KR20230103656A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널, 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선을 통한 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 제1 서브 화소는 9k-8 번째 열, 9k-5 번째 열 및 9k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소는 9k-7 번째 열, 9k-4 번째 열 및 9k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소는 9k-6 번째 열, 9k-3 번째 열 및 9k 번째 열에 배치되고, 복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고, 복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고, 제1 기준 전압 배선은 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고, 제2 기준 전압 배선은 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고, 제3 기준 전압 배선은 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되어, 서브 화소의 센싱 속도를 향상시킬 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 소자를 센싱할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 스스로 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등과 별도의 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 등이 있다.
이러한 다양한 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 패널과 표시 패널을 구동하는 구동부를 포함한다. 구동부는 표시 패널에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부 및 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 유기 발광 표시 장치의 서브 화소에 게이트 신호 및 데이터 전압이 등의 신호가 공급되면, 선택된 서브 화소가 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다.
서브 화소의 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. 이러한 회로 소자 간의 특성치 변화 정도의 차이는 서브 화소 간의 휘도 편차를 야기할 수 있다. 즉, 서브 화소 간 휘도 편차는, 서브 화소의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 서브 화소의 특성치를 센싱하는 센싱 트랜지스터를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 센싱 속도를 향상시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 의도하지 않은 라인 패턴을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 되어, 복수의 서브 화소의 센싱 타임을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널, 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선을 통한 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 제1 서브 화소는 9k-8 번째 열, 9k-5 번째 열 및 9k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소는 9k-7 번째 열, 9k-4 번째 열 및 9k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소는 9k-6 번째 열, 9k-3 번째 열 및 9k 번째 열에 배치되고, 복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고, 복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고, 제1 기준 전압 배선은 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고, 제2 기준 전압 배선은 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고, 제3 기준 전압 배선은 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되어, 서브 화소의 센싱 속도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 하나의 행을 기준으로, 16k-15 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-12 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제1 화소를 구성하고, 16k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제2 화소를 구성하고, 16k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제3 화소를 구성하고, 16k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제4 화소를 구성하고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소 각각에서, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소는 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제1 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제2 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제3 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제4 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에서 하나의 스캔 타임 동안 다른 색상의 서브 화소를 센싱하여, 보다 정확하게 데이터 전압을 보상할 수 있다.
본 발명에서 하나의 스캔 다음 동안 복수의 서브 화소를 센싱하여, 보다 신속하게 모든 서브 화소를 센싱할 수 있다.
본 발명에서, 프레임 별로 게이트 전압 인가 순서를 달리하여, 화상이 균일하게 표시될 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소에 대한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 짝수번째 프레임에서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 홀수번째 프레임에서의 구동 순서를 설명하기 위한 도면이다.
도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 짝수번째 프레임에서의 구동 순서를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 데이터 전압의 충전율을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고, 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
본 발명의 표시 장치에서 사용되는 트랜지스터는 n 채널 트랜지스터(NMOS)와 p 채널 트랜지스터(PMOS) 중 하나 이상의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 트랜지스터는 산화물 반도체를 액티브층으로 갖는 산화물 반도체 트랜지스터 또는 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 액티브층으로 갖는 LTPS 트랜지스터로 구현될 수 있다. 트랜지스터는 적어도 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 트랜지스터는 표시 패널 상에서 TFT(Thin　Film Transistor)로 구현될 수 있다. 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 흐른다. n 채널 트랜지스터(NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 채널 트랜지스터(NMOS)에서 전류의 방향은 드레인 전극으로부터 소스 전극으로 흐르고, 소스 전극이 출력 단자일 수 있다. p 채널 트랜지스터(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 채널 트랜지스터(PMOS)에서 정공이 소스 전극으로부터 드레인 전극 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르고, 드레인 전극이 출력 단자일 수 있다. 따라서, 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있기 때문에 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 본 명세서에서는 트랜지스터가 n 채널 트랜지스터(NMOS)인 것을 가정하여 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니고, p 채널 트랜지스터가 사용될 수 있으며, 이에 따라 회로 구성이 변경될 수도 있다.
스위치 소자들로 이용되는 트랜지스터의 게이트 신호는 게이트 온 전압(Gate On Voltage)과 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage) 사이에서 스윙한다. 게이트 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 보다 높은 전압으로 설정되며, 게이트 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 보다 낮은 전압으로 설정된다. 트랜지스터는 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 게이트 오프 전압에 응답하여 턴-오프된다. NMOS의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(Gate High Voltage, VGH)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage, VGL)일 수 있다. PMOS의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 하이 전압(VGH)일 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략도이다. 도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 게이트 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 타이밍 컨트롤러(140)를 포함한다.
표시 패널(110)은 영상을 표시하기 위한 패널이다. 표시 패널(110)은 기판 상에 배치된 다양한 회로, 배선 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 상호 교차하는 복수의 데이터 배선(DL) 및 복수의 게이트 배선(GL)에 의해 구분되며, 복수의 데이터 배선(DL) 및 복수의 게이트 배선(GL)에 연결된 복수의 화소(PX)을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 복수의 화소(PX)에 의해 정의되는 표시 영역과 각종 신호 배선들이나 패드 등이 형성되는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 전기 영동 표시 장치 등과 같은 다양한 표시 장치에서 사용되는 표시 패널(110)로 구현될 수 있다. 이하에서는 표시 패널(110)이 유기 발광 표시 장치에서 사용되는 패널인 것으로 설명하나 이에 제한되는 것은 아니다.
타이밍 컨트롤러(140)는 호스트 시스템에 연결된 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 등의 수신 회로를 통해 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 데이터 인에이블 신호, 도트 클럭 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 컨트롤러(140)는 입력된 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동부(130)와 게이트 구동부(120)를 제어하기 위한 타이밍 제어 신호들을 발생시킨다.
데이터 구동부(130)는 복수의 서브 화소(SP)에 데이터 전압(DATA)을 공급한다. 데이터 구동부(130)는 복수의 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 복수의 소스 드라이브 IC는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 디지털 비디오 데이터들과 소스 타이밍 제어 신호를 공급받을 수 있다. 복수의 소스 드라이브 IC는 소스 타이밍 제어 신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들을 감마 전압으로 변환하여 데이터 전압(DATA)을 생성하고, 데이터 전압(DATA)을 표시 패널(110)의 데이터 배선(DL)을 통해 공급할 수 있다. 복수의 소스 드라이브 IC는 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 표시 패널(110)의 데이터 배선(DL)에 접속될 수 있다. 또한, 소스 드라이브 IC들은 표시 패널(110) 상에 형성되거나, 별도의 PCB 기판에 형성되어 표시 패널(110)과 연결되는 형태일 수도 있다.
게이트 구동부(120)는 복수의 서브 화소(SP)에 게이트 신호를 공급한다. 게이트 구동부(120)는 레벨 시프터 및 시프트 레지스터를 포함할 수 있다. 레벨 시프터는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 TTL(Transistor-Transistor-Logic) 레벨로 입력되는 클럭 신호의 레벨을 시프팅한 후 시프트 레지스터에 공급할 수 있다. 시프트 레지스터는 GIP 방식에 의해 표시 패널(110)의 비표시 영역에 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 시프트 레지스터는 클럭 신호 및 구동 신호에 대응하여 게이트 신호를 시프트하여 출력하는 복수의 스테이지로 구성될 수 있다. 시프트 레지스터에 포함된 복수의 스테이지는 복수의 출력단을 통해 게이트 신호를 순차적으로 출력할 수 있다.
표시 패널(110)은 복수의 서브 화소(SP)을 포함할 수 있다. 복수의 서브 화소(SP)은 서로 다른 색을 발광하기 위한 서브 화소(SP)일 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)은 각각 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 일 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 복수의 서브 화소(SP)은 각각 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 및 백색 서브 화소일 수 있다. 이러한 복수의 서브 화소(SP)은 화소(PX)을 구성할 수 있다. 즉, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소 및 백색 서브 화소는 하나의 화소(PX)을 구성할 수 있고, 표시 패널(110)은 복수의 화소(PX)을 포함할 수 있다.
이하에서는 하나의 서브 화소(SP)을 구동하기 위한 구동 회로에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2를 함께 참조한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소에 대한 회로도이다. 도 2에서는 표시 장치(100)의 복수의 서브 화소(SP) 중 하나의 서브 화소(SP)에 대한 회로도를 도시하였다.
도 2를 참조하면, 서브 화소(SP)은 스위칭 트랜지스터(SWT), 센싱 트랜지스터(SET), 구동 트랜지스터(DT), 스토리지 커패시터(SC) 및 발광 소자(150)를 포함할 수 있다.
발광 소자(150)는 애노드, 유기층 및 캐소드를 포함할 수 있다. 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등과 같은 다양한 유기층을 포함할 수 있다. 발광 소자(150)의 애노드는 구동 트랜지스터(DT)의 출력 단자와 연결될 수 있고, 캐소드에는 저전위 전압(VSS)이 인가될 수 있다. 도 2에서는 발광 소자(150)가 유기 발광 소자(150)인 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고, 발광 소자(150)로 무기 발광 다이오드, 즉, LED 또한 사용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 스위칭 트랜지스터(SWT)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압(DATA)을 전달하기 위한 트랜지스터이다. 스위칭 트랜지스터(SWT)는 데이터 배선(DL)과 연결된 드레인 전극, 게이트 배선(GL)과 연결된 게이트 전극 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 연결된 소스 전극을 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)은 게이트 배선(GL)로부터 인가된 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온되어 데이터 배선(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(DATA)을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극 에 해당하는 제1 노드(N1)로 전달할 수 있다.
