CN107995883A

CN107995883A - 用于电子器件的激光密封外壳

Info

Publication number: CN107995883A
Application number: CN201680049450.7A
Authority: CN
Inventors: S·L·洛谷诺夫; M·A·恰萨达; A·M·斯特列佐夫
Original assignee: Corning Inc
Current assignee: Corning Inc
Priority date: 2015-08-24
Filing date: 2016-08-23
Publication date: 2018-05-04
Also published as: US20200238437A1; EP3341983A4; WO2017035106A1; EP3341983A1; KR20180034683A

Abstract

提供了一种激光焊接的密封电子器件外壳和相关的系统和方法。密封的外壳包括第一基材和第二基材，所述第一基材具有第一表面，以及所述第二基材具有面朝所述第一表面的第二表面。密封的外壳包括形成在第一基材中的凹陷。凹陷面朝第二表面，从而第二表面和凹陷限定了室。激光焊接粘结了第一表面与第二表面，以及激光焊接围绕了室。功能膜被第一表面与第二表面中的至少一个支撑，以及所述功能膜从室延伸并穿过激光焊接。在示例性布置中，器件是OLED器件，以及功能膜形成与OLED连通的导电导线。

Description

用于电子器件的激光密封外壳

本申请根据35U.S.C.§119，要求2015年08月24日提交的美国临时申请系列第62/208900号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。

技术背景

本公开一般地涉及密封电子器件外壳，更具体地，涉及用于电子器件(例如，有机LED(OLED))的气密密封的玻璃结构。通常来说，需要对OLED显示器进行气密密封以提供对于诸如水和氧气之类材料的阻隔。通常地，使用玻璃料密封将绕着OLED显示器中的每个OLED单元的两块基材以粘合剂方式粘结在一起。

发明内容

本公开的一个实施方式涉及激光焊接的密封电子器件外壳。外壳包括第一基材和第二基材，所述第一基材具有第一表面，以及所述第二基材具有面朝所述第一表面的第二表面。外壳包括形成在第一基材中的凹陷，以及凹陷面朝第二表面，从而第二表面和凹陷限定了室。外壳包括粘结了第一表面与第二表面的激光焊接，以及所述激光焊接围绕了所述室。外壳包括被第一表面与第二表面中的至少一个支撑的功能膜，以及所述功能膜从室延伸并穿过激光焊接。

本公开的一个额外实施方式涉及密封的电子器件。器件包括第一玻璃基材和第二玻璃基材，所述第一玻璃基材具有第一表面，以及所述第二玻璃基材具有面朝所述第一表面的第二表面。器件包括限定在第一表面与第二表面之间的室。器件包括围绕着室的气密密封，以及所述密封从与一部分的第二基材接合在一起的一部分的第一基材形成。器件包括从室延伸并穿过密封形成的功能膜。

本公开的一个额外实施方式涉及形成密封的电子器件外壳的方法。该方法包括提供具有第一表面的第一基材。该方法包括提供具有第二表面的第二基材。该方法包括在第一基材的第一表面中形成凹陷。该方法包括将第一基材与第二基材相邻放置，从而使得第一表面面朝第二表面，以及凹陷与第二基材的第二表面的相对部分形成室。该方法包括在第一表面与第二表面的至少一个上提供功能膜。该方法包括采用激光在第一表面与第二表面之间形成焊接，其中，所述焊接围绕了室并且跨越功能膜，以及功能膜从室延伸穿过焊接。

