离子电池、锂硫电池和钠离子电池的电极材料,氮原子掺杂通过孤对电子与π电子相互作用提升材料的导电性能;同时,氮掺杂引入缺陷,增加了活性位点,锂离子、钠离子能够与这些带有负电性的活性位点相互作用并进一步渗透到体系内部;并且,中空结构可以有效的抑制电极活性材料诸如硅的体积膨胀。

Description

具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备及应用
技术领域:
本发明涉及能源材料技术领域,具体涉及一种具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备及应用。
背景技术:
碳纳米管因其优异的物理化学性能(良好的电学、热学以及力学性能)而在能源领域(诸如太阳能电池、超级电容器以及锂离子电池等)得到广泛的应用。在锂离子电池中,碳纳米管材料是一种可能的负极材料,然而碳材料独特的储锂特性使得碳纳米管材料的理论比容量较低,无法满足高性能锂离子电池的发展需求。
中空结构因其独特的结构和性能而在能源材料中得到广泛应用。中空结构能够提供快速的电荷和离子传输通道,通过调节中空结构中核与壳的组成结构可以对中空结构的性能进行调控。此外,中空结构能够有效容纳锂离子电池中电极材料的体积膨胀,提升材料的稳定性等。因此,发展制备具有中空结构的碳纳米管材料的方法具有很重要的意义。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题在于提供一种导电性能好且可以有效的抑制电极活性材料诸如硅的体积膨胀的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:
具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,具体步骤为:
(1)将取向碳纳米管薄膜架空,即不与任何基底贴合,置于电子束蒸发镀膜腔体中,并对腔体抽真空;
(2)待腔体真空度降至5×10-4Pa,开始蒸镀模板层,通过调控蒸镀速率和蒸镀时间以控制模板层厚度;
(3)将蒸镀模板层的取向碳纳米管薄膜取出,并迅速转移到管式炉中,通入惰性气体排除空气,经升温程序升温,再通入还原性气体和碳源、氮源,在950-1100℃保温5-60min,然后降温并关闭碳源、氮源,整过生长过程需要一直保持通入惰性气体;
(4)多次重复步骤(2)和(3),得到多级结构样品,将所得样品置于酸性溶液中保持12-24h,然后用去离子水清洗样品数次并干燥,即得具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜。
所述步骤(1)中取向碳纳米管薄膜是通过取向碳纳米管阵列干法拉膜制得,步骤(2)所用取向碳纳米管薄膜的层数不超过5层。
所述步骤(2)中蒸镀速率在0.2nm/s以下,模板层厚度在5-100nm,模板层为氧化铝、硅、铁、铝或二氧化硅。
所述步骤(3)中惰性气体纯度要求在99.999%以上,流量为110-120标准状态立方厘米每分钟,流量方向与取向碳纳米管的取向方向一致。
所述步骤3)中升温程序为:由室温经20-30min升至1050-1100℃,并在1050-1100℃维持10-90min。
所述步骤(3)中还原性气体为氢气,氢气流量为10-20标准状态立方厘米每分钟。
所述步骤(3)中碳源、氮源采用低沸点或易挥发的包含碳、氮的有机分子,通入碳源、氮源的惰性气体流量为10-40标准状态立方厘米每分钟。
所述包含碳、氮的有机分子选自乙腈、乙醇/三聚氰胺溶液。
所述步骤(4)中酸性溶液选自氢氟酸、盐酸、硝酸以及硫酸的水溶液。
所述具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜在锂离子电池、锂硫电池和钠离子电池电极材料上的应用。
本发明各步骤原理:
1、步骤(1)中取向碳纳米管薄膜的层数控制在5层以下,防止层数太多,模板蒸镀不均匀;并通过将取向碳纳米管薄膜架空以在碳纳米管两侧均匀蒸镀模板。
2、步骤(2)中蒸镀速率控制在0.2nm/s以下,防止速率过快蒸镀不均匀,同时兼顾蒸镀的速率。
3、步骤(3)中通入的惰性气体的流量方向与碳纳米管的取向方向一致,防止气流冲坏碳纳米管薄膜;惰性气体先通过碳源、氮源将碳源、氮源分子吹入反应区域反应,在高温下碳源、氮源分子分解成含氮和碳的小基团,吸附在模板的表面,然后重新组合成氮掺杂的石墨烯碎片,随着反应时间的延长,碎片不断的积累,最终形成氮掺杂石墨烯层。
