CN108088474A - 振动式转换器 - Google Patents
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- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 title claims abstract description 65
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 14
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/02—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using mechanical means
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/02338—Suspension means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02283—Vibrating means
- H03H2009/02291—Beams
Abstract
一种振动式转换器,其具有:振动梁,其形成于半导体基板;支撑梁,其一端以规定的角度与该振动梁的一部分连接;第一电极,其经由所述支撑梁与所述振动梁连接;第二电极,其与所述振动梁的一侧面的中央相邻而配置;以及导体,其配置于所述支撑梁和所述第二电极之间,与所述第一电极连接。
Description
技术领域
本发明涉及在半导体基板形成的静电驱动型的振动式转换器。
本申请基于在2016年11月21日在日本申请的特愿2016-226251号而主张优先权,在这里援引其内容。
背景技术
作为振动式转换器,在半导体基板例如硅晶片内具有:真空室,其内部保持为真空;微细的振动梁(振动件),其配置于该真空室内;以及振动检测单元,其对该振动梁的振动进行检测(例如,参照日本专利第5158160号公报)。
如上所述的振动式转换器,例如在高压力环境中使用的情况下,对振动梁施加压缩应变,振动梁有可能压曲。如果振动梁压曲,则振动梁不能稳定地振动。由此,难以在高压力下使用。
另一方面,在日本专利第5429696号公报中公开了一种振动式转换器,其向振动梁进行杂质扩散,将振动梁设为高张力。通过将振动梁设为高张力,从而即使在高压力环境中使用的情况下,也能够抑制振动梁的压曲。
另外,在日本特开平01-127929号公报中公开了一种振动型压差传感器,其形成从振动梁的端部向两侧延伸的支撑梁,将整体成型为箭头形状,由此能够排除由于静压而对振动梁施加的压缩应变的影响。
但是,如在日本专利第5429696号公报中记载的振动式转换器这样,在使杂质在振动梁中扩散而提高张力时存在极限,振动梁的针对压曲的耐受性受到限定。另外,需要使杂质在振动梁中扩散这样的繁琐的制造工序,还存在制造成本增加的课题。
在日本特开平01-127929号公报中记载的振动型压差传感器,振动梁的周边区域扩展而形成空间,使用磁性而使振动梁振动。在如上所述的结构中无法通过静电力激励振动梁,无法应用于静电驱动型的振动式转换器。如果使在日本特开平01-127929号公报中记载的振动型压差传感器以静电驱动型进行动作,则在支撑梁和静电驱动的电极间会产生静电引力,存在振动梁在振动时摆动变大的课题。
发明内容
一种振动式转换器,其具有:振动梁,其形成于半导体基板;支撑梁,其一端以规定的角度与该振动梁的一部分连接;第一电极,其经由所述支撑梁与所述振动梁连接;第二电极,其与所述振动梁的一侧面的中央相邻而配置;以及导体,其配置于所述支撑梁和所述第二电极之间,与所述第一电极连接。
本发明的更多的特征及方式,通过参照附图,根据以下所述的实施方式的详细说明而明确可知。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的振动式转换器的振动梁周围的俯视图。
图2是图1所示的实施方式的A-A’线处的沿厚度方向的剖视图。
图3是将图1所示的实施方式的振动梁附近放大的要部放大俯视图。
图4是表示本发明的振动式转换器的电路结构的电路图。