在以下的详细描述中给出了其他特征和优点，其中的部分特征和优点对本领域技术人员而言是容易理解的，或通过实施文字描述和其权利要求书以及附图中所述实施方式而被认识。

应理解，上面的一般性描述和下面的详细描述都仅仅是示例性的，用来提供理解权利要求书的性质和特点的总体评述或框架。

所附附图提供了进一步理解，附图被结合在本说明书中并构成说明书的一部分。附图说明了一个或多个实施方式，并与说明书一起用来解释各种实施方式的原理和操作。

附图说明

图1显示根据一个示例性实施方式的激光密封电子器件的俯视图。

图2显示根据一个示例性实施方式的激光密封电子器件的横截面侧视图。

图3显示根据一个示例性实施方式跨越图2的电子器件的激光焊接的导线的细节图。

图4A-4D显示根据一个示例性实施方式用于形成激光密封电子器件的工艺示意图。

具体实施方式

大致参见附图，显示和描述了密封电子器件(例如，密封OLED器件)的各种实施方式。大体上来说，本文所讨论的密封电子器件包括：两块相对基材(例如，玻璃片基材)(在两块基材之间形成有凹陷或室)，有源组件(例如OLED)(其位于室中)。围绕着室的焊接将有源组件气密密封在室内。在具体实施方式中，焊接是激光焊接，所述激光焊接是通过采用激光将部分的第一和第二基材接合或熔化到一起形成的。因此，通常来说，本文所讨论的激光焊接是内聚粘着(cohesive)结构，其绕着室形成牢固且气密密封。在各种实施方式中，功能膜位于至少一块基材上并且形成从室延伸且穿过激光焊接的路径，以及在具体实施方式中，功能膜是形成第一和第二导电导线的传导材料，所述第一和第二导电导线延伸穿过激光焊接为位于室内的有源组件提供电传导。会理解的是，采用基于玻璃料密封的常规电子器件的密封是基于玻璃料与相邻基材材料之间的粘合剂粘结。不同于常规玻璃料密封器件，本文所讨论的激光焊接电子器件提供了内聚粘着激光焊接，其相比于基于玻璃料密封器件具有低厚度和高焊接强度。

参见图1和2，显示罩住电子器件的密封电子器件(显示为OLED器件10)。OLED器件10包括第一和第二基材，显示为底基材12和上基材14。底基材12包括第一表面(显示为上表面16)，其面朝上基材14的第二表面(显示为下表面18)。通常地，基材12和14是玻璃材料的片材(例如，钠钙玻璃，购自康宁有限公司(Corning,Inc)的玻璃片材料，购自康宁有限公司的Eagle 玻璃片材料等)。在所示的布置中，上表面16和下表面18是基材的主表面。

基材12和14中的至少一个包括形成在基材材料中的凹陷。在所示的实施方式中，在上基材14中形成凹陷20。当上基材14位于下基材12上的时候(如图2所示)，室22限定在上基材14的下表面限定了凹陷20的部分与下基材12的一部分上表面16之间。室22包括空间，在该空间内，放置了有源组件，例如有源电子组件(显示为OLED 24)。虽然图2显示凹陷20和室22是基本矩形的横截面形状，但是为了容纳有源电子组件(例如，OLED 24)，凹陷20和室22可以是任意合适形状，包括各种曲面或圆顶形状。在各种实施方式中，有源电子组件还可以是有机电子器件或者有机-无机混合电子器件。

在各种实施方式中，OLED器件10可用于各种应用(例如，电子显示器)，并且可用于小的显示器(例如，移动装置显示器)或者大的显示器(例如，TV显示器、监视器等)。在各种实施方式中，有源组件可以是任何电子组件，包括各种半导体器件，包括光伏装置。在各种实施方式中，采用本文所揭示的材料和方法的有源组件的气密包封可有助于器件的长期有效运行，否则的话对于氧和/或水分侵袭的劣化是敏感的。在示例性实施方式中，器件10包括挠性、刚性或者半刚性的有机LED、OLED发光装置、OLED电视、MEM显示器、电致变色窗、荧光团、碱金属电极、透明导电氧化物、量子点等。

器件10包括气密密封，显示为围绕着室22的激光焊接26。通常来说，激光焊接26将基材12和14粘结在一起，使得基材相对于彼此连接，并且将OLED24气密密封在室22内。在一个实施方式中，激光焊接26是形成在基材12与14之间的封闭的周界密封。