本发明的有益效果是:
(1)本发明首先在碳纳米管薄膜上沉积模板层,然后再长氮掺杂石墨烯层,最后把模板层去除(硅不会被除去)即得多级中空结构;这种中空结构既可以作为储存离子的空间用于锂离子、钠离子的存储,也可以作为骨架材料负载硫、硅电极材料。
(2)本发明所制备的具有多级结构的取向氮掺杂碳纳米管膜具有良好的自支撑性能和导电性,不需添加集流体或粘结剂,氮原子掺杂通过孤对电子与π电子相互作用提升材料的导电性能;同时,氮掺杂引入缺陷,增加了活性位点,锂离子(正电性)能够与这些带有负电性的活性位点相互作用并进一步渗透到体系内部;并且,中空结构可以有效的抑制电极活性材料诸如硅的体积膨胀。
附图说明:
图1为本发明具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备示意图;
图2为本发明具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的微观示意图。
具体实施方式:
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例和图示,进一步阐述本发明。
实施例1
(1)取向碳纳米管阵列的合成
通过电子束蒸发镀膜系统制备催化剂,Fe(1.2nm)/Al2O3(3nm)/Si;然后通过化学气相沉积法制备取向碳纳米管阵列,乙烯(90标准状态立方厘米每分钟)、氢气(30标准状态立方厘米每分钟)以及氩气(400标准状态立方厘米每分钟)通入管式炉中,在740℃下反应10min。
(2)具有多级中空结构的取向的氮掺杂碳纳米管薄膜的制备
通过干法纺丝得到取向碳纳米管薄膜,转移到中间悬空的聚四氟乙烯板上,一共拉1层;然后通过电子束蒸发镀膜系统在取向碳纳米管薄膜表面蒸镀氧化铝层,控制蒸镀速率为0.2nm/s,厚度为30nm;随后通过化学气相沉积法在氧化铝层表面生长氮掺杂石墨烯层,气体条件为:氩气(110标准状态立方厘米每分钟)、氢气(10标准状态立方厘米每分钟)以及通过乙腈液体的氩气(40标准状态立方厘米每分钟),在1060℃下维持5min,最后将样品浸泡在氢氟酸溶液中24h后,用去离子水清洗并干燥即可得到具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜。
实施例2
(1)取向碳纳米管阵列的合成
通过电子束蒸发镀膜系统制备催化剂,Fe(1.5nm)/Al2O3(2nm)/Si;然后通过化学气相沉积法制备取向碳纳米管阵列,乙烯(60标准状态立方厘米每分钟)、氢气(40标准状态立方厘米每分钟)以及氩气(400标准状态立方厘米每分钟)通入管式炉中,在750℃下反应12min。
(2)具有多级中空结构的取向的氮掺杂碳纳米管薄膜的制备
通过干法纺丝得到取向碳纳米管薄膜,转移到中间悬空的聚四氟乙烯板上,一共拉2层;然后通过电子束蒸发镀膜系统在取向碳纳米管薄膜表面依次蒸镀硅和氧化铝层,控制蒸镀速率为0.1nm/s,厚度依次为50nm和20nm;随后通过化学气相沉积法在氧化铝层表面生长氮掺杂石墨烯层,气体条件为:氩气(100标准状态立方厘米每分钟)、氢气(15标准状态立方厘米每分钟)以及通过乙腈液体的氩气(30标准状态立方厘米每分钟),在1050℃下维持10min,最后将样品浸泡在氢氟酸溶液中24h后,用去离子水清洗并干燥即可得到具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜。
实施例3
(1)取向碳纳米管阵列的合成
通过电子束蒸发镀膜系统制备催化剂,Fe(1nm)/Al2O3(2nm)/Si;然后通过化学气相沉积法制备取向碳纳米管阵列,乙烯(100标准状态立方厘米每分钟)、氢气(40标准状态立方厘米每分钟)以及氩气(300标准状态立方厘米每分钟)通入管式炉中,在700℃下反应20min。
(2)具有多级中空结构的取向的氮掺杂碳纳米管薄膜的制备
通过干法纺丝得到取向碳纳米管薄膜,转移到中间悬空的聚四氟乙烯板上,一共拉1层;然后通过电子束蒸发镀膜系统在取向碳纳米管薄膜表面蒸镀氧化铝层,控制蒸镀速率为0.05nm/s,厚度为10nm;随后通过化学气相沉积法在氧化铝层表面生长氮掺杂石墨烯层,气体条件为:氩气(100标准状态立方厘米每分钟)、氢气(20标准状态立方厘米每分钟)以及通过乙腈液体的氩气(50标准状态立方厘米每分钟),在1100℃下维持5min,随后重复上述蒸镀氧化铝和生长氮掺杂石墨烯过程,最后将样品浸泡在氢氟酸溶液中24h后,用去离子水清洗并干燥即可得到取向具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜。
实施例4
当被用作锂离子电池负极材料时,其首圈容量高达1500mAh g-1,第五次放电容量仍然达到635mAh g-1,远远大于纯碳纳米管薄膜的容量360mAh g-1。当以2Ag-1电流密度进行充放电长效测试时,经过2000次充放电实验未处理碳纳米管膜的容量从280mAh g-1下降至240mAh g-1,而取向氮掺杂碳纳米管膜的容量从320mAh g-1上升至900mAh g-1,这是因为在重复的充放电实验中,离子慢慢进入取向碳纳米管膜的内部空间,从而导致容量逐步上升。当中空结构用于负载硅电极材料时,具有中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的容量达到900mAh g-1,远高于没有中空结构的负载了硅的取向碳纳米管膜材料的310mAh g-1
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (10)

1.具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于,具体步骤为:
(1)将取向碳纳米管薄膜架空,即不与任何基底贴合,置于电子束蒸发镀膜腔体中,并对腔体抽真空;
(2)待腔体真空度降至5×10-4Pa,开始蒸镀模板层,通过调控蒸镀速率和蒸镀时间以控制模板层厚度;
(3)将蒸镀模板层的取向碳纳米管薄膜取出,并迅速转移到管式炉中,通入惰性气体排除空气,经升温程序升温,再通入还原性气体和碳源、氮源,在950-1100℃保温5-60min,然后降温并关闭碳源、氮源,整过生长过程需要一直保持通入惰性气体;
(4)多次重复步骤(2)和(3),得到多级结构样品,将所得样品置于酸性溶液中保持12-24h,然后用去离子水清洗样品数次并干燥,即得具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜。
2.根据权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中取向碳纳米管薄膜是通过取向碳纳米管阵列干法拉膜制得,步骤(2)所用取向碳纳米管薄膜的层数不超过5层。
3.根据权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中蒸镀速率在0.2nm/s以下,模板层厚度在5-100nm,模板层为氧化铝、硅、铁、铝或二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中惰性气体纯度要求在99.999%以上,流量为110-120标准状态立方厘米每分钟,流量方向与取向碳纳米管的取向方向一致。
5.根据权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中升温程序为:由室温经20-30min升至1050-1100℃,并在1050-1100℃维持10-90min。
6.根据权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中还原性气体为氢气,氢气流量为10-20标准状态立方厘米每分钟。
7.根据权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中碳源、氮源采用低沸点或易挥发的包含碳、氮的有机分子,通入碳源、氮源的惰性气体流量为10-40标准状态立方厘米每分钟。
8.根据权利要求7所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述包含碳、氮的有机分子选自乙腈、乙醇/三聚氰胺溶液。
9.根据权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中酸性溶液选自氢氟酸、盐酸、硝酸以及硫酸的水溶液。
10.如权利要求1所述的具有多级中空结构的取向氮掺杂碳纳米管膜在锂离子电池、锂硫电池和钠离子电池材料上的应用。
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