도 2를 참조하면, 구동 트랜지스터(DT)는 발광 소자(150)에 구동 전류를 공급하여 발광 소자(150)를 구동하기 위한 트랜지스터이다. 구동 트랜지스터(DT)는 제1 노드(N1)에 해당하는 게이트 전극, 제2 노드(N2)에 해당하고 출력 단자에 해당하는 소스 전극 및 제3 노드(N3)에 해당하고 입력 단자에 해당하는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 스위칭 트랜지스터(SWT)와 연결되고, 드레인 전극은 고전위 전압 배선(VDDL)을 통해 고전위 전압(VDD)을 인가받고, 소스 전극은 발광 소자(150)의 애노드와 연결될 수 있다.
도 2를 참조하면, 스토리지 커패시터(SC)는 데이터 전압(DATA)에 대응되는 전압을 하나의 프레임 동안 유지하기 위한 커패시터이다. 스토리지 커패시터(SC)의 일 전극은 제1 노드(N1)에 연결되고, 다른 일 전극은 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다.
한편, 표시 장치(100)의 경우, 각 서브 화소(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 구동 트랜지스터(DT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치가 변할 수 있다. 여기서, 회로 소자의 고유 특성치는, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth), 구동 트랜지스터(DT)의 이동도(α) 등을 포함할 수 있다. 이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브 화소(SP)의 휘도 변화를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브 화소(SP)의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다.
또한, 각 서브 화소(SP)의 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. 이러한 회로 소자 간의 특성치 변화 정도의 차이는 서브 화소(SP) 간의 휘도 편차를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브 화소(SP) 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. 회로 소자의 특성치 변화, 즉, 서브 화소(SP)의 휘도 변화와 회로 소자 간 특성치 편차, 즉, 서브 화소(SP) 간 휘도 편차는, 서브 화소(SP)의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 서브 화소(SP)에서는 서브 화소(SP)에 대한 특성치를 센싱하는 센싱 기능과 센싱 결과를 이용하여 서브 화소(SP) 특성치를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다.
이에, 도 2에 도시된 바와 같이, 서브 화소(SP)은 스위칭 트랜지스터(SWT), 구동 트랜지스터(DT), 스토리지 커패시터(SC) 및 발광 소자(150) 이외에 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극의 전압 상태를 효과적으로 제어하기 위한 센싱 트랜지스터(SET)를 더 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 센싱 트랜지스터(SET)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극과 기준 전압(Vref)을 공급하는 기준 전압 배선(RVL) 사이에 연결되고, 게이트 전극은 게이트 배선(GL)과 연결된다. 이에, 센싱 트랜지스터(SET)는 게이트 배선(GL)을 통해 인가되는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온되어 기준 전압 배선(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 인가할 수 있다. 또한, 센싱 트랜지스터(SET)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 서브 화소(SP)의 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 하나의 게이트 배선(GL)을 공유할 수 있다. 즉, 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 동일한 게이트 배선(GL)에 인가되어 동일한 게이트 신호를 인가받을 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 스캔 신호(SCAN)으로 지칭하고, 센싱 트랜지스터(SET)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 센싱 신호(SENSE)로 지칭하나, 하나의 서브 화소(SP)에 인가되는 스캔 신호(SCAN)와 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 배선(GL)에서 전달되는 동일한 신호이다. 이에, 도 3에서는 스캔 신호(SCAN)와 센싱 신호(SENSE)를 게이트 신호(GATE1, GATE2, GATE3)로 정의하여 설명한다.
다만, 이에 한정되지 않고, 스위칭 트랜지스터(SWT)만이 게이트 배선(GL)에 연결되고, 센싱 트랜지스터(SET)는 별도의 센싱 배선에 연결될 수 있다. 이에, 게이트 배선(GL)을 통해서 스위칭 트랜지스터(SWT)에 스캔 신호(SCAN)이 인가될 수 있고, 센싱 배선을 통해서 센싱 트랜지스터(SET)에 센싱 신호(SENSE)가 인가될 수 있다.
이에, 센싱 트랜지스터(SET)를 통해서, 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극으로 인가된다. 그리고, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth) 또는 구동 트랜지스터(DT)의 이동도(α)를 센싱하기 위한 전압을 기준 전압 배선(RVL)을 통해 검출한다. 그리고, 검출된 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth) 또는 구동 트랜지스터(DT)의 이동도(α)의 변화량에 따라 데이터 구동부(130)는 데이터 전압(DATA)을 보상할 수 있다.
이하에서는, 복수의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위해 도 3을 함께 참조한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3에서는 설명의 편의를 위해, 하나의 행에 배치된 3개의 화소(PX)에 대해서만 도시하였고, 표시 영역에는 도 3에 도시된 3개의 화소(PX)의 배치 관계가 반복된다. 그리고, 서브 화소(SP1, SP2, SP3)와 게이트 배선 사이에 배치되는 트랜지스터는 도 2에서 설명한 센싱 트랜지스터(SET)를 의미한다.
도 3을 참조하면, 하나의 화소(PX)는 3개의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)을 포함한다. 예를 들어, 화소(PX)는 도 3에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 서브 화소(SP1)는 적색 서브 화소고, 제2 서브 화소(SP2)는 녹색 서브 화소고, 제3 서브 화소(SP3)는 청색 서브 화소일 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 복수의 서브 화소는 다양한 색상(Magenta, Yellow, Cyan)으로 변경될 수 있다.
그리고, 복수의 동일 색상의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)는 동일한 열에 배치될 수 있다. 즉, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소(SP2)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 동일한 열에 배치된다.
보다 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 9k-8 번째 열, 9k-5 번째 열 및 9k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소(SP2)는 9k-7 번째 열, 9k-4 번째 열 및 9k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 9k-6 번째 열, 9k-3 번째 열 및 9k 번째 열에 배치된다. 단, k는 1이상의 자연수를 의미한다.
즉, 하나의 행을 기준으로 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)가 순차적으로 반복된다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 행을 기준으로 9k-8 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 9k-7 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2) 및 9k-6 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3)는 제1 화소(PX1)를 구성한다. 그리고, 9k-5 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 9k-4 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2) 및 9k-3 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3)는 제2 화소(PX2)를 구성한다. 그리고, 9k-2 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 9k-1 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2) 및 9k 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3)는 제3 화소(PX3)를 구성한다.
그리고, 복수의 데이터 배선(DL1, DL2, DL3) 각각은 복수의 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)으로 분기될 수 있다. 구체적으로, 제1 데이터 배선(DL1)은 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)으로 분기될 수 있고, 제2 데이터 배선(DL2)은 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3)으로 분기될 수 있고, 제3 데이터 배선(DL3)은 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)으로 분기될 수 있다. 그리고 상술한, 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)은 제1-1 서브 데이터 배선(SDL1-1), 제1-2 서브 데이터 배선(SDL1-2) 및 제1-3 서브 데이터 배선(SDL1-3)을 포함할 수 있고, 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2)은 제2-1 서브 데이터 배선(SDL2-1), 제2-2 서브 데이터 배선(SDL2-2) 및 제2-3 서브 데이터 배선(SDL2-3)을 포함할 수 있고, 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)은 제3-1 서브 데이터 배선(SDL3-1), 제3-2 서브 데이터 배선(SDL3-2) 및 제3-3 서브 데이터 배선(SDL3-3)을 포함할 수 있다.
그리고, 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)은 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 인접되게 배치되어, 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 연결될 수 있다.
구체적으로, 제1-1 서브 데이터 배선(SDL1-1)은 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)의 일측에 배치되어, 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 전기적으로 연결된다. 그리고, 복수의 제1-2 서브 데이터 배선(SDL1-2)은 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 전기적으로 연결된다. 그리고, 복수의 제1-3 서브 데이터 배선(SDL1-3)은 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 전기적으로 연결된다.
그리고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3)은 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 인접되게 배치되어, 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 연결될 수 있다. 그리고, 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)은 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 인접되게 배치되어, 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3) 및 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)의 배치 구조는 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)의 배치 구조와 같이 반복될 수 있다.
그리고, 제1 데이터 배선(DL1)에는 적색의 데이터 전압인 제1 데이터 전압(DATA1)이 인가될 수 있고, 제2 데이터 배선(DL2)에는 녹색의 데이터 전압인 제2 데이터 전압(DATA2)이 인가될 수 있고, 제3 데이터 배선(DL3)에는 청색의 데이터 전압인 제3 데이터 전압(DATA3)이 인가될 수 있다.
이에, 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)에도 적색의 데이터 전압인 제1 데이터 전압(DATA1)이 인가될 수 있고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3)에도 적색의 데이터 전압인 제2 데이터 전압(DATA2)이 인가될 수 있고, 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)에도 청색의 데이터 전압인 제3 데이터 전압(DATA3)이 인가될 수 있다.
복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3) 각각은 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 양 측에 배치될 수 있다.
구체적으로 도 3을 참조하면, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 일 측에는 제1 게이트 배선(GL1)이 배치되고, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 타측에는 제2 게이트 배선(GL2) 및 제3 게이트 배선(GL3)이 배치될 수 있다. 이를 일반화하면, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 일 측에는 3m-2번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)이 배치되고, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 타측에는 3m-1번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2) 및 3m번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)이 배치될 수 있다. 단 m은 1이상의 자연수를 의미한다.
한편, 하나의 화소(PX1, PX2, PX3) 각각에서 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)는 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL3)에 연결될 수 있다.
그리고, 하나의 행에서, 복수의 화소(PX1, PX2, PX3)의 제1 서브 화소(SP1)들은 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL3)에 연결되고, 복수의 화소(PX1, PX2, PX3)의 제2 서브 화소(SP2)들은 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL3)에 연결되고, 복수의 화소(PX1, PX2, PX3)의 제3 서브 화소(SP3)들은 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL3)에 연결된다.
예를 들어 도 3을 참조하면, 3m-2번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)은 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)에 연결되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)에 연결되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)에 연결된다.
그리고, 3m-1번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2)은 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)에 연결되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)에 연결되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)에 연결된다.
그리고, 3m번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)은 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)에 연결되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)에 연결되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)에 연결된다.
그리고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각은 하나의 화소(PX1, PX2, PX3) 내부에 배치될 수 있다.
즉, 제1 기준 전압 배선(RVL1)은 제1 화소(PX1) 내부에 배치되고, 제2 기준 전압 배선(RVL2)은 제2 화소(PX2) 내부에 배치되고, 제3 기준 전압 배선(RVL3)은 상기 제3 화소(PX3) 내부에 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 기준 전압 배선(RVL1)은 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2) 및 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 연결될 수 있다.
그리고, 제2 기준 전압 배선(RVL2)은 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2) 및 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 연결될 수 있다.
그리고, 제3 기준 전압 배선(RVL3)은 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2) 및 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 연결될 수 있다.
이하에서는 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 방법에 대해서 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4에서는 도 3에 도시된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각에 대한 센싱 순서를 도시하였다.
도 4에서는, 3m-2번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제1 스캔 구간(1st SCAN)과 3m-1번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제2 스캔 구간(2nd SCAN)과 3m번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제3 스캔 구간(3rd SCAN) 각각에서 하나의 행에 배치되는 복수의 서브 화소의 상태를 도시하였다. 그리고, 제1 스캔 구간(1st SCAN), 제2 스캔 구간(2nd SCAN) 및 제3 스캔 구간(3rd SCAN) 은 순차적으로 연결되는 시 구간을 의미한다.
그리고, 점선으로 표시되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3)을 의미하고, 검정 패턴의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되지 않는 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 의미한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 게이트 전압(GATE1)이 게이트 하이 전압이므로, 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제2 게이트 전압(GATE2)이 게이트 하이 전압이므로, 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어지는 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서, 제3 게이트 전압(GATE3)이 게이트 하이 전압이므로, 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
전술한 바와 같이, 복수의 스캔 구간 중 하나의 스캔 구간에서는 서로 다른 색상의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)가 센싱될 수 있다.
종래의 표시 장치의 경우에는, 하나의 스캔 구간에서는 9k-8 번째 열 내지 9k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소 중 하나의 서브 화소만 센싱을 진행하여, 9k-8 번째 열 내지 9k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소를 모두 센싱하기 위해서 9개의 스캔 구간이 필요하였다.
이에 반하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 경우에는 하나의 스캔 구간에서는 9k-8 번째 열 내지 9k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 중 3개의 서브 화소에 대한 센싱을 진행하여, 9k-8 번째 열 내지 9k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 모두 센싱하기 위해서 3개의 스캔 구간만이 필요하다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 보다 신속하게 복수의 서브 화소에 대한 센싱을 진행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5에서는 설명의 편의를 위해, 하나의 행에 배치된 4개의 화소(PX)에 대해서만 도시하였고, 표시 영역에는 도 5에 도시된 4개의 화소(PX)의 배치 관계가 반복된다. 그리고, 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)와 게이트 배선 사이에 배치되는 트랜지스터는 도 2에서 설명한 센싱 트랜지스터(SET)를 의미한다.
도 5을 참조하면, 하나의 화소(PX)는 4개의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 포함한다. 예를 들어, 화소(PX)는 도 5에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 서브 화소(SP1)는 적색 서브 화소고, 제2 서브 화소(SP2)는 백색 서브 화소고, 제3 서브 화소(SP3)는 청색 서브 화소고, 제4 서브 화소(SP4)는 녹색 서브 화소일 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 복수의 서브 화소는 다양한 색상(Magenta, Yellow, Cyan)으로 변경될 수 있다.
그리고, 복수의 동일 색상의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 동일한 열에 배치될 수 있다. 즉, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소(SP2)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 동일한 열에 배치된다.
보다 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 16k-15 번째 열, 16k-11 번째 열, 16k-7 번째 열 및 16k-3 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소(SP2)는 16k-14 번째 열, 16k-10 번째 열, 16k-6 번째 열 및 16k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 16k-13 번째 열, 16k-9 번째 열, 16k-5 번째 열 및 16k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 16k-14 번째 열, 16k-10 번째 열, 16k-4 번째 열 및 16k 번째 열에 배치된다. 단, k는 1이상의 자연수를 의미한다.
즉, 하나의 행을 기준으로 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)가 순차적으로 반복된다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 행을 기준으로 16k-15 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 16k-14 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2), 16k-13 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-12 번째 열에 배치된 제4 서브 화소(SP4)는 제1 화소(PX1)를 구성한다. 그리고, 16k-11 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 16k-10 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2), 16k-9 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-8 번째 열에 배치된 제4 서브 화소(SP4)는 제2 화소(PX2)를 구성한다. 그리고, 16k-7 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 16k-6 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2), 16k-5 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-4 번째 열에 배치된 제4 서브 화소(SP4)는 제3 화소(PX3)를 구성한다. 그리고, 16k-3 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 16k-2 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2), 16k-1 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3) 및 16k 번째 열에 배치된 제4 서브 화소(SP4)는 제4 화소(PX4)를 구성한다.
그리고, 복수의 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4) 각각은 복수의 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL1-4, SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL2-4, SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3, SDL3-4, SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3, SDL4-4)으로 분기될 수 있다. 구체적으로, 제1 데이터 배선(DL1)은 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL1-4)으로 분기될 수 있고, 제2 데이터 배선(DL2)은 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL2-4)으로 분기될 수 있고, 제3 데이터 배선(DL3)은 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3, SDL3-4)으로 분기될 수 있고, 제4 데이터 배선(DL4)은 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3, SDL4-4)으로 분기될 수 있다.
그리고 상술한, 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL1-4)는 제1-1 서브 데이터 배선(SDL1-1), 제1-2 서브 데이터 배선(SDL1-2), 제1-3 서브 데이터 배선(SDL1-3), 제1-4 서브 데이터 배선(SDL1-4)을 포함할 수 있고, 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL2-4)는 제2-1 서브 데이터 배선(SDL2-1), 제2-2 서브 데이터 배선(SDL2-2), 제2-3 서브 데이터 배선(SDL2-3) 및 제2-4 서브 데이터 배선(SDL2-4)을 포함할 수 있고, 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3, SDL3-4)는 제3-1 서브 데이터 배선(SDL3-1), 제3-2 서브 데이터 배선(SDL3-2), 제3-3 서브 데이터 배선(SDL3-3) 및 제3-4 서브 데이터 배선(SDL3-4)을 포함할 수 있고, 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3, SDL4-4)는 제4-1 서브 데이터 배선(SDL4-1), 제4-2 서브 데이터 배선(SDL4-2), 제4-3 서브 데이터 배선(SDL4-3) 및 제4-4 서브 데이터 배선(SDL4-4)을 포함할 수 있다.
그리고, 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL1-4)는 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 인접되게 배치되어, 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL2-4)는 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 인접되게 배치되어, 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3, SDL3-4)는 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 인접되게 배치되어, 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3, SDL4-4)는 복수의 제4 서브 화소(SP4)에 인접되게 배치되어, 복수의 제4 서브 화소(SP4)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL2-4) 및 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3, SDL3-4) 및 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3, SDL4-4)의 배치 구조는 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL1-4)의 배치 구조와 같이 반복될 수 있다.
그리고, 제1 데이터 배선(DL1)에는 적색의 데이터 전압인 제1 데이터 전압(DATA1)이 인가될 수 있고, 제2 데이터 배선(DL2)에는 백색의 데이터 전압인 제2 데이터 전압(DATA2)이 인가될 수 있고, 제3 데이터 배선(DL3)에는 청색의 데이터 전압인 제3 데이터 전압(DATA3)이 인가될 수 있고, 제4 데이터 배선(DL4)에는 녹색의 데이터 전압인 제4 데이터 전압(DATA4)이 인가될 수 있다.
이에, 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL1-4)에도 적색의 데이터 전압인 제1 데이터 전압(DATA1)이 인가될 수 있고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL2-4)에도 백색의 데이터 전압인 제2 데이터 전압(DATA2)이 인가될 수 있고, 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3, SDL3-4)에도 청색의 데이터 전압인 제3 데이터 전압(DATA3)이 인가될 수 있고, 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3, SDL4-4)에도 녹색의 데이터 전압인 제4 데이터 전압(DATA4)이 인가될 수 있다.
복수의 게이트 배선(GATE1 내지 GATE4) 각각은 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 양 측에 배치될 수 있다.
구체적으로 도 5를 참조하면, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 일 측에는 제1 게이트 배선(GL1) 및 제2 게이트 배선(GL2)이 배치되고, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 타측에는 제3 게이트 배선(GL3) 및 제4 게이트 배선(GL4)이 배치될 수 있다. 이를 일반화하면, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 일 측에는 4m-3번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1) 및 4m-2번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2)이 배치되고, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 타측에는 4m-1번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3) 및 4m번째 게이트 배선인 제4 게이트 배선(GL4)이 배치될 수 있다. 단 m은 1이상의 자연수를 의미한다.
