CN107925826B - 扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种扬声器装置包括：扬声器单元，包括配置为提供磁场的磁体；以及膜，设置在该磁场中，配置为在第一方向上可振动，并配置为在垂直于第一方向的第二方向上发出声音；以及遮挡单元，设置在所述膜处，配置为遮挡所述膜的沿着第一方向具有第一高度的第一区域而使其不暴露，并配置为暴露所述膜的具有第二高度的第二区域，第一高度和第二高度之和对应于所述膜的总高度，其中所述膜的被遮挡单元遮挡的第一高度小于与从所述膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。

Description

扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置
技术领域
与示范性实施方式一致的装置涉及一种扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置。
背景技术
随着平面显示面板技术的新近发展，诸如数字电视机(DTV)的电子装置具有纤薄的设计。还需要安装在电子装置中的用于输出声音的扬声器装置具有合适的形状和厚度以装配在纤薄的电子装置中。
例如，电子装置可以包括在观看者或观众所在的前部方向上敞开的薄的狭缝形状的小开口，扬声器装置通过该小开口输出或发出声音。
扬声器装置的扬声器单元被要求具有特定的尺寸以便具有特定水平或更高的声压。扬声器单元的尺寸可以大于提供在电子装置上的开口的尺寸。在这种情况下，扬声器单元的一部分被隐藏从而从前方看不到。
因而，当来自扬声器单元的一个部分的声音通过该开口输出而扬声器单元的其它部分被隐藏在该开口后面时，音质的劣化成为问题。
发明内容
技术问题
一个或更多个示范性实施方式提供一种扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置，该扬声器装置能够在输出具有特定水平或更高的声压的高频域中的声音的同时提供宽的水平方向性。
额外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并将部分地从该描述明显，或者可以通过对所给出的示范性实施方式的实践而了解。
技术方案
根据示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括：扬声器单元，包括配置为提供磁场的磁体以及设置在该磁场中并配置为在第一方向上可振动且在前部方向上发出声音的膜，该前部方向是与第一方向垂直的第二方向中的一个方向；以及遮挡单元，设置在膜的前部方向上并配置为遮挡对应于膜在第一方向上的总高度的部分高度的区域而使其不暴露到该前部方向，并将对应于膜的总高度的剩余高度的区域暴露于前部方向，其中第一方向是垂直于地面的上下方向，膜在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上的宽度大于膜在第一方向上的高度，并且膜的被遮挡单元遮挡的高度小于与从膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。
膜可以具有沿着第一方向的曲折形状，并在彼此面对的面对区域沿着第一方向在相反方向上移动时振动。
从膜发出的声音的频域可以满足等于或大于比从膜发出的声音的平均声压水平低6dB的声压水平的声压水平。
最大频率可以为约20KHz，并且对应于最大频率的波长的一半可以为约8.5mm。
膜的通过遮挡单元暴露到前部方向的高度可以为约5mm或更小。
膜的总高度可以小于约13.5mm。
扬声器装置还可以包括配置为容纳扬声器单元的外壳，其中外壳在第一方向上的总高度小于约16.5mm。
膜在第三方向上的宽度可以小于约42mm。
吸声构件可以设置于膜的在第三方向上的两个端部分中的至少一个上。
膜可以包括在第一方向上彼此面对的面对区域和设置在面对区域之间以连接面对区域的连接区域，连接区域可以包括设置在前部方向上的脊区域和设置在后部方向上的谷区域，吸声构件可以设置在由面对区域和谷区域限定的特定空间中。
遮挡单元还可以配置为将与膜在第三方向上的总宽度的部分宽度对应的区域暴露到前部方向，并遮挡与膜的总宽度的剩余宽度对应的区域而使其不暴露到前部方向。
膜的被遮挡单元暴露的宽度可以为约25mm或更小。
膜的被遮挡单元遮挡而不暴露到前部方向的宽度可以小于对应于从膜发出的声音的最大频率的波长的一半。
吸声构件可以设置在其中膜被遮挡单元遮挡而不暴露到前部方向的区域中。
遮挡单元可以包括设置在膜的前部方向上的前格栅和设置在前格栅的前部方向上的显示单元。
与膜在第一方向上的总高度的部分高度对应的区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露到前部方向。
与膜在第三方向上的总宽度的部分宽度对应的区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露到前部方向。
根据另一示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括：扬声器单元，包括配置为提供磁场的磁体以及膜，该膜设置在该磁场中并配置为在上下方向上可振动且发出声音到前部方向，并在左右方向上具有比在上下方向的高度大的宽度，其中前部方向是前后方向中的一个方向；以及吸声构件，设置在膜的在左右方向上的两个端部分中的至少一个上并配置为吸收从膜发出的声音的一部分。
扬声器装置还可以包括：遮挡单元，设置在膜的前部方向上并配置为暴露对应于膜在左右方向上的总宽度的部分宽度的区域，并遮挡对应于膜的总宽度的剩余宽度的区域而使其不暴露到前部方向，其中膜的被遮挡单元遮挡而不暴露到前部方向的宽度小于对应于从膜发出的声音的频域中的最大频率的波长的一半。
根据另一示范性实施方式的一方面，一种电子装置包括扬声器装置。
根据另一示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括扬声器单元，该扬声器单元包括：磁体，配置为提供磁场；以及膜，设置在该磁场中，配置为在第一方向上可振动，并配置为在垂直于第一方向的第二方向上发出声音；以及遮挡单元，设置在所述膜处，配置为遮挡膜的沿着第一方向具有第一高度的第一区域而使其不暴露，并配置为暴露膜的具有第二高度的第二区域，第一高度和第二高度之和对应于膜的总高度，其中膜的被遮挡单元遮挡的第一高度小于与从膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。
膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的宽度可以大于膜在第一方向上的总高度。
