CN107978668B - Led器件、led灯及加工led器件的导电线的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种LED器件，包括LED芯片、支架和导电线，导电线为三维结构，其包括依次设置的竖直段、斜向上倾斜的第一应力缓冲段、斜向下倾斜的第二应力缓冲段以及斜向下倾斜的第三应力缓冲段；竖直段、第一应力缓冲段、第二应力缓冲段以及第三应力缓冲段之间依次形成第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段，第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段沿导电线的长度方向依次设置，且第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段的弯折方向相反；导电线的一端用于连接LED芯片，另一端用于连接支架或另一LED芯片。本发明还公开了一种LED灯以及加工LED器件的导电线的方法。本发明的LED器件的可靠性有所提高。

Description

LED器件、LED灯及加工LED器件的导电线的方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED器件、LED灯及加工LED器件的导电线的方法。

背景技术

现有技术的LED器件通过支架来安装芯片，支架上设有两个间隔设置的电连接区，两个电连接区之间为绝缘区，LED芯片安装在其中一个电连接区内，并且通过导电线与另外一个电连接区电连接，从而实现LED芯片的导通，完成导电线的安装后，需要在支架上面覆盖封装胶体，通过封装胶体将LED芯片和导电线覆盖于其内。

其中，现有技术的导电线一般为二维结构，即导电线处于同一平面内，例如名称为“LED封装结构”、授权公告号为CN204204914U的中国实用新型专利，其公开了二维结构的金线。但是二维结构的导电线只能缓冲其所在的二维平面上的应力，并不能够缓冲导电线受到的其它方向的应力。

为了进一步提高导电线的应力缓冲能力，现有技术公开了另外一种结构的导电线，具体参照名称为“一种LED器件、LED灯及加工LED器件导电焊线的方法”、公布号为CN106784242A的中国发明专利，其公开的导电焊线包括依次连接的竖直段、第一弯折段、第二弯折段和连接段，其中第一弯折段和第二弯折段形成三维结构，从而提高导电焊线的应力缓冲能力，但是，采用此种结构的导电焊线具有以下缺点：

为了提高导电焊线的应力缓冲能力，需要控制导电焊线的整体弧高，因为当弧高越高时，导电焊线涉及到的封装胶体的范围越广泛，此时封装胶体的热胀冷缩对导电焊线的影响更大，同时导电焊线的应力拉扯范围越大，所以需要控制导电焊线的弧高；

而公布号为CN106784242A的中国发明专利是在公告号为CN204204914U的中国实用新型专利的金线的基础上，使其顶端拐向一侧所形成的，其中，顶端向一侧拐的角度称为J角度，此处的J角度决定了导电焊线的高度C2以及第一弯折段和第二弯折段在水平面形成的夹角B1(参考图1至图2所示)，因为当导电焊线向一侧拐的幅度加大时，即J角度加大时，弧高C2会降低，夹角B1会变小。其中降低弧高C2有两种方法，第一种方法是在保证夹角B1和线弧外倾程度的情况下降低导电焊线的竖直段的高度C1(即LED芯片电极至线弧的第一拐点的高度)，当竖直段的高度C1小于焊接线材的HAZ(热响应区)长度时，竖直段与焊球的连接点D点会变得很脆弱，其可靠性会有所降低，很难满足要求；第二种方法是加大J角度，但是J角度加大时，线弧的夹角B1会变小，此外，当线弧的外倾程度变大时，线弧的顶端会往下压，此时，可能会出现C2≤C1的情况，即加重竖直段与焊球连接点D点的负担，从而导致可靠性变弱。

同理，若用于连接两个LED芯片的导电焊线以及用于连接LED芯片和此LED芯片所在的电连接区的导电焊线也采用上述的J线弧，其也会存在上述问题，例如公告号为CN206388703的中国实用新型专利，此实用新型专利公开的导电焊线的顶端向一侧拐，其拐的角度决定了导电焊线的高度以及第一弯折段和第二弯折段在水平面形成的夹角，且在降低弧高的过程中也容易出现竖直段的高度小于焊接线材的HAZ(热响应区)长度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED器件，提高LED器件的导电线的应力缓冲能力。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED器件，包括LED芯片、用于承载LED芯片的支架以及至少一条电性连接LED芯片的导电线，所述导电线为三维结构，其包括依次设置的竖直段、斜向上倾斜的第一应力缓冲段、斜向下倾斜的第二应力缓冲段以及斜向下倾斜的第三应力缓冲段；

所述竖直段与第一应力缓冲段之间形成第一过渡拐弯段，所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段之间形成第二过渡拐弯段，所述第二应力缓冲段和第三应力缓冲段之间形成第三过渡拐弯段，所述第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段沿导电线的长度方向依次设置，且所述第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段的弯折方向相反；

所述导电线的一端用于连接LED芯片，另一端用于连接支架或另一LED芯片。

作为上述方案的改进，所述支架包括多个电连接区，相邻电连接区通过绝缘区分隔，LED芯片设于电连接区内，所述导电线的竖直段与其中一个电连接区内的LED芯片电连接，所述导电线与竖直段相对的另一端与同电连接区内的另一个LED芯片、相邻电连接区内的LED芯片、同电连接区或相邻电连接区电连接。

作为上述方案的改进，所述第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段位于绝缘区的同侧。

作为上述方案的改进，所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段位于竖直段所在的LED芯片的正上方。

作为上述方案的改进，所述竖直段与其中一个电连接区内的LED芯片电连接，所述LED芯片为双电极芯片，当所述双电极芯片采用垂直安装的方式时，所述竖直段与双电极芯片的正电极或者负电极连接，所述第一应力缓冲段向双电极芯片的另一个电极方向倾斜。

作为上述方案的改进，所述第三应力缓冲段和竖直段处于同一平面。

作为上述方案的改进，所述导电线还包括设于第三应力缓冲段末端的过渡连接段，所述过渡连接段与水平面之间的夹角小于第三应力缓冲段与水平面之间的夹角，所述过渡连接段远离第三应力缓冲段的端部贴设于支架的表面或另一LED芯片的表面。

作为上述方案的改进，所述过渡连接段与水平面之间的夹角为A0，0°≤A0≤10°。

作为上述方案的改进，所述竖直段的高度为H1，30μm≤H1≤50μm。

作为上述方案的改进，所述导电线最高点与LED芯片上表面之间的高度差为H2，50μm＜H2≤70μm。

作为上述方案的改进，所述第一应力缓冲段在水平面上的投影的长度为L1，80μm≤L1≤120μm；

所述第一应力缓冲段与水平面之间的夹角为A1，0°＜A1≤20°。

作为上述方案的改进，所述第二应力缓冲段在水平面上的投影的长度为L2，80μm≤L2≤120μm；

所述第二应力缓冲段与水平面之间的夹角为A2，0°＜A2≤20°；

所述第二应力缓冲段的垂直高度为H3，0μm＜H3≤60μm。

作为上述方案的改进，所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段在水平面上的投影的夹角为A3，60°≤A3≤90°；

所述第二应力缓冲段和第三应力缓冲段在水平面上的投影的夹角为A4，120°≤A4≤135°。

相应的，本发明还公开了一种LED灯，包括本发明所述的LED器件。

相应的，本发明还公开了一种加工本发明所述的LED器件的导电线的方法，包括如下步骤：

A、将金球焊接在LED芯片对应的电极后，焊头向上运动，线夹放线从而形成竖直段；

B、焊头按设定轨迹运动从而形成第一弯折段，所述第一弯折段为第一应力缓冲段，所述第一应力缓冲段和竖直段之间形成第一过渡拐弯段；

C、焊头按设定轨迹运动从而形成第二弯折段，所述第二弯折段和第一弯折段之间形成第二过渡拐弯段，在形成第二弯折段的过程中，焊头向下压，从而形成第三过渡拐弯段，位于第三过渡拐弯段的两侧分别为第二应力缓冲段和第三应力缓冲段。