图5是表示本发明的第二实施方式的振动式转换器的振动梁周围的俯视图。
图6是表示本发明的第三实施方式的振动式转换器的振动梁周围的俯视图。
具体实施方式
参照优选的实施方式对本发明的实施方式进行说明。本领域技术人员能够使用本发明的示教而实现本实施方式的很多替代方法,本发明并不限定于在这里说明的优选的本实施方式。
本发明的一个方式提供一种静电驱动型的振动式转换器,其能够防止在振动梁由于压缩应变而振动梁压曲,通过振动梁的稳定的振动而更高精度地对应力进行检测。
下面,参照附图,对本发明的一个实施方式的振动式转换器进行说明。此外,各实施方式为了更好地理解发明的主旨而具体地进行说明,只要没有特别指定,不对本发明进行限定。另外,在下面的说明中使用的附图,为了容易理解本发明的特征,方便起见,有时将要部放大而示出,各结构要素的尺寸比例等并不一定与实际相同。
(第一实施方式)
图1是将本发明的振动式转换器的壳体去除而从上方观察时的俯视图。另外,图2是图1中的A-A’线处的沿厚度方向的剖视图。另外,图3是将图1中的振动梁附近放大的要部放大俯视图。
对图1所示的第一实施方式的结构进行说明。图1的第一实施方式的特征在于导体E1e。导体E1e具有:第一部位导体E1e1、第二部位导体E1e2、第三部位导体E1e3和第四部位导体E1e4。
振动梁12形成得细长。振动梁12相对于其中心O对称地形成。在振动梁12连接支撑梁18。支撑梁18具有:第一支撑梁18A、第二支撑梁18B、第三支撑梁18C和第四支撑梁18D。
在振动梁12的一端12a连接第三支撑梁18C的一端。另外,在振动梁12的一端12a连接第四支撑梁18D的一端。并且,在振动梁12的另一端12b连接第一支撑梁18A的一端。另外,在振动梁12的另一端12b连接第二支撑梁18B的一端。
第三支撑梁18C的另一端与另一侧的第一电极E1b连接。第四支撑梁18D的另一端与另一侧的第一电极E1b连接。第一支撑梁18A的另一端与一侧的第一电极E1a连接。第二支撑梁18B的另一端与一侧的第一电极E1a连接。
因此,一侧的第一电极E1a和另一侧的第一电极E1b,经由第一支撑梁18A及第二支撑梁18B、振动梁12、第三支撑梁18C及第四支撑梁18D连接。一侧的第一电极E1a和另一侧的第一电极E1b、第一支撑梁18A、第二支撑梁18B、振动梁12、第三支撑梁18C、第四支撑梁18D电气地成为同一电位。
并且,一侧的第一电极E1a和另一侧的第一电极E1b与第一电极端子15连接。
振动梁12的长度方向L1和第一支撑梁18A呈角度θ1(例如内角约80度)。振动梁12的长度方向L1和第二支撑梁18B呈角度θ1。振动梁12的长度方向L1和第三支撑梁18C呈角度θ1。振动梁12的长度方向L1和第四支撑梁18D呈角度θ1。
与振动梁12的一侧面12e1相邻而形成第二电极E2。第二电极E2与第二电极端子16连接。与振动梁12的另一侧面12e2相邻而形成第三电极E3。第三电极E3与第三电极端子17连接。这些第二电极E2及第三电极E3隔着振动梁12相邻而形成。
在振动梁12的一侧面12e1侧形成第一支撑梁18A和第三支撑梁18C。在振动梁12的另一侧面12e1侧形成第二支撑梁18B和第四支撑梁18D。
并且,通过对角度θ1进行调整,能够将从支撑梁18施加于振动梁12的压力应变的传输量例如控制为1~1/500的范围。特别地,在使用于压力计的用途的情况下,适合与所使用的压力范围相匹配地对角度θ1进行调整。如果增大角度θ1而减小压力应变的传输量,则不易压曲,但压力灵敏度变差。通过角度θ1的调整将压力应变的传输量控制在不会压曲的程度,由此能够实现将硅的物理特性最大限度地有效使用的压力传感器。
第一部位导体E1e1形成为将第二电极E2、第一支撑梁18A和振动梁12包围,与一侧的第一电极E1a连接。第二部位导体E1e2形成为将第三电极E3、第二支撑梁18B和振动梁12包围,与一侧的第一电极E1a连接。第三部位导体E1e3形成为将第二电极E2、第三支撑梁18C和振动梁12包围,与另一侧的第一电极E1b连接。第四部位导体E1e4形成为将第三电极E3、第四支撑梁18D和振动梁12包围,与另一侧的第一电极E1b连接。
