KR20180057777A - 대면적 초고해상도 평판 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대면적 초고해상도 평판 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 구동 전류 배선, 센싱 배선, 스캔 배선, 센싱 제어 배선, 수평 전류 배선, 수평 센싱 배선, 공통 전류 배선, 제1 화소 영역 그리고 제2 화소 영역을 포함한다. 구동 전류 배선 및 센싱 배선은, 기판 위에서 세로 방향으로 진행한다. 스캔 배선 및 센싱 제어 배선은, 기판 위에서 가로 방향으로 진행한다. 수평 전류 배선은, 스캔 배선 상측에서 가로 방향으로 진행하며, 구동 전류 배선과 연결된다. 수평 센싱 배선은, 센싱 제어 배선 하측에서 가로 방향으로 진행하며, 센싱 배선과 연결된다. 공통 전류 배선은, 수평 전류 배선에서 분기하여 스캔 배선을 가로 질러 배치된다. 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역은, 공통 전류 배선을 기준으로, 구동 전류 배선 및 센싱 배선 사이에서, 좌우 대칭 배치된다.

Description

대면적 초고해상도 평판 표시장치{Large Area Ultra High Density Flat Display Having High Aperture Ratio}
본 발명은 대면적 초고해상도 평판 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 대면적이고, 초고해상도를 구현하며, 배선의 부하를 낮추어 우수한 화질을 제공하는 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electro-Luminescence device, EL) 등이 있다.
전계발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광 표시장치와 유기발광 다이오드 표시장치로 대별되며, 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 특히, 에너지 효율이 우수하고, 누설 전류가 적고, 전류 조절로 계조 표현이 용이한, 유기발광 다이오드 표시장치에 대한 요구가 급증하고 있다.
도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다.
유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광 다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.
전계발광소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 이하, 도 2 및 3을 참조하여 유기발광 다이오드 표시장치에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 종래 기술에 의한 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 하부 발광형(Bottom Emission Type) 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT), 구동 박막 트랜지스터(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLE)를 포함한다. 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 기판(SUB) 위에 배치되어 화소 영역을 정의한다. 유기발광 다이오드(OLE)가 화소 영역 내에 형성되면서, 발광 영역을 정의한다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하는 역할을 한다.
구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기발광 층(OL)이 개재되어 있다. 캐소드 전극(CAT)은 기저 전압(VSS)에 연결된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 전류 배선(VDD) 사이 혹은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD) 사이에는 보조 용량(Cst)을 포함한다.
도 4를 참조하여, 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에 대해서 좀 더 상세히 설명한다. 기판(SUB) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(SG, DG)이 형성되어 있다. 게이트 전극(SG, DG) 위에는 게이트 절연막(GI)이 덮고 있다. 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되는 게이트 절연막(GI)의 일부에 반도체 층(SA, DA)이 형성되어 있다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 일정 간격을 두고 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 마주보고 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 드레인 콘택홀(DH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이와 같은 구조를 갖는 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)를 덮는 보호막(PAS)이 전면에 도포된다.
이와 같이 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기발광 층(OL)은 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC) (혹은 평탄화 막)을 기판(SUB) 전면에 도포한다.
그리고 오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호막(PAS)에 형성된 화소 콘택홀(PH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 발광 영역을 정의하기 위해 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크(BA)를 형성한다. 뱅크(BA)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 뱅크(BA)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OL)을 형성한다. 유기발광 층(OL) 위에는 캐소드 전극층(CAT)이 형성된다.
캐소드 전극(CAT)이 완성된 기판(SUB) 위에 스페이서(SP)가 배치된다. 스페이서(SP)는 비 개구 영역인 뱅크(BA) 위에 형성하는 것이 바람직하다. 스페이서(SP)를 사이에 두고 상부에 인-캡 기판(ENC)이 하부 기판(SUB)과 합착된다. 인-캡 기판(ENC)와 하부 기판(SUB)을 합착하기 위해 그 사이에 접착층 혹은 접착 물질(미도시)이 더 개재될 수 있다.
하부 발광형(Bottom Emission)이며, 풀-칼라를 구현하는 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 유기발광 층(OL)에서 출광하는 빛은 하부 기판(SUB)을 향해 출광한다. 따라서, 오버코트 층(OC)과 보호막(PAS) 사이에 칼라 필터(CF)를 더 포함하고, 애노드 전극(ANO)은 투명 도전물질로 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 캐소드 전극(CAT)은 유기발광 층(OL)에서 발생한 빛을 하부 방향으로 반사시킬 수 있도록 반사율이 우수한 금속 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 유기발광 층(OL)은 백색광을 발현하는 유기물질로 이루어질 수 있다. 그리고 유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)은 기판 전체 표면에 걸쳐 도포될 수 있다.
캐소드 전극(CAT)은 유기발광 다이오드(OLE)에서 기준 전압을 유지하는 전극이다. 유기발광 다이오드(OLE)를 안정적으로 작동하도록 하기 위해서는 기준 전압이 흔들림 없이 안정적인 값을 유지하는 것이 바람직하다. 이를 위해 캐소드 전극(CAT)는 저 저항 금속 물질을 기판(SUB) 전체 면적에 걸쳐 고르게 증착하는 것이 바람직하다.