实施本发明的实施例，具有如下有益效果：

1、本发明的导电线是在J线弧的基础上增加了一个焊头下压的步骤，即在J线弧的第二弯折段上新形成一个拐点，此时，导电线的弧高可减小对J角度的依赖，可设置长度更短的第一弯折段，当J角度变化，本发明的弧高变化比J线弧更小，且可以保证在降低弧高时还可以保证竖直段的高度大于线材的HAZ长度(热响应区的长度)；

2、本发明的导电线的第一应力缓冲段、第二应力缓冲段和第三应力缓冲段为一个三维结构，可以对各个方向的应力进行缓冲，且由于本发明增加了第三过渡拐弯段，所以导电线的应力缓冲能力有所提高，即可以提高导电线的可靠性；

3、采用本发明的导电线时，线弧的高度可以降低至70μm以下，从而减少线弧受到的封装胶体的热膨胀应力的影响；

4、本发明的导电线的弧高控制的精度更高，理由如下：

a、因为本发明的弧高相对较低，所以当导电线向一侧拐的角度相同时，J线弧的弧高比本申请的弧高变化更多，即当需要降低某个弧高时，现有技术的J线弧所需调整的角度更小，可见，本申请的导电线更利于调整；例如，相同情况下，现有技术的J线弧的弧长为100μm-350μm，而本发明的导电线的弧长可以控制在80μm-120μm，相应的，当第一应力缓冲段与水平面的夹角变化10°时，现有技术的J线弧的弧高变化为17μm-61μm，而本申请的导电线的弧高变化为14μm-21μm；

此外，需要说明的是，现有技术的J线弧的弧长不能太短，因为当J线弧的弧长较短时，J线弧的第二个拐点(第一弯折段和第二弯折段之间的拐点)会往芯片的中间靠拢，即第二个拐点会离芯片边缘越远，因为弧高的降低，线弧的第二弯折段很容易与芯片接触，使得芯片短路，而本申请的导电线因为比J线弧多出一弯折点，使得芯片上方的最后一个弯折点离芯片边缘越近，解决了线弧触碰芯片的风险；

b、可以设置更大的J角度，从线弧的参数设定对比，J线弧的J角度设定范围是±(30°-60°)，CJ线弧的J角度设定范围是±(70°-100°),J角度越大，线弧的高度越低；

c、增加第三拐点后，由于设计要求线弧的弯折点全部位于第二电连接区一侧，因此必须要缩短线弧第一弯折段的长度，从而降低线弧的高度。

附图说明

图1是中国公布号为CN106784242A的发明专利中导电焊线的正视图；

图2是中国公布号为CN106784242A的发明专利中导电焊线的俯视图；

图3是本发明LED器件的简图；

图4是本发明LED器件设有两个电连接区时的正视图；

图5是图4中E处的局部放大图；

图6是本发明LED器件设有两个电连接区时的俯视图；

图7是图6中F处的局部放大图；

图8是图7中I处的局部放大图；

图9是本发明LED器件设有两个电连接区时的侧视图；

图10是图9中G处的局部放大图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。仅此声明，本发明在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本发明的附图为基准，其并不是对本发明的具体限定。

参见附图3，本发明公开了一种LED器件，包括LED芯片3、用于承载LED芯片3的支架1以及至少一条电性连接LED芯片3的导电线2，本发明所述的导电线的一端用于连接LED芯片，另一端用于连接支架1或另一LED芯片。其中，所述LED芯片3和导电线2通过封装胶体覆盖。所述附图3中的导电线并不表示导电线的俯视图，其只是起到连接作用的标识。

所述支架1包括多个电连接区10，相邻电连接区10通过绝缘区12分隔，LED芯片3设于电连接区内，所述导电线2的一端(下述中的竖直段)与其中一个电连接区10内的LED芯片3电连接，另一端(与竖直段相对的另一端)与同电连接区内的另一个LED芯片、相邻电连接区内的LED芯片、同电连接区或相邻电连接区电连接。本发明的LED芯片设于电连接区内，当其设有多个时，可以多个同时设于同一个电连接区内，也可以分开设于不同的电连接区内。

其中，附图6中显示的支架1设有两个电连接区，两个电连接区分别为第一电连接区11和第二电连接区13，第一电连接区11和第二电连接区13之间为绝缘区12，所述第二电连接区13内安装有LED芯片，附图4和附图8中的第二电连接区13只显示了一个LED芯片3a，附图6显示了两个LED芯片(3a、3b)。

可见，本发明公开的导电线可以用于连接两个同电连接区内的LED芯片，也可以用于连接两个不同电连接区内的LED芯片，或者是一端连接LED芯片，另一端直接连接电连接区(可以是同电连接区或者其他电连接区)。以下对导电线的各种情况进行详细描述。

实施例一

本实施例的导电线2a用于连接LED芯片和相邻的电连接区，即附图6中的LED芯片3a和第一电连接区11。

参见附图4至附图10，本实施例的导电线2a为三维结构，其包括依次设置的竖直段21、斜向上倾斜的第一应力缓冲段22、斜向下倾斜的第二应力缓冲段23以及斜向下倾斜的第三应力缓冲段24。其中，所述竖直段21与第一应力缓冲段22之间形成第一过渡拐弯段25，所述第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23之间形成第二过渡拐弯段26，所述第二应力缓冲段23和第三应力缓冲段24之间形成第三过渡拐弯段27，即相邻段之间依次为第一过渡拐弯段25、第二过渡拐弯段26和第三过渡拐弯段27。

所述第一过渡拐弯段25、第二过渡拐弯段26和第三过渡拐弯段27沿导电线2a的长度方向依次设置，即导电线2a在水平面投影时，所述第二过渡拐弯段26是夹在第一过渡拐弯段25和第三过渡拐弯段27之间，此时，所述第一应力缓冲段22是向第三应力缓冲段24倾斜，从而限制第一应力缓冲段22的倾斜方向。

此外，所述第二过渡拐弯段26和第三过渡拐弯段27的弯折方向相反，即第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23所形成的夹角的开口朝向与第二应力缓冲段23和第三应力缓冲段24所形成的夹角的开口朝向相反，例如在附图6中，第二过渡拐弯段26所在的开口在图中是朝下设置，第三过渡拐弯段27所在的开口在图中是朝上(包括斜向)设置。

在本实施例中，所述导电线2a用于连接第一电连接区11和LED芯片3a，此时，导电线2a的竖直段21与LED芯片3a连接，导电线2a的第三应力缓冲段24与第一电连接区11连接。所述第一过渡拐弯段25、第二过渡拐弯段26和第三过渡拐弯段27位于绝缘区12的同侧。其中，导电线2a的两端一般通过焊接连接的方式与相应的部件连接。

本实施例将导电线2a的三个过渡拐弯段设置在绝缘区12的同侧(均设置在第二电连接区13内)，即将第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23尽量靠近竖直段21，此时可以提高导电线2a的应力缓冲能力，当第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23靠近竖直段21时，第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23更多的部位是位于LED芯片3a正上方，此时，第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23所在部位的封装胶体的量更少，从而可以减小封装胶体的热胀冷缩带来的不良影响，即可提高导电线2a的使用寿命。

为了提高本实施例的导电线2a的应力缓冲能力，本实施将所述第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23设置在竖直段21所在的LED芯片3a的正上方。此时，第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23所在下方的封装胶体相对最薄，当导电线2a下方的封装胶体越薄，则第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23所受到的热膨胀应力越小，而第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23是导电线2a相对较为薄弱的地方，所以本实施例将第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23设置在LED芯片3a的正上方，从而提高导电线2a的应力缓冲能力。