通过这些结构,在第一支撑梁18A和第二电极E2之间产生的力被抑制,振动梁12的动作稳定。在第二支撑梁18B和第三电极E3之间产生的力被抑制,振动梁12的动作稳定。在第三支撑梁18C和第二电极E2之间产生的力被抑制,振动梁12的动作稳定。在第四支撑梁18D和第三电极E3之间产生的力被抑制,振动梁12的动作稳定。
第一部位导体E1e1和第三部位导体E1e3分别具有与振动梁12的一侧面12e1相邻的平行的部位E1s1。第二部位导体E1e2和第四部位导体E1e4分别具有与振动梁12的另一侧面12e2相邻的平行的部位E1s2。
第一部位导体E1e1具有与第一支撑梁18A的一侧面18b1相邻的平行的部位E1b1。第二部位导体E1e2具有与第二支撑梁18B的一侧面相邻的平行的部位。第三部位导体E1e3具有与第三支撑梁18C的一侧面相邻的平行的部位。第四部位导体E1e4具有与第四支撑梁18D的一侧面相邻的平行的部位。
通过这些结构,在第一支撑梁18A和第二电极E2之间产生的力变得最小,振动梁12的动作稳定。在第二支撑梁18B和第三电极E3之间产生的力变得最小,振动梁12的动作稳定。在第三支撑梁18C和第二电极E2之间产生的力变得最小,振动梁12的动作稳定。在第四支撑梁18D和第三电极E3之间产生的力变得最小,振动梁12的动作稳定。
第二电极E2具有与振动梁12的一侧面12e1平行的部位E2e。另外,第三电极E3具有与振动梁12的另一侧面12e2平行的部位E3e。上述这样的第二电极E2及第三电极E3,以从振动梁12的长度方向L1的两侧夹着的方式、且相对于振动梁12保持规定的间隙而配置。
对图2进行说明。
作为本发明的一个实施方式的振动式转换器10,例如,具有由单晶硅晶片构成的半导体基板11A。在该半导体基板11A的一面(主面)11a例如形成有单晶硅层11B。单晶硅层11B例如是由掺杂有硼的低电阻的P型半导体构成的。此外,单晶硅层11B是通过外延或者贴合而形成的。
另外,与单晶硅层11B叠加而形成有壳体14。
在半导体基板11A的一面11a形成有划分为规定的形状的真空室21,在该真空室21内形成有振动梁(振动件)12。振动梁12形成为沿半导体基板11A的一面11a的面内方向而细长地延伸。对于振动梁12,与平行于半导体基板11A的剖面相比,垂直于半导体基板11A的剖面大。如果振动梁12的长度方向的宽度相对于振动梁12的宽度方向的宽度至少变长至3倍以上,则有时具有良好的特性。在本实施方式中,振动梁12的长度方向L1经过第二电极E2和第三电极E3之间。
通过上述的结构,振动梁12、各个支撑梁18在从壳体14侧俯视观察振动式转换器10时,形成为如图1的实施方式那样,作为整体成为双箭头的形状。
在第一电极E1、第二电极E2及第三电极E3,以将振动梁12及各个支撑梁18的周围包围的方式形成规定的间隙,通过这些间隙形成真空室21。
在单晶硅层11B形成的振动梁12、各个支撑梁18优选将杂质扩散。例如,在振动梁12及各个支撑梁18中掺杂特定的元素,从而能够使杂质扩散。上述这样的杂质的扩散,对振动梁12、各个支撑梁18赋予高张力特性。
壳体14由从真空室21侧起依次为第一层26和与该第一层26重叠配置的第二层27构成。上述第一层26及第二层26例如由多晶硅、非晶硅、SiC、SiGe、Ge中的任意者形成。
在第一层26与真空室21重叠的部分,形成有贯通孔25。例如,贯通孔25在振动梁12的正上方形成于第一层26。上述这样的贯通孔25是进行为了形成构成真空室21的间隙所使用的蚀刻液的流入、流出的开口。贯通孔25由闭塞部件29闭塞。
在半导体基板11A和单晶硅层11B之间中的、除了真空室21以外的部分形成有绝缘层22。另外,在单晶硅层11B和壳体14之间中的、除了真空室21以外的部分形成有绝缘层23。此外,绝缘层22由SOI基板形成。
真空室21的内部保持为规定的真空度。振动梁12、各个支撑梁18相对于划分出真空室21的部件、即半导体基板11A、单晶硅层11B及壳体14,确保规定的间隔而配置。
根据图3,从支撑梁18的一端朝向支撑梁18的另一端的方向L2、和从振动梁12的长度方向的中心O朝向支撑梁18的另一端的方向L3所呈的角θ2成为大致直角。此外,本发明的振动式转换器10例如能够作为温度计使用。
从第一支撑梁18A的一端朝向第一支撑梁18A的另一端的方向L2和从振动梁12的长度方向的中心O朝向第一支撑梁18A的另一端的方向L3所呈的角θ2成为大致直角。从第二支撑梁18B的一端朝向第二支撑梁18B的另一端的方向和从振动梁12的长度方向的中心O朝向第二支撑梁18B的另一端的方向所呈的角θ2成为大致直角。
从第三支撑梁18C的一端朝向第三支撑梁18C的另一端的方向和从振动梁12的长度方向的中心O朝向第三支撑梁18C的另一端的方向所呈的角θ2成为大致直角(未图示)。从第四支撑梁18D的一端朝向第四支撑梁18D的另一端的方向和从振动梁12的长度方向的中心O朝向第四支撑梁18D的另一端的方向所呈的角θ2成为大致直角(未图示)。
对图1~图3所示的第一实施方式的振动式转换器10的作用效果进行说明。
在温度发生了变化的情况下,振动式转换器10的各要素以朝向振动梁12的中心O位移的方式被施加应力。第一支撑梁18A的另一端和第二支撑梁18B的另一端,在以振动梁12的另一端12b为中心的假想圆R的切线上进行位移。第三支撑梁18C的另一端和第四支撑梁18D的另一端在以振动梁12的一端12a为中心的假想圆的切线上进行位移(未图示)。
振动梁12的另一端12b朝向中心O的应力和在第一支撑梁18A的一端和第二支撑梁18B的一端产生的应力相互抵消,振动梁12的另一端12b不位移。振动梁12的一端12a朝向中心O的应力和在第三支撑梁18C的一端和第四支撑梁18D的一端产生的应力相互抵消,振动梁12的一端12a不位移。
因此,根据第一实施方式的振动式转换器10,来自外部的应力(压力等)几乎不向振动梁传递。振动梁的振动(频率变化)由弹簧常数(杨氏模量)的温度依赖性决定。由此,第一实施方式的振动式转换器10能够适用于作为温度计的用途。
图4是表示振动式转换器的电路的概要的电路图。
此外,在图4中,对与图1~3等同的结构标注同一标号,省略其详细的说明。
振动式转换器10具有:激励单元(驱动电路)41,其激励振动梁12;以及振动检测单元42,其对振动梁12的振动进行检测。激励单元41具有驱动电源43。
振动检测单元42由驱动电源43、偏置电源44、电阻R1、R2、R3及运算放大器(Opamp)OP1、OP2等构成。
第一电极端子15与偏置电源44连接,经由偏置电源44与稳定电位接地。第二电极端子16与驱动电源43连接。第三电极端子16与振动检测单元42连接。
对图4所示的振动式转换器的电路的动作进行说明。
从驱动电源43施加规定的驱动电压Vi的交流电压。另外,从偏置电源44施加规定的偏置电压Vb的直流电压。向第一电极E1a、E1b经由第一电极端子15而从偏置电源44施加恒定电压的偏置电压Vb。另外,向第二电极E2经由第二电极端子16而从驱动电源43施加交流的驱动电压Vi。另外,从第三电极E3经由第三电极端子17而取出与振动梁12的振动频率相对应的检测信号。
如果向第一电极E1a、E1b施加恒定电压的偏置电压Vb、并且向第二电极E2施加交流的驱动电压Vi,则在与第一电极E1a、E1b成为相同电位的振动梁12和第二电极E2之间产生静电吸引力,振动梁12以一定的振动频率,沿半导体基板11A的一面11a的面内方向振动(共振)。
另一方面,在与第一电极E1a、E1b成为相同电位的振动梁12和第三电极E3之间,通过施加至第一电极E1a、E1b的偏置电压Vb而蓄积电荷。如果振动梁12振动而振动梁12和第三电极E3之间的静电电容变化,则产生与其相对应的交流电流即检测信号。将上述的检测信号通过运算放大器OP1、OP2放大,通过计数器读入电压变化,由此对振动梁12的振动频率进行测定。
而且,如果对振动梁12施加应力而发生应变,则振动梁12的振动频率与该应变量相对应地变动。通过参照上述的振动梁12的振动频率的变动量和振动梁12的应变量的关系,从而能够对振动梁12的应变量(即,施加于振动梁12的应力)进行测定。此外,施加于振动梁12的应力由于压力、加速度、应变、温度等而产生。
在如上所述的结构中,能够将成为激励电极的第二电极E2和成为检测电极的第三电极E3分离。因此,由于第二电极E2和第三电极E3之间的寄生电容减少,因此对驱动电压Vi绕入检测电路侧的串扰进行抑制,SN比提高。
通过在对振动梁12进行支撑的支撑梁18A、18B、18C、18D、和第二电极E2、第三电极E3之间,分别形成构成第一电极E1a、E1b的一部分的导体E1e(第一部位导体E1e1、第二部位导体E1e2、第三部位导体E1e3、第四部位导体E1e4),从而支撑梁18A、18B、18C、18D的周围与第一电极E1a、E1b成为相同电位。