会理解的是，玻璃料密封的电子器件包括玻璃料的珠，其在相对基材之间熔化，从而在玻璃料和两块相对基材之间形成粘合剂粘结，以及在这种布置类型中，玻璃料材料在基材之间以粘合剂方式粘结，作用是形成绕着OLED的气密密封。不同于玻璃料密封器件，激光焊接26是从(通过例如熔化)接合在一起的基材12和14的相对部分形成的内聚粘着结构。相信相比于玻璃料密封电子器件的基于粘合剂的粘结结构，激光焊接26的内聚粘着焊接结构以更低的整体厚度提供了更牢固的粘结。应理解的是，如本文所用，将基材接合到一起包括：由于温度增加(例如，激光诱发的温度)使得一块或两块基材获得粘弹性流动并热压制到一起形成的焊接，扩散焊接和/或超过基材的熔点形成的焊接。在各种实施方式中，在激光焊接26内，基材12和14的材料的假想温度相对于激光焊接26外的基材12和14的材料的假想温度发生变化。在具体实施方式中，在激光焊接26内，基材12和14的材料的假想温度大于激光焊接26外的基材12和14的材料的假想温度。在一个实施方式中，激光焊接26可以用围绕OLED 24的周界密封进行加强。

器件10包括至少一个功能膜材料，其得到基材12和14中的至少一个的支撑并且其形成从室22内延伸且穿过激光焊接26的路径。在图1和2所示的实施方式中，功能膜是位于下基材12的上表面16上(例如，与其直接接触)的材料，形成第一导线30和第二导线32。导线30和32提供了从室22内延伸且穿过激光焊接26的导电路径，具体来说，导线30和32与OLED24电连接，例如，向OLED 24传递电能。如下文更详细解释，导线30和32是由如下一种或多种材料形成，其甚至在形成激光焊接26之后仍然维持导电性，同时还能够实现绕着导线的基材12和14的熔融部分的气密密封。

在各种实施方式中，可以用各种合适的方式来形成激光焊接26，其中，通过使用如图2示意性所示的激光能作为激光34，使得基材12和14的材料熔融到一起。在一个实施方式中，激光34可以是具有足够能量的短脉冲激光，从而将部分的基材12和14熔融到一起以形成激光焊接26，以及在此类实施方式中，没有使用激光吸收膜来形成激光焊接26。在另一个实施方式中，基材12和14中的至少一个包括激光吸收膜38。在所示的具体实施方式中，激光吸收膜38位于上基材14的下表面18上，与导线30和32的材料相对。在这个具体布置中，导线30和32具有与激光吸收膜38接触的表面。通常来说，激光吸收膜38吸收了来自激光34的能量，促进了基材12和14的熔融和形成激光焊接26。在具体实施方式中，基材12和14对于激光34是半透明/透明的(例如，60％、70％、80％、90％透过率)，允许激光34穿过基材中的至少一个，并与激光吸收膜38相互作用。

在各种实施方式中，激光焊接26、导线30和32、以及激光吸收膜38的尺寸大小和结构是有助于形成低厚度、气密密封电子器件的。如图1所示，激光焊接26具有宽度W1，以及导线30和32具有宽度W2。在各种实施方式中，W1是20-700μm，以及W2是50μm至20mm。在此类实施方式中，本文所讨论的组件的宽度是在平行于基材的主表面的方向上测量的组件的短尺度(minor dimension)。

参见图3，显示根据一个示例性实施方式的位于激光焊接26处的一部分器件10的细节图。如图3所示，导线30具有厚度T1，激光吸收膜38具有厚度T2，以及室22具有高度H1。在各种实施方式中，T1是20nm至1μm，以及在具体实施方式中，导线30和32都具有该范围内的厚度。在各种实施方式中，T2小于1.5μm，以及在具体实施方式中，T2是0.2-1μm。在各种实施方式中，H1是0.3-500μm，具体来说，是1-10μm，更具体来说，是1-5μm。在一个具体实施方式中，H1是3-4μm。