한편, 하나의 화소(PX1, PX2, PX3, PX4) 각각에서 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)는 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL4)에 연결될 수 있다.
그리고, 하나의 행에서, 복수의 화소(PX1, PX2, PX3, PX4)의 제1 서브 화소(SP1)들은 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL4)에 연결되고, 복수의 화소(PX1, PX2, PX3, PX4)의 제2 서브 화소(SP2)들은 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL4)에 연결되고, 복수의 화소(PX1, PX2, PX3, PX4)의 제3 서브 화소(SP3)들은 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL4)에 연결되고, 복수의 화소(PX1, PX2, PX3, PX4)의 제4 서브 화소(SP4)들은 서로 다른 게이트 배선(GL1 내지 GL4)에 연결된다.
예를 들어 도 5를 참조하면, 4m-3번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)은 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)에 연결되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)에 연결되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)에 연결되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1), 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)에 연결된다.
그리고, 4m-2번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2)은 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)에 연결되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)에 연결되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)에 연결되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2), 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4) 및 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)에 연결된다.
그리고, 4m-1번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)은 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)에 연결되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)에 연결되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)에 연결되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3), 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)에 연결된다.
그리고, 4m번째 게이트 배선인 제4 게이트 배선(GL4)은 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 나머지 하나의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)에 연결되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)에 연결되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4) 및 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)에 연결되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4), 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)에 연결된다.
그리고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3, RVL4) 각각은 하나의 화소(PX1, PX2, PX3, PX4) 내부에 배치될 수 있다.
즉, 제1 기준 전압 배선(RVL1)은 제1 화소(PX1) 내부에 배치되고, 제2 기준 전압 배선(RVL2)은 제2 화소(PX2) 내부에 배치되고, 제3 기준 전압 배선(RVL3)은 상기 제3 화소(PX3) 내부에 배치되고, 제4 기준 전압 배선(RVL4)은 상기 제4 화소(PX4) 내부에 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 기준 전압 배선(RVL1)은 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 16k-15 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-12 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 연결될 수 있다.
그리고, 제2 기준 전압 배선(RVL2)은 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 16k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 연결될 수 있다.
그리고, 제3 기준 전압 배선(RVL3)은 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 16k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 연결될 수 있다.
그리고, 제4 기준 전압 배선(RVL4)은 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 16k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 제4 기준 전압 배선(RVL4)에 연결될 수 있다.
이하에서는 도 6을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 방법에 대해서 설명한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6에서는, 4m-3번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제1 스캔 구간(1st SCAN)과 4m-2번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제2 스캔 구간(2nd SCAN)과 4m-1번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제3 스캔 구간(3rd SCAN)과 4m번째 게이트 배선인 제4 게이트 배선(GL4)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제4 스캔 구간(4th SCAN) 각각에서 하나의 행에 배치되는 복수의 서브 화소의 상태를 도시하였다.
그리고, 점선으로 표시되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 의미하고, 검정 패턴의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되지 않는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 의미한다.
도 5 및 도 6를 참조하면, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 게이트 전압(GATE1)이 게이트 하이 전압이므로, 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3, RVL4) 각각에 의해 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1), 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제1 게이트 배선(GL1)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)가 제4 기준 전압 배선(RVL4)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제2 게이트 전압(GATE2)이 게이트 하이 전압이므로, 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3, RVL4) 각각에 의해 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2), 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4) 및 제2 게이트 배선(GL2)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)가 제4 기준 전압 배선(RVL4)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서, 제3 게이트 전압(GATE3)이 게이트 하이 전압이므로, 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3, RVL4) 각각에 의해 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)와 다른 색상의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3), 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 게이트 배선(GL3)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)가 제4 기준 전압 배선(RVL4)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제4 스캔 구간(4th SCAN)에서, 제4 게이트 전압(GATE4)이 게이트 하이 전압이므로, 제4 게이트 배선(GL4)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3, RVL4) 각각에 의해 제4 게이트 배선(GL4)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제4 스캔 구간(4th SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 서브 화소 중 나머지 하나의 서브 화소인 제4 서브 화소(SP4)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 서브 화소 중 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4)와 다른 색상의 서브 화소인 제1 서브 화소(SP1)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 서브 화소 중 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4) 및 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1)와 다른 색상의 서브 화소인 제3 서브 화소(SP3)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행되고, 제4 화소(PX4)의 서브 화소 중 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4), 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제4 게이트 배선(GL4)에 연결된 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3)와 다른 색상의 서브 화소인 제2 서브 화소(SP2)가 제4 기준 전압 배선(RVL4)에 의해 센싱이 진행된다.
전술한 바와 같이, 복수의 스캔 구간 중 하나의 스캔 구간에서는 서로 다른 색상의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)가 센싱될 수 있다.
종래의 표시 장치의 경우에는, 하나의 스캔 구간에서는 16k-15 번째 열 내지 16k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소 중 하나의 서브 화소만 센싱을 진행하여, 16k-15 번째 열 내지 16k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소를 모두 센싱하기 위해서 16개의 스캔 구간이 필요하였다.
이에 반하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 경우에는 하나의 스캔 구간에서는 16k-15 번째 열 내지 16k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 4개의 서브 화소에 대한 센싱을 진행하여, 16k-15 번째 열 내지 16k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)를 모두 센싱하기 위해서 4개의 스캔 구간만이 필요하다. 이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 보다 신속하게 복수의 서브 화소에 대한 센싱을 진행할 수 있다.
이하에서는 도 7a, 7b 및 도 8를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법에 대해서 설명한다.
도 7a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 홀수번째 프레임에서의 구동 순서를 설명하기 위한 도면이다.
도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 짝수번째 프레임에서의 구동 순서를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 데이터 전압의 충전율을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 및 도 7b 에서는 설명의 편의를 위해 수직 방향으로 배치되는 데이터 배선, 기준 전압 배선 및 고전위 전압 배선을 도시하지 않았으나, 데이터 배선, 기준 전압 배선 및 고전위 전압 배선의 배치 관계는 도 5에 설명된 바와 동일하다.
그리고, 도 7a 및 도 7b 에서 도시된 바와 같이, 16k-15 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-12 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 발광하고, 16k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 발광하지 않고, 16k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 발광하고, 16k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 16k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 발광하지 않는 수직 스트라이프 패턴을 표시하는 경우에 대해서 설명한다.
그리고, 이하에서는 복수의 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율에 대해서 구체적으로 설명하나, 복수의 제2 서브 화소(SP2)의 데이터 충전율, 복수의 제3 서브 화소(SP3)의 데이터 충전율 및 복수의 제4 서브 화소(SP4)의 데이터 충전율에 대한 내용도 복수의 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율과 동일한 원리로 설명될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 수직 스트라이프 패턴을 표시하는 경우에, 제1 수평 기간(①) 및 제2 수평 기간(②) 동안 제1 데이터 전압(DATA1)의 충전율은 상승할 수 있고, 제3 수평 기간(③) 및 제4 수평 기간(④) 동안 제1 데이터 전압(DATA1)의 충전율은 하강할 수 있다. 상술한 제1 데이터 전압(DATA1)의 충전율 파형은 반복될 수 있다.
홀수번째 프레임에서 복수의 게이트 배선(GL1, GL2, GL3, GL4)의 턴온 순서는 짝수번째 프레임에서 복수의 게이트 배선(GL1, GL2, GL3, GL4)의 턴온 순서와 상이할 수 있다.
구체적으로, 도 7a를 참조하면, 홀수번째 프레임에서 제1 게이트 배선(GL1), 제2 게이트 배선(GL2), 제3 게이트 배선(GL3) 및 제4 게이트 배선(GL4)이 차례로 턴온되고, 도 7b를 참조하면, 짝수번째 프레임에서 제2 게이트 배선(GL2), 제1 게이트 배선(GL1), 제4 게이트 배선(GL4) 및 제3 게이트 배선(GL3)이 차례로 턴온된다.
다만, 홀수번째 프레임에서 복수의 게이트 배선(GL1, GL2, GL3, GL4)의 턴온 순서와 짝수번째 프레임에서 복수의 게이트 배선(GL1, GL2, GL3, GL4)의 턴온 순서는 바뀔 수 있다.
예를 들어, 도 7a를 참조하면, 홀수번째 프레임동안, 제1 수평 기간(①)에서 제1 게이트 배선(GL1)에 제1 게이트 전압(GATE1)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-15번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 충전된다.
그리고, 홀수번째 프레임동안, 제2 수평 기간(②)에서 제2 게이트 배선(GL2)에 제2 게이트 전압(GATE2)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-7번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 충전된다.
그리고, 홀수번째 프레임동안, 제3 수평 기간(③)에서 제3 게이트 배선(GL3)에 제3 게이트 전압(GATE3)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-3번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 방전된다.
그리고, 홀수번째 프레임동안, 제4 수평 기간(④)에서 제4 게이트 배선(GL4)에 제4 게이트 전압(GATE4)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-11번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 방전된다.
그리고, 도 7b를 참조하면, 짝수번째 프레임동안, 제1 수평 기간(①)에서 제2 게이트 배선(GL2)에 제2 게이트 전압(GATE2)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-7번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 충전된다.
그리고, 짝수번째 프레임동안, 제2 수평 기간(②)에서 제1 게이트 배선(GL1)에 제1 게이트 전압(GATE1)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-15번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 충전된다.
그리고, 짝수번째 프레임동안, 제3 수평 기간(③)에서 제4 게이트 배선(GL4)에 제4 게이트 전압(GATE4)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-11번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 방전된다.
그리고, 짝수번째 프레임동안, 제4 수평 기간(④)에서 제3 게이트 배선(GL3)에 제3 게이트 전압(GATE3)이 턴온 레벨로 인가되어, 16k-3번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)에 데이터 전압이 방전된다.
상술한 바와 같이 수직 스트라이프 패턴을 구현하는 경우에, 도 8을 추가적으로 참조하여, 복수의 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율 설명하면 다음과 같다.
홀수번째 프레임동안, 데이터 전압의 충전이 시작되는 제1 수평 기간(①)에서, 16k-15번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율은 70%(약충전)일 수 있다.
그리고, 홀수번째 프레임동안, 데이터 전압의 충전이 완료되는 제2 수평 기간(②)에서, 16k-7번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 충전율은 100%(강충전)일 수 있다.
그리고, 홀수번째 프레임동안, 데이터 전압이 방전되는 제3 수평 기간(③) 및 제4 수평 기간(④)에서, 16k-3번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1) 및 16k-11번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 충전율은 0%일 수 있다.
짝수번째 프레임동안, 데이터 전압의 충전이 시작되는 제1 수평 기간(①)에서, 16k-7번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율은 70%(약충전)일 수 있다.
그리고, 짝수번째 프레임동안, 데이터 전압의 충전이 완료되는 제2 수평 기간(②)에서, 16k-15번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 충전율은 100%(강충전)일 수 있다.
그리고, 짝수번째 프레임동안, 데이터 전압이 방전되는 제3 수평 기간(③) 및 제4 수평 기간(④)에서, 16k-11번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1) 및 16k-3번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 충전율은 0%일 수 있다.
이를 정리하면, 16k-15번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율은 홀수번째 프레임 동안 100%(강충전)이고, 짝수번째 프레임 동안 70%(약충전)이다. 이에, 16k-15번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율의 평균은 85%일 수 있다.
그리고, 16k-7번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율은 짝수번째 프레임 동안 100%(강충전)이고, 홀수번째 프레임 동안 70%(약충전)이다. 이에, 16k-7번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1)의 데이터 충전율의 평균 또한 85%일 수 있다.
이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 프레임별로 게이트 턴온 순서를 상이하게 설정함으로써, 수직 스트라이프 패턴에서 발광 하는 서브 화소의 데이터 충전율의 평균 값을 동일하게 설정할 수 있다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 특정 패턴에서도 라인 불량이 발생하지 않고, 정확하게 패턴을 구현할 수 있다. 결과적으로 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 영상 품질은 향상될 수 있다.
이하에서는 도 9 및 도 10을 참조하여, 본 발명의 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 9에서는 설명의 편의를 위해, 하나의 행에 배치된 3개의 화소(PX)에 대해서만 도시하였고, 표시 영역에는 도 9에 도시된 3개의 화소(PX)의 배치 관계가 반복된다. 그리고, 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)와 게이트 배선 사이에 배치되는 트랜지스터는 도 2에서 설명한 센싱 트랜지스터(SET)를 의미한다.
도 9을 참조하면, 하나의 화소(PX)는 4개의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 포함한다. 예를 들어, 화소(PX)는 도 9에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 서브 화소(SP1)는 적색 서브 화소고, 제2 서브 화소(SP2)는 백색 서브 화소고, 제3 서브 화소(SP3)는 청색 서브 화소고, 제4 서브 화소(SP4)는 녹색 서브 화소일 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고, 복수의 서브 화소는 다양한 색상(Magenta, Yellow, Cyan)으로 변경될 수 있다.
그리고, 복수의 동일 색상의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 동일한 열에 배치될 수 있다. 즉, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소(SP2)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 동일한 열에 배치되고, 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 동일한 열에 배치된다.
보다 구체적으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 12k-11 번째 열, 12k-7 번째 열 및 12k-3 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소(SP2)는 12k-10 번째 열, 12k-6 번째 열 및 12k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 12k-9 번째 열, 12k-5 번째 열 및 12k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 12k-10 번째 열, 12k-4 번째 열 및 12k 번째 열에 배치된다. 단, k는 1이상의 자연수를 의미한다.
즉, 하나의 행을 기준으로 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3) 및 제4 서브 화소(SP4)가 순차적으로 반복된다.
그리고, 도 9에 도시된 바와 같이, 12k-11 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 12k-10 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2), 12k-9 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3) 및 12k-8 번째 열에 배치된 제4 서브 화소(SP4)는 제1 화소(PX1)를 구성한다. 그리고, 12k-7 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 12k-6 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2), 12k-5 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3) 및 12k-4 번째 열에 배치된 제4 서브 화소(SP4)는 제2 화소(PX2)를 구성한다. 그리고, 12k-3 번째 열에 배치된 제1 서브 화소(SP1), 12k-2 번째 열에 배치된 제2 서브 화소(SP2), 12k-1 번째 열에 배치된 제3 서브 화소(SP3) 및 12k 번째 열에 배치된 제4 서브 화소(SP4)는 제3 화소(PX3)를 구성한다.
그리고, 복수의 데이터 배선(DL1, DL2, DL3, DL4) 각각은 복수의 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3, SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3, SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3, SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3)으로 분기될 수 있다. 구체적으로, 제1 데이터 배선(DL1)은 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)으로 분기될 수 있고, 제2 데이터 배선(DL2)은 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3)으로 분기될 수 있고, 제3 데이터 배선(DL3)은 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)으로 분기될 수 있고, 제4 데이터 배선(DL4)은 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3)으로 분기될 수 있다.
그리고 상술한, 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)는 제1-1 서브 데이터 배선(SDL1-1), 제1-2 서브 데이터 배선(SDL1-2), 제1-3 서브 데이터 배선(SDL1-3)을 포함할 수 있고, 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3)는 제2-1 서브 데이터 배선(SDL2-1), 제2-2 서브 데이터 배선(SDL2-2), 제2-3 서브 데이터 배선(SDL2-3)을 포함할 수 있고, 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3는 제3-1 서브 데이터 배선(SDL3-1), 제3-2 서브 데이터 배선(SDL3-2), 제3-3 서브 데이터 배선(SDL3-3)을 포함할 수 있고, 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3)는 제4-1 서브 데이터 배선(SDL4-1), 제4-2 서브 데이터 배선(SDL4-2), 제4-3 서브 데이터 배선(SDL4-3)을 포함할 수 있다.
그리고, 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)는 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 인접되게 배치되어, 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 연결될 수 있다.
구체적으로, 복수의 제1-1 서브 데이터 배선(SDL1-1)은 12k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)의 일측에 배치되어, 12k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 전기적으로 연결된다. 그리고, 복수의 제1-2 서브 데이터 배선(SDL1-2)은 12k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 12k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4) 사이에 배치되어, 12k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 전기적으로 연결된다. 그리고, 복수의 제1-3 서브 데이터 배선(SDL1-3)은 12k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)와 12k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4) 사이에 배치되어, 12k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1)에 전기적으로 연결된다.
그리고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3)는 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 인접되게 배치되어, 복수의 제2 서브 화소(SP2)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)는 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 인접되게 배치되어, 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3)는 복수의 제4 서브 화소(SP4)에 인접되게 배치되어, 복수의 제4 서브 화소(SP4)에 연결될 수 있다.
그리고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3) 및 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3) 및 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3)의 배치 구조는 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)의 배치 구조와 같이 반복될 수 있다.
그리고, 제1 데이터 배선(DL1)에는 적색의 데이터 전압인 제1 데이터 전압(DATA1)이 인가될 수 있고, 제2 데이터 배선(DL2)에는 백색의 데이터 전압인 제2 데이터 전압(DATA2)이 인가될 수 있고, 제3 데이터 배선(DL3)에는 청색의 데이터 전압인 제3 데이터 전압(DATA3)이 인가될 수 있고, 제4 데이터 배선(DL4)에는 녹색의 데이터 전압인 제4 데이터 전압(DATA4)이 인가될 수 있다.
이에, 복수의 제1 서브 데이터 배선(SDL1-1, SDL1-2, SDL1-3)에도 적색의 데이터 전압인 제1 데이터 전압(DATA1)이 인가될 수 있고, 복수의 제2 서브 데이터 배선(SDL2-1, SDL2-2, SDL2-3)에도 백색의 데이터 전압인 제2 데이터 전압(DATA2)이 인가될 수 있고, 복수의 제3 서브 데이터 배선(SDL3-1, SDL3-2, SDL3-3)에도 청색의 데이터 전압인 제3 데이터 전압(DATA3)이 인가될 수 있고, 복수의 제4 서브 데이터 배선(SDL4-1, SDL4-2, SDL4-3)에도 녹색의 데이터 전압인 제4 데이터 전압(DATA4)이 인가될 수 있다.
복수의 게이트 배선(GATE1 내지 GATE3) 각각은 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 양 측에 배치될 수 있다.
구체적으로 도 9를 참조하면, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 일 측에는 제1 게이트 배선(GL1)이 배치되고, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 타측에는 제2 게이트 배선(GL2) 및 제3 게이트 배선(GL3)이 배치될 수 있다. 이를 일반화하면, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 일 측에는 3m-2번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)이 배치되고, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 타측에는 3m-1번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2) 및 3m번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)이 배치될 수 있다. 단 m은 1이상의 자연수를 의미한다.