由此,能够将第一支撑梁18A和第二电极E2之间的静电引力切断,将第二支撑梁18B和第三电极E3之间的静电引力切断,将第三支撑梁18C和第二电极E2之间的静电引力切断,将第四支撑梁18D和第三电极E3之间的静电引力切断,使振动梁12的动作稳定。由此,振动梁12不会产生与原本的振动模式不同的振动。能够实现可高精度地对物理应力进行检测的振动式转换器。
另外,在将振动式转换器10在例如高压力环境中使用的情况下,对半导体基板11施加大的压缩应变。但是,振动梁12在其一端12a及另一端12b分别经由形成为分成两股的支撑梁18A、18B、18C、18D而与第一电极E1连接,因此能够减小施加于振动梁12的压缩应变。
通过基于本发明的振动式转换器10的结构的作用,在高压力环境中使用的情况下,对振动梁12的压曲得到抑制,振动梁12稳定地振动。由此,即使在高压力环境中,也能够使振动梁12不压曲而稳定地振动,能够实现可精度地对物理应力进行检测的振动式转换器10。
如以上所述,根据本发明的振动式转换器10,能够提供一种静电驱动型的振动式转换器,该振动式转换器能够通过振动梁的稳定的振动而高精度地对应力进行检测。
(第二实施方式)
图5是表示本发明的第二实施方式的振动式转换器的振动梁周围的俯视图。此外,对与第一实施方式相同的结构标注相同的标号,省略其详细的说明。图5所示的第二实施方式的特征点在于,与图1所示的第一实施方式相比较,将振动梁的形状非对称地形成。下面,对图5所示的第二实施方式的结构进行说明。
第二实施方式的振动式转换器30仅在振动梁32的一端32a形成支撑梁38(第一支撑梁38A、第二支撑梁38B),振动梁32的另一端32b与第一电极E1b直接连接。
如上所述的结构的振动式转换器30,在对振动梁32的一端32a进行支撑的第一支撑梁38A和第二电极E2之间,也形成有构成第一电极E1a的一部分的导体E1e的第一部位导体E1e1,另外,在第二支撑梁38B和第三电极E3之间,形成有导体E1e的第二部位导体E1e2。
对图5所示的第二实施方式的振动式转换器的作用效果进行说明。
通过这些结构,能够将第二电极E2和第三电极E3之间的静电引力切断,使振动梁12的动作稳定化。由此,振动梁12不会产生与原本的振动模式不同的振动。由此,能够实现可高精度地对物理应力进行检测的振动式转换器。
另外,如本实施方式这样,通过将对振动梁32进行支撑的支撑梁38仅形成于振动梁32的一端32a侧,从而能够降低应变的减少量,能够提高施加的应力的检测精度。
(第三实施方式)
图6是表示本发明的第三实施方式的振动式转换器的振动梁周围的俯视图。图6所示的第三实施方式的振动式转换器50的特征点在于,与图1所示的第一实施方式的振动式转换器比较,图1的第一实施方式的特征是导体接地。此外,对与第一实施方式相同的结构标注相同的标号,省略其详细的说明。
第三支撑梁18C的另一端与焊盘18CC连接。第四支撑梁18D的另一端与焊盘18DD连接。第一支撑梁18A的另一端与焊盘18AA连接。第二支撑梁18B的另一端与焊盘18BB连接。焊盘18DD与电极端子15DD连接。另外,电极端子15DD与图4所示的偏置电源44连接,经由偏置电源44而与成为稳定电位的稳定电位体接地(未图示)。
因此,焊盘18AA、第一支撑梁18A、焊盘18BB、第二支撑梁18BB、振动梁12、焊盘18CC、第三支撑梁18C、焊盘18DD、第四支撑梁18DD和电极端子15DD电气地成为同一电位。
第一电极E1形成为将焊盘18AA、第一支撑梁18A、焊盘18BB、第二支撑梁18B、焊盘18CC、第三支撑梁18C、焊盘18DD、第四支撑梁18D、第二电极E2和第三电极E3包围。第一部位导体E1e1、第二部位导体E1e2、第三部位导体E1e3和第四部位导体E1e4分别与第一电极E1连接。第一电极E1与第一电极端子15连接。
对图6所示的第三实施方式的振动式转换器的作用、效果进行说明。
