CN107946248A - 一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法 - Google Patents
一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107946248A CN107946248A CN201711123445.9A CN201711123445A CN107946248A CN 107946248 A CN107946248 A CN 107946248A CN 201711123445 A CN201711123445 A CN 201711123445A CN 107946248 A CN107946248 A CN 107946248A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic
- porcelain
- porcelain piece
- metal
- band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 16
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 claims description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 claims 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 2
- 206010068052 Mosaicism Diseases 0.000 description 5
- 210000003765 sex chromosome Anatomy 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- -1 forms weld-ring Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明是陶瓷插针外壳结构及制造方法,其外壳结构是陶瓷件与金属引针之间采用端封与轴封结合的方式。其制造方法,包括如下工艺步骤:1)通过流延,获得氧化铝生瓷带;2)将每层氧化铝生瓷带开孔;3)对最表层、对最底层瓷带进行印刷,获得陶瓷件与外壳框架焊接所需的金属化;4)对最表层瓷带开孔进行挂孔;5)获得单个熟瓷瓷件;6)采用化学镀镍;7)制得半成品外壳;8)制成为成品封装外壳。优点:能够有效提升高可靠电力电子封装外壳的气密可靠性,并且为大规模生产工艺能够保证该类型产品的批量化制备。
Description
技术领域
本发明是一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法,乃是针对电力电子用封装外壳的结构与制造方法,属于陶瓷封装技术领域。
背景技术
陶瓷插针外壳广泛应用于电力电子器件的高可靠性封装,如典型的To254、To256系列封装。该类型封装外壳引针一般存在两种类型的封接形式,一种为端封,一种为轴封,两种封接形式在生产过程都存在一定比例气密性问题。
对于端封结构,是通过焊环与瓷件的表层金属化焊接形成面结合,同时引针与焊环间缝隙由银铜焊料填充,形成焊环、瓷件、引针的密封结构。在这种结构中由于瓷件、焊环与引针间热膨胀系数存在差异,在高温焊接升温与冷却过程中焊环与瓷件结合的金属化边缘受力较大,易被焊料拉开,从而造成气密性问题。
对于轴封结构,瓷件的孔内金属化与引针由银铜焊料填充,直接形成气密封接。这种封接形式对孔与引针间的间隙精度要求非常高。过窄的间隙引针无法顺利插入,从而无法组装焊接;过宽的间隙则焊料无法填满,造成焊接孔洞。并且间隙尺寸的稍微波动也会造成焊料量无法精确控制,从而造成气密性问题。
由于电子力电子器件广泛用于军工、轨道交通、汽车等功率转换领域,需求量非常大。因此,提高该类型封装外壳的气密可靠性,有着良好的应用前景与社会效益。
发明内容
本发明提出的是一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法,其目的是获得一种高可靠的陶瓷、引针封接结构,解决该类型外壳的气密性问题。
本发明的技术解决方案:陶瓷插针外壳结构,其结构包括外壳框架1、金属引针2、陶瓷瓷件3、焊环4、热沉5、散热片6,其中外壳框架1的底层上是散热片6,外壳框架1的侧面上是陶瓷瓷件3,陶瓷瓷件3外包焊环4,焊环4的端部是金属引针2,外壳框架1的底层端部是热沉5;
所述陶瓷瓷件3与金属引针2之间采用端封与轴封结合的方式,焊环4与陶瓷瓷件3表层金属化形成端封,其气密封接面积大;同时陶瓷瓷件3孔的上层部分孔壁金属化,避免了端封金属化形成的边缘应力,并与金属引针2形成轴封。
该结构方式利用端封气密封接面积大的特点,同时利用轴封焊料下挂减少了单一端封焊接应力大的缺点,避免了单一端封陶瓷金属化开裂及轴封不易焊接造成的气密性问题。
其制造方法,包括如下工艺步骤:
1)通过流延,获得0.15-0.45mm厚度的氧化铝生瓷带;
2)将每层氧化铝生瓷带进行激光开孔或是机械开孔,开出金属引针的穿孔位置;
3)对最表层瓷带进行印刷,获得端封用焊环焊接所需的金属化;对最底层瓷带进行印刷,获得陶瓷件与外壳框架焊接所需的金属化;
4)对最表层瓷带开孔进行挂孔,使孔内壁实现金属化,用于金属引针的轴封;
5)将多层氧化铝生瓷带进行叠片、层压、生切、烧结,获得单个熟瓷瓷件;
6)采用化学镀镍、对瓷件钨金属化进行镀覆,使陶瓷金属化能够进行高温钎焊;
7)将瓷件、引针、焊环、热沉、散热片、框架用银铜焊料经过高温钎焊,进行焊接成型为半成品外壳;
8)将半成品管壳通过电镀镍、电镀金工艺成为成品封装外壳。
本发明的优点:
1)采用轴封与轴封相结合的结构,有效改善了陶瓷插针类外壳气密可靠性。
2)该结构的瓷件开孔、表层金属化印刷及孔内金属化均为通用的多层陶瓷制备工艺,能够实现一致性规模化生产,为批生产制备技术。