膜可以具有沿着第一方向的曲折形状，并在膜的彼此面对的相邻的面对区域沿着第一方向在彼此相反的方向上移动时振动。
从膜发出的声音的频域可以满足等于或大于比从膜发出的声音的平均声压水平低6dB的声压水平的声压水平。
最大频率可以为约20KHz，并且对应于20KHz的最大频率的波长的一半可以为约8.5mm。
膜的第二高度可以为约5mm或更小。
膜的总高度可以小于约13.5mm。
扬声器装置还可以包括配置为容纳扬声器单元的外壳，其中外壳在第一方向上的高度小于约16.5mm。
膜在第三方向上的宽度可以小于约42mm。
扬声器装置还可以包括提供在膜的沿着第三方向的相反端部分中的至少一个上的吸声构件。
膜可以包括：相邻的面对区域，沿着第一方向彼此面对；以及连接区域，设置在该相邻的面对区域之间以连接该相邻的面对区域，其中连接区域包括沿着第二方向设置在膜的第一侧的脊区域和沿着第二方向设置在膜的与第一侧相反的第二侧的谷区域，其中吸声构件设置在由相邻的面对区域和谷区域限定的空间中。
遮挡单元可以配置为暴露膜的在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第二宽度的第二区域，并配置为遮挡膜的具有第一宽度的第一区域而使其不暴露，第一宽度和第二宽度之和对应于膜的总宽度。
膜的第二宽度可以为约25mm或更小。
膜的被遮挡单元遮挡的第一宽度小于对应于从膜发出的声音的最大频率的波长的一半。
扬声器装置还可以包括设置在第一区域处的吸声构件，在该第一区域中，膜被遮挡单元遮挡而不暴露。
遮挡单元可以包括：设置在膜处的前格栅；以及设置在前格栅处的显示单元。
膜的具有第一高度的第一区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露。
膜的具有第一宽度的第一区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露。
根据另一示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括：扬声器单元，该扬声器单元包括：磁体，配置为提供磁场；以及膜，设置在该磁场中，配置为在竖直方向上可振动并配置为在垂直于竖直方向的第一水平方向上发出声音，膜在第二水平方向上具有大于在竖直方向上的高度的总宽度，第二水平方向垂直于第一水平方向和竖直方向；以及吸声构件，设置在膜的沿着第二水平方向的相反端部分中的至少一个上，并配置为吸收从膜发出的声音的一部分。
扬声器装置还可以包括遮挡单元，该遮挡单元设置在膜处，配置为暴露膜的在第二水平方向上具有第一宽度的第一区域，并配置为遮挡具有第二宽度的第二区域而使其不沿着第一水平方向暴露，第一宽度和第二宽度之和对应于所述总宽度，其中膜的第二宽度小于与从膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。
根据另一示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置可以包括：扬声器单元，包括膜，该膜配置为在第一方向上膨胀和收缩，并配置为通过膨胀和收缩而在垂直于第一方向的第二方向上发出声音；以及遮挡单元，沿着第二方向设置在膜的第一侧并包括：第一部分，配置为遮挡膜的提供在膜的第一侧并沿着第一方向具有第一高度的第一区域；以及第二部分，配置为暴露膜的提供在膜的第一侧并具有第二高度的第二区域，其中膜的第一高度和第二高度之和对应于膜的总高度，其中由遮挡单元遮挡的膜的第一高度小于与从膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。
在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的膜的宽度可以大于膜在第一方向上的总高度。
第二部分可以包括声导管。
有益效果
根据一个或更多个示范性实施方式的扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置可以在输出具有特定水平或更高的声压的高频域的声音的同时表现出宽的水平方向性。
附图说明
从以下结合附图对示范性实施方式的描述，本公开的以上和/或其它的方面将变得明显并更易于理解，附图中：
图1示出根据一示范性实施方式的电子装置的框图；
图2A和图2B分别示出图1的电子装置的正视图和剖视图；
图3A示出图1的电子装置的一部分的放大剖视图，图3B示出图1的电子装置的放大正视图；
图4A和图4B分别示出除了显示单元之外的扬声器装置的组装透视图和分解透视图；
图5、图6A和图6B概念性地示出根据气动式换能器(AMT)类型的膜的操作；
图7A示出根据一示范性实施方式的扬声器单元的一部分被遮挡单元遮挡而不暴露于前方向的状态下的直达声音之间的路径差，图7B概念性地示出图7A的一部分；
图8示出根据一示范性实施方式的扬声器装置的前格栅；
图9A示出根据一示范性实施方式的扬声器装置的一部分的放大剖视图，图9B示出图9A的扬声器装置的放大正视图；
图10示出根据一示范性实施方式的包括图9A的扬声器装置的电子装置的放大剖视图；
图11A至图11C示出图9B的扬声器装置的修改示例；
图12A示出根据一示范性实施方式的扬声器装置的一部分的放大剖视图，图12B示出图12A的扬声器装置的放大正视图；
图13示出根据一示范性实施方式的包括图12A的扬声器装置的电子装置的放大剖视图；
图14和图15示出图12B的扬声器装置的修改示例；
图16和图17示出当膜被遮挡单元遮挡而不暴露的高度变化时的声压的变化；
图18A至图18C分别示出根据示范性实施方式的扬声器装置的正视图；
图19示出曲线图，显示出测量从根据示范性实施方式的扬声器装置发出的声音的频率特性的结果；
图20A至图20C分别示出测试数据，显示出根据示范性实施方式的扬声器装置的水平覆盖特性；
图21A至图21C分别示出根据示范性实施方式的扬声器装置的正视图；以及
图22A至图22C分别示出测试数据，显示出根据示范性实施方式的图21A至图21C的扬声器装置的水平覆盖特性。
具体实施方式
在下文，将参照附图详细描述示范性实施方式的配置和应用。
在说明书中使用的术语将被示意性地描述，然后，将详细描述所公开的示范性实施方式。
本说明书中使用的术语是本领域当前广泛使用的那些一般术语，但是术语可以根据本领域普通技术人员的意图、先例或本领域中的新技术而变化。此外，申请人可以选择特定的术语，在这种情况下，其具体含义将在详细描述中描述。因此，说明书中使用的术语不应被理解为简单的名称，而应基于术语的含义和整体描述被理解。