需要说明的是，现有技术为了保证金线的寿命，会对金线的弯折进行限制，而公布号为CN106784242A的中国发明专利正是考虑到这点，所以选择在导电焊线上设置两个拐点(竖直段和第一弯折段之间的拐点以及第一弯折段和第二弯折段之间的拐点)进行应力缓冲，但是发明人经过快速冷热冲击试验发现，当采用本发明的导电线2a的结构时，虽然导电线2a上设置了三个拐点，但是LED器件的整体寿命并没有降低，反而有所升高，LED器件的可靠性也有所提高。下表为快速冷热冲击试验相关的数据，此试验的条件是-65℃/15min到150℃/15min，且每0.5h一个循环，相对于一般的冷却冲击试验条件更为苛刻。

其中，Q线弧和C线弧指平面线弧，Q线弧指代现有技术中传统的二维线弧，参照公告号为CN204204914U的中国实用新型专利的背景技术中的金线，C线弧参照公告号为CN204927345U的中国实用新型专利中公开的金线，J线弧和CJ线弧指非平面线弧，其中J线弧具体为公布号为CN106784242A的中国发明专利的导电焊线，CJ线弧具体为本发明的导电线2a。

由上表可得出以下结论：

1、Q线弧和J线弧在相同弧高(均为80μm-120μm)时，J线弧的抗冷热冲击效果比Q线弧好，相同的实验条件，J线弧和CJ线弧的抗冷热冲击效果比Q线弧和C线弧好，由此可知，非平面线弧的抗冷热冲击性能比平面线弧更好，即J线弧和CJ线弧的可靠性更强、寿命更长；

2、当J线弧的弧高为70μm-80μm时，J线弧在冷热冲击100回合时会出现失效，而当J线弧的弧高为80μm-120μm时，J线弧在冷却冲击120回合时才出现失效，可见，J线弧并不是越低越好，J线弧的弧高为80μm-120μm时为最佳高度，但是当弧高较高时，导电线受封装胶体的影响更大，LED器件的可靠性有所降低，这也正是J线弧弧高难以降低带来的不足；

而当CJ线弧的弧高在60μm-80μm时，其在冷却冲击180回合时才出现失效，可见，CJ线弧控制在较低的弧高时，其可靠性也相对较高，可见，采用本发明的CJ线弧时，其可靠性相对其他线弧更高；

3、此外，通过上述试验也可得出，当第三过渡拐弯段过绝缘区时，其寿命相对第三过渡拐弯段过绝缘区时的寿命更长。

本发明的导电线是在J线弧的基础上增加了一个焊头下压步骤，即在J线弧的第二弯折段上新形成一个拐点，此时，导电线的弧高可减小对J角度的依赖，可设置长度更短的第一弯折段，当J角度变化，本发明的弧高变化比J线弧更小，且可以保证在降低弧高时还可以保证竖直段的高度大于线材的HAZ长度(热响应区的长度)。

此外，本实施例的导电线也适用于连接LED芯片以及此LED芯片所在的电连接区，即导电线的一端连接其中一个电连接区的LED芯片，另一端连接同电连接区，此处不做具体介绍，具体参照上文所述。

实施例二

本实施例的导电线2b用于连接第二电连接区13内的两个LED芯片(3a、3b)，本实施例的导电线的结构与实施例一基本相同。

参见附图6，本实施例的导电线2b为三维结构，其包括依次设置的竖直段、斜向上倾斜的第一应力缓冲段、斜向下倾斜的第二应力缓冲段以及斜向下倾斜的第三应力缓冲段。其中，所述竖直段与第一应力缓冲段之间形成第一过渡拐弯段，所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段之间形成第二过渡拐弯段，所述第二应力缓冲段和第三应力缓冲段之间形成第三过渡拐弯段，即相邻段之间依次为第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段，所述第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段沿导电线的长度方向依次设置，且所述第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段的弯折方向相反。

本实施例中，所述导电线2b用于连接第二电连接区13内的两个LED芯片(3a、3b)，其中，所述竖直段与其中一个LED芯片3a的正电极或者负电极连接，所述第三应力缓冲段与另一个LED芯片3b的另一电极连接，从而将两个LED芯片(3a、3b)进行电连接。

此外，为了提高本实施例的导电线2b的应力缓冲能力，本实施将所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段设置在竖直段所在的LED芯片3a的正上方。此时，第一应力缓冲段和第二应力缓冲段所在下方的封装胶体相对最薄，当导电线下方的封装胶体越薄，则第一应力缓冲段和第二应力缓冲段所受到的热膨胀应力越小，而第一应力缓冲段和第二应力缓冲段是导电线相对较为薄弱的地方，所以本实施例将第一应力缓冲段和第二应力缓冲段设置在LED芯片的正上方。

此外，本实施例的导电线也适用于连接不同电连接区的两个LED芯片，即导电线的一端连接其中一个电连接区内的某个LED芯片，另一端连接另一个电连接区内的某个LED芯片，此处不做具体介绍，具体参照上文所述。

实施例三

此实施例是对实施例一和实施例二中的导电线做进一步的优选，且将本实施例中的导电线的各个段以实施例一的各标号表示。在实施例一和实施例二中，所述竖直段21均是与LED芯片3a连接，其中，所述竖直段21与其中一个电连接区内的LED芯片3a的正电极或者负电极连接，当所述LED芯片3a为双电极芯片，且所述双电极芯片采用垂直安装的方式时，所述竖直段21与双电极芯片的正电极或者负电极连接，所述第一应力缓冲段22向双电极芯片的另一个电极方向倾斜。即进一步限制第一应力缓冲段22的方向，以使导电线(2a、2b)相对较为薄弱的竖直段21、第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23尽可能的设置在LED芯片3a的正上方。其中，双电极芯片的垂直安装方式是指其两个电极沿绝缘区的边缘排布，两个电极的连线可以是与绝缘区的边缘平行，即附图6中所示的排布，也可以是与绝缘区的边缘成一定的夹角。

此外，本发明所述第三应力缓冲段24和竖直段21优选处于同一平面，此时更利于导电线缓冲垂直方向的应力。

此外，当导电线2a的两端存在高度差，或者是当导电线2a需要跨越绝缘区12时，导电线2a的第三应力缓冲段与支架或者LED芯片连接的部位很容易受到上下应力拉扯的影响而断开。为了提高导电线2a连接的牢固性，本实施例所述的导电线2a优选还包括设于第三应力缓冲段24末端的过渡连接段28，所述过渡连接段28与水平面之间的夹角小于第三应力缓冲段24与水平面之间的夹角，即所述过渡连接段28更趋于水平，所述过渡连接段28远离第三应力缓冲段24的端部贴设于支架1或另一LED芯片的表面。即过渡连接段包括至少部分贴设于支架或另一LED芯片表面的直线段，即使过渡连接段受到第三应力缓冲段24向上的拉力或者其他方向的应力时，也可以通过直线段进行一定的缓冲，不会将此拉力直接传送至导电线2a连接的端部，从而增强导电线2a连接的牢固性。当然，本实施例的导电线2a也可以将第三应力缓冲段24与直接或者LED芯片直接进行电连接。

其中，所述过渡连接段与水平面之间的夹角为A0，0°≤A0≤10°。

需要说明的是，本发明的导电线(2a、2b)的弧高相对现有技术的导电线的弧高有所降低，现有技术的弧高一般设置为70μm-130μm，而采用本申请结构的导电线(2a、2b)后，其导电线(2a、2b)的弧高可以控制在70μm以下，即所述导电线(2a、2b)最高点与LED芯片3a上表面之间的高度差为H2，50μm＜H2≤70μm，相应的，所述竖直段21的高度为H1，30μm≤H1≤50μm。采用本发明相对较低的弧高时，可以减少封装胶体对导电线(2a、2b)的热膨胀应力的影响。

此外，根据发明人多次试验验证，第一应力缓冲段22、第二应力缓冲段23和第三应力缓冲段24的各个参数对导电线(2a、2b)的使用寿命也有重要影响，以下结合附图对各段的优选方案进行详细描述：

(1)第一应力缓冲段22：所述第一应力缓冲段22在水平面上的投影的长度为L1，80μm≤L1≤120μm；

所述第一应力缓冲段22与水平面之间的夹角为A1，0°＜A1≤20°。

(2)第二应力缓冲段23：所述第二应力缓冲段23在水平面上的投影的长度为L2，80μm≤L2≤120μm；

所述第二应力缓冲段23与水平面之间的夹角为A2，0°＜A2≤20°；

所述第二应力缓冲段23的垂直高度为H3，0μm＜H3≤60μm，此处的H3是指第二应力缓冲段在竖直面的投影的长度。

(3)各缓冲段之间的夹角：所述第一应力缓冲段22和第二应力缓冲段23在水平面上的投影的夹角为A3，60°≤A3≤90°；

所述第二应力缓冲段23和第三应力缓冲段24在水平面上的投影的夹角为A4，120°≤A4≤135°。

由于第三应力缓冲段24与LED芯片的大小和厚度有关，所以没有相对的优选方案，根据实际情况以及上述各个参数进行限制。

此外，本实施例所述LED芯片为蓝光芯片、红光芯片或绿光芯片，可以根据需求选择，当第二电连接区设有多个LED芯片时，多个LED芯片也可以根据需求选择不同光的LED芯片。

作为LED芯片和封装胶体的优选方案，所述LED芯片为蓝光芯片，所述封装胶体为荧光粉与有机硅混合物。所述封装胶体也可以为硅树脂、硅胶或环氧树脂。

实施例四

相应的，本发明还公开了一种LED灯，包括本发明所述的LED器件。

实施例五

相应的，本发明还公开了一种加工LED器件的导电线的方法，包括如下步骤：

A、将金球焊接在LED芯片对应的电极后，焊头向上运动，线夹放线从而形成竖直段；

B、焊头按设定轨迹运动从而形成第一弯折段，所述第一弯折段为第一应力缓冲段，所述第一应力缓冲段和竖直段之间形成第一过渡拐弯段；此步骤中的焊头按设定轨迹运动指焊头沿着第一应力缓冲段的线路行走；

C、焊头按设定轨迹运动从而形成第二弯折段，所述第二弯折段和第一弯折段之间形成第二过渡拐弯段，在形成第二弯折段的过程中，焊头向下压，从而形成第三过渡拐弯段，位于第三过渡拐弯段的两侧分别为第二应力缓冲段和第三应力缓冲段；此步骤中的焊头按设定轨迹运动指焊头由第一应力缓冲端的末端向远离第一应力缓冲段的斜下方运动，并且在此向下运动的过程中，有一个向下压的动作，从而形成第三过渡拐弯段。

本发明的导电线是在J线弧的基础上增加了一个焊头下压的步骤，即在J线弧的第二弯折段上新形成一个拐点，此时，导电线的弧高可减小对J角度的依赖，可设置长度更短的第一弯折段，当J角度变化，本发明的弧高变化比J线弧更小，且可以保证在降低弧高时还可以保证竖直段的高度大于线材的HAZ长度(热响应区的长度)。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种LED器件，包括LED芯片、用于承载LED芯片的支架以及至少一条电性连接LED芯片的导电线，其特征在于，所述导电线为三维结构，其包括依次设置的竖直段、斜向上倾斜的第一应力缓冲段、斜向下倾斜的第二应力缓冲段以及斜向下倾斜的第三应力缓冲段；