이와 같은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 오랜 시간 사용할 경우, 화소의 전기적 특성의 변화로 인해 표시 품질이 저하될 수 있다. 따라서, 화소의 전기적 특성의 변화를 검출하여, 이를 보상해 줄 수 있는 보상 수단이 필요하다.
또한, 이러한 보상 수단 및/또는 회로를 화소 내에 직접 실장할 경우, 화소 영역 중에서 발광 영역이 차지하는 비율인 개구율을 감소하는 요인이 될 수 있다. 특히, 4K를 넘어 UHD급 초고해상도를 구현하는 경우, 화소 내에 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터를 비롯하여 보상 박막 트랜지스터를 구비하는 경우, 개구율은 더 심각하게 감소된다. 따라서, 초고 해상도에서 고 개구율을 확보할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치의 구조 개발이 매우 중요하다.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 고 개구율을 갖는 초고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 스캔 배선에 부하를 줄여 스캔 신호에 지연이 없는평판형 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 신호 지연을 억제하여 우수한 화질을 보장하는 대면적 표시장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 구동 전류 배선, 센싱 배선, 스캔 배선, 센싱 제어 배선, 수평 전류 배선, 수평 센싱 배선, 공통 전류 배선, 제1 화소 영역 그리고 제2 화소 영역을 포함한다. 구동 전류 배선 및 센싱 배선은, 기판 위에서 세로 방향으로 진행한다. 스캔 배선 및 센싱 제어 배선은, 기판 위에서 가로 방향으로 진행한다. 수평 전류 배선은, 스캔 배선 상측에서 가로 방향으로 진행하며, 구동 전류 배선과 연결된다. 수평 센싱 배선은, 센싱 제어 배선 하측에서 가로 방향으로 진행하며, 센싱 배선과 연결된다. 공통 전류 배선은, 수평 전류 배선에서 분기하여 스캔 배선을 가로 질러 배치된다. 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역은, 공통 전류 배선을 기준으로, 구동 전류 배선 및 센싱 배선 사이에서, 좌우 대칭 배치된다.
일례로, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 더 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터는, 스캔 배선에 중첩하여 배치된다. 구동 박막 트랜지스터는, 스캔 배선과 센싱 제어 배선 사이에 배치되며, 스위칭 박막 트랜지스터와 연결된다. 센신 박막 트랜지스터는, 센싱 제어 배선에 중첩하여 배치된다.
일례로, 스위칭 박막 트랜지스터는, 스위칭 소스 전극, 스위칭 드레인 전극 및 스위칭 반도체 층을 포함한다. 스위칭 소스 전극은, 데이터 배선에서 분기한다. 스위칭 드레인 전극은, 스캔 배선을 기준으로 스위칭 소스 전극과 대향한다. 스위칭 반도체 층은, 스위칭 소스 전극에 일측단부가 연결되고, 스위칭 드레인 전극에 타측 단부가 연결되며, 스캔 배선을 가로질러 배치된다.
일례로, 구동 박막 트랜지스터는, 구동 소스 전극, 구동 게이트 전극, 구동 드레인 전극 및 구동 반도체 층을 포함한다. 구동 소스 전극은, 공통 전류 배선에서 분기한다. 구동 게이트 전극은, 스위칭 드레인 전극과 연결된다. 구동 드레인 전극은, 구동 게이트 전극을 기준으로 구동 소스 전극과 대향한다. 구동 반도체 층은, 구동 소스 전극에 일측단부가 연결되고, 구동 드레인 전극에 타측 단부가 연결되며, 구동 게이트 전극을 가로질러 배치된다.
일례로, 센싱 박막 트랜지스터는, 센싱 소스 전극, 센싱 드레인 전극 및 센싱 반도체 층을 포함한다. 센싱 소스 전극은, 수평 센싱 배선에서 분기한다. 센싱 드레인 전극은, 센싱 제어 배선을 기준으로 센싱 소스 전극과 대향하며, 구동 드레인 전극과 연결된다. 센싱 반도체 층은, 센싱 소스 전극에 일측단부가 연결되고, 센싱 드레인 전극에 타측 단부가 연결되며, 센싱 제어 배선을 가로질러 배치된다.
일례로, 애노드 전극, 뱅크, 유기발광 층, 캐소드 전극을 더 포함한다. 애노드 전극은, 구동 박막 트랜지스터와 연결되며 제1 화소 영역 내에 배치된다. 뱅크는, 애노드 전극에서 발광 영역을 정의한다. 유기발광 층은, 발광 영역 위에 적층된다. 캐소드 전극은, 유기발광 층 위에 적층된다.
일례로, 센싱 배선을 기준으로 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역과 좌우 대칭 방식으로 배열된 제3 화소 영역 및 제4 화소 영역을 더 포함한다.
일례로, 제1 화소 영역에는 적색 화소가 배치된다. 제2 화소 영역에는 백색 화소가 배치된다. 제3 화소 영역에는 녹색 화소가 배치된다. 제4 화소 영역에는 청색 화소가 배치된다.
일례로, 공통 전류 배선은, 제1 공통 전류 배선과 제2 공통 전류 배선을 포함한다. 제1 공통 전류 배선은, 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역에 공통으로 구동 전류를 공급한다. 제2 공통 전류 배선은, 제3 화소 영역 및 제4 화소 영역에 공통으로 구동 전류를 공급한다.
일례로, 제1 화소 영역 내지 제4 화소 영역 전체에서, 제1 공통 전류 배선 및 제2 공통 전류 배선만 스캔 배선과 중첩한다.
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 화소 내에 화소 열화를 감지하여, 구동 박막 트랜지스터 및/또는 유기발광 다이오드의 구동 상태를 적절히 제어할 수 있는 보상 박막 트랜지스터를 더 구비한다. 따라서, 소자의 열화에도 항상 양질의 화질을 제공할 수 있다. 또한, 스캔 배선과 중첩하는 배선 혹은 전극의 갯수를 최소한을 줄일 수 있다. 따라서, 스캔 배선과 중첩하는 배선 또는 전극 사이에 발생하는 기생 용량을 억제할 수 있다. 그 결과, 스캔 배선에 부하가 줄어들어 스캔 신호를 지연 없이 전체 면적에 걸쳐 고르게 전달할 수 있다. 특히, 대면적 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 스캔 배선의 신호가 지연 없이 전달되어 우수한 품질의 화면 정보를 제공할 수 있다.
도 1은 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 보상 회로를 구비한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 보상 박막 트랜지스터를 구비한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 의한 보상 박막 트랜지스터를 구비하면서, 스캔 배선의 부하를 감소하는 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 평면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명에 의한 보상 회로를 구비한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다.
도 5를 참조하면, 유기발광 다이오드 표시장치의 한 화소는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 보조 용량(Cst), 보상 회로 및 유기 발광다이오드(OLE)를 포함한다. 보상 회소를 다양하게 구성할 수 있다. 여기서는, 센싱 박막 트랜지스터(ET), 센싱 배선(REF) 및 센싱 제어 배선(EL)을 구비한 경우를 설명한다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)을 통해 공급된 스캔 신호에 응답하여 데이터 배선(DL)을 통해 공급되는 데이터 신호가 보조 용량(Cst)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 보조 용량(Cst)에 저장된 데이터 전압에 따라 전원 배선(VDD)과 기저 배선(VSS) 사이에 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 유기발광 다이오드(OLE)는 구동 박막 트랜지스터(DT)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.
센싱 박막 트랜지스터(ET)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 문턱전압 등을 보상하기 위해 화소 내에 추가된 회로이다. 센싱 박막 트랜지스터(ET)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드전극 사이(혹은, 센싱노드)에 접속된다. 센싱 박막 트랜지스터(ET)는 센싱 제어 배선(EL)에 의해 활성화된다. 센싱 박막 트랜지스터(ET)는 센싱 배선(REF)을 통해 전달되는 초기화 전압(또는 센싱 전압)을 센싱 노드에 공급하거나 센싱 노드의 전압 또는 전류를 센싱(검출)하도록 동작한다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 데이터 배선(DL)에 소스 전극이 연결되고, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 드레인 전극이 연결된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 전원 배선(VDD)에 소스 전극이 연결되고 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극에 드레인 전극이 연결된다. 보조 용량(Cst)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 전극이 연결되고 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극에 제2 전극이 연결된다.
유기발광 다이오드(OLE)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극에 애노드 전극이 연결되고 기저 배선(VSS)에 캐소드 전극이 연결된다. 센싱 트랜지스터(ET)는 센싱 제어 배선(EL)에 게이트 전극이, 센싱 배선(REF)에 소스 전극이 연결되고 센싱 노드인 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극에 드레인 전극이 연결된다.
센싱 박막 트랜지스터(ET)의 동작 시간은 보상 알고리즘에 따라 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 유사/동일하거나 다를 수 있다. 일례로, 도 5에 도시한 것처럼, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)에 게이트 전극이 연결되는 반면, 센싱 박막 트랜지스터(ET)는 센싱 제어 배선(EL)에 게이트 전극이 연결될 수 있다. 다른 예로, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 게이트 전극과 센싱 박막 트랜지스터(ET)의 게이트 전극들이 스캔 배선(SL)에 공통으로 공유하도록 연결될 수 있다.
이 밖에, 센싱 결과에 따른 보상 대상은 디지털 형태의 데이터 신호, 아날로그 형태의 데이터 신호 또는 감마 등이 될 수 있다. 센싱 결과를 기반으로 보상 신호(또는 보상 전압) 등을 생성하는 보상 회로는 데이터 구동부의 내부, 타이밍 제어부의 내부 또는 별도의 회로로 구현될 수 있다.
도 5에서는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT), 보조 용량(Cst), 유기발광 다이오드(OLE), 센싱 박막 트랜지스터(ET)를 포함하는 3T1C (3 트랜지스터, 1 커패시터) 구조의 화소를 일례로 설명하였지만, 보상회로가 더 추가된 경우 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C 등으로 구성될 수도 있다.
이하, 도 5로 설명한 회로 구성을 제품으로 구현한, 본 발명에 의한 초고해상도 유기발광 다이오드 표시장치의 구조적인 특징에 대해 설명한다.