在整个说明书中，还将理解，当一部件“包括”一元件时，除非存在另外的与其相反的描述，否则应当理解，该部件不排除另外的元件，而是还可以包括另外的元件。
尽管术语诸如“第一”和“第二”可以用来描述各种元件，但是这些元件不会被这些术语限制。这些术语可以用于将特定元件与另一个元件区分开。
现在将详细参照示范性实施方式，其示例在附图中示出。在附图中，与描述无关的部分被省略以清楚地描述示范性实施方式，并且在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。就这一点而言，本示范性实施方式可以具有不同的形式，而不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述了示范性实施方式以解释多个方面。如这里所用的，诸如“……中的至少一个”的表述，当在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列中的个别元件。
图1示出根据一示范性实施方式的电子装置1的框图。
参考图1，电子装置1包括配置为将声音输出到电子装置1的外部的至少一个扬声器装置3。扬声器装置3可以将在可听频率范围内的声音发射到外部。例如，可听频率可以为约20Hz至约20KHz。
根据示范性实施方式，扬声器装置3可以输出包括第一、第二和第三扬声器单元10a、10b和10的三路类型的声音。第一、第二和第三扬声器单元10a、10b和10可以通过将声音划分为低频域、中频域和高频域来再现声音。
例如，第一扬声器单元10a可以配置为输出对应于约20Hz至约300Hz的低频域的声音，第二扬声器单元10b可以配置为输出对应于约300Hz至约2KHz的中频域的声音，第三扬声器单元10可以配置为输出对应于约2KHz至约20KHz的高频域的声音。
从第一扬声器单元10a、第二扬声器单元10b和第三扬声器单元10中的每个发出的声音的频域可以表示有意由第一扬声器单元10a、第二扬声器单元10b和第三扬声器单元10中的每个使用的声音的频域，例如有效频域。例如，从第一、第二和第三扬声器单元10a、10b和10中的每个发出的声音的频域可以表示满足一声压水平的声音的频域，该声压水平等于或大于比从扬声器装置3发出的声音的平均声压水平低约6dB。例如，当从第三发射器单元10发出的声音的平均声压水平为约70dB时，从第三扬声器单元10发出的声音的频域可以是满足约64dB或更大的声音的频域。因此，即使第三扬声器单元10能够实际输出约1KHz至约40KHz的声音，当满足约64dB或更大的声音的频域为约2KHz至约20KHz时，从第三扬声器单元10发出的声音的频域也可以为约2KHz至约20KHz。
尽管在示范性实施方式中已经描述了以三路型输出扬声器装置3的声音，但是用于声音输出的扬声器装置3的配置不限于此，并可以改变。例如，扬声器装置3可以以单路型、双路型或四路型来再现声音。
图2A和图2B分别示出图1的电子装置1的正视图和剖视图。图2B是沿着图2A的线II-II截取的剖视图，除了扬声器装置3之外的其它部件从图2B省略或在图2B中示意性地示出。
参照图1、图2A和图2B，根据示范性实施方式的电子装置1可以包括所述至少一个扬声器装置3以及第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第三声音输出端口2，从扬声器装置3发出的声音通过第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第三声音输出端口2释放到电子装置1的外部。
扬声器装置3可以输出立体类型的声音。例如，一对扬声器装置3可以分别布置在电子装置1的左侧和右侧，并再现声音。但是，扬声器装置3的声音输出不限于此，扬声器装置3可以输出单型(monotype)的声音。
该对扬声器装置3的每个可以包括第一、第二和第三扬声器单元10a、10b和10。第一、第二和第三扬声器单元10a、10b和10可以分别设置在第一、第二和第三声音输出端口2a、2b和2的后部。低频域、中频域和高频域的声音可以分别通过第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第三声音输出端口2发射到电子装置1的外部。
第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第三声音输出端口2中的至少一个可以设置在电子装置1的前表面上。例如，高频域的声音通过其输出的第三声音输出端口2可以设置在电子装置1的前表面上。这里，电子装置1的前表面可以定义为电子装置1的面对用户的表面。
第三声音输出端口2可以设置在电子装置1的前表面的下部。例如，第三声音输出端口2可以设置在电子装置1的显示单元21的左下部和右下部。然而，第三声音输出端口2的布置和数量不限于此，并可以根据设计意图修改。例如，第三声音输出端口2可以设置在显示单元21的上部或者设置在显示单元21的上部和下部。
考虑到电子装置1的纤薄，第一、第二和第三声音输出端口2a、2b和2的尺寸可以设计得小。例如，第一、第二和第三声音输出端口2a、2b和2中的每个可以被设计为使得在上下方向(z方向)上的高度小于在左右方向(x方向)上延伸的宽度，如图2A和图2B所示。第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第三声音输出端口2中的每个的高度(即，在z方向上的高度)可以为约5mm或更小，并且第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第三声音输出端口2中的每个的宽度(即，在x方向上的宽度)可以大于第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第二声音输出端口2中的每个的高度。
第一、第二和第三声音输出端口2a、2b和2中的每个的宽度可以根据通过第一、第二和第三声音输出端口2a、2b和2中的每个输出的声音的频域和声压水平而被彼此不同地设计。例如，第一声音输出端口2a的宽度可以相对大，第三声音输出端口2的宽度可以相对小。
第一、第二和第三扬声器单元10a、10b和10的尺寸可以根据需要的声压水平而变化，并且需要的声压水平可以根据电子装置1的频域和类型而变化。例如，当电子装置1是TV并且第三扬声器单元10负责对应于约2KHz至约20KHz的高频域时，需要的声压水平可以为约70dB或更大。
如上所述，当需要的声压水平被确定时，第一、第二和第三扬声器单元10a、10b和10的尺寸可以被设计为至少具有分别比第一、第二和第三声音输出端口2a、2b和2的尺寸大的预定尺寸。
在示范性实施方式中，由于第一扬声器单元10a、第二扬声器单元10b和第三扬声器单元10的尺寸分别大于第一声音输出端口2a、第二声音输出端口2b和第三声音输出端口2的尺寸，所以第一扬声器单元10a、第二扬声器单元10b和第三扬声器单元10的一部分被隐藏而不暴露到电子装置1的前部方向(+y方向)。也就是，扬声器装置3的第一扬声器单元10a、第二扬声器单元10b和第三扬声器单元10的所述一部分被遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)，如图2B所示。
由于从第一扬声器单元10a和第二扬声器单元10b输出的声音的频率低于从第三扬声器单元10输出的声音的频率，所以即使从第一扬声器单元10a和第二扬声器单元10b输出的声音分别通过小尺寸的第一声音输出端口2a和第二声音输出端口2b发射，声音也几乎不失真。然而，由于第三扬声器单元10发射高频域的声音(其具有比从第一扬声器单元10a和第二扬声器单元10b发出的声音相对短的波长)，所以来自第三扬声器单元10的声音会在通过小尺寸的第三声音输出端口2发射/释放声音期间显著地失真，从而使来自第三扬声器单元10的声音的频率响应特性和脉冲响应特性劣化。
即使声音通过小尺寸声音输出端口发出，根据示范性实施方式的扬声器装置3也可以提供能够最小化高频域声音的失真的结构。这将在下面参照图3A至图22C描述。
在上述示范性实施方式中已经描述了电子装置1是包括显示单元21的TV。然而，根据一个或更多个示范性实施方式，电子装置1不限于此，并可以包括包含扬声器装置3的不同类型的装置。电子装置1的示例可以包括个人计算机(PC)、膝上型计算机、移动电话、平板PC、导航终端、智能电话、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和数字广播接收器。
图3A示出图1的电子装置1的一部分的放大剖视图，图3B示出图1的电子装置1的一部分的放大正视图。图4A和图4B分别示出除了显示单元21之外的扬声器装置3的组装透视图和分解透视图。
参照图3A至图4B，扬声器装置3可以包括第三扬声器单元10(在下文，被称为“扬声器单元10”)和遮挡单元20。遮挡单元20设置在扬声器单元10的前部方向(+y方向)上，并遮挡扬声器单元10的一部分而使其不暴露到前部方向(+y方向)。扬声器装置3还可以包括配置为在其中容纳扬声器单元10的外壳30。
外壳30包括配置为支撑膜11的上块32、配置为容纳磁体12的下块33以及设置在磁体12的后部的后壳31。
扬声器单元10包括配置为提供磁场B(见图5)的磁体12和设置在磁场B内部的膜11。膜11和磁体12设置在外壳30内部。
外壳30可以支撑膜11在第一方向(z方向)和第二方向(y方向)上的端部分。例如，膜11的在第二方向上的两个端部分可以通过设置在外壳30的上块32的面对+y方向的前表面中的凹槽321支撑，并且膜11的在第一方向上的两个端部分可以通过提供在上块32中的凹槽321的底表面支撑。
磁体12将磁场B提供到膜11。磁体12可以是永磁体。然而，磁体12的类型不限于此，并可以根据设计意图而修改。例如，磁体12可以是电磁体。
磁体12可以设置在膜11的后部(-y方向)。然而，磁体12的位置可以在向膜11提供磁场B的范围内自由地修改。例如，多个磁体12可以布置在膜11的左侧和右侧(沿着+x和-x方向)。由磁体12提供的磁场B可以具有穿过膜11的方向。
磁体12设置在外壳30内部。前格栅22可以设置在外壳30的前部(+y方向)。外壳30的后壳31和前格栅22可以包括铁磁材料。铁磁物质的一示例是冷轧钢板。提供到膜11的磁场B可以被包括铁磁材料的外壳30的后壳31和前格栅22集中。
电流流过的导电构件110可以设置在膜11中。导电构件110可以设置在与磁场B的方向垂直的方向上。当电流流过导电构件110时，导电构件110可以在由电流的方向和磁场B的方向确定的方向上施加力，从而使膜11振动。尽管图4B示出在膜11内布置成一行的导电构件110，但是导电构件110的布置不限于此，导电构件110可以布置成两行或更多行。
扬声器单元10可以以气动式换能器(AMT)类型再现声音。在膜11中，振动方向可以不同于输出(或发射)方向。例如，膜11可以在第一方向上振动并在垂直于第一方向的第二方向中的一个方向上输出声音。
图5、图6A和图6B概念性地示出根据AMT类型的膜11的操作。
参照图5，膜11具有沿着第一方向(z方向)的曲折/蜿蜒的形状。膜11包括在第一方向(z方向)上彼此面对的面对区域111a和111b以及连接面对区域111a和111b的连接区域。
由磁体12(见图3A)提供的磁场B在第二方向(y方向)上穿过膜11。由磁体12提供的磁场B的方向被恒定地保持。电流可以通过分别设置在相邻的面对区域111a和111b中的导电构件110而在相反的方向上流动。因此，相邻的面对区域111a和111b沿着第一方向(z方向)在相反的方向上移动。例如，相邻的面对区域111a和111b沿着第一方向(z方向)朝向彼此更远离或更靠近的方向移动。也就是，膜11可以膨胀和收缩以产生声音。
连接区域包括设置在面对区域111a和111b的前部方向(+y方向)上的脊区域113以及设置在面对区域111a和111b的后部方向上的谷区域112。其前部方向敞开的预定空间S由彼此面对的面对区域111a和111b以及谷区域112限定。
由于空间S的前部方向是敞开的，所以当膜11的相邻的面对区域111a和111b沿着第一方向(z方向)周期性地移动/振动时，相邻的面对区域111a和111b可以通过空间S周期性地将空气推到前部方向(+y方向)。
参照图6A，电流可以在与第一方向和第二方向(y和z方向)垂直的方向(+x方向)上流过设置在上部的面对区域111a，并且电流可以在与第一方向和第二方向(y和z方向)垂直的方向(-x方向)上流过设置在下部的面对区域111b。因此，设置在上下方向(z方向)上的相邻的面对区域111a和111b朝向彼此更远离的方向移动，空气被引入到空间S中。
参照图6B，电流可以在与第一方向和第二方向(y和z方向)垂直的方向(-x方向)上流过设置在上部的面对区域111a，并且电流可以在与第一方向和第二方向(y和z方向)垂直的方向(+x方向)上流过设置在下部的面对区域111b。因此，设置在上下方向(z方向)上的相邻的面对区域111a和111b朝向彼此更靠近的方向移动，空气通过空间S排出。
随着流过导电部件110的电流的方向的改变，将空气引入到由膜11限定的特定空间S中或从由膜11限定的特定空间S排出空气的过程被重复。因此，由于膜11在第一方向(z方向)上的振动，声音被输出或发射到第二方向(+y方向)。
返回参照图3A至图4B，第一方向可以是垂直于地面F(见图2A)的上下方向(z方向)。膜11可以具有在上下方向(z方向)上的曲折/蜿蜒的形状，并在垂直于第一方向(+/-z方向)和第二方向(+/-y方向)的第三方向(+/-x方向)上具有预定宽度。第三方向可以是左右方向(+/-x方向)。例如，膜在第三方向上的宽度W可以小于约42mm。
如上所述，具有沿着上下方向(z方向)的曲折/蜿蜒形状的膜11可以具有在上下方向(z方向)上的高度h(在下文，称为“高度h”)、在左右方向(x方向)上的宽度W(在下文，称为“宽度W”)以及在前后方向(y方向)上的长度l。这里，膜11的高度h和宽度W被定义为将由外壳30支撑的区域排除在外的高度和宽度。
从膜11发出的声音的大小(例如声压)可以与膜11的高度h、宽度W和长度l相关。例如，从膜11发出的声音的声压水平可以与膜11的高度h和宽度W相关。膜11的高度h和宽度W可以与由膜11内的面对区域111和谷区域112限定的空间S的高度和宽度相关。
膜11的高度h可以小于膜11的宽度W。换句话说，膜11的宽度W可以大于膜11的高度h。例如，当膜11的高度h小于约13.5mm时，膜11的宽度W可以大于13.5mm且小于约42mm。膜11的宽度W可以为膜11的高度h的两倍或更大。
如上所述，通过膜11的高度h小于膜11的宽度W的结构，膜11可以以小的高度再现具有所需大小或更大的声压的声音。
膜11的高度h可以小于对应于从膜11发出的声音的频域中的最大频率fmax的波长min(在下文，被称为“最小波长min”)的一半(min/2)与第三声音输出端口2(在下文，称为“声音输出端口2”)的高度hx之和。
从膜11发出的声音的频域可以是满足一声压水平的声音的频域，该声压水平等于或大于比从膜11发出的声音的平均声压水平低6dB的声压水平。例如，当从膜11发出的声音的平均声压水平为约70dB时，从膜11发出的声音的频域可以是满足约64dB或更大的声音的频域。因此，即使膜11能够实际输出约1KHz至约40KHz的声音，当满足约64dB或更大的声音的频域可以为约2KHz至约20KHz时。在示范性实施方式中，从膜11发出的声音的频域可以为约2KHz至约20KHz。此外，最大频率fmax可以为约20KHz，最小波长min可以为约17mm，并且最小波长min的一半可以为约8.5mm。声音输出端口2的高度hx可以为约5mm或更小。在示范性实施方式中，膜11的高度h可以小于约13.5mm(其是最小波长min的一半(8.5mm)和声音输出端口2的高度hx(5mm)之和)。外壳30的高度H可以小于约16.5mm。
在上述示范性实施方式中，最小波长min基于当声音的传播速度为约340m/s时来计算。由于声音的传播速度根据大气压力和温度而变化，所以最小波长min可以根据大气压力和温度而稍微变化。例如，当大气压力为约1atm并且温度在约0℃至约20℃的范围内时，最小波长min可以为约16.6mm至约17.2mm，并且最小波长min的一半可以为约8.3mm至约8.6mm。
遮挡单元20可以设置在膜11的前部(+y方向)。声音输出端口2可以通过遮挡单元20形成在电子装置1的前表面上。遮挡单元20可以配置为遮挡膜11的一部分而使其不暴露到前部方向(+y方向)并将其另一部分暴露到前部方向(+y方向)。
例如，遮挡单元20可以遮挡对应于膜11的总高度h的部分高度hb的区域而使其不暴露到前部方向(+y方向)，并将对应于膜11的总高度h的剩余高度hx的区域暴露到前部方向(+y方向)。
膜11的被遮挡单元20遮挡的遮挡高度hb可以小于从膜11发出的声音的最小波长min的一半。例如，当从膜11发出的声音的最小波长min的一半为约8.5mm时，膜11的被遮挡单元20遮挡的遮挡高度hb可以大于约0mm且小于约8.5mm。
遮挡单元20可以包括设置在膜11的前部(+y方向)的前格栅22和设置在前格栅22的前部(+y方向)的显示单元21。遮挡单元20还可以包括电子装置1的壳23。
前格栅22可以设置于在其中容纳扬声器单元10的外壳30的前部(+y方向)。前格栅22和膜11之间的间隙可以为约0.1mm至约0.5mm。
前格栅22可以包括能够与磁体12形成磁路的铁磁材料。前格栅22可以包括多个释放端口2210，从膜11发出的声音经过所述多个释放端口2210。所述多个释放端口2210可以沿着左右方向(x方向)彼此间隔开并在上下方向(z方向)上延伸。然而，所述多个释放端口2210的布置和形状不限于此，并可以根据设计意图修改。例如，尽管没有示出，但是所述多个释放端口2210可以在上下方向(z方向)上彼此间隔开并在左右方向(x方向)上延伸。所述多个释放端口2210的高度可以等于或大于膜11的高度h。
设置在前格栅22的前部(+y方向)的显示单元21可以遮挡所述多个释放端口2210的一部分而使其不暴露到前部方向(+y方向)。例如，显示单元21可以以高度hb遮挡所述多个释放端口2210的上部区域而使其不暴露到前部方向(+y方向)，该高度hb对应于小于从膜11发出的声音的最小波长min的一半。由于显示单元21，在膜11的前部方向(+y方向)上发出的声音的一部分会被遮挡而不在电子装置1的前部方向(+y方向)上直接释放。
前格栅22的所述多个释放端口2210的没有被显示单元21遮挡的具有高度hx的下部区域暴露到前部方向(+y方向)。因此，从膜11发出的声音可以通过经过前格栅22的所述多个释放端口2210和声导管4而经由声音输出端口2释放。声导管4和声音输出端口2可以由显示单元21和壳23限定。
图7A示出根据示范性实施方式的在扬声器单元10的一部分被遮挡单元20遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)的状态下，直达声音之间的路径差，图7B概念性地示出图7A的一部分。
参照图7A和图7B，由膜11的上部区域再现的声音的大部分被显示单元21反射，即使声音经过所述多个释放端口2210。然而，由膜11的上部区域再现的声音的一部分A1可以通过前格栅22的所述多个释放端口2210的下部区域释放而不被显示单元21反射。
从膜11的上部区域朝向前格栅22的下部区域发射的直达声音A1可以与从膜11的下部区域发射的直达声音A2相遇。在这种情况下，在从膜11的上部区域朝向前格栅22的下部区域发射的直达声音A1与从膜11的下部区域发射的直达声音A2之间产生路径差d。也就是，在从膜11的在上下方向(z方向)上的不同区域发射的直达声音A1和A2之间产生路径差d。
直达声音A1和A2之间的路径差d小于被显示单元21遮挡的膜11的遮挡高度hb。膜11的被显示单元21遮挡的遮挡高度hb小于最小波长min的一半。因此，从膜11的不同区域发射的直达声音A1和A2之间的路径差d小于最小波长min的一半。因此，即使具有相同幅度和频率的两个声音在不同的区域产生并经过相同的区域，也可以防止或减少偏移干涉的发生。结果，即使与膜11的部分高度hb对应的区域被遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)，也可以防止高频域的声学特性由于干涉而劣化。
在上述示范性实施方式中已经描述了遮挡单元20包括前格栅22和显示单元21并且前格栅22包括在上下方向(z方向)上延伸的所述多个释放端口2210。然而，遮挡单元20的配置和前格栅22的配置不限于此，并可以根据设计意图修改。
例如，如图8所示，前格栅22可以包括在左右方向(x方向)上延伸的释放端口2210a。膜11的被前格栅22遮挡的遮挡高度hb可以小于从膜11发出的声音的最小波长min的一半。当前格栅22包括铁磁材料时，由于前格栅22的遮挡区域224不具有释放端口2210，所以在遮挡区域224与磁体12之间形成相对强的磁场，因此，可以提高膜11的上部区域中的声压水平。上部区域中的声压水平可以导致膜11的总声压水平被改善。
图9A示出根据一示范性实施方式的扬声器装置3a的一部分的放大剖视图，图9B示出图9A的扬声器装置3a的放大正视图。图10示出根据一示范性实施方式的包括图9A的扬声器装置3a的电子装置1的放大剖视图。图11A至图11C示出图9B的扬声器装置3a的修改示例。
参照图9A和图9B，根据示范性实施方式的扬声器装置3a可以包括扬声器单元10、前格栅22和吸声构件130。对与根据上述示范性实施方式的扬声器装置3的配置相同的配置的描述被省略，并且主要描述它们之间的差异。
扬声器单元10的膜11的宽度W可以通过考虑到需要的声压水平而增大。膜11的宽度W可以等于或大于约25mm且小于约42mm。
然而，随着膜11的宽度W增大，扬声器装置3a的水平覆盖特性会劣化。例如，随着膜11的宽度W增大，水平覆盖角度会减小。
吸声构件130可以设置在膜11的沿着左右方向(x方向)的相反端部分中的至少一个上。例如，如图9B所示，吸声构件130可以设置在膜11的两个端部分上。
吸声构件130的至少一部分可以设置在由膜11限定的空间S中。吸声构件130可以设置在空间S的在左右方向(x方向)上的两个端部分上。
吸声构件130可以吸收在膜11的振动期间产生的声音，并在空间S中在左右方向(x方向)上偏移。因此，可以防止声音从空间S的在左右方向(x方向)上的两个端部分反射，并可以防止在左右方向(x方向)上产生简正波(normal wave)。结果，可以防止在具有与膜11的宽度W的两倍相对应的波长的频带中发生失真。
此外，吸声构件130可以吸收从膜11的两个端部分发出的声音的一部分。因此，从膜11的其上设置吸声构件130的两个端部分发出的声音的声压可以小于从膜11的中心部分发出的声音的声压。
如上所述，吸声构件130可以防止在膜11的两个端部分可能发生的声音反射并降低从膜11的两个端部分发出的声音的声压，以防止扬声器装置3a的水平覆盖特性的劣化。
吸声构件130可以与支撑膜11的外壳30分离或独立于支撑膜11的外壳30。然而，吸声构件130不限于此。例如，吸声构件130可以与外壳30集成为一体。
参照图10，扬声器装置3a还可以包括设置在前格栅22的前部(+y方向)的显示单元21。显示单元21可以用作扬声器装置3a中的遮挡单元20。被显示单元21遮挡的膜11的遮挡高度hb可以小于最小波长min的一半。包括显示单元21的遮挡单元20与参照图7B描述的相同，因此，省略其描述。
在本示范性实施方式中已经描述了设置在膜11的两个端部分上的吸声构件130具有相同的长度。然而，吸声构件130的数量、布置和长度可以根据设计意图修改。例如，如图11A所示，吸声构件130可以设置在一个端部分上而不是在两个端部分上。作为另一示例，如图11B所示，设置在膜11的两个端部分上的吸声部件130的长度可以比图9B中的吸声部件130的长度短，或者如图11C所示，设置在膜11的两个端部分上的吸声构件130的长度可以彼此不同。
图12A示出根据一示范性实施方式的扬声器装置3b的一部分的放大剖视图，图12B示出图12A的扬声器装置3b的放大正视图。图13示出根据一示范性实施方式的包括图12A的扬声器装置3b的电子装置1的放大剖视图。图14和图15示出图12B的扬声器装置3b的修改示例。
参照图12A和图12B，根据示范性实施方式的扬声器装置3b可以包括扬声器单元10、前格栅22和吸声构件130。对与上述示范性实施方式中描述的相同部分的描述被省略，并且主要描述它们之间的差异。
前格栅22可以是将膜11的一部分暴露到前部方向(+y方向)的遮挡单元20，或是遮挡单元20的一部分。前格栅22包括开口区域221和遮挡区域222，开口区域221具有多个释放端口2210，从膜11发出的声音在前部方向(+y方向)上经过所述多个释放端口2210，遮挡区域222配置为遮挡从膜11发出的声音在前部方向(+y方向)上通过。
开口区域221可以包括所述多个释放端口2210。例如，在开口区域221中，在上下方向(z方向)上延伸的所述多个释放端口2210可以在左右方向(x方向)上彼此间隔开。然而，所述多个释放端口2210的形状不限于此，并可以被各种各样地修改。例如，尽管没有示出，但是在左右方向(x方向)上延伸的所述多个释放端口2210可以在上下方向(z方向)上彼此间隔开。
开口区域221的宽度W1可以根据需要的水平覆盖角度的大小来设计。开口区域221的宽度W1可以小于膜11的宽度W。当开口区域221的宽度W1大于约25mm时，开口区域221的宽度W1可以为约25mm或更小。通过开口区域221暴露到前部方向(+y方向)的膜11的宽度可以为约25mm或更小。
遮挡区域222设置在开口区域221的两个侧部分中的至少一个上。例如，遮挡区域222可以设置在开口区域221的两个侧部分上。
膜11可以被前格栅22的遮挡区域222遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)。膜11的总宽度W的部分宽度Wb可以被遮挡区域222遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)。
例如，被遮挡区域222遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)的膜11的被遮挡宽度Wb可以小于从膜11发出的声音的最小波长min的一半。例如，当最小波长min的一半为约8.5mm时，被遮挡区域222遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)的膜11的被遮挡宽度Wb可以大于约0mm且小于约8.5mm。膜11的两个端部分的被遮挡宽度Wb的每个(其被遮挡区域222遮挡而不暴露到前部方向(+y方向))可以小于约8.5mm。膜11的宽度W可以小于约42mm。
