CN112563438A - 一种提升封装能力的oled结构和制备方法 - Google Patents
一种提升封装能力的oled结构和制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112563438A CN112563438A CN202011571945.0A CN202011571945A CN112563438A CN 112563438 A CN112563438 A CN 112563438A CN 202011571945 A CN202011571945 A CN 202011571945A CN 112563438 A CN112563438 A CN 112563438A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- concave
- convex
- encapsulation
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 198
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 43
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 14
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 27
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009459 flexible packaging Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 1
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明属于显示领域，提供了一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，以上各层基底的凹凸结构的凹凸方向相同。以基底构形为出发点，对OLED器件进行优化，凹凸构形可显著降低各膜层的表面应力，防止膜层的解体和滑移，使膜层更加稳定，增加器件的寿命，提升产品的良率水平；同时凹凸的表面构造，也可降低各有机层间的波导模式，减少了阴极表面的等离子模式，从而使OLED内部产生的光更多的发射出来，增大光取出效率。本发明还提供了一种制备提升封装能力的OLED结构的方法。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体而言，涉及到一种OLED结构及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管（OLED）具有低能耗、自发光、广视角等优异特性，在显示行业得到了广泛的应用，如OLED电视、平板电脑等，随着经济社会的需求以及科技的进步，OLED更向高清晰度、曲面化以及小尺寸发展。
为了OLED性能满足不同的需求，现有技术中通常在基底上层层沉积各功能膜层，但是往往各膜层表面应力较大，层膜数量越多，相互间的应力增加（可达500 Mpa以上），较大的应力会导致膜层易破裂解体，若此时膜层与膜层之间的结合力较弱，则会加速膜层的解体，增加封装难度，甚至导致封装失效，引入水汽和氧气，造成器件损坏和报废，影响产品的良率水平。
发明内容
为了解决现有技术的不足，本发明提供了一种膜层应力小结合力强、高封装能力且提高器件内部光取出效率的提升封装能力的OLED结构和制备方法。
一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
在一些较优的实施例中，所述凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1-10μm，凹陷部深度为1-10μm。
在一些较优的实施例中，所述阳极厚度为50-300 nm。
在一些较优的实施例中，所述阴极为金属层或金属合金层，所述厚度为10-150nm，所述阴极透光率不低于90%。
在一些较优的实施例中，所述复合有机层包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合层的厚度为100-400 nm。
在一些较优的实施例中，所述封装层为复合封装层，其厚度为100-1630 nm。
在一些较优的实施例中，所述复合封装层包括由金属氧化物封装层和无机硅化物封装层，所述金属氧化物封装层的厚度为20-130 nm，所述无机硅化物封装层厚度为80-1500 nm。
在一些较优的实施例中，所金属氧化物封装层包括氧化铝、氧化钛或氧化锆一种或几种，所述无机硅化物封装层氮化硅、氧化硅或碳化硅的一种。
一种提升封装能力的OLED结构的制备方法，包括如下步骤：
取基底，在其一面刻出凹凸纹路的表面构造形成基底凹凸结构；
在基底凹凸机构上溅射沉积形成阳极；
在阳极上依次沉积形成复合有机层和阴极；
在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层；
所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
在一些较优的实施例中，在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层的步骤为使金属氧化物的前驱体交替在阴极上吸附反应，形成多层金属氧化物封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，金属氧化物封装层上通过化学吸附反应沉积无机硅化物，形成一层无机硅化物封装层。
与现有技术相比，有以下的有益效果及优点：
本发明的基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、复合有机层、阴极以及封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同，以基底构形为出发点，对OLED器件进行优化，凹凸构形可显著降低各膜层的表面应力，防止膜层的解体和滑移，使膜层更加稳定，增加器件的寿命，提升产品的良率水平；同时凹凸的表面构造，也可降低各有机层间的波导模式，减少了阴极表面的等离子模式，从而使OLED内部产生的光更多的发射出来，增大光取出效率。
本发明提供了提升封装能力的OLED结构的制备方法，采用本发明形成的OLED结构封装能力提升，外量子效率提高。