그리고, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3) 중 어느 하나는 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1), 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2), 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)에 연결된다. 그리고, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3) 중 다른 하나는 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3), 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4), 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)에 연결된다. 그리고, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3) 중 나머지 하나는 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3), 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4), 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)에 연결된다.
예를 들어, 3m-2번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)은 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1), 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2), 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)에 연결될 수 있다.
그리고, 3m-1번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2)은 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1), 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2), 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)에 연결될 수 있다.
그리고, 3m번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)은 제1 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3), 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4), 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1) 및 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)에 연결될 수 있다.
다만, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3)과 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 상술한 예에 한정되지 않고, 다양하게 변형될 수 있다.
그리고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각은 하나의 화소(PX1, PX2, PX3) 내부에 배치될 수 있다.
즉, 제1 기준 전압 배선(RVL1)은 제1 화소(PX1) 내부에 배치되고, 제2 기준 전압 배선(RVL2)은 제2 화소(PX2) 내부에 배치되고, 제3 기준 전압 배선(RVL3)은 상기 제3 화소(PX3) 내부에 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 기준 전압 배선(RVL1)은 12k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 12k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 12k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 12k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 12k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 12k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 연결될 수 있다.
그리고, 제2 기준 전압 배선(RVL2)은 12k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 12k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 12k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 12k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 12k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 12k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 연결될 수 있다.
그리고, 제3 기준 전압 배선(RVL3)은 12k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 12k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치되어, 12k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소(SP1), 12k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2), 12k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소(SP3) 및 12k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소(SP4)는 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 연결될 수 있다.
이하에서는 도 10을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 센싱 방법에 대해서 설명한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10에서는, 제1 게이트 배선(GL1)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제1 스캔 구간(1st SCAN) 및 제4 스캔 구간(4th SCAN)과 제2 게이트 배선(GL2)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제2 스캔 구간(2nd SCAN) 및 제5 스캔 구간(5th SCAN)과 제3 게이트 배선(GL3)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제3 스캔 구간(3rd SCAN)및 제6 스캔 구간(6th SCAN) 각각에서 하나의 행에 배치되는 복수의 서브 화소의 상태를 도시하였다.
그리고, 점선으로 표시되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 의미하고, 검정 패턴의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되지 않는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 의미한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 게이트 전압(GATE1)이 게이트 하이 전압이므로, 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제2 게이트 전압(GATE2)이 게이트 하이 전압이므로, 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서, 제3 게이트 전압(GATE3)이 게이트 하이 전압이므로, 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서, 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 제1 서브 화소(SP1)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제4 스캔 구간(4th SCAN)에서, 제1 게이트 전압(GATE1)이 게이트 하이 전압이므로, 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제4 스캔 구간(4th SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제5 스캔 구간(5th SCAN)에서, 제2 게이트 전압(GATE2)이 게이트 하이 전압이므로, 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제5 스캔 구간(5th SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제6 스캔 구간(6th SCAN)에서, 제3 게이트 전압(GATE3)이 게이트 하이 전압이므로, 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제6 스캔 구간(6th SCAN)에서, 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 제2 서브 화소(SP2)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
전술한 바와 같이, 복수의 스캔 구간 중 하나의 스캔 구간에서는 서로 다른 색상의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)가 센싱될 수 있다.
종래의 표시 장치의 경우에는, 하나의 스캔 구간에서는 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소 중 하나의 서브 화소만 센싱을 진행하여, 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소를 모두 센싱하기 위해서 12개의 스캔 구간이 필요하였다.
이에 반하여, 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 경우에는 하나의 스캔 구간에서는 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 2개의 서브 화소에 대한 센싱을 진행하여, 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)를 모두 센싱하기 위해서 6개의 스캔 구간만이 필요하다. 이에, 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치는 보다 신속하게 복수의 서브 화소에 대한 센싱을 진행할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다. 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치는 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치와 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3)과 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)의 연결 관계에 대해서만 차이점이 존재하므로, 이를 중점으로 설명한다. 그리고, 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치와 본 발명의 또 다른 실시예(제3 실시예)에 따른 표시 장치의 중복되는 부분에 한해서는 중복 설명을 생략한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 서브 화소의 배치 관계를 설명하기 위한 블록도이다.
도 11을 참조하면, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3) 중 어느 하나는 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1), 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2), 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)에 연결된다.
그리고, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3) 중 다른 하나는 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4), 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1), 제3 화소(PX3)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3)에 연결된다.
그리고, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3) 중 나머지 하나는 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2), 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3), 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4) 및 제3 화소(PX3)의 제1 서브 화소(SP1)에 연결된다.
예를 들어, 3m-2번째 게이트 배선인 제1 게이트 배선(GL1)은 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1), 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2), 제2 화소(PX2)의 제3 서브 화소(SP3) 및 제3 화소(PX3)의 제4 서브 화소(SP4)에 연결될 수 있다.
그리고, 3m-1번째 게이트 배선인 제2 게이트 배선(GL2)은 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4), 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1), 제3 화소(PX3)의 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3)에 연결될 수 있다.
그리고, 3m번째 게이트 배선인 제3 게이트 배선(GL3)은 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2), 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3), 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4) 및 제3 화소(PX3)의 제1 서브 화소(SP1)에 연결될 수 있다.
다만, 복수의 게이트 배선(GL1 내지 GL3)과 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 상술한 예에 한정되지 않고, 다양하게 변형될 수 있다.
이하에서는 도 12를 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 센싱 방법에 대해서 설명한다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 센싱 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12에서는, 제1 게이트 배선(GL1)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제1 스캔 구간(1st SCAN) 및 제2 스캔 구간(2nd SCAN)과 제2 게이트 배선(GL2)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제3 스캔 구간(3rd SCAN) 및 제4 스캔 구간(4th SCAN)과 제3 게이트 배선(GL3)에 게이트 하이 전압이 인가되는 제5 스캔 구간(5th SCAN)및 제6 스캔 구간(6th SCAN) 각각에서 하나의 행에 배치되는 복수의 서브 화소의 상태를 도시하였다.
그리고, 점선으로 표시되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 의미하고, 검정 패턴의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 해당 스캔 구간에서 센싱이 진행되지 않는 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)을 의미한다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 게이트 전압(GATE1)이 게이트 하이 전압이므로, 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제1 스캔 구간(1st SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제1 서브 화소(SP1)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제1 게이트 전압(GATE1)이 게이트 하이 전압이므로, 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제1 게이트 배선(GL1)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제2 스캔 구간(2nd SCAN)에서, 제2 화소(PX2)의 제2 서브 화소(SP2)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서, 제2 게이트 전압(GATE2)이 게이트 하이 전압이므로, 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제3 스캔 구간(3rd SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제4 서브 화소(SP4)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 제1 서브 화소(SP1)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 제2 서브 화소(SP2)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제4 스캔 구간(4th SCAN)에서, 제2 게이트 전압(GATE2)이 게이트 하이 전압이므로, 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제2 게이트 배선(GL2)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제4 스캔 구간(4th SCAN)에서, 제3 화소(PX3)의 제3 서브 화소(SP3)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제5 스캔 구간(5th SCAN)에서, 제3 게이트 전압(GATE3)이 게이트 하이 전압이므로, 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제5 스캔 구간(5th SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제2 서브 화소(SP2)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행되고, 제2 화소(PX2)의 제4 서브 화소(SP4)가 제2 기준 전압 배선(RVL2)에 의해 센싱이 진행되고, 제3 화소(PX3)의 제1 서브 화소(SP1)가 제3 기준 전압 배선(RVL3)에 의해 센싱이 진행된다.
이어 지는, 제6 스캔 구간(6th SCAN)에서, 제3 게이트 전압(GATE3)이 게이트 하이 전압이므로, 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에서 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 센싱 트랜지스터(SET)는 턴온되고, 복수의 기준 전압 배선(RVL1, RVL2, RVL3) 각각에 의해 제3 게이트 배선(GL3)에 연결되는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 일부의 센싱이 진행된다.
예를 들어, 제6 스캔 구간(6th SCAN)에서, 제1 화소(PX1)의 제3 서브 화소(SP3)가 제1 기준 전압 배선(RVL1)에 의해 센싱이 진행된다.
전술한 바와 같이, 복수의 스캔 구간 중 하나의 스캔 구간에서는 서로 다른 색상의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)가 센싱될 수 있다.
종래의 표시 장치의 경우에는, 하나의 스캔 구간에서는 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소 중 하나의 서브 화소만 센싱을 진행하여, 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소를 모두 센싱하기 위해서 12개의 스캔 구간이 필요하였다.
