CN107864550A - 一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法 - Google Patents

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施吉连
贺永宁
刘兆
倪新军
倪文波
王福兴
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TAIZHOU BOTAI ELECTRONICS Co Ltd
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TAIZHOU BOTAI ELECTRONICS Co Ltd
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials

Abstract

本发明涉及一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，将镂空板叠置在所述绝缘基板上，镂空板的镂空图形与预制的线路板导电图形相对应；对复合结构的镂空板上进行磁控溅射金属导电材料，将镂空板去除后，在绝缘基板上方形成线路层；在线路层上覆盖绝缘层；在线路层的底面贴设所述高导热片；再在高导热片的外表面覆盖石墨吸热蓄热板；将多个制成的线路板依次沿其厚度方向对齐叠置；将多个对齐叠置的线路板锣混压槽、埋通孔、烤板；将加工室内的抽真空，向加工室内通入Ar，离子除胶；待线路板热熔后，分别在混压槽和埋通孔放入高频子板和铜块，并在底部叠放铜箔，然后进行压合，使高频子板、铜块、铜箔与线路板牢固粘结在一起。

Description

一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法
技术领域
本发明属于电路板加工领域，具体涉及一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法。
背景技术
随着电子设计和制造工艺的不断进步，电子产品也逐步在向高功能化、高密度化以及高传输速率的趋势发展。同时又由于芯片小型化的迅速发展、数据传输数量的增多，系统工作频率也越来越高。
但是，随着这种市场环境的影响，现有传统的线路板一般采用树脂、玻璃布作为基板。而这种类型的基板，热导率、电路板内热平衡性、耐化学腐蚀性能、耐热性能、介电损耗绝缘强度等性能都不够好。
鉴于此，提出一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法。
发明内容
为解决现有技术基板热导率、电路板内热平衡性、耐化学腐蚀性能、耐热性能、介电损耗绝缘强度等性能不佳等缺陷，本发明提供一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，预先准备以下材料：
所述材料包括镂空板、绝缘基板、绝缘层、高导热片以及石墨吸热蓄热板，并按照以下步骤进行操作：
第一步，将所述镂空板叠置在所述绝缘基板上，所述镂空板的镂空图形与预制的线路板导电图形相对应，形成一复合结构；
第二步，对所述复合结构的镂空板上进行磁控溅射金属导电材料，将镂空板去除后，在所述绝缘基板上方形成线路层；
第三步，在所述线路层上覆盖所述绝缘层，该绝缘层与绝缘基板四周对齐；
第四步，在所述线路层的底面贴设所述高导热片，该高导热片的边缘到绝缘基板边缘的距离等宽；
第五步，再在所述高导热片的外表面覆盖所述石墨吸热蓄热板，以形成线路板；
第六步，将多个由第一步至第五步制成的线路板依次沿其厚度方向对齐叠置；
第七步，将多个对齐叠置的线路板锣混压槽、埋通孔、烤板；
第八步，将加工室内的真空度抽至高于5.0×10-4Pa，向加工室内通入Ar，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.3-0.6Pa，进行离子除胶30分钟；
第九步，待所述线路板热熔后，分别在混压槽和埋通孔放入高频子板和铜块，并在底部叠放铜箔，然后进行压合，使高频子板、铜块、铜箔与线路板牢固粘结在一起。
进一步地，在等离子除胶时，开启离子源电源及偏压电源30分钟。
进一步地，所述高导热片的厚度范围为2～3mm。
进一步地，所述石墨吸热蓄热板的厚度范围为2～3mm。
进一步地，所述绝缘基板的厚度在3～5mm。
进一步地，在第五步，所述压合过程中，升温速率控制在2.5℃/min～3℃/min，直至温度升到190℃。
进一步地，在第九步，所述压合过程中，升温速率控制在2℃/min～3℃/min，直至温度升到200℃。
进一步地，在第九步，所述压合过程中，维持200℃温度20～30min。
有益效果：本发明可靠性好、热导率高、绝缘性佳、耐热性能强，并且大大提高了线路板的热平衡性能。
附图说明
附图1为本实施例中加工流程图。
具体实施方式
实施例：一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法
如图1，所述材料包括镂空板、绝缘基板、绝缘层、高导热片以及石墨吸热蓄热板，并按照以下步骤进行操作：
第一步，将所述镂空板叠置在所述绝缘基板上，所述绝缘基板的厚度在4mm,所述镂空板的镂空图形与预制的线路板导电图形相对应，形成一复合结构。
第二步，对所述复合结构的镂空板上进行磁控溅射金属导电材料，将镂空板去除后，在所述绝缘基板上方形成线路层。
第三步，在所述线路层上覆盖所述绝缘层，该绝缘层与绝缘基板四周对齐。
第四步，在所述线路层的底面贴设所述高导热片，所述高导热片的厚度范围为2.5mm，且高导热片的边缘到绝缘基板边缘的距离等宽。
第五步，再在所述高导热片的外表面覆盖所述石墨吸热蓄热板，以形成线路板；其中，所述石墨吸热蓄热板的厚度范围为2.5mm。
第六步，将多个由第一步至第五步制成的线路板依次沿其厚度方向对齐叠置。
第七步，将多个对齐叠置的线路板锣混压槽、埋通孔、烤板。
第八步，将加工室内的真空度抽至高于5.0×10-4Pa，向加工室内通入Ar，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.3-0.6Pa，进行离子除胶30分钟，在等离子除胶时，开启离子源电源及偏压电源30分钟。
第九步，待所述线路板热熔后，分别在混压槽和埋通孔放入高频子板和铜块，并在底部叠放铜箔，然后进行压合，使高频子板、铜块、铜箔与线路板牢固粘结在一起。其中，在压合过程中，升温速率控制在2℃/min～3℃/min，,直至温度升到200℃，之后一直维持200℃温度30min。
以上已将本发明做一详细说明，以上所述，仅为本发明之较佳实施例而已，当不能限定本发明实施范围，即凡依本申请范围所作均等变化与修饰，皆应仍属本发明涵盖范围内。

Claims (7)

1.一种用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，其特征在于：预先准备以下材料：
所述材料包括镂空板、绝缘基板、绝缘层、高导热片以及石墨吸热蓄热板，并按照以下步骤进行操作：
第一步，将所述镂空板叠置在所述绝缘基板上，所述镂空板的镂空图形与预制的线路板导电图形相对应，形成一复合结构；
第二步，对所述复合结构的镂空板上进行磁控溅射金属导电材料，将镂空板去除后，在所述绝缘基板上方形成线路层；
第三步，在所述线路层上覆盖所述绝缘层，该绝缘层与绝缘基板四周对齐；
第四步，在所述线路层的底面贴设所述高导热片，该高导热片的边缘到绝缘基板边缘的距离等宽；
第五步，再在所述高导热片的外表面覆盖所述石墨吸热蓄热板，以形成线路板；
第六步，将多个由第一步至第五步制成的线路板依次沿其厚度方向对齐叠置；
第七步，将多个对齐叠置的线路板锣混压槽、埋通孔、烤板；
第八步，将加工室内的真空度抽至高于5.0×10-4Pa，向加工室内通入Ar，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.3-0.6Pa，进行离子除胶30分钟；
第九步，待所述线路板热熔后，分别在混压槽和埋通孔放入高频子板和铜块，并在底部叠放铜箔，然后进行压合，使高频子板、铜块、铜箔与线路板牢固粘结在一起。
2.根据权利要求1所述的用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，其特征在于：在等离子除胶时，开启离子源电源及偏压电源30分钟。
3.根据权利要求1所述的用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，其特征在于：所述高导热片的厚度范围为2～3mm。
4.根据权利要求3所述的用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，其特征在于：所述石墨吸热蓄热板的厚度范围为2～3mm。
5.根据权利要求4所述的用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，其特征在于：所述绝缘基板的厚度在3～5mm。
6.根据权利要求1所述的用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，其特征在于：在第九步，所述压合过程中，升温速率控制在2℃/min～3℃/min，直至温度升到200℃。
7.根据权利要求6所述的用于基于微元体热平衡的电路板制作方法，其特征在于：在第九步，所述压合过程中，维持200℃温度20～30min。
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