附图说明
图1为本发明的基底表面剖面图；
图2为本发明的OLED结构剖面图；
图3为本发明的OLED制作流程示意图；
图4为封装能力测试对比图；
图5应力对比趋势对比图；
图6为外量子趋势对比图。
图中：1为基底、2为基底凹凸结构、3为阳极3、4为复合有机层、5为阴极、6为封装层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
请参阅图1和图2，一种提升封装能力的OLED结构，包括从上至下顺序层叠基底1、阳极3、复合有机层4、阴极5以及封装层6，所述基底与所述阳极3接触的一面设有基底凹凸结构2，所述阳极3、复合有机层4、金属阴极5以及封装层6均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
本发明中凹凸结构可以圆形、椭圆、圆弧、矩形、梯型及正多边形等规则形状也可以为或其他不规则形状，可以为周期性的也可以为非周期性的，所以凹凸结构的形状可选择性广泛，可以根据生产需求和制备工艺选择适用的凹凸结构。具体的，凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1-10μm，凹陷部深度为1-10μm。减少内部应力，保证水氧阻隔力。
具体的，所述阳极3厚度为50-300 nm。提高韧性，保证基本凹凸结构不断裂，该阳极3膜为非透明的，具有较高的光反射效率和抗腐蚀能力，可以让光尽可能的从阴极侧（显示侧）发出，增强产品的亮度。
具体的，所述阴极5为金属层或金属合金层，所述厚度为10-150 nm，所述阴极透光率不低于90%，光学传递效果好，同时释放应力。
更具体的，复合有机层4包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合层的厚度为100-400 nm。
具体的，所述封装层6为复合封装层，其厚度为100-1630 nm，保证封装能力。
具体的，所述复合封装层6包括由金属氧化物封装层和无机硅化物封装层，所述金属氧化物封装层的厚度为20-130 nm，所述无机硅化物封装层厚度为80-1500 nm。进一步提高封装膜的抗弯折力。
具体的，所金属氧化物封装层包括氧化铝、氧化钛或氧化锆一种或几种，所述无机硅化物封装层氮化硅、氧化硅或碳化硅的一种。更进一步隔绝水氧。
本发明以上结构方式，以基底构形为出发点，对OLED器件进行优化，凹凸构形可显著降低各膜层的表面应力，防止膜层的解体和滑移，使膜层更加稳定，增加器件的寿命，提升产品的良率水平；同时凹凸的表面构造，也可降低各有机层间的波导模式，减少了阴极5表面的等离子模式，从而使OLED内部产生的光更多的发射出来，增大光取出效率。
实施例1
请参阅图3，取基底1在真空反应腔室中配合13.56 MHz的等离子体射频源，采用C4F8和SF6交替钝化和蚀刻的方式，在其一面蚀刻出凹凸纹路的表面构造形成基底凹凸结构2凸起部高度为6μm，凹陷部深度为 5μm，当然除了采用实施例中的蚀刻方式，还可以采用如光刻等刻蚀方式，不以本实施例为限制。
控制真空度为1×10-5 Pa，蒸发温度为1300 ℃，在基底凹凸面上制备厚度220 nm的铝阳极3。该阳极3为非透明金属，具有较高的光反射效率和抗腐蚀能力，提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。
保持真空度为1×10-5 Pa以下，在铝阳极3表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以形成复合层6（图中未示出），其中，不同层根据材料不同设定蒸发温度，总体温度控制在350 ℃以下，通过蒸发时间调节各层的厚度，以使得复合层6总厚度为300 nm，只需通过调节蒸发温度和时间，即可完成复合层6各个功能层的制备。
继续在复合层6表面真空蒸镀Ag阴极5，其厚度为30 nm，此时阴极5轻薄，透光率达到90%以上，进一步提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。
在100 ℃以内的条件下，采用热法的方式，使氧化铝的前驱体交替在Ag阴极5上进行吸附反应，形成数层氧化铝封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，氧化铝封装层上通过吸附化学前驱体反应沉积无机氮化硅，最终再形成一层无机氮化硅封装层，氧化铝封装层的厚度为60 nm，氮化硅封装层厚度为650 nm，相比较于普通的单一或非凹凸结构的封装层，凹凸结构搭配复合封装层6，其应力大大的降低（如图4），较低的应力可以应对反复的弯绕，具有使用在有柔性及可反复弯绕需求产品上的潜力，且封装阻隔能力更强（如图5）。
可以理解的是，本发明的OLED结构的制备方法并不局限于上述方法，还可以是本领域技术人员认为合适的其它方法，只要能形成各层的凹凸结构即可。
以上各层的凹凸结构为周期性凹凸结构，使得OLED结构获得更多的光角度，举例而言，以上各层凹凸结构可以如图2所示均为弧度一致周期性半圆弧结构，也可以为，制备的每一层的均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同，使得制备过程中各工序后形成的膜层结构稳定，防止下一工序时发生膜层的滑移或剥离现象，提高后续工艺的制程良率，从而提高整个产品的优品率。
实施例2
请参阅图3，取基底在真空反应腔室中配合13.56 MHz的等离子体射频源，采用C4F8和SF6交替钝化和蚀刻的方式，在其一面蚀刻出凹凸纹路的表面构造形成基底凹凸结构2，凸起部高度为1μm，凹陷部深度为10μm。
控制真空度为1 Pa以下，采用氩气和氧气作为工艺气体，具体的氩气流量为50sccm，氧气流量为0.7 sccm，磁控溅射，在基底凹凸面上制备钛阳极3，厚度为100 nm，该阳极3为非透明金属，具有较高的光反射效率和抗腐蚀能力，将低发光层的，提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度保持真空度为1×10-5 Pa以下，在铝阳极3表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以形成复合层6，其中，不同层根据材料不同设定蒸发温度，总体温度控制在350 ℃以下，通过蒸发时间调节各层的厚度，以使得复合层6总厚度为300 nm，只需通过调节蒸发温度和时间，即可完成复合层6各个功能层的制备，工艺流程简单易控制。
继续在复合层6表面真空蒸镀Li阴极5，其厚度为30 nm，此时阴极5轻薄，透光率达到90%以上，进一步提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。
在100 ℃以内的条件下，采用热法的方式，使氧化铝的前驱体交替在Ag阴极5上进行吸附反应，形成数层氧化铝封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，氧化铝封装层上通过吸附化学前驱体反应沉积氮化硅，最终再形成一层封装层6，氧化铝封装层的厚度为60nm，氮化硅封装层厚度650 nm。
以上各层的凹凸结构为周期性凹凸结构，使得OLED结构获得更多的光角度，举例而言，以上各层凹凸结构可以如图2所示均为弧度一致周期性半圆弧结构，制备的每一层的均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同，使得制备过程中各工序后形成的膜层结构稳定，防止下一工序时发生膜层的滑移或剥离现象，提高后续工艺的制程良率，从而提高整个产品的优品率。
实施例3
请参阅图3，取基底在真空反应腔室中配合13.56 MHz的等离子体射频源，在其一面蚀刻出凹凸纹路的表面构造形成基底凹凸结构2凸起部高度为10μm，凹陷部深度为1μm。
控制真空度为1×10-5 Pa，蒸发温度为1300 ℃，在基底凹凸面上制备厚度220 nm的铝阳极3。该阳极3为非透明金属，具有较高的光反射效率和抗腐蚀能力，将低发光层的，提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。
保持真空度为1×10-5 Pa以下，在铝阳极3表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以形成复合层6，其中，不同层根据材料不同设定蒸发温度，总体温度控制在350 ℃以下，通过蒸发时间调节各层的厚度，以使得复合层6总厚度为300 nm，只需通过调节蒸发温度和时间，即可完成复合层6各个功能层的制备。
继续在复合层6表面真空蒸镀Li和AL合金阴极5，其厚度为30 nm，此时阴极5轻薄，透光率达到90%以上，进一步提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。以上实施例中复合金属阴极5仅为优秀实施例，当然阴极5还可以满足透光率的其他一种或者多种金属的合金。
在100 ℃以内的条件下，采用热法的方式，使氧化铝的前驱体交替在Ag阴极5上进行吸附反应，形成数层氧化铝封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，氧化铝封装层上通过吸附化学前驱体反应沉积氮化硅，最终再形成一层生氮化硅封装层，氧化铝封装层的厚度为60 nm，氮化硅封装层厚度为650 nm
以上各层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同的凹凸结构，可以周期性结构，当然也可以为非周期结构，凹凸结构，各个凸峰部和凹峰部中心对称，膜层结构更稳定，光取出效率更高。
对比例1
取基底，控制真空度为1×10-5 Pa，蒸发温度为1300 ℃，在基底面上制备厚度220nm的铝阳极3。
保持真空度为1×10-5 Pa以下，在铝阳极3表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以形成复合层，其中，不同层根据材料不同设定蒸发温度，总体温度控制在350 ℃以下，通过蒸发时间调节各层的厚度，以使得复合层总厚度为300 nm，只需通过调节蒸发温度和时间，即可完成复合层各个功能层的制备。
继续在复合层表面真空蒸镀Ag阴极5，其厚度为30 nm，此时阴极轻薄，透光率达到90%以上，进一步提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。
在100 ℃以内的条件下，采用热法的方式，使氧化铝的前驱体交替在Ag阴极上进行吸附反应，形成数层氧化铝封装层，氧化铝封装层的厚度为60 nm，为保证对比实验的统一性，通过多次循环的方式，使总的氧化铝封装层厚度达到“实施例一”的710 nm。
以上为普通的非凹凸结构的单一氧化铝封装OLED结构制作的工艺流程。
对比例2
取基底，控制真空度为1×10-5 Pa，蒸发温度为1300 ℃，在基底凹凸面上制备厚度220 nm的铝阳极,该阳极为非透明金属，具有较高的光反射效率和抗腐蚀能力，提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。
保持真空度为1×10-5 Pa以下，在铝阳极表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以形成复合层，其中，不同层根据材料不同设定蒸发温度，总体温度控制在350 ℃以下，通过蒸发时间调节各层的厚度，以使得复合层总厚度为300nm，只需通过调节蒸发温度和时间，即可完成复合层各个功能层的制备。
继续在复合层表面真空蒸镀Ag阴极，其厚度为30nm，此时阴极轻薄，透光率达到90%以上，进一步提高OLED结构的光提取效率，增强产品的亮度。
在100 ℃以内的条件下，采用热法的方式，使氧化铝的前驱体交替在Ag阴极上进行吸附反应，形成数层氧化铝封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，氧化铝封装层上通过吸附化学前驱体反应沉积无机氮化硅，最终再形成一层生无机氮化硅封装层，氧化铝封装层的厚度为60 nm，氮化硅封装层厚度为650nm，使总的氧化铝封装层厚度达到“实施例一”的710 nm。
以上为非凹凸结构的复合封装OLED结构制作的工艺流程。
具体的，通过实施例1方式制备的OLED器件，进行表面应力、封装能力（采用高温/高湿的方式评价，具体的条件为85% RH湿度和85 ℃条件下放置，判定失效时的时间长短，时间越长则说明封装效果越好）、外量子效率测试。结果显示，相比于一般（对比例1、2）的技术方案，实施例1（包含凹凸结构的复合封装OLED器件结构）的表面应力降低至100 Mpa以内（如下图4所示，以“对比例”1、2和实施例1的应力比例计算），封装能力提升100 h以上（如下图5所示，以“对比例2”封装效果为100%比例计算），外量子效率提高了5%（如下图6所示，以“对比例2”外量子效率为100%比例计算）左右。
这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上诉实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的实际替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其他形式、结构、布置、比例，以及用其他元件、材料、和部件来实现。在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其他变形和改变。
Claims (10)
1.一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，包括从上至下顺序层叠的基底、阳极、复合有机层、阴极以及封装层，所述基底与所述阳极接触的一面设有基底凹凸结构，所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
2.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述凹凸结构为周期性结构，凸起部高度为1-10μm，凹陷部深度为1-10μm。
3.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述阳极厚度为50-300 nm。
4.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述阴极为金属层或金属合金层，所述厚度为10-150 nm，所述阴极透光率不低于90%。
5.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述复合有机层包括真空蒸镀形成背离所述基底方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述复合层的厚度为100-400 nm。
6.根据权利要求1所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述封装层为复合封装层，其厚度为100-1630 nm。
7.根据权利要求6所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所述复合封装层包括由金属氧化物封装层和无机硅化物封装层，所述金属氧化物封装层的厚度为20-130nm，所述无机硅化物封装层厚度为80-1500 nm。
8.根据权利要求7所述的一种提升封装能力的OLED结构，其特征在于，所金属氧化物封装层包括氧化铝、氧化钛或氧化锆一种或几种，所述无机硅化物封装层氮化硅、氧化硅或碳化硅的一种。
9.一种提升封装能力的OLED结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：取基底，在其一面刻出凹凸纹路的表面构造形成基底凹凸结构；
在基底凹凸机构上溅射沉积形成阳极；
在阳极上依次沉积形成复合有机层和阴极；
在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层；
所述阳极、所述复合有机层、所述阴极以及所述封装层均为凹凸结构层，且与所述基底的凹凸结构的凹凸方向相同。
10.根据权利要求9所述的一种提升封装能力的OLED结构的制备方法，其特征在于，在阴极层上用原子沉积法与化学气相沉积法交替形成封装层的步骤为使金属氧化物的前驱体交替在阴极上吸附反应，形成多层金属氧化物封装层，采用低温等离子体增强化学沉积法，金属氧化物封装层上通过化学吸附反应沉积无机硅化物，形成一层无机硅化物封装层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011571945.0A CN112563438A (zh) | 2020-12-27 | 2020-12-27 | 一种提升封装能力的oled结构和制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011571945.0A CN112563438A (zh) | 2020-12-27 | 2020-12-27 | 一种提升封装能力的oled结构和制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112563438A true CN112563438A (zh) | 2021-03-26 |
Family
ID=75033410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011571945.0A Pending CN112563438A (zh) | 2020-12-27 | 2020-12-27 | 一种提升封装能力的oled结构和制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112563438A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103765987A (zh) * | 2011-07-01 | 2014-04-30 | 王子控股株式会社 | 有机发光二极管的制造方法、有机发光二极管、图像显示装置、照明装置以及基板 |
| CN106654051A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-05-10 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 一种具有光取出结构的oled和oled灯具 |
| CN108054288A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-18 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光二极管结构 |
| CN109309169A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
| CN110277354A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 深圳先进技术研究院 | 一种抗拉应力作用的封装组件及其制备方法 |
| CN110581225A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-12-17 | 湖畔光电科技（江苏）有限公司 | 一种oled结构及其制作方法 |
| CN213692101U (zh) * | 2020-12-27 | 2021-07-13 | 湖畔光电科技（江苏）有限公司 | 一种提升封装能力的oled结构 |
-
2020
- 2020-12-27 CN CN202011571945.0A patent/CN112563438A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103765987A (zh) * | 2011-07-01 | 2014-04-30 | 王子控股株式会社 | 有机发光二极管的制造方法、有机发光二极管、图像显示装置、照明装置以及基板 |
| CN106654051A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-05-10 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 一种具有光取出结构的oled和oled灯具 |
| CN109309169A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
| CN108054288A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-18 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光二极管结构 |
| CN110277354A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 深圳先进技术研究院 | 一种抗拉应力作用的封装组件及其制备方法 |
| CN110581225A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-12-17 | 湖畔光电科技（江苏）有限公司 | 一种oled结构及其制作方法 |
| CN213692101U (zh) * | 2020-12-27 | 2021-07-13 | 湖畔光电科技（江苏）有限公司 | 一种提升封装能力的oled结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI538187B (zh) | 有機發光二極體顯示器及製造其之方法 | |
| CN100563037C (zh) | 一种发光二极管芯片及其制造方法 | |
| TW200913344A (en) | Method for applying a thin-film encapsulation layer assembly to an organic device, and an organic device provided with a thin-film encapsulation layer assembly preferably applied with such a method | |
| CN108630822B (zh) | 一种顶发射oled器件的组件和顶发射oled器件 | |
| US8038494B2 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| WO2015096351A1 (zh) | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
| US20220209065A1 (en) | Micro-sized face-up led device with micro-hole array and preparation method thereof | |
| CN109888116A (zh) | 一种高稳定性的oled器件及其制备方法 | |
| US20140030830A1 (en) | Method of fabricating organic light emitting device | |
| CN102064245A (zh) | 发光二极管制造方法 | |
| TWI580686B (zh) | 一種有機電致發光元件及其製備方法 | |
| CN104362240A (zh) | 一种LED芯片的Al2O3/SiON钝化层结构及其生长方法 | |
| CN112968100A (zh) | 一种发光器件、制备方法及电子设备 | |
| US20210367206A1 (en) | Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing thereof | |
| CN103066173A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制备方法 | |
| EP2721651B1 (en) | Method for forming current diffusion layer in semiconductor light emitting device and method for fabricating semiconductor light emitting device | |
| CN112563438A (zh) | 一种提升封装能力的oled结构和制备方法 | |
| CN213692101U (zh) | 一种提升封装能力的oled结构 | |
| CN109301081B (zh) | 用于oled蒸镀的荫罩及其制作方法、oled面板的制作方法 | |
| CN204118111U (zh) | 一种LED芯片的Al2O3/SiON钝化层结构 | |
| WO2024103751A1 (zh) | 显示面板 | |
| CN110246934B (zh) | 发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 | |
| CN202957284U (zh) | 用于制备led倒装芯片的图形化衬底 | |
| CN110444641B (zh) | 一种高亮度图形化复合衬底及其制作方法 | |
| CN110429161B (zh) | 光学增透结构及底发射型电致发光器件和制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |