CN108083239B - 合成高纯硒化镉的方法 - Google Patents
合成高纯硒化镉的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108083239B CN108083239B CN201711418921.XA CN201711418921A CN108083239B CN 108083239 B CN108083239 B CN 108083239B CN 201711418921 A CN201711418921 A CN 201711418921A CN 108083239 B CN108083239 B CN 108083239B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cadmium selenide
- purity
- furnace
- quartz tube
- cadmium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 28
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 abstract description 21
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 14
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 cadmium selenide compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000013094 purity test Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本申请提供一种合成高纯硒化镉的方法，其包括步骤：将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后装入石墨筒内，然后装入石英管内，接着将石英管置于封管炉内，抽真空进行封管；将完成封管的石英管置于摇摆炉内，升温至800℃～1200℃后保温进行反应直至反应结束，降温出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料；将取出的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。本申请的合成方法工艺流程短，产品收率高、产量大、环境友好，适合批量生产，同时所述合成方法得到的硒化镉具有较高的纯度。
Description
技术领域
本申请涉及半导体材料领域，尤其涉及一种合成高纯硒化镉的方法。
背景技术
硒化镉(CdSe)是一种化合物N型半导体材料，其能隙值为1.74eV左右，处于理想的太阳能电池能隙范围内，有很好的光电转换效率。随着薄膜产业的飞速发展，薄膜科学技术与薄膜材料在材料学领域已成为研究的热点。硒化镉作为一种N型薄膜太阳能材料，可与碲化镉结成P-N结。研究其合成方法有利于薄膜太阳能材料的发展。同时硒化镉化合物也可用于制作红外调制器，红外探测等。
目前国内外关于硒化镉合成的方法，鲜有报道。
发明内容
鉴于背景技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种合成高纯硒化镉的方法，所述合成方法工艺流程短，产品收率高、产量大、环境友好，适合批量生产，同时所述合成方法得到的硒化镉具有较高的纯度。
为了达到上述目的，本发明提供了一种合成高纯硒化镉的方法，其包括步骤：S1，将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后装入石墨筒内，然后装入石英管内，接着将石英管置于封管炉内，抽真空进行封管；S2，将完成封管的石英管置于摇摆炉内，升温至800℃～1200℃后保温进行反应直至反应结束，降温出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料；S3，将取出的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。
相对于现有技术，本发明的有益效果为：
本申请以镉粒和硒粒为原料，在摇摆炉内升温进行反应，经氢化除杂后得到高纯硒化镉，所述合成方法工艺流程短，产品收率高、产量大、环境友好，适合批量生产，同时所述合成方法得到的硒化镉具有较高的纯度。
具体实施方式
下面详细说明根据本发明的合成高纯硒化镉的方法。
根据本申请的合成高纯硒化镉的方法包括步骤：S1，将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后装入石墨筒内，然后装入石英管内，接着将石英管置于封管炉内，抽真空进行封管；S2，将完成封管的石英管置于摇摆炉内，升温至800℃～1200℃后保温进行反应直至反应结束，降温出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料；S3，将取出的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。
在本申请的合成方法中，以镉粒和硒粒为原料，在摇摆炉内升温反应后，进行氢化除杂，可得到高纯硒化镉，其中，在摇摆炉内升温反应得到硒化镉初料的过程可以有效地避免反应产生的废水及废气直接排放到空气中对环境造成污染，同时工序时间较短，对环境也较为友好，而氢化除杂的过程则可以有效地除去硒化镉初料中的游离物质(例如单质硒、单质镉)，并降低硒化镉初料中的氧含量，使得到的高纯硒化镉中氧含量、单质硒含量及单质镉的含量均低于50ppm，从而使得到的高纯硒化镉可直接应用于半导体领域及太阳能电池领域。此外，合成过程中使用的石墨筒、石英管和石墨舟都可以重复使用，简易的摇摆炉、封管炉以及气氛炉就可以实现该方法，因此，工序简单，且生产成本较低，可规模化生产。
在本申请的合成方法中，步骤S1中，优选地，硒粒的粒径小于等于2mm。
在本申请的合成方法中，步骤S1中，优选地，硒粒的纯度大于等于5N。
在本申请的合成方法中，步骤S1中，优选地，镉粒的粒径小于等于2mm。
在本申请的合成方法中，步骤S1中，优选地，所述镉粒的纯度大于等于5N。
在本申请的合成方法中，步骤S1中，硒粒和镉粒的摩尔比为1:(0.99～1.01)。
在本申请的合成方法中，步骤S1中，抽真空至真空度小于等于10-3MPa后封管。
在本申请的合成方法中，步骤S2中，保温进行反应的时间为0.5h～3h。
在本申请的合成方法中，步骤S2中，以5℃/min～20℃/min升温至800℃～1200℃。
在本申请的合成方法中，步骤S2中，降温至温度低于100℃则可以出炉，得到硒化镉初料。
在本申请的合成方法中，步骤S3中，可使用破碎机进行破碎，破碎后的硒化镉初料可置于球磨罐中进行球磨，球磨后经过筛分可以得到不同粒度的产品。球磨的方式及球磨罐的种类没有具体的限制，可根据实际需求进行选择，具体地，球磨罐可选自聚氨酯球磨罐或氧化锆球磨罐。优选地，球磨时间为0.3h～4h。
在本申请的合成方法中，步骤S3中，通入氢气的流量为2L/min～8L/min。
在本申请的合成方法中，步骤S3中，以5℃/min～20℃/min升温至700℃～900℃进行氢化除杂。
在本申请的合成方法中，步骤S3中，氢化除杂的时间为3h～15h。
在本申请的合成方法中，步骤S3中，将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于石墨舟中，再将石墨舟置于气氛炉中的石英管内进行氢化除杂。
下面结合实施例，进一步阐述本申请。应理解，这些实施例仅用于说明本申请而不用于限制本申请的范围。
实施例1
将412.6g、粒径小于2mm、纯度为5N的硒粒和587.4g、粒径小于2mm、纯度为5N的镉粒混合均匀(其中，硒粒和镉粒的摩尔比为1:1)后装入石墨筒内，然后装入石英管中，接着将石英管装入封管炉内，抽真空至10-3MPa以下后封管，将完成封管的石英管置于立式摇摆炉内，以15℃/min的速度升温至950℃后保温3h进行反应，在此过程中不断地摆动立式摇摆炉，反应结束后，降温至100℃以下出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料。
将取出的硒化镉初料破碎后放入球磨罐，加入3kg锆球进行球磨2h，过筛后装入石墨舟中，再放入气氛炉中的石英管内进行氢化除杂，氢化除杂的过程为：以8℃/min的速度升温至780℃，同时通入氢气，氢气的流量为3L/min，然后保温5h，结束后降温出炉，得到高纯硒化镉。取样进行电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)分析，结果如表1所示。
实施例2
将825.2g、粒径小于2mm、纯度为5N的硒粒和1163.05g、粒径小于2mm、纯度为5N的镉粒混合均匀(其中，硒粒和镉粒的摩尔比为1:0.99)后装入石墨筒内，然后装入石英管中，接着将石英管装入封管炉内，抽真空至真空度为10-3MPa以下后封管，将完成封管的石英管置于立式摇摆炉内，以20℃/min的速度升温至1000℃后保温3h进行反应，在此过程中不断地摆动立式摇摆炉，反应结束后，降温至100℃以下出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料。
将取出的硒化镉初料破碎后放入球磨罐，加入5kg锆球进行球磨2h，过筛后装入石墨舟中，再放入气氛炉中的石英管内进行氢化除杂，氢化除杂的过程为：以10℃/min的速度升温至850℃，同时通入氢气，氢气的流量为4L/min，然后保温8h，结束后降温出炉，得到高纯硒化镉。取样进行电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)分析，结果如表1所示。
实施例3
将1650.4g、粒径小于2mm、纯度为5N的硒粒和2373.1g、粒径小于2mm、纯度为5N的镉粒混合均匀(其中，硒粒和镉粒的摩尔比为1:1.01)后装入石墨筒内，然后装入石英管中，接着将石英管装入封管炉内，抽真空至10-3MPa以下后封管，将完成封管的石英管置于立式摇摆炉内，以10℃/min的速度升温至1000℃后保温3h进行反应，在此过程中不断地摆动立式摇摆炉，反应结束后，降温至100℃以下出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料。
将取出的硒化镉初料破碎后放入球磨罐，加入5kg锆球进行球磨2h，过筛后装入石墨舟中，再放入气氛炉中的石英管内进行氢化除杂，氢化除杂的过程为：以15℃/min的速度升温至900℃，同时通入氢气，氢气的流量为5L/min，然后保温5h，结束后降温出炉，得到高纯硒化镉。取样进行电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)分析，结果如表1所示。
表1实施例1-3的产品纯度测试结果
从表1的测试结果分析可知，用本申请合成方法得到的高纯硒化镉中各种杂质元素的含量均较低。
Claims (10)
1.一种合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，包括步骤：
S1，将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后装入石墨筒内，然后装入石英管内，接着将石英管置于封管炉内，抽真空进行封管；
S2，将完成封管的石英管置于摇摆炉内，升温至800℃～1200℃后保温进行反应直至反应结束，降温出炉，敲碎石英管，取出硒化镉初料；
S3，将取出的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。
2.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S1中，
所述硒粒的粒径小于等于2mm，所述硒粒的纯度大于等于5N；
所述镉粒的粒径小于等于2mm，所述镉粒的纯度大于等于5N。
3.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S1中，硒粒和镉粒的摩尔比为1:(0.99～1.01)。
4.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S1中，抽真空至真空度小于等于10-3MPa后封管。
5.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S2中，保温进行反应的时间为0.5h～3h。
6.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S2中，以5℃/min～20℃/min升温至800℃～1200℃。
7.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S3中，通入氢气的流量为2L/min～8L/min。
8.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S3中，以5℃/min～20℃/min升温至700℃～900℃进行氢化除杂。
9.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S3中，氢化除杂的时间为3h～15h。
10.根据权利要求1所述的合成高纯硒化镉的方法，其特征在于，步骤S3中，将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于石墨舟中，再将石墨舟置于气氛炉中的石英管内进行氢化除杂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711418921.XA CN108083239B (zh) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 合成高纯硒化镉的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711418921.XA CN108083239B (zh) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 合成高纯硒化镉的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108083239A CN108083239A (zh) | 2018-05-29 |
| CN108083239B true CN108083239B (zh) | 2020-04-28 |
Family
ID=62178973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711418921.XA Active CN108083239B (zh) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 合成高纯硒化镉的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108083239B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112125286B (zh) * | 2020-09-18 | 2022-07-01 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN112125285B (zh) * | 2020-09-18 | 2022-07-01 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN113023688B (zh) * | 2021-04-23 | 2023-03-31 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种掺砷碲化镉的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102070129A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-05-25 | 浙江理工大学 | 一种制备硒化镉纳米线的方法 |
| CN102267690A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-12-07 | 光明化工研究设计院 | 一种硒化氢的制备方法 |
| CN106477536A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-03-08 | 西北工业大学 | 一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7608237B2 (en) * | 2005-03-28 | 2009-10-27 | The Research Foundation Of State University Of New York | Synthesis of nanostructured materials using liquid crystalline templates |
-
2017
- 2017-12-25 CN CN201711418921.XA patent/CN108083239B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102070129A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-05-25 | 浙江理工大学 | 一种制备硒化镉纳米线的方法 |
| CN102267690A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-12-07 | 光明化工研究设计院 | 一种硒化氢的制备方法 |
| CN106477536A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-03-08 | 西北工业大学 | 一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 硒化镉多晶合成与单晶生长工艺的改进;何知宇;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库 (硕士)工程科技Ⅰ辑》;20051215;正文部分第22~25页第2.4节"中温（~650℃）液相合成CdSe多晶原料" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108083239A (zh) | 2018-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108083239B (zh) | 合成高纯硒化镉的方法 | |
| CN101734630B (zh) | 一种高纯碲化镉的制备方法 | |
| Patil et al. | Preparation of silica powder from rice husk | |
| CN108394873B (zh) | 封管合成碲硒镉的方法 | |
| CN102786089A (zh) | 一种生产砷化锌的方法 | |
| CN106495108B (zh) | 碲化镉的制备方法 | |
| CN108017042B (zh) | 高纯硒化镉的制备方法 | |
| CN107955970B (zh) | 一种高质量氮化铝单晶的生长方法 | |
| CN101823301A (zh) | 一种处理废旧轮胎的方法及装置 | |
| CN114182357A (zh) | 一种碳化硅晶体的破碎晶粒用于再生长碳化硅单晶的方法 | |
| CN112125286B (zh) | 掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104150911A (zh) | 一种微波辅助低温快速合成纳米氮化硅-碳化硅复合粉体的方法 | |
| CN103553093B (zh) | 气流混合反应合成氧氮化铝粉体的方法及装置 | |
| CN111392699B (zh) | 一种硒化镉的制备方法 | |
| CN102219494A (zh) | 一种制备P型CuAlO2半导体体材料的方法 | |
| CN112125285B (zh) | 掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN113023688B (zh) | 一种掺砷碲化镉的制备方法 | |
| CN110055435B (zh) | 硒铜合金的制备方法 | |
| CN101928150A (zh) | 低成本制备γ-氧氮化铝透明陶瓷粉末的方法 | |
| CN111039318B (zh) | 直流电弧等离子体制备SnS纳米材料的方法 | |
| CN114657400B (zh) | 一种半导体用GaSb靶材的制备方法 | |
| CN102862989A (zh) | 用于冶金法提纯多晶硅的预处理方法 | |
| CN113481598A (zh) | 一种Zn-P-As晶体材料及其制备方法和应用 | |
| CN110642256A (zh) | 一种高精度利用水稻皮提炼二氧化硅的制备工艺 | |
| CN104538499B (zh) | 太阳能薄膜材料铜锌锡硫粉体的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231020 Address after: 221100 No.1, Xianxian South Road, Tongchuang Road West, High tech Industrial Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Pioneer Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 511517 Qingyuan 27-9 high tech Industrial Park, Guangdong Patentee before: FIRST RARE MATERIALS Co.,Ltd. |