이에 반하여, 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치의 경우에는 하나의 스캔 구간에서는 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 3개 또는 1개의 서브 화소에 대한 센싱을 진행하여, 12k-11 번째 열 내지 12k 번째 열에 배치된 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3, SP4)를 모두 센싱하기 위해서 6개의 스캔 구간만이 필요하다. 이에, 본 발명의 또 다른 실시예(제4 실시예)에 따른 표시 장치는 보다 신속하게 복수의 서브 화소에 대한 센싱을 진행할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널, 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선을 통한 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 제1 서브 화소는 9k-8 번째 열, 9k-5 번째 열 및 9k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소는 9k-7 번째 열, 9k-4 번째 열 및 9k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소는 9k-6 번째 열, 9k-3 번째 열 및 9k 번째 열에 배치되고, 복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고, 복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고, 제1 기준 전압 배선은 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고, 제2 기준 전압 배선은 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고, 제3 기준 전압 배선은 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되어, 서브 화소의 센싱 속도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 하나의 행을 기준으로 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나 및 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나는 제1 화소를 구성하고, 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나 및 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나는 제2 화소를 구성하고, 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나 및 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나는 제3 화소를 구성하고, 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소 각각에서, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소는 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소에 포함된 복수의 제1 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소에 포함된 복수의 제2 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소에 포함된 복수의 제3 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 3m-2번째 게이트 배선은 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소에 연결되고, 제2 화소의 서브 화소 중 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제3 화소의 서브 화소 중 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 3m-1번째 게이트 배선은 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소에 연결되고, 제2 화소의 서브 화소 중 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제3 화소의 서브 화소 중 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 3m번째 게이트 배선은 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소에 연결되고, 제2 화소의 서브 화소 중 3m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제3 화소의 서브 화소 중 3m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 3m번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스캔 구간에서, 3m-2번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고, 제2 스캔 구간에서, 3m-1번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고, 제3 스캔 구간에서, 3m번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스캔 구간에서, 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소가 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제2 화소의 서브 화소 중 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제3 화소의 서브 화소 중 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 스캔 구간에서, 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소가 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제2 화소의 서브 화소 중 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제3 화소의 서브 화소 중 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 의해 센싱될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제3 스캔 구간에서, 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소가 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제2 화소의 서브 화소 중 3m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제3 화소의 서브 화소 중 3m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 3m번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 의해 센싱될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 기준 전압 배선은 제1 화소 내부에 배치되고, 제2 기준 전압 배선은 제2 화소 내부에 배치되고, 제3 기준 전압 배선은 제3 화소 내부에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 각각은, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 센싱 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고, 센싱 트랜지스터는 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도를 센싱하기 위한 전압을 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선에 출력할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 따르면, 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널, 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선, 제3 기준 전압 배선 및 제4 기준 전압 배선을 통한 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 제1 서브 화소는 16k-15 번째 열, 16k-11 번째 열, 16k-7 번째 열 및 16k-3 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소는 16k-14 번째 열, 16k-10 번째 열, 16k-6 번째 열 및 16k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소는 16k-13 번째 열, 16k-9 번째 열, 16k-5 번째 열 및 16k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제4 서브 화소는 16k-12 번째 열, 16k-8 번째 열, 16k-4 번째 열 및 16k 번째 열에 배치되고, 복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고, 복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고, 제1 기준 전압 배선은 16k-15 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k-12 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고, 제2 기준 전압 배선은 16k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고, 제3 기준 전압 배선은 16k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고, 제4 기준 전압 배선은 16k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 하나의 행을 기준으로, 16k-15 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-12 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제1 화소를 구성하고, 16k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제2 화소를 구성하고, 16k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제3 화소를 구성하고, 16k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제4 화소를 구성하고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소 각각에서, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소는 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제1 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제2 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제3 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고, 제1 화소, 제2 화소, 제3 화소 및 제4 화소에 포함된 복수의 제4 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 4m-3번째 게이트 배선은 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소에 연결되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 4m-2번째 게이트 배선은, 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소에 연결되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 4m-1번째 게이트 배선은 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소에 연결되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 4m번째 게이트 배선은 제1 화소의 서브 화소 중 나머지 하나의 서브 화소에 연결되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스캔 구간에서, 4m-3번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고, 제2 스캔 구간에서, 4m-2번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고, 제3 스캔 구간에서, 4m-1번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고, 제4 스캔 구간에서, 4m번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스캔 구간에서, 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소가 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 스캔 구간에서, 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소가 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제3 스캔 구간에서, 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소가 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제4 스캔 구간에서, 제1 화소의 서브 화소 중 나머지 하나의 서브 화소가 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제2 화소의 서브 화소 중 4m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제3 화소의 서브 화소 중 4m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소 및 4m번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고, 제4 화소의 서브 화소 중 4m번째 게이트 배선에 연결된 제1 화소의 서브 화소, 4m번째 게이트 배선에 연결된 제2 화소의 서브 화소 및 4m번째 게이트 배선에 연결된 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 기준 전압 배선은 제1 화소 내부에 배치되고, 제2 기준 전압 배선은 제2 화소 내부에 배치되고, 제3 기준 전압 배선은 제3 화소 내부에 배치되고, 제4 기준 전압 배선은 제4 화소 내부에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소 각각은, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 센싱 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고, 센싱 트랜지스터는 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도를 센싱하기 위한 전압을 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선, 제3 기준 전압 배선 및 제4 기준 전압 배선에 출력할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널, 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선을 통한 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부 및 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고, 복수의 제1 서브 화소는 12k-11 번째 열, 12k-7 번째 열 및 12k-3 번째 열에 배치되고, 복수의 제2 서브 화소는 12k-10 번째 열, 12k-6 번째 열 및 12k-2 번째 열에 배치되고, 복수의 제3 서브 화소는 12k-9 번째 열, 12k-5 번째 열 및 12k-1 번째 열에 배치되고, 복수의 제4 서브 화소는 12k-8 번째 열, 12k-4 번째 열 및 12k 번째 열에 배치되고, 복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고, 복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고, 제1 기준 전압 배선은 12k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 12k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 12k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 12k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고, 제2 기준 전압 배선은 12k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 12k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 12k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 12k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고, 제3 기준 전압 배선은 12k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 12k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 12k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 12k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 하나의 행을 기준으로, 12k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 12k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 12k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 12k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제1 화소를 구성하고, 12k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 12k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 12k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 12k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제2 화소를 구성하고, 12k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 12k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 12k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 12k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제3 화소를 구성할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선 중 어느 하나는 제1 화소의 제1 서브 화소, 제1 화소의 제2 서브 화소, 제3 화소의 제3 서브 화소 및 제3 화소의 제4 서브 화소에 연결되고, 복수의 게이트 배선 중 다른 하나는 제1 화소의 제3 서브 화소, 제1 화소의 제4 서브 화소, 제2 화소의 제1 서브 화소 및 제2 화소의 제2 서브 화소에 연결되고, 복수의 게이트 배선 중 나머지 하나는 제2 화소의 제3 서브 화소, 제2 화소의 제4 서브 화소, 제2 화소의 제1 서브 화소 및 제2 화소의 제2 서브 화소에 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선 중 어느 하나는 제1 화소의 제1 서브 화소, 제2 화소의 제2 서브 화소, 제2 화소의 제3 서브 화소 및 제3 화소의 제4 서브 화소에 연결되고, 복수의 게이트 배선 중 다른 하나는 제1 화소의 제4 서브 화소, 제2 화소의 제1 서브 화소, 제3 화소의 제2 서브 화소 및 제3 화소의 제3 서브 화소에 연결되고, 복수의 게이트 배선 중 나머지 하나는 제1 화소의 제2 서브 화소, 제1 화소의 제3 서브 화소, 제2 화소의 제4 서브 화소 및 제3 화소의 제1 서브 화소에 연결 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 기준 전압 배선은 제1 화소 내부에 배치되고, 제2 기준 전압 배선은 제2 화소 내부에 배치되고, 제3 기준 전압 배선은 제3 화소 내부에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소 각각은, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 센싱 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고, 센싱 트랜지스터는 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도를 센싱하기 위한 전압을 제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선에 출력할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 장치
110: 표시 패널
120: 게이트 구동부
130: 데이터 구동부
140: 타이밍 컨트롤러
150: 발광 소자
PX: 화소
SP: 서브 화소
R: 제1 서브 화소
W: 제2 서브 화소
B: 제3 서브 화소
G: 제4 서브 화소
DL: 데이터 배선
GL: 게이트 배선
RVL: 기준 전압 배선
SWT: 스위칭 트랜지스터
DT: 구동 트랜지스터
SET: 센싱 트랜지스터
SC: 스토리지 커패시터
N1: 제1 노드
N2: 제2 노드
N3: 제3 노드
DATA: 데이터 전압
GATE: 게이트 전압
SDL: 서브 데이터 배선

Claims (30)

  1. 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널;
    제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선을 통한 상기 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 상기 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고,
    복수의 제1 서브 화소는 9k-8 번째 열, 9k-5 번째 열 및 9k-2 번째 열에 배치되고,
    복수의 제2 서브 화소는 9k-7 번째 열, 9k-4 번째 열 및 9k-1 번째 열에 배치되고,
    복수의 제3 서브 화소는 9k-6 번째 열, 9k-3 번째 열 및 9k 번째 열에 배치되고,
    복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고,
    복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제1 기준 전압 배선은 9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 기준 전압 배선은 9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 기준 전압 배선은 9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 및 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소에 연결되는, (단, k는 1 이상의 자연수) 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    하나의 행을 기준으로,
    9k-8 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 9k-7 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나 및 9k-6 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나는 제1 화소를 구성하고,
    9k-5 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 9k-4 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나 및 9k-3 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나는 제2 화소를 구성하고,
    9k-2 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 9k-1 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나 및 9k 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나는 제3 화소를 구성하고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소 각각에서, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소는 서로 다른 게이트 배선에 연결되고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소에 포함된 복수의 제1 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소에 포함된 복수의 제2 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소에 포함된 복수의 제3 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    3m-2번째 게이트 배선은,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되는, (단, m는 1 이상의 자연수) 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    3m-1번째 게이트 배선은,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되는, 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    3m번째 게이트 배선은,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 3m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 3m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 3m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    제1 스캔 구간에서, 상기 3m-2번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고,
    제2 스캔 구간에서, 상기 3m-1번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고,
    제3 스캔 구간에서, 상기 3m번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되는, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 스캔 구간에서,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소가 상기 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 3m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되는, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 스캔 구간에서,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소가 상기 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 3m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 의해 센싱되는, 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 스캔 구간에서,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소가 상기 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 3m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 3m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 3m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 의해 센싱되는, 표시 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기준 전압 배선은 상기 제1 화소 내부에 배치되고,
    상기 제2 기준 전압 배선은 상기 제2 화소 내부에 배치되고,
    상기 제3 기준 전압 배선은 상기 제3 화소 내부에 배치되는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 각각은,
    스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 센싱 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고,
    상기 센싱 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도를 센싱하기 위한 전압을 상기 제1 기준 전압 배선, 상기 제2 기준 전압 배선 및 상기 제3 기준 전압 배선에 출력하는, 표시 장치.
  12. 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널;
    제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선, 제3 기준 전압 배선 및 제4 기준 전압 배선을 통한 상기 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 상기 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고,
    복수의 제1 서브 화소는 16k-15 번째 열, 16k-11 번째 열, 16k-7 번째 열 및 16k-3 번째 열에 배치되고,
    복수의 제2 서브 화소는 16k-14 번째 열, 16k-10 번째 열, 16k-6 번째 열 및 16k-2 번째 열에 배치되고,
    복수의 제3 서브 화소는 16k-13 번째 열, 16k-9 번째 열, 16k-5 번째 열 및 16k-1 번째 열에 배치되고,
    복수의 제4 서브 화소는 16k-12 번째 열, 16k-8 번째 열, 16k-4 번째 열 및 16k 번째 열에 배치되고,
    복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고,
    상기 복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제1 기준 전압 배선은 16k-15 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k-12 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 기준 전압 배선은 16k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 기준 전압 배선은 16k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고,
    상기 제4 기준 전압 배선은 16k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 16k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되는, (단, k는 1 이상의 자연수) 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    하나의 행을 기준으로,
    16k-15 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-14 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-13 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-12 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제1 화소를 구성하고,
    16k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제2 화소를 구성하고,
    16k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제3 화소를 구성하고,
    16k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 16k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 16k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 16k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제4 화소를 구성하고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소 각각에서, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소는 서로 다른 게이트 배선에 연결되고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소에 포함된 복수의 제1 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소에 포함된 복수의 제2 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소에 포함된 복수의 제3 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되고,
    상기 제1 화소, 상기 제2 화소, 상기 제3 화소 및 상기 제4 화소에 포함된 복수의 제4 서브 화소들은 서로 다른 게이트 배선에 연결되는, 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    4m-3번째 게이트 배선은,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되는, (단, m는 1 이상의 자연수) 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    4m-2번째 게이트 배선은,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되는, 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    4m-1번째 게이트 배선은,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되는, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    4m번째 게이트 배선은,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 나머지 하나의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소에 연결되는, 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    제1 스캔 구간에서, 상기 4m-3번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고,
    제2 스캔 구간에서, 상기 4m-2번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고,
    제3 스캔 구간에서, 상기 4m-1번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되고,
    제4 스캔 구간에서, 상기 4m번째 게이트 배선에는 게이트 하이 전압이 인가되는, 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 스캔 구간에서,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 어느 하나의 서브 화소가 상기 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m-3번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱되는, 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 스캔 구간에서,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 다른 하나의 서브 화소가 상기 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m-2번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱되는, 표시 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제3 스캔 구간에서,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 또 다른 하나의 서브 화소가 상기 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m-1번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱되는, 표시 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제4 스캔 구간에서,
    상기 제1 화소의 서브 화소 중 나머지 하나의 서브 화소가 상기 제1 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제2 화소의 서브 화소 중 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제2 기준 전압 배선에 의해 센싱되고,
    상기 제3 화소의 서브 화소 중 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소 및 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제3 기준 전압 배선에 의해 센싱되고
    상기 제4 화소의 서브 화소 중 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제1 화소의 서브 화소, 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제2 화소의 서브 화소 및 상기 4m번째 게이트 배선에 연결된 상기 제3 화소의 서브 화소와 다른 색상의 서브 화소가 상기 제4 기준 전압 배선에 의해 센싱되는, 표시 장치.
  23. 제13항에 있어서,
    상기 제1 기준 전압 배선은 상기 제1 화소 내부에 배치되고,
    상기 제2 기준 전압 배선은 상기 제2 화소 내부에 배치되고,
    상기 제3 기준 전압 배선은 상기 제3 화소 내부에 배치되고,
    상기 제4 기준 전압 배선은 상기 제4 화소 내부에 배치되는, 표시 장치.
  24. 제12항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제4 서브 화소 각각은,
    스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 센싱 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고,
    상기 센싱 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도를 센싱하기 위한 전압을 상기 제1 기준 전압 배선, 상기 제2 기준 전압 배선, 상기 제3 기준 전압 배선 및 상기 제4 기준 전압 배선에 출력하는, 표시 장치.
  25. 서로 다른 색상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소, 제3 서브 화소 및 제4 서브 화소를 구비하는 복수의 화소가 배치되는 표시 패널;
    제1 기준 전압 배선, 제2 기준 전압 배선 및 제3 기준 전압 배선을 통한 상기 복수의 화소의 센싱 결과를 이용하여, 상기 복수의 화소에 복수의 데이터 배선을 통해 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 복수의 화소에 복수의 게이트 배선을 통해 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부를 포함하고,
    복수의 제1 서브 화소는 12k-11 번째 열, 12k-7 번째 열 및 12k-3 번째 열에 배치되고,
    복수의 제2 서브 화소는 12k-10 번째 열, 12k-6 번째 열 및 12k-2 번째 열에 배치되고,
    복수의 제3 서브 화소는 12k-9 번째 열, 12k-5 번째 열 및 12k-1 번째 열에 배치되고,
    복수의 제4 서브 화소는 12k-8 번째 열, 12k-4 번째 열 및 12k 번째 열에 배치되고,
    상기 복수의 데이터 배선 각각은 복수의 서브 데이터 배선으로 분기되고,
    상기 복수의 서브 데이터 배선 각각은 동일 색상의 복수의 서브 화소에 연결되고,
    상기 제1 기준 전압 배선은 12k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 12k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 12k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 12k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고,
    상기 제2 기준 전압 배선은 12k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 12k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 12k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 12k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되고,
    상기 제3 기준 전압 배선은 12k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소, 12k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소, 12k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 및 12k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소에 연결되는, (단, k는 1 이상의 자연수) 표시 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    하나의 행을 기준으로,
    12k-11 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 12k-10 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 12k-9 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 12k-8 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제1 화소를 구성하고,
    12k-7 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 12k-6 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 12k-5 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 12k-4 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제2 화소를 구성하고,
    12k-3 번째 열에 배치된 복수의 제1 서브 화소 중 어느 하나, 12k-2 번째 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소 중 어느 하나, 12k-1 번째 열에 배치된 복수의 제3 서브 화소 중 어느 하나 및 12k 번째 열에 배치된 복수의 제4 서브 화소 중 어느 하나는 제3 화소를 구성하는, 표시 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    복수의 게이트 배선 중 어느 하나는 상기 제1 화소의 제1 서브 화소, 상기 제1 화소의 제2 서브 화소, 상기 제3 화소의 제3 서브 화소 및 상기 제3 화소의 제4 서브 화소에 연결되고,
    복수의 게이트 배선 중 다른 하나는 상기 제1 화소의 제3 서브 화소, 상기 제1 화소의 제4 서브 화소, 상기 제2 화소의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소의 제2 서브 화소에 연결되고,
    복수의 게이트 배선 중 나머지 하나는 상기 제2 화소의 제3 서브 화소, 상기 제2 화소의 제4 서브 화소, 상기 제2 화소의 제1 서브 화소 및 상기 제2 화소의 제2 서브 화소에 연결되는, 표시 장치.
  28. 제26항에 있어서,
    복수의 게이트 배선 중 어느 하나는 상기 제1 화소의 제1 서브 화소, 상기 제2 화소의 제2 서브 화소, 상기 제2 화소의 제3 서브 화소 및 상기 제3 화소의 제4 서브 화소에 연결되고,
    복수의 게이트 배선 중 다른 하나는 상기 제1 화소의 제4 서브 화소, 상기 제2 화소의 제1 서브 화소, 상기 제3 화소의 제2 서브 화소 및 상기 제3 화소의 제3 서브 화소에 연결되고,
    복수의 게이트 배선 중 나머지 하나는 상기 제1 화소의 제2 서브 화소, 상기 제1 화소의 제3 서브 화소, 상기 제2 화소의 제4 서브 화소 및 상기 제3 화소의 제1 서브 화소에 연결되는, 표시 장치.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 제1 기준 전압 배선은 상기 제1 화소 내부에 배치되고,
    상기 제2 기준 전압 배선은 상기 제2 화소 내부에 배치되고,
    상기 제3 기준 전압 배선은 상기 제3 화소 내부에 배치되는, 표시 장치.
  30. 제25항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 상기 제3 서브 화소 및 상기 제4 서브 화소 각각은,
    스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 센싱 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하고,
    상기 센싱 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도를 센싱하기 위한 전압을 상기 제1 기준 전압 배선, 상기 제2 기준 전압 배선 및 상기 제3 기준 전압 배선에 출력하는, 표시 장치.
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