CN108091672A - 具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器。本公开提供一种平板显示器，该平板显示器包括：驱动电流线和感测线，其在基板上沿第一方向设置；扫描线和感测选通线，其在所述基板上沿第二方向设置；水平电流线，其沿所述第二方向被设置在所述扫描线的上侧并且连接到所述驱动电流线；水平感测线，其沿所述第二方向被设置在所述感测选通线的下侧并且连接到所述感测线；公共电流线，其从所述水平电流线伸出并与所述扫描线交叉；以及第一像素区域和第二像素区域，其被设置在所述驱动电流线与所述感测线之间并且被设置为具有基于所述公共电流线彼此双对称的形状。

Description

具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器
技术领域
本公开涉及具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器。具体地，本公开涉及一种其中线路负载被降低或最小化的具有优异视频质量的大面积超高密度有机发光二极管显示器。
背景技术
目前，开发了各种平板显示器(或“FPD”)以用于克服笨重且庞大的阴极射线管(或“CRT”)的许多缺点。平板显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(或“PDP”)、电致发光装置(或“EL”)等。
作为自发光显示装置，电致发光装置具有响应速度非常快、亮度非常高且视角大的优点。电致发光装置可分为无机发光二极管显示器和有机发光二极管显示器。由于具有良好的能量效率、较低的漏电流以及通过电流控制来呈现颜色和亮度的容易性，所以更需要使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或“OLED”)。
图1是例示有机发光二极管的结构的图。如图1所示，有机发光二极管包括有机发光材料层以及彼此面对且有机发光材料层位于其间的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有机发光二极管由于在空穴和电子在发光层EML处复合的激发态下形成的激子的能量而发光。
有机发光二极管由于在来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发光层EML处复合的激发态下形成的激子的能量而发光。如图1所示，有机发光二极管显示器可通过控制从有机发光二极管的发光层ELM产生并辐射的光的量(或“亮度”)来呈现视频数据。
使用具有良好能量效率的有机发光二极管的OLED可分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。
有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)来控制施加到有机发光二极管的电流来显示视频数据。在下文中，参照图2和图3，我们将说明根据相关技术的有机发光二极管显示器。
图2是例示有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。图3是例示根据相关技术的AMOLED的结构的平面图。图4是用于例示根据相关技术的底部发光型AMOLED的结构的沿着切割线I-I'的截面图。
参照图2和图3，有源矩阵有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、连接到开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT以及连接到驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLE。通过将扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD沉积在基板上来限定像素区域。由于有机发光二极管设置在像素区域内，所以它限定了发光区域。
