CN108054288A - 有机发光二极管结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机发光二极管结构。上述的有机发光二极管结构包括衬底基板、阳极层、有机薄膜结构、阴极层以及缓冲层。阳极层设置于衬底基板上;有机薄膜结构设置于阳极层的背离衬底基板的一侧,有机薄膜结构用于发光;阴极层包括相连接的阴极层本体和第一凸起部,阴极层本体设置于有机薄膜结构的背离阳极层的一侧,第一凸起部位于阴极层本体的背离有机薄膜结构的一侧。上述的有机发光二极管结构增大了出光面积,破坏了全反射对出光的损耗,提高了出光效率;扩大了光线射出的角度范围,增大了出光范围,提高了光的利用率;使得有机发光二极管内产生的热量减少,提高了有机发光二极管器件的性能和使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机发光二极管结构。
背景技术
有机发光二极管因具有响应速度快、轻薄化且不会出现拖影的现象而被广泛的应用于移动设备或电视机上。
由于光在有机发光二极管的器件材料的折射率与空气的折射率存在差异,使入射角大于临界角的光持续在有机发光二极管中反射,直到被有机发光二极管吸收为止;由于光在有机发光二极管内全反射的过程中发生损失,使得有机发光二极管的外量子效率较低,即出光量较少,亦即是亮度较低;若需提高有机发光二极管的亮度,则增大用于驱动有机发光二极管的驱动电流的密度;然而,当驱动电流的密度的较大时,有机发光二极管内产生的热量激增,使得有机发光二极管的内部材料易老化,从而使有机发光二极管器件的性能和使用寿命较低。
发明内容
基于此,有必要针对有机发光二极管出光量较少以及有机发光二极管内部材料易老化的问题,提供一种有机发光二极管结构。
一种有机发光二极管结构,包括:
衬底基板,
阳极层,所述阳极层设置于所述衬底基板上;
有机薄膜结构,所述有机薄膜结构设置于所述阳极层的背离所述衬底基板的一侧,所述有机薄膜结构用于发光;
阴极层,所述阴极层包括相连接的阴极层本体和第一凸起部,所述阴极层本体设置于所述有机薄膜结构的背离所述阳极层的一侧,所述第一凸起部位于所述阴极层本体的背离所述有机薄膜结构的一侧;以及
缓冲层,所述缓冲层包括相连接的缓冲层本体和第二凸起部,所述缓冲层本体设置于所述阴极层本体背离所述有机薄膜结构的一侧,所述缓冲层本体背离所述阴极层本体的一侧裸露于空气中,所述第二凸起部位于所述缓冲层本体裸露于空气中的一侧上,所述缓冲层本体邻近所述阴极层本体的一侧形成有与所述第一凸起部相适配的第一凹槽;
所述衬底基板的与所述阳极层接触的一侧为凹凸不平整结构,所述阳极层、所述有机薄膜结构、所述阴极层和所述缓冲层依次设于所述衬底基板上。
在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构包括空穴传输层、电子传输层以及位于所述空穴传输层和所述电子传输层之间的有机发光层,所述空穴传输层、所述电子传输层和所述有机发光层的表面均为非平面结构;所述有机发光层用于发光;
所述阳极层包括相连接的阳极层本体和阳极层凸起部,所述阳极层本体的背离所述阳极层凸起部的一侧与所述衬底基板连接,所述空穴传输层的邻近所述阳极层凸起部的一侧形成有与所述阳极层凸起部相适配的传输层凹槽,使得所述空穴传输层设置于所述阳极层上;
所述阴极层本体的邻近所述电子传输层的一侧形成有与所述电子传输层相适配的阴极层凹槽,使得所述阴极层本体设置于所述有机薄膜结构上。
在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构还包括空穴注入层,所述空穴注入层位于所述阳极层与所述空穴传输层之间。
在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构还包括空穴阻挡层,所述空穴阻挡层位于所述空穴传输层与所述有机发光层之间。
在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构还包括电子阻挡层,所述电子阻挡层位于所述有机发光层与所述电子传输层之间。
在其中一个实施例中,所述第一凸起部的横截面呈梯形状。
在其中一个实施例中,所述第一凸起部的数目为多个,多个所述第一凸起部等距间隔分布于所述阴极层本体上。
在其中一个实施例中,所述缓冲层本体与所述第二凸起部一体成型。
在其中一个实施例中,所述第二凸起部的横截面呈梯形状。
在其中一个实施例中,所述第二凸起部的数目为多个,多个所述第二凸起部等距间隔分布于所述缓冲层本体上。