<제1 실시 예>
도 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예를 설명한다. 도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 보상 회로를 구비한 박막 트랜지스터를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
본 발명의 제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 세로 방향으로 진행하는 센싱 배선(REF), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD), 그리고 가로 방향으로 진행하는 수평 센싱 배선(REFh), 수평 전류 배선(VDDh) 및 스캔 배선(SL) 및 센싱 제어 배선(EL)에 의해 화소 영역이 정의된다. 구체적으로는, 수평 방향으로는 두 개의 이웃하는 수평 센싱 배선(REFh) 사이에, 수직 방향으로는 구동 전류 배선(VDD)과 데이터 배선(DL) 또는 센싱 배선(REF)과 데이터 배선(DL) 사이의 공간이 하나의 화소 영역으로 정의된다.
스캔 배선(SL), 센싱 제어 배선(EL), 수평 센싱 배선(REFh) 및 수평 전류 배선(VDDh)들은 기판의 가로 방향으로 진행한다. 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 센싱 배선(REF)들은 기판의 세로 방향으로 진행한다. 수평 센싱 배선(REFh)은, 센싱 콘택홀(RH)을 통해, 수직 방향으로 진행하는 센싱 배선(REF)과 연결되어 있다. 수평 전류 배선(VDDh)은, 전류 콘택홀(VH)을 통해, 수직 방향으로 진행하는 구동 전류 배선(VDD)과 연결되어 있다.
제1 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 네 색상의 서브 화소들이 모여 단위 화소를 이룬다. 네 개의 서브 화소들이 모인 단위 화소가 반복하여 배치되어 있다. 단위 화소는, 두 개의 이웃하는 센싱 제어 배선(EL) 사이와 두 개의 이웃하는 구동 전류 배선(VDD) 사이에서 정의된다.
네 개의 서브 화소들은 센싱 배선(REF)을 기준으로 좌측 및 우측에 각각 두 개씩 배치되며, 이들은 센싱 배선(REF)를 기준으로 좌우 대칭을 이루는 형상을 갖는다. 수평 센싱 배선(REFh)은 센싱 배선(REF)에서 분기 혹은 연결되며, 좌측 두개의 서브 화소 영역과 우측 두개의 서브 화소 영역으로 연장되어 있다.
화소 영역 내에서, 수평 구동 전류 배선(VDDh)과 수평 센싱 배선(REFh) 사이는 박막 트랜지스터들 및 보조 용량이 배치된 비 발광 영역으로 정의된다. 수평 구동 전류 배선(VDDh)과 전단 수평 센싱 배선(REFh) 사이에는 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)이 배치되어 있다. 애노드 전극(ANO)은 뱅크(BN)에 의해 발광 영역이 정의되고, 발광 영역 내에 유기발광 다이오드(OLE)가 형성되어 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 데이터 배선(DL)에 연결된 스위칭 소스 전극(SS), 스캔 배선(SL)의 일부인 스위칭 게이트 전극(SG), 스위칭 반도체 층(SA) 및 스위칭 드레인 전극(SD)을 포함한다. 스위칭 반도체 층(SA)과 스위칭 게이트 전극(SG)이 중첩하는 영역이 채널 영역이다. 스위칭 반도체 층(SA)은 스캔 배선(SL)의 하변에서 상변으로 가로질러 배치됨으로서, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)가 형성된다.
센싱 박막 트랜지스터(ET)는 수평 센싱 배선(REFh)에 연결된 센싱 소스 전극(ES), 센싱 제어 배선(EL)의 일부인 센싱 게이트 전극(EG), 센싱 반도체 층(EA) 및 센싱 드레인 전극(ED)을 포함한다. 센싱 반도체 층(EA)과 센싱 게이트 전극(EG)이 중첩하는 영역이 채널 영역이다. 센싱 반도체 층(EA)은 센싱 제어 배선(EL)의 하변에서 상변으로 가로질러 배치됨으로서, 센싱 박막 트랜지스터(ET)가 형성된다.
구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 전류 배선(VDD)에서 분기하거나 수평 전류 배선(VDDh)의 일부인 구동 소스 전극(DS), 스위칭 드레인 전극(SD)에 연결된 구동 게이트 전극(DG), 구동 반도체 층(DA) 및 구동 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 반도체 층(DA)과 구동 게이트 전극(DG)이 중첩되는 영역이 채널 영역이다. 구동 반도체 층(DA)은 구동 소스 전극(DS)에서 시작하여 구동 게이트 전극(DG)을 가로질러 스캔 배선(SL) 방향으로 연장되어 있다. 구동 드레인 전극(DD)은 구동 반도체 층(DA)의 일측 및 센싱 반도체 층(EA) 일측과 함께 연결되어 있다.
보조 용량(Cst)은 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 제1 전극은, 스위칭 드레인 전극(SD)의 일부가 확장되어 형성된다. 제2 전극은 구동 드레인 전극(DD) 혹은 애노드 전극(ANO)의 일부로 형성된다. 여기서는, 편의상 애노드 전극(ANO)의 일부를 제1 전극과 중첩한 제2 전극으로 형성한 경우를 도시하였다.