开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的位置。开关薄膜晶体管ST用于选择连接到开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括从扫描线SL伸出的栅极SG、与栅极SG交叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动设置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLE的阳极ANO。
驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体沟道层DA、连接到驱动电流线VDD的源极DS以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接到有机发光二极管OLE的阳极ANO。在阳极ANO与阴极CAT之间，设置有有机发光层OL。基本电压VSS被提供给阴极CAT。存储电容器Cst形成在驱动薄膜晶体管DT的栅极DG与驱动电流线VDD之间或者驱动薄膜晶体管DT的栅极DG与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD之间。
参照图4，我们将说明底部发光型有机发光二极管显示器。在有源矩阵有机发光二极管显示器的基板SUB上，分别形成开关薄膜晶体管ST的栅极SG和驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。在栅极SG和DG上沉积栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG交叠的栅极绝缘层GI上，分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成彼此面对且分离的源极SS和漏极SD以及源极DS和漏极DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD经由穿过栅极绝缘层GI的漏极接触孔DH连接到驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上。
基板的具有这些薄膜晶体管ST和DT的上表面不是处于平坦和/或平滑的状态，而是处于具有很多台阶的不平坦和/或凹凸不平的状态。为了获得最佳的发光效率，将使有机发光层OL沉积在水平或平坦的表面上。因此，为了使上表面处于平坦和水平状态，在基板OC的整个表面上沉积涂覆层OC。
然后，在涂覆层OC上，形成有机发光二极管OLE的阳极ANO。这里，阳极ANO通过穿过涂覆层OC和钝化层PAS的像素接触孔PH连接到驱动薄膜晶体管DT的漏极DD。
在具有阳极ANO的基板SUB上，堤BA形成在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和各种线DL、SL和VDD的区域上方，以用于限定发光区域。阳极ANO的通过堤BA的暴露部分将成为发光区域。在有机发光层OL上沉积阴极CAT。
间隔体(未示出)可设置在具有阴极CAT的基板SUB上。优选地，间隔体设置在非发光区域的堤BA上。通过间隔体，封装层(En-cap)接合在下基板SUB上。为了将封装层ENC和下基板SUB附接，将在其之间沉积粘合层或粘合材料(未示出)。
对于底部发光型有机发光二极管显示器，来自有机发光层OL的光将被照射到下基板SUB。因此，优选地，在涂覆层OC与钝化层PAS之间设置滤色器CF，并且阳极ANO包括透明导电材料。此外，阴极CAT优选地包括具有高反射性质的金属材料，以用于将来自有机发光层OL的光反射到底侧。此外，有机发光层OL和阴极CAT将被沉积为覆盖基板的整个表面。
向阴极CAT提供有机发光二极管OLE的参考电压。为了确保有机发光二极管OLE的稳定操作，应该使参考电压保持在稳定电压而不闪烁。为此，优选地，阴极CAT具有低电阻金属材料并被沉积在基板SUB的整个表面上。
当长时间使用根据相关技术的有机发光二极管显示器时，由于像素的电特性的改变，导致视频质量会下降。需要通过检测电特性的改变来恢复这些缺陷的补偿元件。
在将这些补偿元件或电路安装到像素区域中的情况下，可导致作为发光面积与像素面积之比的孔径比的降低。对于包括UHD或4K的超高分辨率显示器，像素区域包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管，使得孔径比显著降低。需要确保超高密度分辨率和高孔径比的有机发光二极管显示器的新结构。
发明内容
为了克服上述缺点，本公开的一个目的在于提供一种具有高孔径比的超高密度有机发光二极管显示器。本公开的另一目的在于提供一种通过减少扫描线的负载而使信号延迟不再发生的平板显示器。本公开的又一目在于是提供一种通过减小信号延迟而具有优异视频质量的大面积平板显示器。
为了实现上述目的，本公开提供一种平板显示器，该平板显示器包括：驱动电流线和感测线，该驱动电流线和该感测线在基板上沿第一方向设置；扫描线和感测选通线，该扫描线和该感测选通线在所述基板上沿第二方向设置；水平电流线，该水平电流线沿所述第二方向设置在所述扫描线的上侧并且连接到所述驱动电流线；水平感测线，该水平感测线沿所述第二方向设置在所述感测选通线的下侧并且连接到所述感测线；公共电流线，该公共电流线从所述水平电流线伸出并且与所述扫描线交叉；以及第一像素区域和第二像素区域，该第一像素区域和该第二像素区域被设置在所述驱动电流线与所述感测线之间并且被设置为具有基于所述公共电流线彼此双对称的形状。
在一个实施方式中，该平板显示器还包括：开关薄膜晶体管，该开关薄膜晶体管与所述扫描线交叠；驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管被设置在所述扫描线与所述感测选通线之间，并且连接到所述开关薄膜晶体管；以及感测薄膜晶体管，该感测薄膜晶体管与所述感测选通线交叠。
在一个实施方式中，所述开关薄膜晶体管包括：开关源极，该开关源极从数据线伸出；开关漏极，该开关漏极基于所述扫描线与所述开关源极面对；以及开关半导体层，该开关半导体层与所述扫描线交叉，其中，所述开关半导体层的一端连接到所述开关源极，而所述开关半导体层的另一端连接到所述开关漏极。
在一个实施方式中，所述驱动薄膜晶体管包括：驱动源极，该驱动源极从所述公共电流线伸出；驱动栅极，该驱动栅极连接到所述开关漏极；驱动漏极，该驱动漏极基于所述驱动栅极与所述驱动源极面对；以及驱动半导体层，该驱动半导体层与所述驱动栅极交叉，其中，所述驱动半导体层的一端连接到所述驱动源极，而所述驱动半导体层的另一端连接到所述驱动漏极。
在一个实施方式中，所述感测薄膜晶体管包括：感测源极，该感测源极从所述水平感测线伸出；感测漏极，该感测漏极基于所述感测选通线与所述感测源极面对，并且连接到所述驱动漏极；以及感测半导体层，该感测半导体层与所述感测选通线交叉，其中，所述感测半导体层的一端连接到所述感测源极，而所述感测半导体层的另一端连接到所述感测漏极。
在一个实施方式中，该平板显示器还包括：阳极，该阳极连接到所述驱动薄膜晶体管并且被设置在所述第一像素区域内；堤，该堤限定所述阳极内的发光区域；有机发光层，该有机发光层被设置在所述发光区域上；以及阴极，该阴极被设置在所述有机发光层上。
在一个实施方式中，该平板显示器还包括：第三像素区域和第四像素区域，该第三像素区域和该第四像素区域被设置为具有基于所述感测线与所述第一像素区域和所述第二像素区域双对称的形状。
在一个实施方式中，红色像素被分配在所述第一像素区域，白色像素被分配在所述第二像素区域，绿色像素被分配在所述第三像素区域，并且蓝色像素被分配在所述第四像素区域。
在一个实施方式中，所述公共电流线包括：第一公共电流线，该第一公共电流线向所述第一像素区域和所述第二像素区域提供驱动电流；以及第二公共电流线，该第二公共电流线向所述第三像素区域和所述第四像素区域提供驱动电流。
在一个实施方式中，所述第一公共电流线和所述第二公共电流线在包括所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域在内的单元像素区域内与所述扫描线交叠。
根据本公开的有机发光二极管显示器包括补偿薄膜晶体管，其用于通过检测像素的劣化来控制驱动薄膜晶体管和/或有机发光二极管的状态。在引起像素劣化的硬性状态下，视频质量可保持在优异质量。此外，根据本公开，与扫描线交叠的线或电极的数量减少。因此，在与扫描线交叠的线或电极处发生的寄生电容的量减少。结果，扫描线的负载降低，并且可以没有信号延迟地向平板显示器的整个区域施加扫描信号。具体地，在没有扫描信号的延迟的情况下，对于大面积有机发光二极管显示器，可确保优异的视频质量。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与本说明书一起用来说明本公开的原理。