附图说明
图1是陶瓷插针外壳的制造工艺流程图。
图2是陶瓷插针外壳的外壳结构图。
图中的1是外壳框架、2是金属引针、3是陶瓷瓷件、4是焊环、5是热沉、6是散热片。
具体实施方式
对照图2,陶瓷插针外壳结构,包括外壳框架1、金属引针2、陶瓷瓷件3、焊环4、热沉5、散热片6,其中外壳框架1的底层上是散热片6,外壳框架1的侧面上是陶瓷瓷件3,陶瓷瓷件3外包焊环4,焊环4的端部是金属引针2,外壳框架1的底层端部是热沉5;
所述陶瓷瓷件3与金属引针2之间采用端封与轴封结合的方式,焊环4与陶瓷瓷件3表层金属化形成端封,其气密封接面积大;同时陶瓷瓷件3孔的上层部分孔壁金属化,避免了端封金属化形成的边缘应力,并与金属引针2形成轴封;该结构形式避免了单一端封陶瓷金属化开裂及轴封不易焊接造成的气密性问题。
如图1所示,制造陶瓷插针外壳结构的方法,包括如下工艺步骤:
1)通过流延,获得0.15-0.45mm厚度的氧化铝生瓷带;
2)将每层氧化铝生瓷带进行激光开孔或是机械开孔,开出金属引针的穿孔位置;
3)对最表层瓷带进行印刷,获得端封用焊环焊接所需的金属化;对最底层瓷带进行印刷,获得陶瓷件与外壳框架焊接所需的金属化;
4)对最表层瓷带开孔进行挂孔,使孔内壁实现金属化,用于金属引针的轴封;
5)将多层氧化铝生瓷带进行叠片、层压、生切、烧结,获得单个熟瓷瓷件;
6)采用化学镀镍、对瓷件钨金属化进行镀覆,使陶瓷金属化能够进行高温钎焊;
7)将镀镍后陶瓷瓷件3、金属引针2、焊环4、热沉5、散热片6、外壳框架1用银铜焊料经过高温钎焊,进行焊接成型为半成品外壳;
8)将半成品管壳通过电镀镍、电镀金工艺成为成品封装外壳。
所述的一种陶瓷插针外壳结构,其氧化铝陶瓷件选用氧化铝陶瓷为基体材料,利用多层陶瓷制备工艺加工获得。
所述的一种陶瓷插针外壳结构,其氧化铝陶瓷件中轴封通过表层瓷带开孔,并进行印刷金属化挂孔获得。
所述的一种陶瓷插针外壳结构,其端封与轴封结合是通过焊环、引针、瓷件表层金属化、及瓷件孔内金属化与银铜焊料的经过高温钎焊而获得。
实施例
制造陶瓷插针外壳结构,包括如下步骤:
1)利用流延设备在120℃干燥温度下获得单张厚度0.34mm,长、宽210mm生瓷带;
2)将4层0.34厚度氮化铝生瓷带,利用机械冲孔机开出引针所需要的孔;
3)利用印刷机与丝网网版,将钨浆料涂覆顶层表面及底层表面,获得瓷件与可伐密封环焊接端封所需的金属化区域及与可伐框架焊接所需的金属化区域,待干燥;
4)干燥后,利用钢网网版与印刷机,对最表层瓷带开孔进行钨浆料挂孔,实现内壁金属化,获得引针与开孔轴封金属化区域,待干燥,
5)干燥后,将四层生瓷带按顺序进行叠片、层压成整体生瓷块,
6)利用生切机,将整版生瓷块按标记线进行生切获得单元;
7)在1600℃的温度下,进行烧结,获得熟瓷单元;
8)将熟瓷在滚镀槽内进行化学镀镍,镍层厚度为1.0μm;
9)将镀镍后瓷件与引针、焊环、热沉、散热片、框架用石墨模具装架后用银铜焊料在800℃钎焊炉内进行钎焊,获得半成品外壳;
10)将半成品管壳进行电镀镍、电镀金,镍层厚度为3.0μm,金层厚度为2.0μm获得成品封装外壳。
Claims (5)
1.陶瓷插针外壳结构,其特征包括外壳框架、金属引针、陶瓷瓷件、焊环、热沉、散热片,其中外壳框架的底层上是散热片,外壳框架的侧面上是陶瓷瓷件,陶瓷瓷件外包焊环,焊环的端部是金属引针,外壳框架的底层端部是热沉;
所述陶瓷瓷件与金属引针之间采用端封与轴封结合的方式,焊环与陶瓷瓷件表层金属化形成端封,其气密封接面积大;同时陶瓷瓷件孔的上层部分孔壁金属化,避免了端封金属化形成的边缘应力,并与金属引针形成轴封。
2.如权利要求1的一种陶瓷插针外壳结构的制造方法,其特征是该方法包括如下工艺步骤:
1)通过流延,获得0.15-0.45mm厚度的氧化铝生瓷带;
2)将每层氧化铝生瓷带进行激光开孔或是机械开孔,开出金属引针的穿孔位置;
3)在丝网印刷机上对最表层瓷带使用丝网进行印刷,印刷浆料使用高温共烧的钨金属化浆料,获得端封用焊环焊接所需的金属化;对最底层瓷带进行印刷,使用丝网进行印刷,印刷浆料使用高温共烧的钨金属化浆料获得陶瓷件与外壳框架焊接所需的金属化;
4)在丝网印刷机上,采用带有对应孔的钢网对最表层瓷带开孔挂孔,挂孔过程为钨浆料在印刷机真空吸力下通过钢网孔径对瓷带的开孔内壁实现涂覆,使孔内壁实现金属化,用于金属引针的轴封;
5)将多层氧化铝生瓷带进行叠片、层压、生切、烧结,获得单个熟瓷瓷件;
6)采用化学镀镍,将带有钨金属化的熟瓷件经过超声清洗,盐酸活化,经过钯催化活化,在化学镍槽中瓷件上的钨金属化部分会生长镍层,实现瓷件钨金属化的镀覆,使陶瓷金属化能够进行高温钎焊;
7)将陶瓷瓷件、金属引针、焊环、热沉、散热片、外壳框架用银铜焊料经过高温钎焊,进行焊接成型为半成品外壳;
8)将半成品管壳通过电镀镍、电镀金工艺成为成品封装外壳。
3.根据权利要求2所述的一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法,其特征是所述的陶瓷瓷件选用氧化铝陶瓷为基体材料,利用多层陶瓷制备工艺加工获得。
4.根据权利要求3所述的一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法,其特征是所述的氧化铝陶瓷件中轴封通过表层瓷带开孔,并进行印刷金属化挂孔获得。
5.根据权利要求2所述的一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法,其特征是所述的端封与轴封结合是通过焊环、引针、陶瓷瓷件表层金属化、及瓷件孔内金属化与银铜焊料的经过高温钎焊而获得。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711123445.9A CN107946248B (zh) | 2017-11-14 | 2017-11-14 | 一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711123445.9A CN107946248B (zh) | 2017-11-14 | 2017-11-14 | 一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107946248A true CN107946248A (zh) | 2018-04-20 |
CN107946248B CN107946248B (zh) | 2020-07-24 |
Family
ID=61932026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711123445.9A Active CN107946248B (zh) | 2017-11-14 | 2017-11-14 | 一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107946248B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109037158A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-12-18 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于to型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法 |
CN113725085A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 深圳技术大学 | 一种封装零件的装配工艺方法和封装零件 |
CN113727543A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-30 | 合肥圣达电子科技实业有限公司 | 一种电子元器件用陶瓷金属封装外壳及陶瓷材料的制备 |
CN113745168A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-12-03 | 济南市半导体元件实验所 | 用于to-252封装的金属陶瓷外壳及制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN200973217Y (zh) * | 2006-11-25 | 2007-11-07 | 青岛凯瑞电子有限公司 | 电子元器件的金属-陶瓷绝缘子封装外壳 |
CN201153355Y (zh) * | 2008-01-23 | 2008-11-19 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种小型管脚陶瓷体封接结构 |
CN201663140U (zh) * | 2010-04-20 | 2010-12-01 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种陶瓷和金属针的封接结构 |
CN201673277U (zh) * | 2010-05-21 | 2010-12-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氮化铝陶瓷封装件 |
CN202196769U (zh) * | 2011-09-13 | 2012-04-18 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 气密性封装外壳的陶瓷引线结构 |
CN105788779A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-07-20 | 济南市半导体元件实验所 | 一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳及其制备方法 |
CN105810591A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法 |
-
2017
- 2017-11-14 CN CN201711123445.9A patent/CN107946248B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN200973217Y (zh) * | 2006-11-25 | 2007-11-07 | 青岛凯瑞电子有限公司 | 电子元器件的金属-陶瓷绝缘子封装外壳 |
CN201153355Y (zh) * | 2008-01-23 | 2008-11-19 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种小型管脚陶瓷体封接结构 |
CN201663140U (zh) * | 2010-04-20 | 2010-12-01 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种陶瓷和金属针的封接结构 |
CN201673277U (zh) * | 2010-05-21 | 2010-12-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氮化铝陶瓷封装件 |
CN202196769U (zh) * | 2011-09-13 | 2012-04-18 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 气密性封装外壳的陶瓷引线结构 |
CN105810591A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法 |
CN105788779A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-07-20 | 济南市半导体元件实验所 | 一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳及其制备方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109037158A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-12-18 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于to型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法 |
CN109037158B (zh) * | 2018-06-06 | 2020-08-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于to型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法 |
CN113745168A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-12-03 | 济南市半导体元件实验所 | 用于to-252封装的金属陶瓷外壳及制备方法 |
CN113725085A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 深圳技术大学 | 一种封装零件的装配工艺方法和封装零件 |
CN113725085B (zh) * | 2021-08-31 | 2024-03-29 | 深圳技术大学 | 一种封装零件的装配工艺方法和封装零件 |
CN113727543A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-30 | 合肥圣达电子科技实业有限公司 | 一种电子元器件用陶瓷金属封装外壳及陶瓷材料的制备 |
CN113727543B (zh) * | 2021-09-02 | 2023-02-10 | 合肥圣达电子科技实业有限公司 | 电子元器件用陶瓷金属封装外壳及陶瓷材料的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107946248B (zh) | 2020-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107946248A (zh) | 一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法 | |
JP6297082B2 (ja) | セラミック基板およびその製造方法 | |
JP6580385B2 (ja) | アルミニウムと炭素粒子との複合体及びその製造方法 | |
US9984951B2 (en) | Sintered multilayer heat sinks for microelectronic packages and methods for the production thereof | |
CN106783750A (zh) | 一种陶瓷封接电源封装外壳 | |
CN205303452U (zh) | 金刚石铜热沉材料 | |
CN110112105B (zh) | 用于封装双mos管且原位替换sop8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法 | |
CN106986650A (zh) | 一种铝碳化硅材质的微波及混合电路管壳的制备方法 | |
KR20180037865A (ko) | 세라믹 기판 및 세라믹 기판 제조 방법 | |
CN105489559B (zh) | 一种微波功率管用氮化铝基板及其制造方法 | |
CN103441077A (zh) | 一种微波大功率管外壳的制造方法 | |
KR102328205B1 (ko) | 알루미늄 복합재와 유리 절연 단자를 실링하는 데 사용되는 저온 글라스링의 제조 및 그 사용방법 | |
US9589864B2 (en) | Substrate with embedded sintered heat spreader and process for making the same | |
CN111367028B (zh) | 一种全陶瓷结构tosa/rosa外壳及其制备方法 | |
RU2558323C1 (ru) | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики | |
CN105679478A (zh) | 一种小尺寸片式热敏电阻及其制作方法 | |
CN105355339A (zh) | 一种陶瓷绝缘子 | |
WO2014148457A1 (ja) | セラミックパッケージ及び電子部品 | |
CN104625623A (zh) | 一种制备Cu-W/Cu-Cu复合板材的方法 | |
US11602012B2 (en) | Wafer placement table and method for manufacturing the same | |
CN209729885U (zh) | 封装双mos管且原位替换sop8塑封器件的陶瓷外壳 | |
CN109037158B (zh) | 一种基于to型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法 | |
CN106409691A (zh) | 一种封装外壳内腔不同位置的不同厚度金层的制备方法 | |
CN108493122B (zh) | 半导体器件及其封装方法 | |
CN201515351U (zh) | 陶瓷封装基座 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |