CN108010920A - 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置，显示面板包括显示区和非显示区，显示区包括异形区域和非异形区域；显示面板还包括位于非显示区的栅极驱动电路，栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器，每个移位寄存器包括由至少一个输出薄膜晶体管构成的输出电路，每个移位寄存器通过输出电路与一条扫描线电连接；输出电路至少包括第一类输出电路和第二类输出电路，第一类输出电路与非异形区域中的扫描线电连接，第二类输出电路与异形区域中的扫描线电连接，第二类输出电路中至少部分输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率与第一类输出电路中输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率不同。本发明以实现显示面板和显示装置显示均匀。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置。
背景技术
平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置和有机发光显示装置等。平板显示装置中其显示功能的主要为显示面板，对应地，显示面板主要包括液晶显示面板和有机发光显示面板。
随着科技的发展，用户和技术人员越来越希望显示面板具有更大的屏占比，理想的情况下是实现全面屏，全面屏从字面上解释就是显示装置(例如手机)的正面全部都是屏幕。虽然由于受限于目前的技术很难做到全面屏，但是尽可能地增加屏占比是可以做到的。
增加屏占比的结果是，使得显示面板的显示区变得不规则(包括不规则显示区的显示面板一般称为异形面板)，如果还采用现有技术中的移位寄存器为异形面板的显示区中的每一行均输入相同强度的扫描信号，则会造成异形面板显示不均的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置，以实现显示面板和显示装置显示均匀。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括异形区域和非异形区域；
所述显示面板包括基板和位于所述基板一侧的多条扫描线和多条数据线；所述多条数据线沿第一方向排列，所述多条扫描线沿第二方向排列，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉出多个子像素，所述第一方向和所述第二方向交叉；沿所述第一方向上，一排中的所述子像素称为一行子像素；沿所述第二方向上，任意两行的所述非异形区中子像素的个数相等，任一行所述异形区域中子像素的个数与一行所述非异形区域中子像素的个数不等；
所述显示面板还包括位于所述非显示区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器，每个所述移位寄存器包括由至少一个输出薄膜晶体管构成的输出电路，每个所述移位寄存器通过所述输出电路与一条所述扫描线电连接；所述输出薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，所述半导体层包括沟道区和重掺杂区；
所述输出电路至少包括第一类输出电路和第二类输出电路，所述第一类输出电路与所述非异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路与所述异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路中至少部分所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率与所述第一类输出电路中所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率不同。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，包括：
提供一基板；
在所述基板一侧形成栅极驱动电路；
其中，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括异形区域和非异形区域；所述显示面板包括多条扫描线和多条数据线；所述多条数据线沿第一方向排列，所述多条扫描线沿第二方向排列，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉出多个子像素，所述第一方向和所述第二方向交叉；沿所述第一方向上，一排中的所述子像素称为一行子像素；沿所述第二方向上，任意两行的所述非异形区中子像素的个数相等，任一行所述异形区域中子像素的个数与一行所述非异形区域中子像素的个数不等；所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器，每个所述移位寄存器包括由至少一个输出薄膜晶体管构成的输出电路，每个所述移位寄存器通过所述输出电路与一条所述扫描线电连接；所述输出薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，所述半导体层包括沟道区和重掺杂区；所述输出电路至少包括第一类输出电路和第二类输出电路，所述第一类输出电路与所述非异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路与所述异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路中至少部分所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率与所述第一类输出电路中所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率不同。
第三方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供一种显示面板，显示面板的显示区包括异形区和非异形区，非异形区为规则区域，非异形区构成了显示区的主要部分，非异形区中各行具有相同的子像素个数，异形区为不规则区域，这里的不规则是相对于非异形区来说，异形区中的任意一行具有的子像素个数与非异形区中任意一行具有的子像素个数不同，异形区中各行具有的子像素个数可以相同也可以不同，异形区中各行具有的子像素个数可以根据需要进行相应的设计。一般而言，每一根扫描线电连接至栅极驱动电路中的一个移位寄存器。每个移位寄存器包括输出电路，输出电路由一个或多个输出薄膜晶体管构成，输出电路的输出能力决定了移位寄存器的驱动能力。因此本发明实施例通过设置具有不同载流子迁移率的输出薄膜晶体管来得到不同输出能力的输出电路，通过设置不同输出能力的输出电路，使相应输出能力的输出电路与相应个数子像素相对应，以实现显示面板和显示装置显示均匀。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构简化图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种移位寄存器的电路图；
图4为本发明实施例提供的一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种晶粒尺寸随激光能量密度变化的实验数据图；
图12为本发明实施例提供的一种显示面板的部分结构的制作示意图；
图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的部分结构的制作示意图；
图14为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构简化图，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图3为本发明实施例提供的一种移位寄存器的电路图，图4为本发明实施例提供的一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图，结合图1、图2、图3和图4所示，显示面板包括显示区110和非显示区120，显示区110包括异形区域111和非异形区域112。相对于现有技术中仅包括非异形区112的显示面板，本发明实施例增加了异形区域111，从而增加了屏占比。显示面板包括基板10和位于基板10一侧的多条扫描线21和多条数据线22，多条数据线22沿第二方向延伸并沿第一方向排列，多条扫描线21沿第一方向延伸并沿第二方向排列，多条数据线22与多条扫描线21交叉出多个子像素23，第一方向和第二方向交叉。沿第一方向上，一排中的子像素23称为一行子像素23，(第一方向称为行，第二方向称为列)。沿第二方向上，任意两行的非异形区域112中子像素23的个数相等，任一行异形区域111中子像素23的个数与一行非异形区域112中子像素23的个数不等。需要说明的是，图2中所示仅为一种示例，具体为：非异形区域112中一行包括7个子像素23，异形区域111的一行包括6个子像素23，并非对本发明的限定。
显示面板还包括位于非显示区120的栅极驱动电路30，图2中示例性地在显示面板的相对两侧分别设置两个栅极驱动电路30，在其他实施方式中，还可设置一个栅极驱动电路30，本发明对此不做限定。栅极驱动电路30包括多个级联的移位寄存器40，每个移位寄存器40包括由至少一个输出薄膜晶体管60构成的输出电路50，每个移位寄存器40通过输出电路50与一条扫描线21电连接，移位寄存器40为扫描线21提供的扫描信号也是通过位于移位寄存器40内部的输出电路50来产生。参考图3，本发明实施例提供一种移位寄存器40包括第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2、第三晶体管Tr3、第四晶体管Tr4、第五晶体管Tr5、第六晶体管Tr6、第七晶体管Tr7、第八晶体管Tr8、第一电容C1和第二电容C2。其中第五晶体管Tr5和第六晶体管Tr6为移位寄存器的输出晶体管，第五晶体管Tr5和第六晶体管Tr6根据其栅极的电压导通或者关断，第五晶体管Tr5导通时，将电源电压信号输入端VGL输入的信号传输至移位寄存器的输出端，第六晶体管Tr6导通时，将时钟信号输入端CKV2输入的信号传输至移位寄存器的输出端。为了方便，将第五晶体管Tr5和第六晶体管Tr6统称为输出薄膜晶体管60，第五晶体管Tr5和第六晶体管Tr6共同组成了栅极驱动电路30中移位寄存器40的输出电路50，第五晶体管Tr5和第六晶体管Tr6的输出电压/电流的大小决定了输出端GOUT的输出电压/电流的大小，即决定了移位寄存器40的驱动能力。需要说明的是，图3中所示移位寄存器40的电路图中，输出电路50包括两个输出薄膜晶体管60仅为一种示例，并非对本发明的限定，在其他实施方式中输出电路50可以包括一个或多于两个输出薄膜晶体管60。
参考图3和图4，输出薄膜晶体管60包括半导体层613、栅极615、源极616和漏极617，半导体层613包括沟道区611和重掺杂区612，源极616和漏极617分别和位于沟道区611两端的重掺杂区612电连接。图4中所示输出薄膜晶体管60为顶栅结构的薄膜晶体管，在其他实施方式中，输出薄膜晶体管60也可以为底栅结构的薄膜晶体管。
示例性地，参考图1和图2，为了清晰起见，将特定的移位寄存器40称为第一个移位寄存器41和第二个移位寄存器42。第一个移位寄存器41中包括第一类输出电路，第一类输出电路与非异形区域112中的扫描线21电连接，第一个移位寄存器41通过第一类输出电路驱动7个子像素23；第二个移位寄存器42中包括第二类输出电路，第二类输出电路与异形区域111中的扫描线21电连接，第二个移位寄存器42通过第二类输出电路驱动6个子像素23。由于第二个移位寄存器42比第一个移位寄存器41需要驱动的子像素23个数少，因此可以将第二个移位寄存器42的驱动能力设置为小于第一个移位寄存器41的驱动能力，即，第二类输出电路的输出能力比第一类输出电路弱，以使移位寄存器的驱动能力和其驱动的子像素23个数相一致，从而实现均匀显示。本发明实施例中，设置第二类输出电路中至少部分输出薄膜晶体管60的半导体层613的载流子迁移率小于第一类输出电路中输出薄膜晶体管60的半导体层613的载流子迁移率。需要说明的是，在其他实施方式中，在异形区域111中一行子像素23个数多于非异形区域112中一行子像素23个数的情况下，还可以设置第二类输出电路中至少部分输出薄膜晶体管60的半导体层613的载流子迁移率大于第一类输出电路中输出薄膜晶体管60的半导体层613的载流子迁移率，且可以根据一行子像素23个数的具体情况，相应地设置多种类型的输出电路60。
本发明实施例提供一种显示面板，其可以为液晶显示面板、有机发光显示面板等常见的面板，显示面板的显示区包括异形区和非异形区，非异形区为规则区域，非异形区构成了显示区的主要部分，非异形区中各行具有相同的子像素个数，异形区为不规则区域，这里的不规则是相对于非异形区来说，异形区中的任意一行具有的子像素个数与非异形区中任意一行具有的子像素个数不同，异形区中各行具有的子像素个数可以相同也可以不同，异形区中各行具有的子像素个数可以根据需要进行相应的设计。一般而言，每一根扫描线电连接至栅极驱动电路中的一个移位寄存器。每个移位寄存器包括输出电路，输出电路由一个或多个输出薄膜晶体管构成，输出电路的输出能力决定了移位寄存器的驱动能力。因此本发明实施例通过设置具有不同载流子迁移率的输出薄膜晶体管来得到不同输出能力的输出电路，通过设置不同输出能力的输出电路，使相应输出能力的输出电路与相应个数子像素相对应，以实现显示面板显示均匀。
另外，对于有机发光显示面板而言，每个子像素包括驱动薄膜晶体管和发光结构，一行子像素通过其驱动薄膜晶体管的栅极电连接至同一根扫描线，一列子像素通过其驱动薄膜晶体管的源极/漏极电连接至同一根数据线。由于有机发光显示面板采用的是电流驱动，其相对于电压驱动的液晶显示面板来说，更容易因驱动子像素个数的不同而产生显示不均，故而本发明实施例提供的显示面板尤其适用于有机发光显示面板。
由上述介绍可知，异形面板(包括不规则显示区的显示面板)的不同显示区域需要不同驱动能力的移位寄存器与之相匹配，而移位寄存器的驱动能力可以通过其输出电路来调节，输出电路包括至少一个输出薄膜晶体管，所以在不改变原有输出电路的基础上，可以仅通过改变输出薄膜晶体管的类型来满足要求。一种实现方式可以是，每种类型的输出电路中，所有的输出薄膜晶体管为同一类型，而不同类型的输出电路中具有不同类型的输出薄膜晶体管，这里不同类型的输出薄膜晶体管指的是具有不同载流子迁移率半导体层的输出薄膜晶体管；另一种实现方式可以是，每种类型的输出电路中包括多种类型的输出薄膜晶体管，而不同类型的输出电路中多种类型的输出薄膜晶体管的(个数)比例关系不同。输出薄膜晶体管至少包括第一类输出薄膜晶体管和第二类输出薄膜晶体管，第一类输出电路包括至少一个第一类输出薄膜晶体管，第二类输出电路包括至少一个第二类输出薄膜晶体管，第一类输出薄膜晶体管中半导体层的载流子迁移率与第二类输出薄膜晶体管中半导体层的载流子迁移率不同，图4中所示为第一类输出薄膜晶体管，第一类输出薄膜晶体管中，沟道区611包括第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111。多晶硅的晶粒尺寸指的是晶粒大小的尺度(即，统计学意义上的不同晶粒大小的统计均值，一般表征单位体积或单位面积中的晶粒数目)。下面就一些典型的第二类输出薄膜晶体管给出示例。