通过将膜11的被遮挡区域222遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)的被遮挡宽度Wb设定为小于从膜11发出的声音的最小波长min的一半，可以减小频率响应特性的失真，即使与膜11的部分宽度Wb对应的区域被遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)。
前格栅22的遮挡区域222可以包括铁磁物质。由于遮挡区域222不具有释放端口2210，所以提供在遮挡区域222和磁体12之间的磁场的磁通密度可以大于提供在具有所述多个释放端口2210的开口区域221与磁体12之间的磁通密度。因此，膜的总声压水平可以提高。
吸声构件130可以设置在膜11上。吸声构件130可以设置在前格栅22的遮挡区域222的后部方向上。吸声构件130可以设置在由膜11限定的空间S中。吸声构件130可以沿着左右方向(x方向)设置在空间S中的两个端部分上。
参照图13，扬声器装置3b还可以包括设置在前格栅22的前部方向(+y方向)上的显示单元21。显示单元21可以与前格栅22一起用作扬声器装置3a中的遮挡单元20。膜11的被显示单元21遮挡的遮挡高度hb可以小于从膜11发出的声音的最小波长min的一半。包括显示单元21的遮挡单元20与参照图7B所述的相同，因此，省略其描述。
在示范性实施方式中已经描述了前格栅22的开口区域221形成在中央部分处并且吸声构件130设置在遮挡区域222的后部方向上。然而，前格栅22的开口区域221的设置和吸声构件130的包括可以被选择性地修改。例如，如图14所示，开口区域221可以形成为靠近前格栅22的一个端部分，或者如图15所示，吸声部件130可以不设置在遮挡区域222的后部方向上。
图16和图17示出当膜11的被遮挡单元20遮挡而不暴露的遮挡高度hb变化时声压的变化。
图16示出模拟模型，显示出其中膜11的一部分被遮挡单元20遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)的状态。这里，从膜11发出的声音的频域被设定为具有约20KHz的最大频率和约17mm的最小波长。
图17显示出在图16的点A处的直达声音的频率特性。图17显示出当根据一示范性实施方式的遮挡高度hb为4mm时的声压变化以及当根据比较例的遮挡高度hb分别是12mm、20mm、28mm和36mm时的声压变化。
参照图16和图17，由于根据本示范性实施方式的遮挡高度hb为4mm，因此，根据本示范性实施方式的遮挡高度hb小于8.5mm(其是从膜11发出的声音的最小波长17mm的一半)。在这种情况下，根据声压特性，在约10KHz至约20KHz的频带中，声压衰减约1dB或更小。
由于根据比较例的遮挡高度hb分别为12mm、20mm、28mm和36mm，所以根据比较示例的遮挡高度hb超过约8.5mm(其是从膜11发出的声音的约17mm的最小波长的一半)。在这种情况下，根据声压特性，随着频率增大，声压水平迅速下降。例如，在约10KHz至约20KHz的频带中，声压衰减约3dB或更多。
根据上述测试，当膜11的遮挡高度hb小于与从膜11发出的声音的频域的最大频率对应的波长的一半时，可以防止在高频域中的声压的衰减。
图18A至图18C分别示出根据示范性实施方式的扬声器装置3的正视图。图19示出曲线a、b和c，显示出从根据示范性实施方式的扬声器装置3发出的声音的频率特性的测量结果，图20A至图20C分别示出测试数据，显示出根据示范性实施方式的扬声器装置3的水平覆盖特性。在图19中，曲线a显示出根据图18A的示范性实施方式的频率特性，曲线b显示出根据图18B的示范性实施方式的频率特性，曲线c显示出根据图18C的示范性实施方式的频率特性。
参照图18A，在这个示范性实施方式中，前格栅22设置于在上下方向(z方向)上曲折的膜11的前部方向(+y方向)上，并具有布置在膜11的左右方向(x方向)上的多个释放端口2210。参照图18B，这个示范性实施方式与图18A的示范性实施方式几乎相同，除了具有约4mm的宽度的吸声构件130b设置在膜11的在左右方向(x方向)上的两个端部分上。参照图18C，该示范性实施方式与图18B的示范性实施方式几乎相同，除了设置在膜11的两个端部分上的吸声构件130a的每个的宽度为约8mm。
参照图19中的曲线a、b和c，从根据图18A-18C的示范性实施方式的扬声器装置3分别发出的声音不出现声压在高频域突然降低的现象。也就是，即使在高频域，根据示范性实施方式的扬声器装置3也表现出良好的声压特性。
参照图20A至图20C，与根据图18A的示范性实施方式的扬声器装置3相比，根据图18B的示范性实施方式的扬声器装置3(其中吸声构件130b设置在膜11的两个端部分上)的水平覆盖角度较宽。此外，与根据图18B的示范性实施方式的扬声器装置3(其中吸声构件130b的宽度相对窄)相比，根据18C的示范性实施方式的扬声器装置3(其中吸声构件130a的宽度相对宽)的水平覆盖角度较宽。
如上所述，当吸声构件130a或130b设置于在上下方向(z方向)上曲折/蜿蜒的膜11上时，可以改善扬声器装置3的水平覆盖角度。
图21A至图21C分别示出根据示范性实施方式的扬声器装置3的正视图。图22A至图22C分别示出测试数据，显示出根据示范性实施方式的图21A至图21C的扬声器装置3的水平覆盖特性。
参照图21A，在这个示范性实施方式中，前格栅22设置于在上下方向(z方向)上曲折/蜿蜒的膜11的前部(+y方向)，并具有布置在膜11的左右方向(x方向)上的多个释放端口2210。参照图21B，这个示范性实施方式与图21A的示范性实施方式几乎相同，除了前格栅的在其中形成所述多个释放端口2210的开口区域221的宽度比膜11的宽度窄并且膜11的在左右方向(x方向)上的两个端部分的每个被前格栅22的遮挡区域222遮挡约8mm的宽度而不暴露到前部方向(+y方向)之外。参照图21C，这个示范性实施方式与图21B的示范性实施方式几乎相同，除了其宽度为约8mm的吸声构件130设置在膜11的被遮挡区域222遮挡的两个端部分上之外。
参照图22A至图22C，与根据图21A的示范性实施方式的扬声器装置3相比，根据图21B的示范性实施方式的扬声器装置3(其中前格栅的开口区域221的宽度比膜11的宽度窄)的水平覆盖角度较宽。此外，与根据图21B的示范性实施方式的扬声器装置3(在其中没有设置吸声构件130)相比，根据图21C的示范性实施方式的扬声器装置3(在其中设置了吸声构件130)的水平覆盖角度较宽。
如上所述，当在上下方向(z方向)上曲折/蜿蜒的膜11的两个端部分被前格栅22遮挡而不暴露到前部方向(+y方向)并且吸声构件130设置在膜11的被遮挡而不暴露的部分上时，可以改善扬声器装置3的水平覆盖角度。
在上述示范性实施方式中已经描述了包括配置为输出高频域的声音的扬声器单元10的扬声器装置3、3a和3b。然而，示范性实施方式不限于此，并可以应用于其中声音通过小于扬声器单元10的尺寸的狭缝输出的结构。例如，扬声器装置3、3a或3b可以包括能够输出全频声波的全频扬声器单元。
根据一个或更多个示范性实施方式的扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置可以在输出具有特定水平或更高的声压的高频域的声音的同时表现出宽的水平方向性。
应当理解，这里描述的示范性实施方式应当仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。每个示范性实施方式内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其它示范性实施方式中的其它类似特征或方面。
尽管以上已经具体示出和描述了示范性实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变，而没有脱离由以下权利要求书限定的本发明构思的精神和范围。

Claims (15)

1.一种扬声器装置，包括：
扬声器单元，包括：
磁体，配置为提供磁场；以及
膜，设置在所述磁场中，配置为在第一方向上可振动，并配置为在垂直于所述第一方向的第二方向上发出声音；以及
遮挡单元，设置在所述膜处，配置为遮挡所述膜的沿着所述第一方向具有第一高度的第一区域而使其不暴露，并配置为暴露所述膜的具有第二高度的第二区域，所述第一高度和所述第二高度之和对应于所述膜的总高度，
其中所述第一方向是垂直于地面的垂直方向，
所述膜的在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上延伸的宽度大于所述膜的在所述第一方向上的总高度，并且
所述膜的被所述遮挡单元遮挡的所述第一高度小于与从所述膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。
2.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述膜具有沿着所述第一方向的曲折形状，并在所述膜的彼此面对的相邻的面对区域沿着所述第一方向在彼此相反的方向上移动时振动。
3.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中从所述膜发出的声音的所述频域满足等于或大于比从所述膜发出的声音的平均声压水平低6dB的声压水平的声压水平。
4.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述最大频率为约20KHz，以及
其中对应于20KHz的最大频率的波长的一半为约8.5mm。
5.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述膜的所述第二高度为约5mm或更小，
所述膜的总高度小于约13.5mm，
所述膜的在所述第三方向上的宽度小于约42mm。
6.根据权利要求1所述的扬声器装置，还包括配置为容纳所述扬声器单元的外壳，
其中所述外壳的在所述第一方向上的高度小于约16.5mm。
7.根据权利要求1所述的扬声器装置，还包括吸声构件，该吸声构件提供在所述膜的沿着所述第三方向的相反的端部分中的至少一个上，
所述膜包括：
沿着所述第一方向的彼此面对的相邻的面对区域；和
连接区域，设置在所述相邻的面对区域之间以连接所述相邻的面对区域，
其中所述连接区域包括设置在所述膜的沿着所述第二方向的第一侧的脊区域和沿着所述第二方向设置在所述膜的与所述第一侧相反的第二侧的谷区域，以及
其中所述吸声构件设置在由所述相邻的面对区域和所述谷区域限定的空间中。
8.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述遮挡单元配置为暴露所述膜的在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上具有第一宽度的第三区域，并配置为遮挡所述膜的具有第二宽度的第四区域而使其不暴露，所述第一宽度和所述第二宽度之和对应于所述膜的总宽度，
所述膜的被所述遮挡单元遮挡的所述第二宽度小于对应于从所述膜发出的声音的最大频率的波长的一半。
9.根据权利要求8所述的扬声器装置，其中所述膜的所述第一宽度为约25mm或更小。
10.根据权利要求8所述的扬声器装置，还包括设置在所述第四区域处的吸声构件，在所述第四区域中所述膜被所述遮挡单元遮挡而不暴露。
11.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述遮挡单元包括：
前格栅，设置在所述膜处；和
显示单元，设置在所述前格栅处，
其中所述膜的具有所述第一高度的所述第一区域被所述显示单元和所述前格栅中的至少一个遮挡而不暴露。
12.根据权利要求8所述的扬声器装置，其中所述遮挡单元包括设置在所述膜处的前格栅和设置在所述前格栅处的显示单元，
所述膜的具有所述第二宽度的所述第四区域被所述显示单元和所述前格栅中的至少一个遮挡而不暴露。
13.一种扬声器装置，包括：
扬声器单元，包括：
磁体，配置为提供磁场；和
膜，设置在所述磁场中，配置为在竖直方向上可振动并配置为在垂直于所述竖直方向的第一水平方向上发出声音，所述膜具有在第二水平方向上的总宽度，该总宽度大于在所述竖直方向上的高度，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向和所述竖直方向；以及
吸声构件，设置在所述膜的沿着所述第二水平方向的相反的端部分中的至少一个上，并配置为吸收从所述膜发出的声音的一部分，其中所述吸声构件不设置于所述膜的中心部分上，所述膜的所述中心部分在所述膜的沿所述第二水平方向的所述相反的端部分之间。
14.根据权利要求13所述的扬声器装置，还包括遮挡单元，所述遮挡单元设置在所述膜处，配置为暴露所述膜的在所述第二水平方向上具有第一宽度的第一区域，并配置为遮挡具有第二宽度的第二区域而使其不沿着所述第一水平方向暴露，所述第一宽度和第二宽度之和对应于所述总宽度，
其中所述膜的所述第二宽度小于与从所述膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。
15.一种电子装置，包括权利要求1所述的扬声器装置。
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