구동 박막 트랜지스터(DT)와 보조 용량(Cst)은 수평 전류 배선(VDDh)과 스캔 배선(SL) 사이에 배치되어 있다. 또한, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 센싱 박막 트랜지스터(ET)는 스캔 배선(SL)과 수평 센싱 배선(REFh) 사이에 배치되어 있다. 결국, 수평 전류 배선(VDDh)과 수평 센싱 배선(REFh) 사이에 구동 소자들이 배치되며, 이 영역이 비 발광 영역으로 정의된다.
유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)은, 화소 콘택홀(PH)을 통해, 구동 드레인 전극(DG)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO) 중에서 발광 영역에 배치된 영역 중에서 최대한의 영역을 노출하도록 뱅크(BA)의 개구부가 형성되어 있다.
뱅크(BA)에 의해 애노드 전극(ANO)의 일부가 노출된다. 뱅크(BA) 위에 유기발광 층과 캐소드 전극을 적층함으로써 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다. 유기발광 다이오드(OLE)는 발광 영역에서 최대 면적을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 6에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 뱅크(BA)의 개방 영역은 박막 트랜지스터들(ST, DT, ET)와 중첩하지 않은 구조를 도시한다. 이 경우는, 주로 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸다. 상부 발광형으로 구성하고자 하는 경우에는, 박막 트랜지스터들(ST, DT) 및 보조 용량(Cst)과 중첩하는 애노드 전극(ANO)의 영역도 뱅크(BA)의 개구 영역에 포함할 수 있다. 더 나아가, 애노드 전극(ANO)을 수평 센싱 배선(REFh) 이전까지 확장하고, 뱅크(BA)의 개구 영역에 센싱 박막 트랜지스터(ET)까지도 포함할 수 있다.
도 6과 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 보상 회로까지 포함한 구조이다. 박막 트랜지스터의 구성이 복잡하고, 많은 구성 요소들을 포함하고 있다. 특히, 모든 화소 영역에서, 센싱 박막 트랜지스터(ET)의 드레인 전극(ED)가 스캔 배선(SL)과 중첩하여 배치된 구조를 갖는다. 이와 같은 경우, 스캔 배선(SL)과 센싱 드레인 전극(ED) 사이의 중첩 영역(OV)에는 기생 용량이 발생할 수 있다. 이 기생 용량은, 스캔 배선(SL)을 따라 전달되는 스캔 신호를 지연시키는 요인이 된다. 스캔 신호가 지연되면, 한 스캔 배선(SL)에 연결된 스캔 박막 트랜지스터들(ST)이 동시에 켜지지 않고, 시간차이를 두고 작동하는 문제가 발생할 수 있다.
<제2 실시 예>
이하, 도 7을 참조하여 제2 실시 예에서 스캔 배선(SL)에 기생 용량의 발생을 최소화한 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 의한 보상 박막 트랜지스터를 구비하면서, 스캔 배선의 부하를 감소하는 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치를 나타내는 평면도이다.
제2 실시 예에서는 스캔 배선(SL)을 가로 질러 중첩하는 배선 혹은 전극의 갯수를 줄이는 구조를 제안한다. 특히, 일정한 직류 전압을 제공하는 구동 전류 배선(VDD)과 중첩하도록 고안한 구조를 제안한다.
스캔 배선(SL), 센싱 제어 배선(EL), 수평 센싱 배선(REFh) 및 수평 전류 배선(VDDh)들은 기판의 가로 방향으로 진행한다. 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 센싱 배선(REF)들은 기판의 세로 방향으로 진행한다. 수평 센싱 배선(REFh)은, 센싱 콘택홀(RH)을 통해, 수직 방향으로 진행하는 센싱 배선(REF)과 연결되어 있다. 수평 전류 배선(VDDh)은, 전류 콘택홀(VH)을 통해, 수직 방향으로 진행하는 구동 전류 배선(VDD)과 연결되어 있다. 세로 방향으로 진행하는 센싱 배선(REF), 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD), 그리고 가로 방향으로 진행하는 수평 센싱 배선(REFh), 수평 전류 배선(VDDh) 및 스캔 배선(SL) 및 센싱 제어 배선(EL)에 의해 화소 영역이 정의된다.
제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서, 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B) 네 색상의 서브 화소들이 모여 단위 화소를 이룬다. 네 개의 서브 화소들이 모인 단위 화소가 반복하여 배치되어 있다. 예를 들어, 네 개의 서브 화소들을 포함하는 단위 화소는, 세로 길이 방향으로는 두 개의 이웃하는 수평 센싱 배선(REFh) 사이, 그리고 가로 폭 방향으로는 두 개의 이웃하는 구동 전류 배선(VDD) 사이에 배치된다. 또한, 구동 전류 배선(VDD)과 센싱 배선(REF) 사이에 두 개의 서브 화소 영역들이 배치된다.
네 개의 서브 화소들은 센싱 배선(REF)을 기준으로 좌측 및 우측에 각각 두 개씩 나누어 배치되며, 이들은 센싱 배선(REF)를 기준으로 좌우 대칭을 이룬다. 수평 센싱 배선(REFh)은 센싱 배선(REF)에서 분기 혹은 연결되며, 좌측 두개의 서브 화소 영역과 우측 두개의 서브 화소 영역으로 연장되어 있다.
구동 전류 배선(VDD)과 센싱 배선(REF) 사이에 두 개의 화소 영역들이 정의된 구조가 센싱 배선(REF)을 기준으로 좌우 대칭 형상을 갖는다. 따라서, 이하에서는 구동 전류 배선(VDD)과 센싱 배선(REF) 사이에 배치된 두 개의 화소 영역들을 기본 단위로 하여 설명한다.
구동 전류 배선(VDD)에서 화소 영역 방향으로 인접하여 제1 데이터 배선(DL1)이 배치되어 있다. 제1 데이터 배선(DL1)은 제1 화소 영역의 유기발광 다이오드에 신호를 전달한다. 또한, 센싱 배선(REF)에서 화소 영역 방향으로 인접하여 제2 데이터 배선(DL2)이 배치되어 있다. 제2 데이터 배선(DL2)은 제2 화소 영역의 유기발광 다이오드에 신호를 전달한다.
수평 전류 배선(VDDh)은 구동 전류 배선(VDD)에 연결되어 두 개의 화소 영역 사이 위치로 연장되어 있다. 또한, 수평 전류 배선(VDDh)은 이웃하는 다른 두 개의 화소 영역 사이 위치까지 더 연장되어 있다. 이하에서는, 편의상 제1 화소 영역의 구성 요소에 대해 설명한다. 제2 화소 영역의 구성 요소는 제1 화소 영역의 구성 요소와 좌우 대칭 구조를 갖는다.
수평 전류 배선(VDDh) 아래에는 스캔 배선(SL)이 배치되어 있다. 스캔 배선(SL) 아래에는 센싱 제어 배선(EL)이 배치되어 있다. 제1 실시 예와의 차이라면, 수평 전류 배선(VDDh)과 스캔 배선(SL)이 가까이 배치되어 있고, 스캔 배선(SL)과 센싱 제어 배선(EL)은 비교적 멀리 배치되어 있다. 수평 전류 배선(VDDh)과 스캔 배선(SL) 사이에는 스캔 박막 트랜지스터(ST)가 배치된다. 한편, 스캔 배선(SL)과 센싱 제어 배선(EL) 사이에는 구동 박막 트랜지스터(DT), 보조 용량(Cst) 및 센싱 박막 트랜지스터(ET)가 배치된다. 경우에 따라서는, 유기발광 다이오드(OLE)도 배치될 수 있다.
수평 전류 배선(VDDh)의 아래에서 스캔 배선(SL)을 가로지르는 형상으로 스위칭 박막 트랜지스터(ST)가 배치되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스위칭 소스 전극(SS), 스위칭 게이트 전극(SG), 스위칭 드레인 전극(SD) 및 스위칭 반도체 층(SA)을 포함한다. 수평 전류 배선(VDDh)과 스캔 배선(SL) 사이에는 제1 데이터 배선(DL1)에서 분기한 스위칭 소스 전극(SS)이 배치되어 있다. 스캔 배선(SL)을 사이에 두고 스위칭 소스 전극(SS)과 대향하여 스위칭 드레인 전극(SD)이 배치되어 있다. 스위칭 소스 전극(SS)을 일측단으로 스위칭 드레인 전극(SD)을 타측단으로 하여 스위칭 반도체 층(SA)이 스캔 배선(SL)을 가로질러 배치되어 있다. 스위칭 드레인 전극(SD)은 가로 방향으로 확장되어 보조 용량(Cst)의 제1 전극을 형성한다. 스위칭 반도체 층(SA)에서 스캔 배선(SL)과 중첩하는 영역이 채널 영역이 된다.
구동 전류 배선(VDD)과 센싱 배선(REF) 사이에 배치된 두 개의 인접한 화소 영역들 사이에는 공통 전류 배선(VDDc)이 배치되어 있다. 공통 전류 배선(VDDc)은, 수평 전류 배선(VDDh)에서 화소 영역 내측 세로 방향으로 분기되어 있다. 특히, 공통 전류 배선(VDDc)은 공통 전류 콘택홀(VCH)을 통해 수평 전류 배선(VDDh)에 연결되어 있다.
공통 전류 배선(VDDc)은, 화소 영역에 구동 전류를 공급하기 위한 배선이다. 본 발명에서는 네 개의 화소 영역들을 기본 단위로 한 구성을 제안한다. 특히, 제2 실시 예에서는, 두 개의 공통 전류 배선들로 네 개의 화소에 구동 전류를 공급한 구조를 제공한다. 구체적으로, 제1 공통 전류 배선(VDD1)이 제1 화소 영역과 제2 화소 영역에 공통으로 구동 전류를 공급한다. 또한, 제2 공통 전류 배선(VDD2)이 제3 화소 영역 및 제4 화소 영역에 공통으로 구동 전류를 공급한다.
이러한 구조로 인해, 공통 전류 배선(VDDc)은 스캔 배선(SL)을 가로질러, 두 화소 영역 사이에서 수직 방향으로 배치된다. 네 개의 화소 영역에 구동 전류를 공급하기 위한 공통 전류 배선(VDDc)이 제1 및 제2 공통 전류 배선들(VDD1, VDD2) 두 개로만 분리된다. 따라서, 네 개의 화소 영역들에 연결된 공통 전류 배선은 2 개뿐이며, 이 두 개의 공통 전류 배선들(VDD1, VDD2)만 스캔 배선(SL)과 중첩한다.
구동 박막 트랜지스터(DT)는 스캔 배선(SL)과 센싱 제어 배선(EL) 사이에 배치되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 소스 전극(DS), 구동 게이트 전극(DG), 구동 드레인 전극(DD) 및 구동 반도체 층(DA)을 포함한다. 구동 소스 전극(DS)은, 제1 공통 전류 배선(VDD1)에서 제1 화소 영역쪽으로 분기된 형상을 갖는다. 구동 소스 전극(DS)에 인접하여, 구동 게이트 전극(DG)가 배치되어 있다. 구동 게이트 전극(DG)은 스위칭 드레인 전극(SD)에 연결되어 있다. 구동 게이트 전극(DG)을 사이에 두고 구동 소스 전극(DS)과 대향하는 구동 드레인 전극(DD)이 배치되어 있다. 구동 드레인 전극(DD)은 가로 방향으로 확장되어 보조 용량(Cst)의 제2 전극을 형성한다. 구동 반도체 층(DA)에서 스위칭 게이트 전극(SG)과 중첩하는 영역이 채널 영역이 된다.
수평 센싱 배선(REFh)에서 센싱 제어 배선(EL)을 가로지르는 형상으로 센싱 박막 트랜지스터(ET)가 배치되어 있다. 센싱 박막 트랜지스터(ET)는 센싱 소스 전극(ES), 센싱 게이트 전극(EG), 센싱 드레인 전극(ED) 및 센싱 반도체 층(EA)을 포함한다. 센싱 제어 배선(EL)의 아래에는 수평 센싱 배선(REFh)에서 분기한 센싱 소스 전극(ES)이 배치되어 있다. 센싱 제어 배선(EL)을 사이에 두고 센싱 소스 전극(ES)과 대향하여 센싱 드레인 전극(ED)이 배치되어 있다. 센싱 소스 전극(ES)을 일측단으로 센싱 드레인 전극(ED)을 타측단으로 하여 센싱 반도체 층(EA)이 센싱 제어 배선(EL)을 가로질러 배치되어 있다. 센싱 반도체 층(EA)에서 센싱 제어 배선(EL)과 중첩하는 영역이 채널 영역이 된다. 센싱 드레인 전극(ED)은 구동 드레인 전극(DD)과 연결되어 있다.
보조 용량(Cst)은 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 제1 전극은, 스위칭 드레인 전극(SD)의 일부가 확장되어 형성된다. 제2 전극은 구동 드레인 전극(DD) 혹은 애노드 전극(ANO)의 일부로 형성된다. 여기서는, 구동 드레인 전극(DD)을 확장하여 제1 전극과 중첩한 제2 전극으로 형성한 경우를 도시하였다.
유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)은, 화소 콘택홀(PH)을 통해, 구동 드레인 전극(DG)과 연결되어 있다. 애노드 전극(ANO) 중에서 발광 영역에 배치된 영역 중에서 최대한의 영역을 노출하도록 뱅크(BA)의 개구부가 형성되어 있다. 뱅크(BA)에 의해 애노드 전극(ANO)의 일부가 노출된다. 뱅크(BA)와 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층과 캐소드 전극을 적층함으로써 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다. 유기발광 다이오드(OLE)는 화소 영역에서 최대 면적을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
제1 화소 영역과 제2 화소 영역은 구동 전류 배선과 센싱 배선(REF) 사이에 배치되어 있다. 제1 화소 영역과 제2 화소 영역은 공통 전류 배선을 기준으로 좌우 대칭(혹은 미러 대칭) 방식으로 배치된다. 또한, 센싱 배선(REF)를 기준으로 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역과 좌우 대칭 방식으로 제3 화소 영역 및 제4 화소 영역이 배치된다. 이와 같은 구조에서는 제1 화소 영역에 적색 화소(R)가, 제2 화소 영역에 백색 화소(W)가, 제3 화소 영역에 녹색 화소(G)가 그리고 제4 화소 영역에 청색 화소(B)가 배치될 수 있다.
도 7에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 뱅크(BA)의 개방 영역은 박막 트랜지스터들(ST, DT, ET)과 중첩하지 않은 구조를 도시한다. 이 경우는, 주로 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타낸다. 상부 발광형으로 구성하고자 하는 경우에는, 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 보조 용량(Cst)과 중첩하는 애노드 전극(ANO)의 영역도 뱅크(BA)의 개구 영역에 포함할 수 있다. 더 나아가, 애노드 전극(ANO)을 수평 전류 배선(VDDh) 이전까지 확장하고, 뱅크(BA)의 개구 영역에 스위칭 박막 트랜지스터(ST)까지도 포함할 수 있다.