图5为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图，如图5所示，第二类输出薄膜晶体管还包括至少一个晶化金属层618，一个第二类输出薄膜晶体管可以包括多个分立的晶化金属层618，多个晶化金属层618在基板10的垂直投影位于沟道区611在基板10的垂直投影内。沟道区611与晶化金属层618重叠的部分为非晶硅半导体层6110(与晶化金属层618重叠的部分由于未受到激光照射而未被晶化)，沟道区611与晶化金属层不交叠的部分为第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111。由于非晶硅半导体层6110的载流子迁移率小于第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111的载流子迁移率，因此本发明实施例中，第一类输出薄膜晶体管中半导体层613(包括沟道区611和重掺杂区612，沟道区611包括第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111)的载流子迁移率大于第二类输出薄膜晶体管中半导体层613(包括沟道区611和重掺杂区612，沟道区611包括第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111和非晶硅半导体层6110)的载流子迁移率。需要说明的是，在晶化的过程中，激光从基板10设置有半导体层的一侧射入，晶化金属层618挡住了激光，因此，位于晶化金属层618正下方的半导体层未被晶化。
可选地，参考图5，晶化金属层618可以位于栅极615与沟道区611之间。晶化金属层618具有遮光作用，其在非晶硅晶化为多晶硅时起到掩膜的作用，而在形成输出薄膜晶体管60后晶化金属层618可以防止源漏极一侧的杂散光照射到沟道区611，从而保证了第二类输出薄膜晶体管的工作稳定性。
图6为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图，与图5不同的是，晶化金属层和沟道区之间无绝缘层，如图6所示，第二类输出薄膜晶体管中，晶化金属层618与沟道区611直接接触。沟道区611虽然也包括非晶硅半导体层6110和第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111，但是本发明实施例中的第二类输出薄膜晶体管在工作时，载流子(电子和/或空穴)通过多晶硅半导体层6111后，通过的是晶化金属层618，而不是非晶硅半导体层6110。晶化金属层618的电导率大于非晶硅以及多晶硅的电导率，因此本发明实施例中，第一类输出薄膜晶体管中半导体层613的载流子迁移率小于第二类输出薄膜晶体管中半导体层613的载流子迁移率。
本发明实施例中与沟道区611直接接触的晶化金属层618还可以位于基板10和沟道区611之间。图7为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图，与图5不同的是，晶化金属层位于基板与沟道区之间，如图7所示，晶化金属层618位于基板10与沟道区611之间，沟道区611与晶化金属层618重叠的部分为第二晶粒尺寸的多晶硅半导体层6112，沟道区611中与晶化金属层618不交叠的部分为第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111，晶化金属层618在非晶硅晶化为多晶硅时具有导热的作用，减小了用于晶化的温度，从而在沟道区611与晶化金属层618(相当于掩膜)重叠的部分最终形成了第二晶粒尺寸的多晶硅半导体层6112，而在形成输出薄膜晶体管60后晶化金属层618可以防止基板10一侧的杂散光照射到沟道区611，从而保证了第二类输出薄膜晶体管的工作稳定性。
图8为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图，与图5不同的是，一个第二类输出薄膜晶体管包括一个晶化金属层，如图8所示，一个第二类输出薄膜晶体管包括一个晶化金属层618，图8中所示第二类输出薄膜晶体管的沟道区611仅包括非晶硅半导体层6110。沟道区611在基板10的垂直投影位于晶化金属层618在基板10的垂直投影内，因此晶化金属层618可以完全阻挡从源漏极一侧的杂散光照射到沟道区611，进一步地保证了第二类输出薄膜晶体管的工作稳定性。
图9为本发明实施例提供的另一种输出薄膜晶体管的剖面结构示意图，与图7不同的是，一个第二类输出薄膜晶体管包括一个晶化金属层，如图9所示，一个第二类输出薄膜晶体管包括一个晶化金属层618，图9中所示第二类输出薄膜晶体管的沟道区611仅包括第二晶粒尺寸的多晶硅半导体层6112。沟道区611在基板10的垂直投影位于晶化金属层618在基板10的垂直投影内，因此晶化金属层618可以完全阻挡从基板10一侧的杂散光照射到沟道区611，进一步地保证了第二类输出薄膜晶体管的工作稳定性。
需要说明的是，图2中所示显示面板的俯视图为一种简化示意图，图2中仅示意性地在异形区给出了一行子像素，可以理解的是，异形区还可以包括多行子像素，且在多行子像素中如果存在两行子像素个数不同，也可以根据本发明的发明构思，通过设置具有不同载流子迁移率的输出薄膜晶体管来得到不同输出能力的输出电路，通过设置不同输出能力的输出电路，使相应输出能力的输出电路与相应个数子像素相对应，以实现显示面板显示均匀。图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图，参考图1和图10所示，为了清晰起见，将特定的移位寄存器40称为第三个移位寄存器43、第四个移位寄存器44和第五个移位寄存器45。第三个移位寄存器43中包括第三类输出电路，第三类输出电路与非异形区域112中的扫描线21电连接，第三个移位寄存器43通过第三类输出电路驱动4个子像素23；第四个移位寄存器44中包括第四类输出电路，第四类输出电路与异形区域111中的扫描线21电连接，第四个移位寄存器44通过第四类输出电路驱动5个子像素23；第五个移位寄存器45中包括第五类输出电路，第五类输出电路与异形区域111中的扫描线21电连接，第五个移位寄存器45通过第五类输出电路驱动6个子像素23。第三类输出电路、第四类输出电路与第五类输出电路相互两者之间具有不同的输出能力，且每一输出电路的输出能力与其驱动的子像素个数相适配。示例性地，同时参考图5，此三种类型的输出电路中，都采用如图5中所示的第二类输出薄膜晶体管，不同的是，不同类型的输出电路中具有不同类型的第二类输出薄膜晶体管。第三类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率小于第四类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率，第四类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率小于第五类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率。可选地，令沟道区611中第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111与非晶硅半导体层6110的长度(长度方向为源极指向漏极的方向)比值，相应于第三类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管为H3，相应于第四类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管为H4，相应于第五类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管为H5，则可以设置H3＜H4＜H5。
在上述各实施例的基础上，可选地，第一类输出电路和第二类输出电路具有相同的电路结构，例如，第一类输出电路和第二类输出电路均采用如图3所示的电路结构，第一类输出电路和第二类输出电路中所有输出薄膜晶体管的半导体层的长度、宽度以及厚度相同，半导体层的长度指的是半导体层上任意两点沿源极指向漏极方向上的最远距离，半导体层的宽度指的是半导体层上任意两点沿垂直于源极指向漏极方向上的最远距离，半导体层的厚度指的是半导体层沿垂直于基板所在平面方向上的长度。其中，不同的输出薄膜晶体管的半导体层分立，任意两个输出薄膜晶体管的半导体层不相互接触，所有离散的半导体层可以位于同一膜层。需要说明的是，由于在实际产品中，无法做到完全地相同，因此这里的“A与B相同”指的是A与B的数值非常接近，且A与B的差值或比值小于设定阈值。
一般情况下，可以使用准分子激光源照射非晶硅，非晶硅吸收准分子激光源发出的准分子激光后，就会变成多晶硅。经研究发现，在相同的激光能量密度下，不同厚度的非晶硅半导体层晶化后形成的多晶硅半导体层的晶粒尺寸不同。图11为本发明实施例提供的一种晶粒尺寸随激光能量密度变化的实验数据图，如图11所示，横坐标代表的是准分子激光的激光能量密度，单位是mj/cm2，纵坐标代表的是晶化后形成的多晶硅半导体层的晶粒尺寸，单位是nm。令40nm厚的非晶硅半导体层晶化后形成的多晶硅半导体层的晶粒尺寸T1，43nm厚的非晶硅半导体层晶化后形成的多晶硅半导体层的晶粒尺寸T2，45nm厚的非晶硅半导体层晶化后形成的多晶硅半导体层的晶粒尺寸T3，则激光能量密度大于465mj/cm2时，T1＞T2＞T3。由于篇幅限制，图11中所示的试验数据仅给出了40nm、43nm和45nm三个厚度数值，对于其他厚度数值同样符合上述规律，即厚度越大的非晶硅半导体层晶化后形成的多晶硅半导体层的晶粒尺寸越小。根据上述规律，在一些实施方式中，还可以设置第二类输出电路中至少部分输出薄膜晶体管的半导体层的厚度大于第一类输出电路中薄膜晶体管的半导体层的厚度，厚度越大的半导体层对应的晶粒尺寸越小，晶粒尺寸的越小的半导体层的载流子迁移率越低。与上述实施例中增加晶化金属层不同的是，本发明实施例中，将非晶硅晶化为多晶硅时，无需额外制作金属层，可以通过控制半导体层的厚度来控制晶化后半导体层的载流子迁移率。参考图1、图4、图10和图11，示例性地，此第三种类输出电路中，都采用如图4中所示的第二类输出薄膜晶体管，不同的是，不同类型的输出电路中具有不同类型的第二类输出薄膜晶体管。第三类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率小于第四类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率，第四类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率小于第五类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管的载流子迁移率。可选地，令半导体层613的厚度，相应于第三类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管为L3，相应于第四类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管为L4，相应于第五类输出电路中的第二类输出薄膜晶体管为L5，则可以设置L3＞L4＞L5。
本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：
提供一基板；
在基板一侧形成栅极驱动电路；
其中，显示面板包括显示区和非显示区，显示区包括异形区域和非异形区域；显示面板包括多条扫描线和多条数据线；多条数据线沿第一方向排列，多条扫描线沿第二方向排列，多条数据线与多条扫描线交叉出多个子像素，第一方向和第二方向交叉；沿第一方向上，一排中的子像素称为一行子像素；沿第二方向上，任意两行的非异形区中子像素的个数相等，任一行异形区域中子像素的个数与一行非异形区域中子像素的个数不等；栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器，每个移位寄存器包括由至少一个输出薄膜晶体管构成的输出电路，每个移位寄存器通过输出电路与一条扫描线电连接；输出薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，半导体层包括沟道区和重掺杂区；输出电路至少包括第一类输出电路和第二类输出电路，第一类输出电路与非异形区域中的扫描线电连接，第二类输出电路与异形区域中的扫描线电连接，第二类输出电路中至少部分输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率与第一类输出电路中输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率不同。
本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，异形面板的不同显示区域需要不同驱动能力的移位寄存器与之相匹配，而移位寄存器的驱动能力可以通过其输出电路来调节，输出电路包括至少一个输出薄膜晶体管，因此形成栅极驱动电路的方法中需要形成不同类型的输出薄膜晶体管，下面就形成栅极驱动电路过程中的一些典型步骤给出示例。
图12为本发明实施例提供的一种显示面板的部分结构的制作示意图，如图12所示，形成栅极驱动电路的步骤包括：
步骤一、在基板10上形成多个分立的非晶硅半导体层610(为了与图4-图9中晶化形成产品后的非晶硅半导体层6110区分，这里将晶化前的非晶硅半导体层采用标记“610”表示)。
步骤二、在部分多个分立的非晶硅半导体层610远离基板10一侧形成至少一个晶化金属层618。
在步骤一中形成的多个分立的非晶硅半导体层610中，选取其中的一部分，并在选取的非晶硅半导体层610远离基板10一侧形成至少一个晶化金属层618。
步骤三、使用激光束照射非晶硅半导体层610，非晶硅半导体层610与晶化金属层618不交叠的部分形成第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111，而非晶硅半导体层610与晶化金属层618重叠的部分由于未受到激光照射而未被晶化，第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111的载流子迁移率大于非晶硅半导体层6110的载流子迁移率。
图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的部分结构的制作示意图，如图13所示，形成栅极驱动电路的步骤包括：
步骤一、在基板10上形成至少一个晶化金属层618。
步骤二、在基板10上以及至少一个晶化金属层618上形成多个分立的非晶硅半导体层610。
多个分立的非晶硅半导体层610中的一部分直接覆盖在基板10上，多个分立的非晶硅半导体层610中的另一部分覆盖在晶化金属层618上，也就是说，在基板10上，有些区域中仅包括非晶硅半导体层610，有些区域中既包括非晶硅半导体层610又包括晶化金属层618。
步骤三、使用激光束照射非晶硅半导体层610，非晶硅半导体层610与晶化金属层618不交叠的部分形成第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111，非晶硅半导体层610与晶化金属层618重叠的部分形成第二晶粒尺寸的多晶硅半导体层6112。第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层6111的载流子迁移率大于第二晶粒尺寸的多晶硅半导体层6112的载流子迁移率。
另外，由于厚度越大的非晶硅半导体层晶化后形成的多晶硅半导体层的晶粒尺寸越小，因此可以使用上述规律来形成不同晶粒尺寸的多晶硅半导体层，形成栅极驱动电路的步骤包括：
步骤一、在基板上形成多个分立的非晶硅半导体层，多个分立的非晶硅半导体层包括至少两种厚度的非晶硅半导体层。
可选地，多个分立的非晶硅半导体层包括第一厚度的非晶硅半导体层和第二厚度的非晶硅半导体层，第二厚度大于第一厚度。形成第一厚度非晶硅半导体层和第二厚度非晶硅半导体层的过程可以为：首先在基板上形成一整层非晶硅半导体层，该层非晶硅半导体层的厚度为第二厚度；然后将一整层非晶硅半导体层刻蚀成多个分立的多晶硅半导体层，所有分立多晶硅半导体层的厚度为第二厚度；然后将多个分立的多晶硅半导体层中的部分进行二次刻蚀，将其由第二厚度减薄为第一厚度。
步骤二、使用激光束照射非晶硅半导体层以使其晶化为多晶硅半导体层。
其中，激光束的能量密度大于465mj/cm2。
本发明实施例提供了一种显示装置，图14为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图14所示，本发明实施例提供的显示装置200包括本发明任意实施例所述的显示面板100，其可以为图14中所示的手机，也可以为电脑、电视机、智能穿戴设备等，本发明实施例对此不作特殊限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (14)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括异形区域和非异形区域；
所述显示面板包括基板和位于所述基板一侧的多条扫描线和多条数据线；所述多条数据线沿第一方向排列，所述多条扫描线沿第二方向排列，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉出多个子像素，所述第一方向和所述第二方向交叉；沿所述第一方向上，一排中的所述子像素称为一行子像素；沿所述第二方向上，任意两行的所述非异形区中子像素的个数相等，任一行所述异形区域中子像素的个数与一行所述非异形区域中子像素的个数不等；
所述显示面板还包括位于所述非显示区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器，每个所述移位寄存器包括由至少一个输出薄膜晶体管构成的输出电路，每个所述移位寄存器通过所述输出电路与一条所述扫描线电连接；所述输出薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，所述半导体层包括沟道区和重掺杂区；
所述输出电路至少包括第一类输出电路和第二类输出电路，所述第一类输出电路与所述非异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路与所述异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路中至少部分所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率与所述第一类输出电路中所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述输出薄膜晶体管至少包括第一类输出薄膜晶体管和第二类输出薄膜晶体管；所述第一类输出电路包括至少一个所述第一类输出薄膜晶体管，所述第二类输出电路包括至少一个所述第二类输出薄膜晶体管；所述第二类输出薄膜晶体管还包括至少一个晶化金属层；
一个所述第二类输出薄膜晶体管包括多个分立的所述晶化金属层，多个所述晶化金属层在所述基板的垂直投影位于所述沟道区在所述基板的垂直投影内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二类输出薄膜晶体管中，所述晶化金属层与所述沟道区直接接触。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述输出薄膜晶体管至少包括第一类输出薄膜晶体管和第二类输出薄膜晶体管；所述第一类输出电路包括至少一个所述第一类输出薄膜晶体管，所述第二类输出电路包括至少一个所述第二类输出薄膜晶体管；所述第二类输出薄膜晶体管还包括至少一个晶化金属层；
一个所述第二类输出薄膜晶体管包括一个所述晶化金属层，所述沟道区在所述基板的垂直投影位于所述晶化金属层在所述基板的垂直投影内。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述输出薄膜晶体管至少包括第一类输出薄膜晶体管和第二类输出薄膜晶体管；所述第一类输出电路包括至少一个所述第一类输出薄膜晶体管，所述第二类输出电路包括至少一个所述第二类输出薄膜晶体管；所述第二类输出薄膜晶体管还包括至少一个晶化金属层；
所述晶化金属层位于所述基板与所述沟道区之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述输出薄膜晶体管至少包括第一类输出薄膜晶体管和第二类输出薄膜晶体管；所述第一类输出电路包括至少一个所述第一类输出薄膜晶体管，所述第二类输出电路包括至少一个所述第二类输出薄膜晶体管；所述第二类输出薄膜晶体管还包括至少一个晶化金属层；
所述晶化金属层位于所述栅极与所述沟道区之间。
7.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一类输出电路和所述第二类输出电路具有相同的电路结构；所述第一类输出电路和所述第二类输出电路中所有所述输出薄膜晶体管的半导体层的长度、宽度以及厚度相同；其中，不同的所述输出薄膜晶体管的半导体层分立。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二类输出电路中至少部分所述输出薄膜晶体管的半导体层的厚度大于所述第一类输出电路中所述薄膜晶体管的半导体层的厚度。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板一侧形成栅极驱动电路；
其中，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括异形区域和非异形区域；所述显示面板包括多条扫描线和多条数据线；所述多条数据线沿第一方向排列，所述多条扫描线沿第二方向排列，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉出多个子像素，所述第一方向和所述第二方向交叉；沿所述第一方向上，一排中的所述子像素称为一行子像素；沿所述第二方向上，任意两行的所述非异形区中子像素的个数相等，任一行所述异形区域中子像素的个数与一行所述非异形区域中子像素的个数不等；所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器，每个所述移位寄存器包括由至少一个输出薄膜晶体管构成的输出电路，每个所述移位寄存器通过所述输出电路与一条所述扫描线电连接；所述输出薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，所述半导体层包括沟道区和重掺杂区；所述输出电路至少包括第一类输出电路和第二类输出电路，所述第一类输出电路与所述非异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路与所述异形区域中的所述扫描线电连接，所述第二类输出电路中至少部分所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率与所述第一类输出电路中所述输出薄膜晶体管的半导体层的载流子迁移率不同。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅极驱动电路的步骤包括：
在所述基板上形成多个分立的非晶硅半导体层；
在部分所述多个分立的非晶硅半导体层远离所述基板一侧形成至少一个晶化金属层；
使用激光束照射所述非晶硅半导体层，所述非晶硅半导体层与所述晶化金属层不交叠的部分形成第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层；
所述第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层的载流子迁移率大于所述非晶硅半导体层的载流子迁移率。
11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅极驱动电路的步骤包括：
在所述基板上形成至少一个晶化金属层；
在所述基板上以及所述至少一个晶化金属层上形成多个分立的非晶硅半导体层；
使用激光束照射所述非晶硅半导体层，所述非晶硅半导体层与所述晶化金属层不交叠的部分形成第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层，所述非晶硅半导体层与所述晶化金属层重叠的部分形成第二晶粒尺寸的多晶硅半导体层；
所述第一晶粒尺寸的多晶硅半导体层的载流子迁移率大于所述第二晶粒尺寸的多晶硅半导体层的载流子迁移率。
12.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述栅极驱动电路的步骤包括：
在所述基板上形成多个分立的非晶硅半导体层，所述多个分立的非晶硅半导体层包括至少两种厚度的非晶硅半导体层；
使用激光束照射所述非晶硅半导体层以使其晶化为多晶硅半导体层；
其中，激光束的激光能量密度大于465mj/cm2。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述多个分立的非晶硅半导体层包括第一厚度的非晶硅半导体层和第二厚度的非晶硅半导体层，所述第二厚度大于所述第一厚度。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的显示面板。
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