CN107871709A - 能够适应高温的薄膜滤波器制造方法 - Google Patents

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罗志刚
宋旭
王东
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Chengdu Asahi Stewart Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，依次进行以下步骤：准备一块P型硅片；在所述P型硅片上进行硼扩散，在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极，多晶硅的掺杂使用三氯氧磷掺杂工艺，多晶硅的方块电阻为180Ω；在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。本发明解决了现有技术存在的滤波器不能适应高温的问题，提供能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其应用时降低滤波器的温度系数，从而提高产品的温度稳定性和适应性，从而使产品能够适应高温。

Description

能够适应高温的薄膜滤波器制造方法
技术领域
本发明涉及薄膜滤波器，具体涉及能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，。
背景技术
滤波器的制造分为厚膜工艺和薄膜工艺。厚膜工艺生产的滤波器价格低廉、体积较大、温度系数较大，在体积大散热好的设备中应用较多；薄膜工艺生产的滤波器价格较高，但体积小、温度系数较小，满足现在高端消费类电子产品的要求，因此在高端消费类电子产品中占据主流。
但随着消费类电子产品的不断发展，对于电路中各种元器件的性能要求也进一步提高。目前滤波器的温度系数都在200ppm/℃以上，随着工作环境温度的升高，滤波器的电参数变差，严重时将会失去滤波功能，导致整机功能失效。因此需要降低滤波器的温度系数，提高产品的温度稳定性，满足客户要求。
发明内容
本发明解决了现有技术存在的滤波器不能适应高温的问题，提供能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其应用时降低滤波器的温度系数，从而提高产品的温度稳定性和适应性，从而使产品能够适应高温。
本发明通过下述技术方案实现：
能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，依次进行以下步骤：
A：准备一块P型硅片；
B：在所述P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；
C：在所述P型硅片上依次进行干法氧化工艺、湿法氧化工艺、干法氧化工艺生长出厚度均匀的氧化层；
D：在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极；
E：在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。
进一步的，能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，在所述步骤B与步骤C之间增加步骤F：对所述P型硅片进行超声处理、酸液清洗、漂酸、冲水以及甩干工艺。
进一步的，能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，所述步骤C中的氧化层的厚度均匀，片内偏差控制在1％以内。
进一步的，能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，所述步骤D中多晶硅的掺杂使用三氯氧磷掺杂工艺，多晶硅的方块电阻为180Ω。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
1、本发明通过调节多晶硅的方块电阻，使多晶硅的温度系数降低，同时通过改善氧化层质量以及对氧化层厚度均匀性的精确控制使电容的精度提高，最终降低RC滤波器温度系数，提高了滤波器的温度稳定性,使滤波器产品的性能迈上一个新台阶。
2、本发明操作方便简单，易于实现。
3、本发明价格低廉、易于推广。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例
能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，依次进行以下步骤：
A：准备一块P型硅片；
B：在所述P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；
F：对所述P型硅片进行超声处理、酸液清洗、漂酸、冲水以及甩干工艺；
C：在所述P型硅片上依次进行干法氧化工艺、湿法氧化工艺、干法氧化工艺生长出厚度均匀的氧化层；氧化层的厚度均匀，片内偏差控制在1％以内；
D：在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极，多晶硅的掺杂使用三氯氧磷掺杂工艺，多晶硅的方块电阻为180Ω；
E：在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。
本发明的核心思想在于提供一种低温度系数RC滤波器制造工艺。电阻由多晶硅的方块电阻以及多晶硅的长宽比决定，多晶硅的方块电阻影响电阻的温度系数，通过掺杂工艺调整多晶硅的方块电阻，降低电阻的温度系数；电容的精度由介质层的质量和厚度决定，通过干氧-湿氧-干氧的氧化生长工艺控制氧化层的质量，同时将氧化层的均匀性控制在1％以内，这样电容的精度就能保证。通过以上两个工艺的调整，将RC滤波器的温度系数降到50ppm/℃，从而提高产品的温度稳定性。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其特征在于，依次进行以下步骤：
A：准备一块P型硅片；
B：在所述P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；
C：在所述P型硅片上依次进行干法氧化工艺、湿法氧化工艺、干法氧化工艺生长出厚度均匀的氧化层；
D：在所述P型硅片上依次进行多晶硅淀积、三氯氧磷掺杂工艺，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电阻以及电容的上电极；
E：在所述P型硅片上依次进行溅射工艺、光刻、腐蚀工艺形成RC滤波器的金属层。
2.根据权利要求1所述的能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其特征在于，在所述步骤B与步骤C之间增加步骤F：对所述P型硅片进行超声处理、酸液清洗、漂酸、冲水以及甩干工艺。
3.根据权利要求1所述的能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其特征在于，所述步骤C中的氧化层的厚度均匀，片内偏差控制在1％以内。
4.根据权利要求1所述的能够适应高温的薄膜滤波器制造方法，其特征在于，所述步骤D中多晶硅的掺杂使用三氯氧磷掺杂工艺，多晶硅的方块电阻为180Ω。
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