在附图中：
图1是例示根据相关技术的有机发光二极管的结构的图。
图2是例示根据相关技术的有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。
图3是例示根据相关技术的AMOLED中的一个像素的结构的平面图。
图4是用于例示根据相关技术的底部发光型AMOLED的结构的沿着切割线I-I'的截面图。
图5是例示根据本公开的具有补偿元件的有机发光二极管显示器中的一个像素的结构的等效电路图。
图6是例示根据本公开的第一实施方式的具有补偿元件的有机发光二极管显示器的结构的平面图。
图7是例示根据本公开的第二实施方式的具有补偿元件且减小扫描线的负载的超高密度有机发光二极管显示器的结构的平面图。
具体实施方式
参照附图，我们将说明本公开的优选实施方式。在整个详细描述中，相同的附图标记指代相同的元件。然而，本公开不受这些实施方式的限制，而是可在不改变技术精神的情况下应用于各种改变或修改。在以下实施方式中，元件的名称是通过考虑说明的容易性来选择的，使得元件的名称可与实际名称不同。
在下文中，参照图5，我们将说明关于本公开的内容。图5是例示根据本公开的具有补偿元件的有机发光二极管显示器中的一个像素的结构的等效电路图。
参照图5，有机发光二极管显示器的一个像素包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、存储电容器Cst、补偿元件和有机发光二极管OLE。补偿元件可按照各种方法来配置。这里，我们说明关于补偿元件包括感测薄膜晶体管ET和感测线REF的情况。
响应于从扫描线SL提供的扫描信号，开关薄膜晶体管ST负责用于将来自数据线DL的数据信号存储到存储电容器Cst作为数据电压的开关操作。根据存储电容器Cst中的数据电压，驱动薄膜晶体管DT负责提供在驱动电流线VDD(提供可变高电平电压)与基本电压线VSS(提供恒定的低电平电压)之间的驱动电流。有机发光二极管OLE负责根据由驱动薄膜晶体管DT形成的驱动电流而产生光。
感测薄膜晶体管ET是设置在像素区域内以用于补偿驱动薄膜晶体管DT的阈值电压的附加元件。感测薄膜晶体管ET连接在驱动薄膜晶体管DT的漏极与有机发光二极管OLE的阳极(或感测节点)之间。感测薄膜晶体管ET用于将来自感测线REF的初始电压(或感测电压)提供至感测节点或者用于检测(或感测)该感测节点处的电压或电流。
开关薄膜晶体管ST包括连接到数据线DL的源极和与驱动薄膜晶体管DT的栅极连接的漏极。驱动薄膜晶体管DT包括连接到驱动电流线VDD的源极和与有机发光二极管OLE的阳极连接的漏极。存储电容器Cst包括与驱动薄膜晶体管DT的栅极连接的第一电极和与有机发光二极管OLE的阳极连接的第二电极。
有机发光二极管OLE包括与驱动薄膜晶体管DT的漏极连接的阳极和与基本电压线VSS连接的阴极。感测晶体管ET包括连接到感测线REF的源极和连接到感测节点(有机发光二极管OLE的阳极)的漏极。
感测薄膜晶体管ET的操作定时可根据补偿算法与开关薄膜晶体管ST的操作时序相关。例如，如图5所示，开关薄膜晶体管ST的栅极连接到一条扫描线SL，感测薄膜晶体管ET的栅极连接到感测选通线EL。以其它方式，开关薄膜晶体管ST的栅极和感测薄膜晶体管ET的栅极可共同连接到扫描线SL。
根据感测结果，可对数字型数据信号、模拟型数据信号或伽马信号进行补偿。用于基于感测结果产生补偿信号(或补偿电压)的补偿元件可被配置为嵌入在数据驱动器或定时控制器中的内部电路或外部电路。
图5示出具有包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、感测薄膜晶体管ET、存储电容器Cst和有机发光二极管OLE在内的3T1C(三薄膜晶体管和一电容器)结构的像素。以其它方式，像素可包括例如3T2C、4T2C、5T1C、6T2C等的附加补偿元件。
在下文中，我们将说明根据本公开的配置有图5所示的电路图的超高分辨率有机发光二极管显示器的结构特征。在下文中，我们将说明根据本公开的有机发光二极管显示器的各种结构。
<第一实施方式>
参照图6，我们将说明关于本公开的第一实施方式。图6是例示根据本公开的第一实施方式的具有补偿元件的有机发光二极管显示器的结构的平面图。