在各种实施方式中，导线30和32、室22和激光焊接26的相对尺寸有助于形成具有低的总厚度的器件10。例如，在一个实施方式中，T1小于20％的H1。在另一个实施方式中，T1小于20％的H2。在一个具体实施方式中，T1和T2都小于20％的H1。在此类实施方式中，本文所讨论的组件的厚度或高度是在垂直于基材的主表面的方向上测量的组件的尺度。在一些实施方式中，本文所讨论的宽度、厚度和高度表示最大测量尺度，以及在其他实施方式中，本文所讨论的宽度、厚度和高度表示平均测量尺度。在各种实施方式中，激光焊接26的宽度大于吸收膜38的厚度。例如，绕着激光焊接26的基材具有玻璃假想温度变化的部分的宽度和/或厚度大于吸收膜38的厚度。在各种实施方式中，整个焊接区域(包括残留应力部分)的宽度和/或厚度超过吸收膜38的厚度。可以利用焊接附近的局部密度分布或者假想温度分布研究来确定该相对尺度。

如上文所述，在各种实施方式中，因为激光34形成了位于导线30和32上且绕着导线30和32的激光焊接26，所以导线30和32的结构在形成激光焊接26之后维持了令人满意的导电水平。具体来说，导线30和32的结构使得需要引起基材12和14的材料发生熔融的温度没有消除或者明显降低导线30和32的导电性。在各种示例性实施方式中，导线30和32是由如下材料形成，其熔融温度大于基材12和14的材料的熔融温度。在各种实施方式中，导线30和32是由如下材料形成，其熔融温度比基材12和14的材料的熔点温度和/或软化点温度大了至少10％。在一个具体实施方式中，形成导线30和32的材料的熔融温度大于700摄氏度，以及在另一个实施方式中，形成导线30和32的材料的熔融温度大于800摄氏度。在一个具体实施方式中，形成导线30和32的材料的熔融温度是800-900摄氏度。在此类实施方式中，基材12和14可以由软化点约为700摄氏度的钠钙玻璃材料制造，以及在其他实施方式中，基材12和14可以由购自康宁有限公司的Eagle玻璃片材料制造，其软化点约为970摄氏度。在各种实施方式中，导线30和32是由在形成激光焊接26之后，电阻率增加小于30％的材料制得。

在各种实施方式中，导线30和32可以由任意合适的传导材料形成。在具体实施方式中，导线30和32由氧化铟锡(ITO)、钼、银或铜中的至少一种形成。在各种实施方式中，激光吸收膜38由适合吸收激光能的任意材料形成，从而有助于基材12和14的熔融以形成激光焊接26。在各种实施方式中，激光吸收膜38是吸收任意合适的激光能波长(包括，紫外光谱激光能、红外光谱激光能、近红外光谱激光能和可见光谱激光能)的材料。在具体实施方式中，激光吸收膜38是吸收200-410nm波长范围的材料，以及在其他实施方式中，激光吸收膜38是吸收800-1900nm波长范围的材料。

在具体实施方式中，激光吸收膜38由以下至少一种形成：Tg小于600摄氏度的低熔融玻璃(LMG)、ZnO、SnO、TiO₂、Nb₂O₅以及掺杂了过渡金属(例如，Fe、Mn、Cu、Va、Cr)的玻璃膜。在一些实施方式中，激光吸收膜38在激光34的不可见光谱发生吸收，同时对于可见光是透明/半透明的。在一个具体实施方式中，激光吸收膜以及基材12和14对于420-750nm波长范围内的光是透明的。在一些其他实施方式中，激光吸收膜38在激光34的不可见光谱发生吸收，同时对于可见光是不透明的。