上述的有机发光二极管结构,第一凸起部位于阴极层本体的背离有机薄膜结构的一侧上,缓冲层本体设置于阴极层本体背离有机薄膜结构的一侧上,缓冲层本体邻近阴极层本体的一侧形成有与第一凸起部相适配的第一凹槽,即阴极层本体与缓冲层本体接触的一侧具有第一凸起部,使得阴极层本体与缓冲层本体之间的界面的表面积增大,使得从有机薄膜结构发出的光线经过阴极层本体进入缓冲层本体的光线增多,提高了有机发光二极管的出光效率;光线经过阴极层本体与缓冲层本体之间的界面时,由于界面凹凸不平整,使得与在界面平整处发生全反射的光线平行的光线通过第一凸起部时不会发生全反射,而是折射进入缓冲层,这样使得进入缓冲层的光线更多,提高了有机发光二极管的出光效率。由于缓冲层本体裸露于空气中的一侧具有第二凸起部,使得缓冲层本体与空气之间的界面的表面积大,使得经过缓冲层的光线通过缓冲层与空气之间的界面进入空气中的光线增多,提高了出光效率;光线经过缓冲层本体与空气之间的界面时,由于界面凹凸不平整,使得与在界面平整处发生全反射的光线平行的光线通过第二凸起部时不会发生全反射,而是折射进入空气,破坏了全反射对出光的损耗,使得进入空气中的光线更多,提高了有机发光二极管的出光效率。此外,入射角较大的光线从阴极层本体进入缓冲层本体后,在阴极层本体与缓冲层本体之间的界面的第一凸起部处反射后角度改变,入射角较大的光线从缓冲层本体进入空气中后,在缓冲层本体与空气之间的界面的第二凸起部处反射后角度改变,扩大了光线射出的角度范围,增大了出光范围,提高了光的利用率。在需要有机发光二极管达到相同亮度时,上述的有机发光二极管增大了出光面积,提高了开口率,提高了有机发光二极管的出光效率,无需增大用于驱动有机发光二极管的驱动电流密度,使得有机发光二极管内产生的热量减少,从而使得有机发光二极管内部材料不易老化,从而提高了有机发光二极管器件的性能和使用寿命。
附图说明
图1为一实施例的有机发光二极管结构的剖面图;
图2为一实施例的改变全反射的光路示意图;
图3为一实施例的改变全反射的另一光路示意图;
图4为一实施例的控制光出射角度的光路示意图;
图5为一实施例的控制光出射角度的另一光路示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对有机发光二极管结构进行更全面的描述。附图中给出了有机发光二极管结构的首选实施例。但是,有机发光二极管结构可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对有机发光二极管结构的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在有机发光二极管结构的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
例如,一种有机发光二极管结构包括衬底基板、阳极层、有机薄膜结构、阴极层以及缓冲层。例如,所述阳极层设置于所述衬底基板上;例如,所述有机薄膜结构设置于所述阳极层的背离所述衬底基板的一侧;例如,所述有机薄膜结构用于发光;例如,所述阴极层包括相连接的阴极层本体和第一凸起部;例如,所述阴极层本体设置于所述有机薄膜结构的背离所述阳极层的一侧;例如,所述第一凸起部位于所述阴极层本体的背离所述有机薄膜结构的一侧;例如,所述缓冲层包括相连接的缓冲层本体和第二凸起部,所述缓冲层本体设置于所述阴极层本体背离所述有机薄膜结构的一侧,所述缓冲层本体背离所述阴极层本体的一侧裸露于空气中,所述第二凸起部位于所述缓冲层本体裸露于空气中的一侧上,所述缓冲层本体邻近所述阴极层本体的一侧形成有与所述第一凸起部相适配的第一凹槽;例如,所述衬底基板的与所述阳极层接触的一侧为凹凸不平整结构,所述阳极层、所述有机薄膜结构、所述阴极层和所述缓冲层依次设于所述衬底基板上。例如,一种有机发光二极管结构包括衬底基板、阳极层、有机薄膜结构、阴极层以及缓冲层。所述阳极层设置于所述衬底基板上;所述有机薄膜结构设置于所述阳极层的背离所述衬底基板的一侧,所述有机薄膜结构用于发光;所述阴极层包括相连接的阴极层本体和第一凸起部,所述阴极层本体设置于所述有机薄膜结构的背离所述阳极层的一侧,所述第一凸起部位于所述阴极层本体的背离所述有机薄膜结构的一侧;所述缓冲层包括相连接的缓冲层本体和第二凸起部,所述缓冲层本体设置于所述阴极层本体背离所述有机薄膜结构的一侧,所述缓冲层本体背离所述阴极层本体的一侧裸露于空气中,所述第二凸起部位于所述缓冲层本体裸露于空气中的一侧上,所述缓冲层本体邻近所述阴极层本体的一侧形成有与所述第一凸起部相适配的第一凹槽;所述衬底基板的与所述阳极层接触的一侧为凹凸不平整结构,所述阳极层、所述有机薄膜结构、所述阴极层和所述缓冲层依次设于所述衬底基板上。
如图1所示,一实施例的有机发光二极管结构10包括衬底基板100、阳极层200、有机薄膜结构300、阴极层400以及缓冲层500。所述阳极层设置于所述衬底基板100上;所述有机薄膜结构300设置于所述阳极层的背离所述衬底基板100的一侧,所述有机薄膜结构300用于发光;所述阴极层400包括相连接的阴极层本体410和第一凸起部420,所述阴极层本体410设置于所述有机薄膜结构300的背离所述阳极层的一侧,所述第一凸起部420位于所述阴极层本体410的背离所述有机薄膜结构300的一侧;所述缓冲层500包括相连接的缓冲层本体510和第二凸起部520,所述缓冲层本体510设置于所述阴极层本体410背离所述有机薄膜结构300的一侧,所述缓冲层本体510背离所述阴极层本体410的一侧裸露于空气中,所述第二凸起部520位于所述缓冲层本体510裸露于空气中的一侧上,所述缓冲层本体510邻近所述阴极层本体410的一侧形成有与所述第一凸起部420相适配的第一凹槽;所述衬底基板100的与所述阳极层200接触的一侧为凹凸不平整结构,所述阳极层200、所述有机薄膜结构300、所述阴极层400和所述缓冲层500依次设于所述衬底基板100上。
上述的有机发光二极管结构10,第一凸起部420位于阴极层本体410的背离有机薄膜结构300的一侧上,缓冲层本体510设置于阴极层本体410背离有机薄膜结构300的一侧上,缓冲层本体510邻近阴极层本体410的一侧形成有与第一凸起部420相适配的第一凹槽,即阴极层本体410与缓冲层本体510接触的一侧具有第一凸起部420,使得阴极层本体410与缓冲层本体510之间的界面的表面积增大,使得从有机薄膜结构300发出的光线经过阴极层本体410进入缓冲层本体510的光线增多,提高了有机发光二极管的出光效率;光线经过阴极层本体410与缓冲层本体510之间的界面时,由于界面凹凸不平整,如图2所示,使得与在界面平整处发生全反射的光线N平行的光线M通过第一凸起部420时不会发生全反射,而是折射进入缓冲层500,这样使得进入缓冲层500的光线更多,提高了有机发光二极管的出光效率。由于缓冲层本体510裸露于空气中的一侧具有第二凸起部520,使得缓冲层本体510与空气之间的界面的表面积大,使得经过缓冲层500的光线通过缓冲层500与空气之间的界面进入空气中的光线增多,提高了出光效率;光线经过缓冲层本体510与空气之间的界面时,由于界面凹凸不平整,如图3所示,使得与在界面平整处发生全反射的光线Q平行的光线P通过第二凸起部520时不会发生全反射,而是折射进入空气,破坏了全反射对出光的损耗,使得进入空气中的光线更多,提高了有机发光二极管的出光效率。此外,入射角较大的光线从阴极层本体410进入缓冲层本体510后,如图4所示,在阴极层本体410与缓冲层本体510之间的界面的第一凸起部420处反射后角度改变,入射角较大的光线从缓冲层本体510进入空气中后,如图5所示,在缓冲层本体510与空气之间的界面的第二凸起部520处反射后角度改变,扩大了光线射出的角度范围,增大了出光范围,提高了光的利用率。在需要有机发光二极管达到相同亮度时,上述的有机发光二极管增大了出光面积,提高了开口率,提高了有机发光二极管的出光效率,无需增大用于驱动有机发光二极管的驱动电流密度,使得有机发光二极管内产生的热量减少,从而使得有机发光二极管内部材料不易老化,从而提高了有机发光二极管器件的性能和使用寿命。
例如,所述衬底基板100的与所述阳极层200接触的一侧利用刻蚀工艺形成凹凸不平整结构。例如,所述阳极层200、所述有机薄膜结构300、所述阴极层400和所述缓冲层500利用淀积工艺依次形成于所述衬底基板100上。
例如,所述衬底基板100背离所述阳极层200的一侧设有阻挡层,使得有机发光二极管能够防止水和气体的渗入。例如,所述阻挡层为金属箔结构,使得阻挡层耐高温,且使得有机发光二极管能够防止水和气体的渗入。
在其中一个实施例中,所述衬底基板100的材质为聚酰亚胺,使得衬底基板100耐高温性强。
例如,所述缓冲层500为有机薄膜层,使得光线在缓冲层500中传输更加容易。例如,所述第一凸起部420和第二凸起部520的高度10nm~100μm,设置不同的高度可得到不同的有机发光二极管的出光角度,使得有机发光二极管发出的光的角度分布范围扩大。
例如,所述阳极层200包括氧化铟锡层和银层。又如,氧化铟锡层的层数为两层,所述银层夹在两层氧化铟锡层之间,氧化铟锡层使得阳极层的导电性较佳,银层使得阳极层具有较强的反射性,能够将光线反射回去,提高了出光效率。例如,所述氧化铟锡层可用氧化铟锌层替代。例如,所述阴极层400的制作材料为镁银合金,使得阴极层400的导电性较佳。例如,所述阴极层400的制作材料为铝锂合金,使得阴极层400的导电性较佳。
如图1所示,在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构300包括空穴传输层310、电子传输层320以及位于所述空穴传输层310和所述电子传输层320之间的有机发光层330,所述空穴传输层310、所述电子传输层320和所述有机发光层330的表面均为非平面结构;例如,所述非平面结构为凹凸不平整结构;例如,所述非平面结构为表面设有多个凸起的结构。所述有机发光层330用于发光;所述阳极包括相连接的阳极本体和阳极凸起部,所述阳极本体的背离所述阳极凸起部的一侧与所述衬底基板100连接,所述空穴传输层310的邻近所述阳极凸起部的一侧形成有与所述阳极凸起部相适配的传输层凹槽,使得所述空穴传输层310设置于所述阳极上;所述阴极层本体410的邻近所述电子传输层320的一侧形成有与所述电子传输层320相适配的阴极400凹槽,使得所述阴极层本体410设置于所述有机薄膜结构300上。空穴传输层310用于调节空穴的注入速度和注入量,电子传输层320用于调节电子的注入速度和注入量,空穴传输层310和电子传输层320使得空穴和电子在有机发光层330处复合。空穴传输层310、电子传输层320、发光层和阳极的非平面结构的表面增加了光线的折射,减少了光线的全反射,提高了出光效率。
如图1所示,在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构300还包括空穴注入层340,所述空穴注入层340位于所述阳极层200与所述空穴传输层310之间,这样降低了空穴注入势垒高度,有效改善载流子注入效果,降低有机发光二极管的启亮电压,提高有机发光二极管的发光性能。
如图1所示,在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构300还包括空穴阻挡层350,所述空穴阻挡层350位于所述电子传输层320与所述有机发光层330之间,空穴阻挡层350可以有效阻挡有机发光二极管中多余的空穴,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,提高了出光效率。例如,所述有机薄膜结构300还包括空穴注入层340和空穴阻挡层350,所述空穴注入层340位于所述阳极层200与所述空穴传输层310之间,这样降低了空穴注入势垒高度,有效改善载流子注入效果,降低有机发光二极管的启亮电压,提高有机发光二极管的发光性能;所述空穴阻挡层350位于所述电子传输层320与所述有机发光层330之间,空穴阻挡层350可以有效阻挡有机发光二极管中多余的空穴,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,提高了出光效率。例如,空穴注入层340、空穴传输层310、电子阻挡层360、有机发光层330、空穴阻挡层350、电子传输层320依次设于阳极层200上,使有机薄膜结构300的结构较为紧凑。
如图1所示,在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构300还包括电子阻挡层360,所述电子阻挡层360位于所述有机发光层330与所述空穴传输层310之间,电子阻挡层360可以有效阻挡有机发光二极管中多余的电子,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,提高了出光效率。例如,所述有机薄膜结构300还包括电子阻挡层360和空穴注入层340,所述电子阻挡层360位于所述有机发光层330与所述空穴传输层310之间,电子阻挡层360可以有效阻挡有机发光二极管中多余的电子,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,提高了出光效率;所述空穴注入层340位于所述阳极层200与所述空穴传输层310之间,这样降低了空穴注入势垒高度,有效改善载流子注入效果,降低有机发光二极管的启亮电压,提高有机发光二极管的发光性能,提高了出光效率。
在其中一个实施例中,所述有机薄膜结构300还包括空穴阻挡层350和电子阻挡层360,所述空穴阻挡层350位于所述电子传输层320与所述有机发光层330之间,所述电子阻挡层360位于所述有机发光层330与所述空穴传输层310之间,空穴阻挡层350可以有效阻挡有机发光二极管中多余的空穴,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,电子阻挡层360可以有效阻挡有机发光二极管中多余的电子,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,提高了出光效率,从而提高了出光效率。例如,所述有机薄膜结构300还包括空穴阻挡层350、电子阻挡层360和空穴注入层340,所述空穴阻挡层350位于所述电子传输层320与所述有机发光层330之间,所述电子阻挡层360位于所述有机发光层330与所述空穴传输层310之间,空穴阻挡层350可以有效阻挡有机发光二极管中多余的空穴,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,电子阻挡层360可以有效阻挡有机发光二极管中多余的电子,从而平衡有机发光层330中的电子和空穴的浓度,使得电子和空穴的复合效率更高,提高了出光效率,从而提高了出光效率;所述空穴注入层340位于所述阳极层与所述空穴传输层310之间这样降低了空穴注入势垒高度,有效改善载流子注入效果,降低有机发光二极管的启亮电压,提高有机发光二极管的发光性能提高了出光效率。
在其中一个实施例中,所述第二凸起部520的横截面呈梯形状,梯形状的第二凸起部520使得缓冲层500成膜更加容易。在其他实施例中,所述第二凸起部520的横截面还可以呈三角形状、矩形或其他多边形状。
在其中一个实施例中,所述第二凸起部520的数目为多个,多个所述第二凸起部520等距间隔分布于所述缓冲层本体510上,这样可以周期性地增加光的出射角度分布。例如,多个所述第二凸起部520随机分布于所述缓冲层本体510上,这样可以随机增加光的出射角度分布。在其中一个实施例中,所述缓冲层本体510与所述第二凸起部520一体成型,这样使得缓冲层500的结构紧凑。例如,多个所述第二凸起部520的横截面可以呈梯形状、三角形状、矩形状和其他多边形状中的几种的组合。
在其中一个实施例中,所述第一凸起部420的横截面呈梯形状,梯形状的第一凸起部420使得阴极层400成膜更加容易。在其他实施例中,所述第一凸起部420的横截面还可以呈三角形状、五边形状或其他多边形状。在其中一个实施例中,所述第一凸起部420的数目为多个,多个所述第一凸起部420等距间隔分布于所述阴极层本体410上,这样可以周期性地增加从阴极层400进入缓冲层500的光的角度分布。例如,多个所述第一凸起部420随机分布于所述阴极层本体410上,这样可以随机增加从阴极层400进入缓冲层500的光的角度分布。例如,所述第一凸起部420与所述阴极层本体410一体成型,使阴极层400的结构较为紧凑。例如,多个所述第一凸起部420的横截面可以呈梯形状、三角形状、矩形状和其他多边形状中的几种的组合。
上述的有机发光二极管结构10,第一凸起部420位于阴极层本体410的背离有机薄膜结构300的一侧上,缓冲层本体510设置于阴极层本体410背离有机薄膜结构300的一侧上,缓冲层本体510邻近阴极层本体410的一侧形成有与第一凸起部420相适配的第一凹槽,即阴极层本体410与缓冲层本体510接触的一侧具有第一凸起部420,使得阴极层本体410与缓冲层本体510之间的界面的表面积增大,使得从有机薄膜结构300发出的光线经过阴极层本体410进入缓冲层本体510的光线增多,提高了有机发光二极管的出光效率;光线经过阴极层本体410与缓冲层本体510之间的界面时,由于界面凹凸不平整,如图2所示,使得与在界面平整处发生全反射的光线N平行的光线M通过第一凸起部420时不会发生全反射,而是折射进入缓冲层500,这样使得进入缓冲层500的光线更多,提高了有机发光二极管的出光效率。由于缓冲层本体510裸露于空气中的一侧具有第二凸起部520,使得缓冲层本体510与空气之间的界面的表面积大,使得经过缓冲层500的光线通过缓冲层500与空气之间的界面进入空气中的光线增多,提高了出光效率;光线经过缓冲层本体510与空气之间的界面时,由于界面凹凸不平整,如图3所示,使得与在界面平整处发生全反射的光线Q平行的光线P通过第二凸起部520时不会发生全反射,而是折射进入空气,破坏了全反射对出光的损耗,使得进入空气中的光线更多,提高了有机发光二极管的出光效率。此外,入射角较大的光线从阴极层本体410进入缓冲层本体510后,如图4所示,在阴极层本体410与缓冲层本体510之间的界面的第一凸起部420处反射后角度改变,入射角较大的光线从缓冲层本体510进入空气中后,如图5所示,在缓冲层本体510与空气之间的界面的第二凸起部520处反射后角度改变,扩大了光线射出的角度范围,增大了出光范围,提高了光的利用率。在需要有机发光二极管达到相同亮度时,上述的有机发光二极管增大了出光面积,提高了开口率,提高了有机发光二极管的出光效率,无需增大用于驱动有机发光二极管的驱动电流密度,使得有机发光二极管内产生的热量减少,从而使得有机发光二极管内部材料不易老化,从而提高了有机发光二极管器件的性能和使用寿命。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管结构,其特征在于,包括:
衬底基板,
阳极层,所述阳极层设置于所述衬底基板上;
有机薄膜结构,所述有机薄膜结构设置于所述阳极层的背离所述衬底基板的一侧,所述有机薄膜结构用于发光;
阴极层,所述阴极层包括相连接的阴极层本体和第一凸起部,所述阴极层本体设置于所述有机薄膜结构的背离所述阳极层的一侧,所述第一凸起部位于所述阴极层本体的背离所述有机薄膜结构的一侧;以及
缓冲层,所述缓冲层包括相连接的缓冲层本体和第二凸起部,所述缓冲层本体设置于所述阴极层本体背离所述有机薄膜结构的一侧,所述缓冲层本体背离所述阴极层本体的一侧裸露于空气中,所述第二凸起部位于所述缓冲层本体裸露于空气中的一侧上,所述缓冲层本体邻近所述阴极层本体的一侧形成有与所述第一凸起部相适配的第一凹槽;
所述衬底基板的与所述阳极层接触的一侧为凹凸不平整结构,所述阳极层、所述有机薄膜结构、所述阴极层和所述缓冲层依次设于所述衬底基板上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机薄膜结构包括空穴传输层、电子传输层以及位于所述空穴传输层和所述电子传输层之间的有机发光层,所述空穴传输层、所述电子传输层和所述有机发光层的表面均为非平面结构;所述有机发光层用于发光;
所述阳极层包括相连接的阳极层本体和阳极层凸起部,所述阳极层本体的背离所述阳极层凸起部的一侧与所述衬底基板连接,所述空穴传输层的邻近所述阳极层凸起部的一侧形成有与所述阳极层凸起部相适配的传输层凹槽,使得所述空穴传输层设置于所述阳极层上;
所述阴极层本体的邻近所述电子传输层的一侧形成有与所述电子传输层相适配的阴极层凹槽,使得所述阴极层本体设置于所述有机薄膜结构上。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机薄膜结构还包括空穴注入层,所述空穴注入层位于所述阳极与所述空穴传输层之间。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机薄膜结构还包括空穴阻挡层,所述空穴阻挡层位于所述空穴传输层与所述有机发光层之间。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机薄膜结构还包括电子阻挡层,所述电子阻挡层位于所述有机发光层与所述电子传输层之间。
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述第一凸起部的横截面呈梯形状。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述第一凸起部的数目为多个,多个所述第一凸起部等距间隔分布于所述阴极层本体上。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述缓冲层本体与所述第二凸起部一体成型。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述第二凸起部的横截面呈梯形状。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述第二凸起部的数目为多个,多个所述第二凸起部等距间隔分布于所述缓冲层本体上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711294821.0A CN108054288A (zh) | 2017-12-08 | 2017-12-08 | 有机发光二极管结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201711294821.0A CN108054288A (zh) | 2017-12-08 | 2017-12-08 | 有机发光二极管结构 |
Publications (1)
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---|---|
CN108054288A true CN108054288A (zh) | 2018-05-18 |
Family
ID=62123468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711294821.0A Pending CN108054288A (zh) | 2017-12-08 | 2017-12-08 | 有机发光二极管结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108054288A (zh) |
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