所述竖直段与第一应力缓冲段之间形成第一过渡拐弯段，所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段之间形成第二过渡拐弯段，所述第二应力缓冲段和第三应力缓冲段之间形成第三过渡拐弯段，所述第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段沿导电线的长度方向依次设置，且所述第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段的弯折方向相反；

所述导电线的一端用于连接LED芯片，另一端用于连接支架或另一LED芯片；

所述支架包括多个电连接区，相邻电连接区通过绝缘区分隔，LED芯片设于电连接区内，所述导电线的竖直段与其中一个电连接区内的LED芯片电连接，所述导电线与竖直段相对的另一端与同电连接区内的另一个LED芯片、相邻电连接区内的LED芯片、同电连接区或相邻电连接区电连接；

所述LED芯片和导电线通过封装胶体覆盖。

2.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述第一过渡拐弯段、第二过渡拐弯段和第三过渡拐弯段位于绝缘区的同侧。

3.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段位于竖直段所在的LED芯片的正上方。

4.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述竖直段与其中一个电连接区内的LED芯片电连接，所述LED芯片为双电极芯片，当所述双电极芯片采用垂直安装的方式时，所述竖直段与双电极芯片的正电极或者负电极连接，所述第一应力缓冲段向双电极芯片的另一个电极方向倾斜。

5.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件，其特征在于，所述第三应力缓冲段和竖直段处于同一平面。

6.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件，其特征在于，所述导电线还包括设于第三应力缓冲段末端的过渡连接段，所述过渡连接段与水平面之间的夹角小于第三应力缓冲段与水平面之间的夹角，所述过渡连接段远离第三应力缓冲段的端部贴设于支架的表面或另一LED芯片的表面。

7.根据权利要求6所述的LED器件，其特征在于，所述过渡连接段与水平面之间的夹角为A0，0°≤A0≤10°。

8.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件，其特征在于，所述竖直段的高度为H1，30μm≤H1≤50μm。

9.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件，其特征在于，所述导电线最高点与LED芯片上表面之间的高度差为H2，50μm＜H2≤70μm。

10.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件，其特征在于，所述第一应力缓冲段在水平面上的投影的长度为L1，80μm≤L1≤120μm；

所述第一应力缓冲段与水平面之间的夹角为A1，0°＜A1≤20°。

11.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件，其特征在于，所述第二应力缓冲段在水平面上的投影的长度为L2，80μm≤L2≤120μm；

所述第二应力缓冲段与水平面之间的夹角为A2，0°＜A2≤20°；

所述第二应力缓冲段的垂直高度为H3，0μm＜H3≤60μm。

12.根据权利要求1至4任一项所述的LED器件，其特征在于，所述第一应力缓冲段和第二应力缓冲段在水平面上的投影的夹角为A3，60°≤A3≤90°；

所述第二应力缓冲段和第三应力缓冲段在水平面上的投影的夹角为A4，120°≤A4≤135°。

13.一种LED灯，其特征在于，包括权利要求1所述的LED器件。

14.一种加工权利要求1所述的LED器件的导电线的方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、将金球焊接在LED芯片对应的电极后，焊头向上运动，线夹放线从而形成竖直段；

B、焊头按设定轨迹运动从而形成第一弯折段，所述第一弯折段为第一应力缓冲段，所述第一应力缓冲段和竖直段之间形成第一过渡拐弯段；

C、焊头按设定轨迹运动从而形成第二弯折段，所述第二弯折段和第一弯折段之间形成第二过渡拐弯段，在形成第二弯折段的过程中，焊头向下压，从而形成第三过渡拐弯段，位于第三过渡拐弯段的两侧分别为第二应力缓冲段和第三应力缓冲段。