应理解的是，虽然本文所讨论的大多数实施方式讨论了形成具有作为有源器件(例如OLED 24)的导线的功能膜材料的器件，但是在其他实施方式中，器件10可以包括其他功能膜。例如，在一个实施方式中，跨越激光焊接26的功能膜可以是保护膜材料，例如，SiN膜。此外，应理解的是，虽然图2和3显示导线30和32是单层膜，但是在其他实施方式中，本文所讨论的功能膜可以包括多层，例如膜堆叠。此外，本文所讨论的功能膜和/或激光吸收膜可以经由一层或多层居间层得到基材12和14的支撑，以及在其他实施方式中，本文所讨论的功能膜和/或激光吸收膜可以经由与基材材料的直接接触得到基材12和14的支撑。

参见图4A-4D，显示根据一个示例性实施方式的形成密封电子器件(例如，器件10)的方法。大致来说，图4A-4D显示提供了第一基材(例如，上基材14)和第二基材(例如，下基材12)。如图4B所示，在基材中的一个中形成凹陷，以及在所示的具体实施方式中，在基材14中形成凹陷20。如图4C所示，基材14与基材12相邻放置，从而凹陷20会与基材12的相对上表面形成室(例如，室22)。在基材12和14的表面的一个上，提供功能膜，例如导线30和32。

如图4D所示，在基材12和14的相对表面之间形成焊接(例如，激光焊接26)。可以移动、瞄准激光，或者以任意其他方式将激光导向到基材12和14上，从而绕着室22形成激光焊接26。如上文所述，导线30和32延伸进入室22。

如图4A和4B所示，可以沿着基材的一个表面，为基材14提供激光吸收膜38。如图4B所示，从形成凹陷20的区域内去除一部分的激光吸收膜38，以及在该布置中，激光吸收膜38的余下部分围绕着凹陷20。在各种实施方式中，经由蚀刻工艺从基材14去除一部分的激光吸收膜38，以及经由蚀刻过程在基材14中形成凹陷20。在一个具体实施方式中，同一个蚀刻步骤同时去除了激光吸收膜38和形成凹陷20。在各种实施方式中，可以用酸或者经由反应性蚀刻来进行蚀刻。在其他实施方式中，可以使用CNC机械研磨来形成凹陷20和/或去除一部分的激光吸收膜38。在此类实施方式中，通过控制蚀刻时间来控制蚀刻深度(H1，如上文图3所示)。在一些实施方式中，可以将基材12和14提供给OLED器件制造商，以及会紧接在用激光34进行密封之前进行局部蚀刻。在各种实施方式中，相信本文所讨论的器件和方法可以提供各种好处，包括：1)制造过程中较少的步骤，2)使用较不昂贵的磷光材料，并且还使用较不昂贵的散射材料，3)更好的散射均匀性属性。

将会理解的是，在使用激光吸收膜38的实施方式中，对激光34的波长进行选择，从而与特定的激光吸收膜发生相互作用。如上文所述，激光34可以是UV、IR或者可见光激光，以及对激光吸收膜38进行选择从而在激光34的波长内发生吸收。此外，可以对激光34的各个方面进行控制，以有助于形成激光焊接36，同时维持导线30和32的功能性。在各种实施方式中，可以在形成激光焊接26的过程中控制激光34的功率和扫描速度。例如，在一些实施方式中，激光34是功率为0.1-1.0W(具体来说，0.1-0.5W)的355nm激光。在一个具体实施方式中，激光34是355nm激光，功率为0.6W，和扫描速度为10-50mm/s(具体来说，25mm/s)，以及激光吸收膜38是LMG膜涂层。在此类实施方式中，LMG膜涂层38的厚度为1μm，以及导线30和32是厚度为150nm的ITO导线。在其他实施方式中，激光34可以是能够在不使用吸收膜的情况下形成激光焊接26的激光，例如，短脉冲激光。在各种具体实施方式中，激光、工艺和材料可以是美国公开号2015/0027168(2014年5月7日提交的美国申请第14/271,797号)中所揭示的任意那些，其全文通过引用结合入本文。