제2 실시 예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 제1 실시 예와 비교했을 때, 스캔 배선(SL)을 가로지르는 배선 혹은 전극에 의한 중첩 영역(OV)의 갯수가 절반으로 줄어든 구조를 갖는다. 따라서, 스캔 배선(SL)과 중첩하는 배선 또는 전극 사이에 발생하는 기생 용량도 절반으로 줄어든다. 그 결과, 스캔 배선(SL)에 부하가 줄어들어 스캔 신호를 지연 없이 전체 면적에 걸쳐 고르게 전달할 수 있다. 특히, 대면적 유기발광 다이오드 표시장치의 경우, 스캔 배선(SL)의 신호가 지연없이 전달되어 우수한 품질의 화면 정보를 제공할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 VDDh: 수평 전류 배선
REF: 센싱 배선 VDDc: 공통 전류 배선
EL: 센싱 제어 배선 REFh: 수평 센싱 배선
ST: 스위칭 박막 트랜지스터 ET: 센싱 박막 트랜지스터
DT: 구동 박막 트랜지스터 OLE: 유기발광 다이오드
SG, DG, EG: 게이트 전극 SS, DS, ES: 소스 전극
SD, DD, ES: 드레인 전극 SUB: 기판
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BA: 뱅크 PAS: 보호막
OL: 유기발광 층 OC: 오버코트 층

Claims (10)

  1. 기판 위에 세로 방향으로 진행하는 구동 전류 배선 및 센싱 배선;
    상기 기판 위에 가로 방향으로 진행하는 스캔 배선 및 센싱 제어 배선;
    상기 스캔 배선 상측에서 상기 가로 방향으로 진행하며, 상기 구동 전류 배선과 연결된 수평 전류 배선;
    상기 센싱 제어 배선 하측에서 상기 가로 방향으로 진행하며, 상기 센싱 배선과 연결된 수평 센싱 배선;
    상기 수평 전류 배선에서 분기하여 상기 스캔 배선을 가로 질러 배치된 공통 전류 배선; 그리고
    상기 공통 전류 배선을 기준으로, 상기 구동 전류 배선 및 상기 센싱 배선 사이에서, 좌우 대칭 배치된 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역을 포함하는 평판 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔 배선에 중첩하여 배치된 스위칭 박막 트랜지스터;
    상기 스캔 배선과 상기 센싱 제어 배선 사이에 배치되며, 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결된 구동 박막 트랜지스터; 그리고
    상기 센싱 제어 배선에 중첩하여 배치된 센싱 박막 트랜지스터를 더 포함하는 평판 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터는,
    상기 데이터 배선에서 분기하는 스위칭 소스 전극;
    상기 스캔 배선을 기준으로 상기 스위칭 소스 전극과 대향하는 스위칭 드레인 전극; 그리고
    상기 스위칭 소스 전극에 일측단부가 연결되고, 상기 스위칭 드레인 전극에 타측 단부가 연결되며, 상기 스캔 배선을 가로질러 배치된 스위칭 반도체 층을 포함하는 평판 표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동 박막 트랜지스터는,
    상기 공통 전류 배선에서 분기하는 구동 소스 전극;
    상기 스위칭 드레인 전극과 연결되는 구동 게이트 전극;
    상기 구동 게이트 전극을 기준으로 상기 구동 소스 전극과 대향하는 구동 드레인 전극; 그리고
    상기 구동 소스 전극에 일측단부가 연결되고, 상기 구동 드레인 전극에 타측 단부가 연결되며, 상기 구동 게이트 전극을 가로질러 배치된 구동 반도체 층을 포함하는 평판 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 센싱 박막 트랜지스터는,
    상기 수평 센싱 배선에서 분기하는 센싱 소스 전극;
    상기 센싱 제어 배선을 기준으로 상기 센싱 소스 전극과 대향하며, 상기 구동 드레인 전극과 연결된 센싱 드레인 전극; 그리고
    상기 센싱 소스 전극에 일측단부가 연결되고, 상기 센싱 드레인 전극에 타측 단부가 연결되며, 상기 센싱 제어 배선을 가로질러 배치된 센싱 반도체 층을 포함하는 평판 표시장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되며 상기 제1 화소 영역 내에 배치된 애노드 전극;
    상기 애노드 전극에서 발광 영역을 정의하는 뱅크;
    상기 발광 영역 위에 적층된 유기발광 층; 그리고
    상기 유기발광 층 위에 적층된 캐소드 전극을 더 포함하는 평판 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱 배선을 기준으로 상기 제1 화소 영역 및 제2 화소 영역과 좌우 대칭 방식으로 배열된 제3 화소 영역 및 제4 화소 영역을 더 포함하는 평판 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 화소 영역에는 적색 화소가 배치되고;
    상기 제2 화소 영역에는 백색 화소가 배치되며;
    상기 제3 화소 영역에는 녹색 화소가 배치되고;
    상기 제4 화소 영역에는 청색 화소가 배치된 평판 표시장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 공통 전류 배선은,
    상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역에 공통으로 구동 전류를 공급하는 제1 공통 전류 배선; 그리고
    상기 제3 화소 영역 및 상기 제4 화소 영역에 공통으로 구동 전류를 공급하는 제2 공통 전류 배선을 포함하는 평판 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 화소 영역 내지 상기 제4 화소 영역 전체에서,
    상기 제1 공통 전류 배선 및 상기 제2 공통 전류 배선만 상기 스캔 배선과 중첩하는 평판 표시장치.
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