根据本公开的第一实施方式的有机发光二极管显示器包括在基板SUB上沿垂直(或第一)方向行进的感测线REF、数据线DL和驱动电流线VDD，以及沿水平(或第二)方向行进的水平感测线REFh、水平电流线VDDh、扫描线SL和感测选通线EL。这些线限定了像素区域。详细地，一个像素区域被限定为由两条相邻的水平感测线REFh、一条数据线DL和一条驱动电流线VDD围绕的区域或者由两条相邻的水平感测线REFh、一条数据线DL和一条感测线REF围绕的区域。
扫描线SL、感测选通线EL、水平感测线REFh和水平电流线VDDh在基板SUB上沿水平方向行进。数据线DL、驱动电流线VDD和感测线REF在基板SUB上沿垂直方向行进。水平感测线REFh经由感测接触孔RH连接到感测线REF。水平电流线VDDh经由电流接触孔VH连接到驱动电流线VDD。
在根据本公开的第一实施方式的有机发光二极管显示器中，一个单元像素包括四个子像素，这四个子像素包括红色像素R、白色像素W、绿色像素G和蓝色像素B。其各个单元像素包括四个子像素的多个单元像素以矩阵方式排列。一个单元像素沿着垂直方向限定在两个相邻的感测选通线EL(或水平感测线REFh)之间，并且沿着水平方向限定在两个相邻的驱动电流线VDD之间。
四个子像素被排列成其中两个设置在左侧，而另外两个设置在右侧，以具有基于感测线REF的对称结构。水平感测线REFh从感测线REF伸出或者链接到感测线REF，并且从感测线REF延伸到左侧的两个子像素和右侧的另外两个子像素。
在一个单元像素区域内，将当前像素的水平电流线VDDh与水平感测线REFh之间的区域限定为非发光区域。在非发光区域中，设置有薄膜晶体管ST、DT和ET以及存储电容器Cst。有机发光二极管OLE的阳极ANO设置在水平电流线VDDh与上部像素的上部水平感测线REFh之间的区域中。阳极ANO具有由堤BA限定的发光区域。在发光区域内，形成有机发光二极管OLE。
开关薄膜晶体管ST包括连接到数据线DL的开关源极SS、在扫描线SL的一部分处限定的开关栅极SG、开关半导体层SA和开关漏极SD。沟道区域被限定在开关半导体层SA的与开关栅极SG的交叠区域处。由于开关半导体层SA被设置为从下侧到上侧与扫描线SL交叉，所以形成开关薄膜晶体管ST。
感测薄膜晶体管ET包括连接到水平感测线REFh的感测源极ES、在感测选通线EL的一部分处限定的感测栅极EG、感测半导体层EA和感测漏极ED。沟道区域被限定在感测半导体层EA的与感测栅极EG的交叠区域处。由于感测半导体层EA被设置为从下侧到上侧与感测选通线EL交叉，所以形成感测薄膜晶体管ET。
驱动薄膜晶体管DT包括从驱动电流线VDD伸出或者在水平电流线VDDh的一部分处限定的驱动源极DS、连接到开关漏极SD的驱动栅极DG、驱动半导体层DA和驱动漏极DD。沟道区域被限定在驱动半导体层DA的与驱动栅极DG的交叠区域处。由于驱动半导体层DA被设置为从驱动源极DS到扫描线SL与驱动栅极DG交叉，所以形成驱动薄膜晶体管DT。驱动漏极DD连接到驱动半导体层DA的一部分和感测半导体层EA的一部分。
存储电容器Cst包括第一电极和第二电极。第一电极被形成为开关漏极SD的一些扩展部分。第二电极被形成为驱动漏极DD的一些部分或阳极ANO的一些部分。这里，方便地，将第二电极形成为阳极ANO的与第一电极交叠的一些部分。
驱动薄膜晶体管DT和存储电容器Cst设置在水平电流线VDDh与扫描线SL之间。此外，开关薄膜晶体管ST和感测薄膜晶体管ET设置在扫描线SL与水平感测线REFh之间。驱动元件设置在水平电流线VDDh与水平感测线REFh之间。将这个区域限定为非发光区域。
有机发光二极管OLE的阳极ANO通过像素接触孔PH连接到驱动漏极DG。堤BA的开口区域被限定为暴露阳极ANO的最大面积。
阳极ANO的大部分被堤BA暴露。有机发光二极管OLE通过在堤BA上层叠有机发光层和阴极而形成。优选地，有机发光二极管OLE被形成为在像素区域内具有最大发光面积。
图6示出了其中堤BA的开口区域不与薄膜晶体管ST、DT和ET交叠的有机发光二极管显示器。在这种情况下，有机发光二极管显示器是底部发光型。对于顶部发光型的情况，堤BA的开口区域可包括阳极ANO覆盖薄膜晶体管ST和DT以及存储电容器Cst的区域。此外，阳极ANO可延伸到水平感测线REFh，并且堤BA的开口区域可被限定为覆盖感测薄膜晶体管ET。
图6所示的有机发光二极管显示器具有包括补偿元件的结构。薄膜晶体管的配置非常复杂并且形成了各种元件。在每个像素区域中，感测薄膜晶体管ET的感测漏极ED与扫描线SL交叠。通过这种结构，在扫描线SL与感测漏极ED之间的交叠区域OV处形成寄生电容。该寄生电容是引起扫描信号延迟的主要元件之一。当扫描信号被延迟时，连接到相同扫描线SL的所有开关薄膜晶体管ST不被同时激活，而是可按照时间延迟依次被激活。
<第二实施方式>
在下文中，参照图7，我们将说明根据第二实施方式的其中扫描线SL处的寄生电容被最小化的有机发光二极管显示器。图7是例示了根据本公开的第二实施方式的具有补偿元件且减小了扫描线路的负载的超高密度有机发光二极管显示器的结构的平面图。
在第二实施方式中，我们提供了一种其中与扫描线SL交叉或交叠的线或电极的数量被最小化的有机发光二极管显示器。相反，如果需要交叉结构，则它们可与提供恒定的直流电流的驱动电流线VDD交叉或交叠。
扫描线SL、感测选通线EL、水平感测线REFh和水平电流线VDDh在基板SUB上沿水平方向行进。数据线DL、驱动电流线VDD和感测线REF在基板SUB上沿垂直方向行进。水平感测线REFh经由感测接触孔RH连接到感测线REF。水平电流线VDDh经由电流接触孔VH连接到驱动电流线VDD。一个像素区域可由沿水平方向行进的感测选通线EL、水平感测线REFh和水平电流线VDDh以及沿垂直方向行进的数据线DL、驱动电流线VDD和感测线REF来限定。
在根据本公开的第二实施方式的有机发光二极管显示器中，一个单元像素包括四个子像素，这四个子像素包括红色像素R、白色像素W、绿色像素G和蓝色像素B。其各个单元像素包括四个子像素的多个单元像素以矩阵方式排列。例如，包括4个子像素的一个单元像素可被限定为由沿着垂直方向的两个相邻的水平感测线REFh以及沿着水平方向的两个相邻的驱动电流线VDD围绕。此外，在驱动电流线VDD与感测线REF之间设置有两个子像素。
四个子像素被排列成其中两个设置在左侧，而另外两个设置在右侧，以具有基于感测线REF的对称结构。水平感测线REFh从感测线REF伸出或者链接到感测线REF，并且从感测线REF延伸到左侧的两个子像素和右侧的另外两个子像素。
其中两个子像素设置在驱动电流线VDD与感测线REF之间的像素阵列基于感测线REF进行双对称排列。在下文中，我们将集中说明设置在驱动电流线VDD与感测线REF之间的两个子像素区域。
第一数据线DL1被设置为从驱动电流线VDD靠近像素区域侧。第一数据线DL1将数据信号提供给分配在第一像素区域处的有机发光二极管。第二数据线DL2被设置为从感测线REF靠近像素区域侧。第二数据线DL2将数据信号提供给分配在第二像素区域处的有机发光二极管。
连接到驱动电流线VDD的水平电流线VDDh被延伸以与两个像素区域交叉。此外，水平电流线VDDh延伸到相邻的两个像素区域的中间部分。在下文中，为了方便起见，我们将说明第一像素区域。第二像素区域具有与第一像素区域双对称的形状。
扫描线SL沿垂直方向设置在水平电流线VDDh的旁边。感测选通线EL沿垂直方向设置在扫描线SL的旁边。与第一实施方式的不同点在于：扫描线SL被设置为相对靠近水平电流线VDDh，而相对远离感测选通线EL。开关薄膜晶体管ST设置在水平电流线VDDh与扫描线SL之间。驱动薄膜晶体管DT、存储电容器Cst和感测薄膜晶体管ET设置在扫描线SL与感测选通线EL之间。在另一种情况下，有机发光二极管OLE可在扫描线SL与感测选通线EL之间进一步扩展。
开关薄膜晶体管ST被设置为与扫描线SL交叉。开关薄膜晶体管ST包括开关源极SS、开关栅极SG、开关漏极SD和开关半导体层SA。在水平电流线VDDh与扫描线SL之间，设置从第一数据线DL1伸出的开关源极SS。开关漏极SD被设置为面对开关源极SS，扫描线SL位于它们之间。开关半导体层SA从一端(开关源极SS)到另一端(开关漏极SD)与扫描线SL交叉。开关漏极SD横向扩展以用于形成存储电容器Cst的第一电极。将开关半导体层SA的与扫描线SL的交叠部分限定为沟道区域。
在设置在驱动电流线VDD与感测线REF之间的两个相邻的像素区域之间，设置公共电流线VDDc。公共电流线VDDc在像素区域内沿垂直方向从水平电流线VDDh伸出。具体地，公共电流线VDDc通过公共电流孔VCH连接到水平电流线VDDh。
公共电流线VDDc将驱动电流提供给像素区域。在本公开中，四个子像素形成一个单元像素区域。具体地，在第二实施方式中，驱动电流通过两条公共电流线VDDc被提供到四个子像素。具体地，第一公共电流线VDD1将驱动电流共同提供到第一子像素区域和第二子像素区域。第二公共电流线VDD2将驱动电流共同提供到第三子像素区域和第四子像素区域。
公共电流线VDDc具有设置在两个子像素区域之间的与扫描线SL交叉的垂直段。在每四个子像素区域中，仅需要两条公共电流线VDDc(第一公共电流线VDD1和第二公共电流线VDD2)以用于向四个子像素提供驱动电流。也就是说，仅存在两条公共电流线(第一公共电流线VDD1和第二公共电流线VDD2)与扫描线SL交叠。
驱动薄膜晶体管DT设置在扫描线SL与感测选通线EL之间。驱动薄膜晶体管DT包括驱动源极DS、驱动栅极DG、驱动漏极DD和驱动半导体层DA。驱动源极DS从第一公共电流线VDD1伸出到第一像素区域。驱动栅极DG设置在驱动源极DS附近。驱动栅极DG连接到开关漏极SD。驱动漏极DD面向驱动源极DS，驱动栅极DG位于它们之间。驱动漏极DD可沿横向方向扩展以用于形成存储电容器Cst的第二电极。将驱动半导体层DA的与驱动栅极DG的交叠部分限定为沟道区域。
感测薄膜晶体管ET被设置为从水平感测线REFh起与感测选通线EL交叉。感测薄膜晶体管ET包括感测源极ES、感测栅极EG、感测漏极ED和感测半导体层EA。从水平感测线REFh伸出的感测源极ES设置在感测选通线EL的下方。感测漏极ED被设置为面向感测源极ES，感测选通线EL位于它们之间。感测半导体层EA从一端(感测源极ES)到另一端(感测漏极ED)与感测选通线EL交叉。将感测半导体层EA的与感测选通线EL的交叠部分限定为沟道区域。感测漏极ED连接到驱动漏极DD。
存储电容器Cst包括第一电极和第二电极。第一电极被形成为扩展开关漏极SD的一部分。第二电极利用驱动漏极DD的一部分或阳极ANO的一部分形成。这里，第二电极利用扩展为与第一电极交叠的驱动漏极DD形成。
有机发光二极管的阳极ANO经由像素接触孔PH连接到驱动漏极DD。堤BA具有使阳极ANO的最大面积暴露的开口区域。阳极ANO的大部分被堤BA暴露。有机发光二极管OLE被形成为将有机发光层和阴极依次层叠在阳极ANO和堤BA上。优选地，有机发光二极管在像素区域内具有最大面积。
第一子像素区域和第二子像素区域设置在驱动电流线VDD与感测线REF之间。第一子像素区域和第二子像素区域被设置为具有基于公共电流线彼此双对称的形状(或镜像对称形状)。此外，第三子像素区域和第四子像素区域被设置为具有基于感测线REF与第一子像素区域和第二子像素区域双对称的形状。通过该结构，可将红色像素R分配在第一子像素区域，可将白色像素W分配在第二子像素区域，可将绿色像素G分配在第三子像素区域，并且可将蓝色像素B分配在第四子像素区域。
在如图7所示的有机发光二极管显示器中，堤BA的开口区域不覆盖薄膜晶体管ST、DT和ET。在这种情况下，有机发光二极管显示器是底部发光型。对于顶部发光型的情况，堤BA的开口区域可包括阳极ANO的覆盖驱动薄膜晶体管DT和存储电容器Cst的区域。此外，可将阳极ANO延伸到水平电流线VDDh，并且可将堤BA的开口区域限定为覆盖开关薄膜晶体管ST。
与第一实施方式相比，根据第二实施方式的有机发光二极管显示器具有其中由与扫描线SL交叉的线或电极所引起的交叠区域OV的数量减少了一半的结构。因此，由于与线或电极交叠而在扫描线SL处形成的寄生电容的量减少一半。结果，扫描线SL的负载被减小以使得扫描信号可没有时间延迟地被施加到与同一扫描线SL连接的所有薄膜晶体管。通过将第二实施方式的结构应用到大面积有机发光二极管显示器，我们可得到具有优异视频质量的大面积超高密度有机发光二极管显示器。
虽然已经参照附图详细描述了本发明的实施方式，但是本领域技术人员将会理解，本公开可按照其它具体形式来实现而不改变本公开的技术精神或者本质特征。因此，应该注意的是，前面的实施方式在所有方面仅仅是例示性的，而不应被解释为限制本公开。本公开的范围由所附权利要求限定，而不是由本公开的详细描述限定。在权利要求的含义和范围内做出的所有改变或修改或其等同物应该被解释为落入本公开的范围内。
可组合上述各种实施方式以提供其它实施方式。可根据上述详细描述对这些实施方式进行这些改变和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制到说明书和权利要求书中所公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及权利要求所应有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (10)

1.一种平板显示器，该平板显示器包括：
驱动电流线和感测线，所述驱动电流线和所述感测线在基板上沿第一方向设置；
扫描线和感测选通线，所述扫描线和所述感测选通线在所述基板上沿第二方向设置；
水平电流线，所述水平电流线沿所述第二方向被设置在所述扫描线的上侧并且连接到所述驱动电流线；
水平感测线，所述水平感测线沿所述第二方向被设置在所述感测选通线的下侧并且连接到所述感测线；
公共电流线，所述公共电流线从所述水平电流线伸出并且与所述扫描线交叉；以及
第一像素区域和第二像素区域，所述第一像素区域和所述第二像素区域被设置在所述驱动电流线与所述感测线之间并且被设置为具有基于所述公共电流线彼此双对称的形状。
2.根据权利要求1所述的平板显示器，该平板显示器还包括：
开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管与所述扫描线交叠；
驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管被设置在所述扫描线与所述感测选通线之间并且连接到所述开关薄膜晶体管；以及
感测薄膜晶体管，所述感测薄膜晶体管与所述感测选通线交叠。
3.根据权利要求2所述的平板显示器，其中，所述开关薄膜晶体管包括：
开关源极，所述开关源极从数据线伸出；
开关漏极，所述开关漏极基于所述扫描线与所述开关源极面对；以及
开关半导体层，所述开关半导体层与所述扫描线交叉，其中，所述开关半导体层的一端连接到所述开关源极，而所述开关半导体层的另一端连接到所述开关漏极。
4.根据权利要求3所述的平板显示器，其中，所述驱动薄膜晶体管包括：
驱动源极，所述驱动源极从所述公共电流线伸出；
驱动栅极，所述驱动栅极连接到所述开关漏极；
驱动漏极，所述驱动漏极基于所述驱动栅极与所述驱动源极面对；以及
驱动半导体层，所述驱动半导体层与所述驱动栅极交叉，其中，所述驱动半导体层的一端连接到所述驱动源极，而所述驱动半导体层的另一端连接到所述驱动漏极。
5.根据权利要求4所述的平板显示器，其中，所述感测薄膜晶体管包括：
感测源极，所述感测源极从所述水平感测线伸出；
感测漏极，所述感测漏极基于所述感测选通线与所述感测源极面对并且连接到所述驱动漏极；以及
感测半导体层，所述感测半导体层与所述感测选通线交叉，其中，所述感测半导体层的一端连接到所述感测源极，而所述感测半导体层的另一端连接到所述感测漏极。
6.根据权利要求2所述的平板显示器，该平板显示器还包括：
阳极，所述阳极连接到所述驱动薄膜晶体管并且被设置在所述第一像素区域内；
堤，所述堤限定所述阳极内的发光区域；
有机发光层，所述有机发光层被设置在所述发光区域上；以及
阴极，所述阴极被设置在所述有机发光层上。
7.根据权利要求1所述的平板显示器，该平板显示器还包括：
第三像素区域和第四像素区域，所述第三像素区域和所述第四像素区域被设置为具有基于所述感测线与所述第一像素区域和所述第二像素区域双对称的形状。
8.根据权利要求7所述的平板显示器，其中，
红色像素被分配在所述第一像素区域，
白色像素被分配在所述第二像素区域，
绿色像素被分配在所述第三像素区域，并且
蓝色像素被分配在所述第四像素区域。
9.根据权利要求7所述的平板显示器，其中，所述公共电流线包括：
第一公共电流线，所述第一公共电流线向所述第一像素区域和所述第二像素区域提供驱动电流；以及
第二公共电流线，所述第二公共电流线向所述第三像素区域和所述第四像素区域提供驱动电流。
10.根据权利要求9所述的平板显示器，其中，所述第一公共电流线和所述第二公共电流线在包括所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域的单元像素区域内与所述扫描线交叠。
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