如本文所用，出于实际目的，气密密封和/或气密密封器件是被认为是这样的一种东西，它基本不透气并且基本不透水分和/或氧气。举例来说，激光焊接26可以构造成将氧流逸(扩散)限制到小于约10^-2cm³/m²/天(例如，小于约-10^-3cm³/m²/天)，并且将水分流逸(扩散)限制到约-10^-2g/m²/天(例如，小于约-10^-3g/m²/天、10^-4g/m²/天、10^-5g/m²/天或者10^-6g/m²/天)。在此类实施方式中，气密密封基本抑制空气和水与受保护工件(例如，OLED 24)发生接触。

除非另有表述，否则都不旨在将本文所述的任意方法理解为需要使其步骤以具体顺序进行。因此，当方法权利要求实际上没有陈述为其步骤遵循一定的顺序或者其没有在权利要求书或说明书中以任意其他方式具体表示步骤限于具体的顺序，都不旨在暗示该任意特定顺序。此外，如本文所用冠词“一个”旨在包括一个或者不止一个组分或元素，并且并不旨在理解为表示仅一个。

对本领域的技术人员而言，显而易见的是可以在不背离所示实施方式的精神或范围的情况下作出各种修改和变动。因为本领域的技术人员可以想到所揭示的实施方式的融合了实施方式的精神和实质的各种改良、组合、子项组合和变化，应认为所揭示的实施方式包括所附权利要求书范围内的全部内容及其等同内容。

Claims

1.一种激光焊接密封的电子器件外壳，其包括：

具有第一表面的第一基材；

第二基材，其具有面朝所述第一表面的第二表面；

形成在所述第一基材中的凹陷，其中，所述凹陷面朝所述第二表面，从而所述第二表面和所述凹陷限定了室；

粘结了所述第一表面与所述第二表面的激光焊接，其中，所述激光焊接围绕了所述室；以及

功能膜，其被所述第一表面与所述第二表面中的至少一个支撑，所述功能膜从所述室延伸并穿过所述激光焊接。

2.如权利要求1所述的激光焊接密封的电子器件外壳，其特征在于，所述激光焊接在所述第一表面与所述第二表面之间并绕着所述功能膜形成气密密封。

3.如权利要求2所述的激光焊接密封的电子器件外壳，其特征在于，从与一部分的所述第二基材接合在一起的一部分的所述第一基材形成所述气密密封，其中，所述气密密封完全围绕了所述室的周界。

4.如权利要求3所述的激光焊接密封的电子器件外壳，其还包括：

被所述第一表面和所述第二表面中的至少一个支撑并且围绕所述室的激光吸收膜，其中，所述激光焊接在所述激光吸收膜的位置处使得所述第一基材与所述第二基材粘结；

其中，所述功能膜形成第一导线和第二导线，所述第一导线形成从所述室延伸且穿过所述激光焊接的传导路径，以及所述第二导线形成从所述室延伸且穿过所述激光焊接的传导路径，从而将第一和第二导线配置成向位于所述室内的装置传递电能。

5.如权利要求4所述的激光焊接密封的电子器件外壳，其特征在于，所述激光吸收膜位于所述第一表面上，其中，所述第一导线和所述第二导线位于所述第二表面上，其中，所述第一导线和所述第二导线在第一和第二导线延伸穿过所述激光焊接的位置处分别具有与所述激光吸收膜接触的表面。

6.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，所述激光焊接的宽度是20-700μm，以及所述第一导线和所述第二导线的宽度分别是50μm至20mm。

7.如权利要求6所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线的厚度分别是20nm至1μm。

8.如权利要求7所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，所述激光吸收膜的厚度小于1.5μm。

9.如权利要求8所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，在所述凹陷的表面与所述第二表面之间测得的所述室的最大高度大于0.3μm且小于500μm，其中，所述激光吸收膜的厚度小于所述室的所述最大高度的20％，其中，第一和第二导线的厚度小于所述室的所述最大高度的20％。

10.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，第一和第二导线的材料的熔融温度大于第一和第二基材的软化点，从而在形成所述激光焊接之后，第一和第二导线的电阻率增加小于30％。

11.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，导线的材料的熔融温度大于700摄氏度。

12.如权利要求11所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，第一和第二导线是由以下至少一种材料形成的：氧化铟锡、钼、银或铜；其中，所述激光吸收膜的厚度是0.2-1μm，且由以下至少一种材料形成的：Tg小于600摄氏度的低熔融玻璃(LMG)、ZnO、SnO、TiO₂、Nb₂O₅和掺杂了过渡金属的玻璃膜。

13.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其特征在于，所述激光吸收膜在紫外光谱、红外光谱或可见光谱中的至少一个中吸收能量。

14.如权利要求4所述的激光焊接的密封电子器件外壳，其还包括以下至少一种：OLED、有机电子器件或者有机-无机混合电子器件，它们位于所述室内并且与第一和第二导线相连。

15.一种密封的电子器件，其包括：

具有第一表面的第一玻璃基材；

第二玻璃基材，其具有面朝所述第一表面的第二表面；

限定在所述第一表面与所述第二表面之间的室；

围绕着所述室的气密密封，该密封是从与一部分的所述第二基材接合在一起的一部分的所述第一基材形成的；以及

从所述室延伸并穿过所述密封的功能膜。

16.如权利要求15所述的密封器件，其还包括激光吸收膜，所述激光吸收膜位于所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上并且围绕着所述室，其中，所述气密密封是激光焊接，其中，所述功能膜限定了第一导线和第二导线，所述第一导线形成从所述室延伸且穿过所述激光焊接的传导路径，以及所述第二导线形成从所述室延伸且穿过所述激光焊接的传导路径。

17.如权利要求16所述的密封器件，其特征在于，第一和第二导线各自的厚度是20nm至1μm，其中，所述激光吸收膜的厚度小于1.5μm。

18.如权利要求17所述的密封器件，其特征在于，第一和第二导线的材料的熔融温度大于第一和第二基材的软化点，其中，导线的材料的熔融温度大于700摄氏度。

19.一种形成密封电子器件外壳的方法，其包括：

提供具有第一表面的第一基材；

提供具有第二表面的第二基材；

在所述第一基材的所述第一表面中形成凹陷；

将所述第一基材与所述第二基材相邻放置，从而使得所述第一表面面朝所述第二表面，以及所述凹陷与所述第二基材的所述第二表面的相对部分形成室；

在所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上提供功能膜；以及

采用激光在所述第一表面与所述第二表面之间形成焊接，其中，所述焊接围绕了所述室并且跨越所述功能膜，其中，所述功能膜从所述室延伸穿过所述焊接。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一基材包括位于所述第一表面上的激光吸收膜，所述方法还包括：

从所述第一基材的所述第一表面去除一部分的所述激光吸收膜；以及

将所述第一基材与所述第二基材相邻放置，从而使得所述激光吸收膜的余下部分围绕所述室；

其中，所述功能膜限定了第一导线和第二导线，所述第一导线形成从所述室延伸且穿过所述焊接的传导路径，以及所述第二导线形成从所述室延伸且穿过所述密封的传导路径。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，通过蚀刻进行去除一部分的激光吸收膜，以及通过蚀刻形成所述凹陷。

22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，同一个蚀刻步骤同时去除了一部分的所述激光吸收膜并且还形成所述凹陷。

23.如权利要求20所述的方法，其特征在于，通过将激光引导到所述激光吸收膜，引起第一和第二基材的材料熔融到一起，形成穿过第一导线和第二导线的所述激光焊接，其中，第一基材和第二基材都是玻璃材料。

24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，在形成穿过第一和第二导线的所述激光焊接之后，所述第一导线和所述第二导线的电阻率保持相同或者发生增加，其中，电阻率的增加小于30％。

25.如权利要求19所述的方法，其特征在于，形成焊接包括：将短脉冲激光引导到所述第一基材和所述第二基材中的至少一个的围绕所述室的一部分上，引起第一和第二基材的材料熔融到一起。