根据第三实施方式的振动式转换器50,与第一实施方式的振动式转换器10同样地,分别对在第一支撑梁18A和第二电极E2之间产生的力、在第二支撑梁18B和第三电极E3之间产生的力、在第三支撑梁18C和第二电极E2之间产生的力及在第四支撑梁18D和第三电极E3之间产生的力进行抑制。由此,能够使振动梁12的动作稳定。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但这些实施方式是作为例子提示出的,并不对发明的范围进行限定。这些实施方式能够以其他各种方式实施,在不脱离发明的主旨的范围,能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式以及其变形,与发明的范围及主旨所包含的内容同样地,包含于权利要求中记载的发明和其等同的范围。
例如,在上述的实施方式中,示出了对振动梁进行支撑的多个支撑梁以及在各个支撑梁和第二电极、第三电极之间形成多个导体(区域)的例子,但也可以是至少1个支撑梁、以及在该支撑梁电位不同的电极之间形成与支撑梁相同电位的1个导体的结构。
在本说明书中“前、后、上、下、右、左、垂直、水平、下、横、行以及列”等表示方向的词语提及的是在本发明的装置中的上述方向。因此,在本发明的说明书中的这些词语在本发明的装置中应相对性地进行解释。
“构成”这个词语为了执行本发明的功能而被构成、或者为了表示装置的结构、要素、部分而使用。
并且,在权利要求书中,作为“方法加功能”而表达表现的词语,是指应该包含为了执行本发明所包含的功能而能够利用的、应该包含所有构造在内的词语。
“单元”这个词被用于表示结构要素、单元、硬件、或表示为了执行希望的功能而编程的软件的一部分。硬件的典型例是设备、电路,但不限于此。
以上,对本发明的优选实施例进行了说明,但本发明不限定于这些实施例。在不脱离于本发明的宗旨的范围内,能够进行结构的添加、省略、置换、以及其他变更。本发明不被所述的说明所限定,只被添附的权利要求书所限定。
Claims (20)
1.一种振动式转换器,其具有:
振动梁,其形成于半导体基板;
支撑梁,其一端以规定的角度与该振动梁的一部分连接;
第一电极,其经由所述支撑梁与所述振动梁连接;
第二电极,其与所述振动梁的一侧面的中央相邻而配置;以及
导体,其配置于所述支撑梁和所述第二电极之间,与所述第一电极连接。
2.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
所述导体形成为将所述支撑梁包围。
3.根据权利要求1或2所述的振动式转换器,其中,
所述导体具有:与所述支撑梁的一侧面平行的部位;以及与所述支撑梁的另一侧面平行的部位。
4.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
所述导体具有与所述振动梁的一侧面平行的部位。
5.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
从所述支撑梁的一端朝向另一端的方向、和从所述振动梁的长度方向的中心朝向所述支撑梁的另一端的方向所呈的角是大致直角,对基于温度的所述振动梁的振动进行检测。
6.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
所述支撑梁具有:第一支撑梁,其以规定的角度与所述振动梁的一端的一侧面连接;以及第二支撑梁,其以规定的角度与所述振动梁的一端的另一侧面连接,
与所述振动梁的另一侧面的中央相邻而形成第三电极,
所述导体具有:第一部位导体,其配置于所述支撑梁和所述第二电极之间,与所述第一电极连接;以及第二部位导体,其配置于所述支撑梁和所述第三电极之间,与所述第一电极连接。
7.根据权利要求6所述的振动式转换器,其中,
所述支撑梁还具有:第三支撑梁,其以规定的角度与所述振动梁的另一端的一侧面连接;以及第四支撑梁,其以规定的角度与所述振动梁的另一端的另一侧面连接,
所述导体还具有:第三部位导体,其配置于所述第三支撑梁和所述第二电极之间,与所述第一电极连接;以及第四部位导体,其配置于所述第四支撑梁和所述第三电极之间,与所述第一电极连接。
8.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
所述振动梁、所述支撑梁、所述第一电极及所述第二电极相互形成于同一面上,
在所述振动梁和所述支撑梁中分别使杂质扩散,
具有驱动电路,该驱动电路使所述振动梁沿面内方向振动。
9.根据权利要求6所述的振动式转换器,其中,
所述第一部位导体形成为将所述第二电极、所述第一支撑梁、所述振动梁包围。
10.根据权利要求6所述的振动式转换器,其中,
所述第二部位导体形成为将所述第三电极、所述第二支撑梁、所述振动梁包围。
11.根据权利要求7所述的振动式转换器,其中,
所述第三部位导体形成为将所述第二电极、所述第三支撑梁、所述振动梁包围。
12.根据权利要求7所述的振动式转换器,其中,
所述第四部位导体形成为将所述第三电极、所述第四支撑梁、所述振动梁包围。
13.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
关于所述振动梁,与平行于所述半导体基板的剖面相比,垂直于所述半导体基板的剖面大。
14.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
所述振动梁的长度方向的宽度相对于所述振动梁的宽度方向的宽度变长至3倍以上。
15.根据权利要求1所述的振动式转换器,其中,
还具有:
真空室,其形成于所述半导体基板,划分为规定的形状;以及
第一层,其将所述真空室覆盖,
所述振动梁形成于所述真空室内,
在所述振动梁的正上方,在所述第一层形成贯通孔。
16.根据权利要求15所述的振动式转换器,其中,
所述贯通孔由闭塞部件闭塞,
还具有第二层,该第二层将所述贯通孔覆盖。
17.根据权利要求7所述的振动式转换器,其中,
还具有:
第一焊盘,其与所述第一支撑梁连接;
第二焊盘,其与所述第二支撑梁连接;
第三焊盘,其与所述第三支撑梁连接;
第四焊盘,其与所述第四支撑梁连接;以及
电极端子,其与偏置电源连接,
所述第四焊盘与所述电极端子连接。
18.根据权利要求17所述的振动式转换器,其中,
所述第一焊盘、所述第一支撑梁、所述第二焊盘、所述第二支撑梁、所述第三焊盘、所述第三支撑梁、所述第四焊盘、所述第四支撑梁、所述电极端子电气地成为同一电位。
19.根据权利要求17所述的振动式转换器,其中,
所述第一电极,将所述第一焊盘及所述第一支撑梁包围,将所述第二焊盘及所述第二支撑梁包围,将所述第三焊盘及所述第三支撑梁包围,将所述第四焊盘及所述第四支撑梁包围,将所述第二电极包围,将所述第三电极包围。
20.一种振动式转换器,其具有:
振动梁,其形成于半导体基板;
支撑梁,其一端以规定的角度与该振动梁的一部分连接;
第一电极,其经由所述支撑梁而与所述振动梁连接;
第二电极,其与所述振动梁的一侧面的中央相邻而配置;以及
导体,其配置于所述支撑梁和所述第二电极之间,与稳定电位体连接;
驱动电路,其与所述第二电极连接,激励所述振动梁;以及
振动检测单元,其对所述振动梁的振动进行检测。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016226251A JP6465097B2 (ja) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | 振動式トランスデューサ |
JP2016-226251 | 2016-11-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108088474A true CN108088474A (zh) | 2018-05-29 |
CN108088474B CN108088474B (zh) | 2022-03-22 |
Family
ID=62068732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711143961.8A Active CN108088474B (zh) | 2016-11-21 | 2017-11-17 | 振动式转换器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11211916B2 (zh) |
JP (1) | JP6465097B2 (zh) |
CN (1) | CN108088474B (zh) |
DE (1) | DE102017010600A1 (zh) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |